【課題】コアロッドを磁器製にし外被を高分子材料とし、それらを接触摩擦により係合させて形成される複合碍子を提供する。
【解決手段】磁器製で形成され、外周面に摩擦部を有するコアロッド２と、高分子材料で形成され、コアロッド２の外周面を摩擦部との接触摩擦により係合状態で被覆し、複数の笠部７を有する外被３とを備え、摩擦部が、凸状及び／又は凹状の構造体８からなり、構造体８がコアロッド２と一体的に形成されている。構造体８は、コアロッド２の周方向及び／又は長手方向に沿って線状又は点線状に連続して形成されている。また、構造体８は、コアロッド２の外周面に、一の方向に螺旋状に巻回して形成される第１の構造体と、一の方向と逆方向に螺旋状に巻回して形成される第２の構造体とからなる。さらに、コアロッド２が、外周面の一部又は全部の領域に複数の磁器製の微小片９を有し、微小片９がコアロッド２と一体的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】セラミック積層基板のような焼結構造体を製造する際に、生積層体を焼成する過程において、セラミックグリーンシートが１５〜３０％程度収縮するため、焼結構造体の寸法精度を高めることが難しいという課題があった。
【解決手段】本発明の一態様に係る焼結構造体の製造方法は、板状体および基体を準備する準備工程と、板状体および基体を焼成一体化する焼成工程と、個片に分割する分割工程とを有しており、板状体に含まれる第１焼結材料と同じ焼成条件における焼結収縮率が第１焼結材料よりも小さい第２焼結材料を含み、複数の開口部を２次元配列して設けているとともに隣接する開口部間の隔壁の厚さを等しくした基体を用いることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、
前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、１００ｋＨｚ未満の周波数の超音波を照射する工程と、１００ｋＨｚ以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】接着対象部材である銅により形成された導電層に対する硬化物の接着性が良好であり、更に硬化物の耐水性及び耐湿性に優れている絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁シートは、重量平均分子量が１万以上であるポリマーと、重量平均分子量が１万未満であり、かつエポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーと、チタン系又はジルコン系のカップリング剤とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電率を傾斜させるとともに、電界緩和シールドを埋め込み、沿面の電界分布の改善を図った絶縁支持装置を提供する。
【解決手段】絶縁操作ロッド１０のような貫通電気部材が空洞部１ａを貫通する無機絶縁材料の第１の絶縁層１と、第１の絶縁層１の外周に設けられるとともに、この第１の絶縁層１よりも誘電率の小さい有機絶縁材料の第２の絶縁層２と、第２の絶縁層２の一方端に埋め込まれるとともに、貫通電気部材および第１の絶縁層１内面の電界緩和を行う電界緩和シールド３とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の弾性率が低く、かつ硬化物の耐熱性及び耐電圧性が高い絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁シートは、重量平均分子量が１００００以上であるポリマーと、炭素数２〜６のアルキレンエーテル構造を有するエポキシ樹脂と、芳香族骨格を有さない硬化剤と、フィラーとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、硬化後の硬化物の弾性率が低く、かつ硬化物の耐熱性及び耐電圧性が高い絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁シートは、ビニル化合物と共役ジエン化合物とのブロック共重合体と、エポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーとを含む。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられ、未硬化状態でのハンドリング性に優れており、更に硬化後の硬化物の弾性率が低く、かつ該硬化物の熱伝導性にも優れている絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体を導電層に接着するために用いられる。本発明に係る絶縁シートは、重量平均分子量が１００００以上であるポリビニルアセタール樹脂と、エポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるフィラーとを含む。 （もっと読む）

【課題】高い圧電率を有し、圧電性能に優れる圧電・焦電素子用多孔質樹脂シート、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質樹脂シートに電子線照射処理又はコロナ放電処理を施すことにより気泡内部を帯電させる帯電処理工程を含む圧電・焦電素子用多孔質樹脂シートの製造方法であって、下記式にて表わされるキャパシタンス指標Ｘが０．２以上であるカバー層を多孔質樹脂シートの片面又は両面に積層した状態で前記帯電処理工程を行う。キャパシタンス指標Ｘ＝（カバー層の比誘電率ε_ｒ）／（カバー層の厚みｄ[μｍ]） （もっと読む）

