【課題】付加する起動回路を小面積とし、高電源電圧でも低消費電流を実現した定電流回路を提供すること。
【解決手段】ＰＮＰ型のトランジスタＱ１，Ｑ２からなる第１のカレントミラー回路と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ１からなる第２のカレントミラー回路より構成された起動回路において、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ５とＮ型のＪＦＥＴトランジスタＪ１からなる起動回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】高温環境下又は低温環境下であっても温度依存性を効果的に抑制し得る基準電圧発生回路をより簡易に実現する。
【解決手段】基準電圧発生回路１は、基準電圧Ｖｒｅｆを生成すると共に、環境温度が所定の温度範囲のときに環境温度が上昇するにつれて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化しようとする特性を有する基準電圧回路３と、ダイオードＶｆ１（基準素子）の特性の変化に基づいて素子温度に応じた出力が生成される温度検知部４と、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを補正する基準電圧補正部５とを備えている。そして、基準電圧補正部５は、環境温度が所定の温度範囲のときに、環境温度が上昇するほど、その上昇に応じて基準電圧Ｖｒｅｆが減少側に変化することを抑制する量を大きくするように、温度検知部４からの出力に基づいて基準電圧回路３における所定電流経路の電流量を変化させている。 （もっと読む）

【課題】基準電圧立ち上がり時間の短縮が図れ、起動時間の遅延を防止することができるバンドギャップ基準電圧装置の提供。
【解決手段】バンドギャップ基準電圧装置は、出力端子３００ａより所定の基準電圧ＶＲＥＦを出力するバンドギャップ回路１０と、バンドギャップ回路１０に電流を供給して該バンドギャップ回路１０を起動させる定電流源１１と、バンドギャップ回路１０の起動時に、出力端子３００ａからバンドギャップ回路１０に電流を供給する電流供給部と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＲとレギュレータの温度特性を正しく補正する機能を持つ基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】分圧回路５０は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを分圧した電圧ＶＴ１およびＶＴ２を出力する。レギュレータ６は、差動アンプＡＭＰ１と、差動アンプＡＭＰ１の出力とグランドとの間に直列接続された抵抗Ｒ４および抵抗Ｒ５とを含む。差動アンプＡＭＰ１の正の入力端子は、バンドギャップ基準電圧ＶＢＧＲを受け、負の入力端子は、抵抗Ｒ１とＲ２の接続ノードＮＤ６と接続する。ＢＧＲ回路４は、ＢＧＲ回路４内を流れる所定量の電流と所定の抵抗とによって定まる温度に応じて変化する電圧ＶＰＴＡＴを出力する。温度特性補正回路２は、電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ１との差、および電圧ＶＰＴＡＴと電圧ＶＴ２との差に応じた大きさの補正電流ＩＣＯＲＲＥＣＴを接続ノードＮＤ６に流れるように制御する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の少ない基準電圧を発生する回路を、従来並みのサイズで提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体接合に異なる電流密度の電流を流したときの差電圧に比例する電圧と、半導体接合に生ずる順方向電圧に比例する電圧とを加算して出力電圧とするバンドギャップリファレンス回路において、
前記差電圧が印加される第一のトンネル電流素子と、
第二のトンネル電流素子もしくは第二の複数のトンネル電流素子を直列接続した回路と、
前記第一のトンネル電流素子に流れる電流に比例した電流を前記第二のトンネル電流素子に流す手段によって、
上記「差電圧に比例する電圧」を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動装置に与える基準電圧として、温度特性が良好で、電源電圧の変動に対して変動の少ない基準電圧を生成する。
【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧発生回路１００において、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数に依存して生じる負の温度係数を持った第１カレントミラー回路１２０と、前記負の温度係数に依存して生じる正の温度係数を持った第２カレントミラー回路１４０とを備えている。そして、電流減算回路１５０により、第１カレントミラー回路