【課題】電気絶縁材料の誘電損失を小さくすると共に、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる絶縁性フィラーを提供する。
【解決手段】比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１と、ポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２とにより形成される絶縁性フィラー１００を含有して電気絶縁材料が形成されることで、絶縁性フィラー１００は比誘電率および誘電正接の小さいポリマー粒子１０１を含んでいるため、電気絶縁材料の誘電損失を小さくすることができる。また、ポリマー粒子１０１を覆う絶縁体層１０２を形成する無機絶縁物の熱膨張率がポリマー粒子１０１よりも小さいため、絶縁性フィラー１００が加熱されたときにポリマー粒子１０１の表面を覆う絶縁体層１０２によりポリマー粒子１０１の熱膨張が抑制されるため、加熱処理されたときに電気絶縁材料が熱膨張するのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】懸垂碍子成形型などのセラミックス製品を割れや変形等を生じさせることなく成形型から確実に取り出すことができる懸垂碍子成形型を提供する。
【解決手段】金属製の型本体１の内周面に複数の離型用ブローエア噴出孔２を有しており、このブローエア噴出孔２には各々エア分岐管３が連結され、これらエア分岐管３の基部が底部中央に設けたカプラ４に集約されている。前記カプラ４は底部の下面側において昇降動するエア供給配管５に着脱自在とされており、また底部に前記エア供給配管５と干渉しないように独立して昇降自在とされている製品の押し上げ装置７を設けた。 （もっと読む）

【課題】未硬化状態でのハンドリング性が高く、耐熱性が高い硬化物を得ることができ、更に該硬化物に積層された積層物の反りを抑制できる絶縁シート及び積層構造体を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、ジフェニレンスルホン基を有するポリマーと、エポキシ基又はオキセタン基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、フィラーとを含有する。本発明に係る積層構造体１は、少なくとも一方の面に第１の導体層２ｂを有し、かつ貫通孔又は一方の面に凹部を有する基板２と、基板２の一方の面又は両方の面に積層された絶縁層３，４と、絶縁層３，４の基板２が積層された面とは反対側の面に積層された第２の導体層５，８又は回路基板とを備える。絶縁層３，４が上記絶縁シートを硬化させることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】微細で、かつ、結晶性が高く、しかも、焼成工程における粒成長を抑制することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】チタン酸バリウムを主たる成分とする主成分粉末を作製する主成分粉末作製工程を備えた誘電体磁器組成物の製造方法において、主成分粉末作製工程が、バリウム化合物とチタン化合物とを含む混合物を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程で得られた仮焼物を酸溶液により洗浄する酸洗浄工程とを備えた工程であり、酸洗浄後に得られる主成分粉末が、一般式ＡＢＯ₃で表され、Ａサイト元素とＢサイト元素のモル比であるＡ／Ｂ比が１．０未満、０．９以上であるペロブスカイト型複合酸化物であるという要件を満たすようにする。
酸洗浄工程後に得られる主成分粉末が、結晶軸のａ軸に対するｃ軸の比であるｃ／ａ軸比が１．０１０以上、比表面積が７ｍ²／ｇ以上という要件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】シアノ樹脂誘電体フィルムを含んでなる物品、およびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】シアノ樹脂誘電体フィルムを有するシアノ樹脂誘電体フィルムが強化材料のナノ構造体を含んでおり、かかるシアノ樹脂誘電体フィルムが、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、シアノエチルヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルセルロース及びこれらの組合せからなる群から選択される１種以上のシアノ樹脂からなるのが好ましく、かつ、それに結合された１以上の電極を含んでなるコンデンサであって、その製法は、シアノ樹脂を溶媒に溶解して溶液を調製する段階、強化材料を溶液中に分散させる段階、及び溶液を基材に塗工してシアノ樹脂誘電体フィルムを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高い硬化物を得ることができ、かつ該硬化物の表面に、耐水性、耐酸性及び耐アルカリ性が高い層を形成できる多層絶縁シートを提供する。
【解決手段】多層絶縁シート１は、熱硬化により接着対象部材を接着可能な多層絶縁シートである。多層絶縁シート１は、第１のフィラーを含む第１の層２と、第１の層２の一方の面２ａに積層されており、表面層であり、かつ第２のフィラーを含む第２の層３とを少なくとも有する。第１の層２に含まれている上記第１のフィラーは、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム及び炭酸マグネシウムからなる群から選択された少なくとも１種である。第２の層３に含まれている上記第２のフィラーは、アルミナ、シリカ、ジルコニア及び窒化ホウ素からなる群から選択された少なくとも１種である。 （もっと読む）

本開示の一実施形態は、絶縁体であって、セラミック組成物を備え、セラミック組成物が、約２５〜６０％のＳｉＯ₂と、３〜１５％のＢ₂Ｏ₃と５〜２５％のＡｌ₂Ｏ₃である、１５〜３５％のＲ₂Ｏ₃と、ＭｇＯ＋Ｌｉ₂Ｏの合計が約６〜２５％の間である、４〜２５％のＭｇＯ＋０〜７％のＬｉ₂Ｏと、０〜１５％のＮａ₂Ｏと、０〜１５％のＫ₂Ｏと、０〜１５％のＲｂ₂Ｏである、２〜２０％のＲ₂Ｏと、０〜１５％のＲｂ₂Ｏと、０〜２０％のＣｓ₂Ｏと、４〜２０％のＦと、結晶粒であり、第１の方向に対し垂直な方向の改善された絶縁特性を提供するために第１の方向に延びるように実質的に配向され、第１の方向が周方向であり、第１の方向に対し垂直な方向が半径方向である、結晶粒と、第１のゾーン及び第２のゾーンであり、第１のゾーンが圧縮されており、第２のゾーンに張力がかかっている、第１のゾーン及び第２のゾーンと、を含む絶縁体に向けられる。
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【課題】本発明は、簡素な手法を用いて、低コストで基板にダメージを与えることなく高品質の絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法及びこれを用いた絶縁膜付き基板の製造方法、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板４０上に絶縁膜５０を形成する絶縁膜の形成方法であって、
前記基板上に、ナノ粒子１０を含む分散溶液３０を塗布する塗布工程と、
前記基板上に塗布された前記分散溶液に含まれる前記ナノ粒子を酸素雰囲気下に暴露する酸化工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、かつ熱伝導性及び靭性、弾性等の機械的特性に優れる電気絶縁性熱伝導シートを提供する。
【解決手段】下方から上方へ向けて延在し、互いに離隔してなる複数のセラミック結晶体と、前記セラミック結晶体の隙間に充填されたゴム弾性を有する高分子体とを具え、前記セラミック結晶体の上部及び下部が、外方へ露出するようにして電気絶縁性熱伝導シートを構成する。 （もっと読む）

【課題】炉内加熱ヒータの１本当たりの出力を向上させ、かつ加熱線の各二重線部における折返し先端部での短絡を良好に防止する。
【解決手段】炉内加熱ヒータ１は、折返し先端部１１ａおよび二重線部１１ｂを有する加熱線１１を複数セット備える。各加熱線１１の先端側には炉内加熱ヒータ用碍子１２が配置される。碍子１２は、各二重線部１１ｂを１本ずつ通す線挿通孔のセットＳを有するベース板部１２ａを備える。ベース板部１２ａは、基準線Ｌを含む垂直面に対して傾斜状に突出し、隣り合う折返し先端部１１ａ同士が短絡しないように線挿通孔のセットＳをセット毎に仕切る仕切り壁１２ｃと、それら仕切り壁１２ｃの突出端を円筒状に繋ぎ、折返し先端部１１ａのいずれもが保護管３１（保護カバー）の内周面と短絡しないように線挿通孔のセットＳの全てと保護管３１の内周面とを仕切る外周壁１２ｄとを一体に備える。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐性が高く、かつ劣化しにくい碍子を提供する。
【解決手段】 碍子（２）は、一対の電極（４ａ，４ｂ）と該一対の電極（４ａ，４ｂ）間に設けられた基体（５）とを有する。基体（５）は、表面における一部の領域（５ａ）が半導電性であり、その他の領域（５ｂ）が絶縁性である結晶体からなる。上述の半導電性である一部の領域（５ａ）は、一対の電極（４ａ，４ｂ）に電気的に接続されている。また、基体（５）は、一部の領域（５ａ）の表面抵抗値が１０^６〜１０^１１Ω／□であり、その他の領域（５ｂ）の表面抵抗値が１０^１２Ω／□以上である。 （もっと読む）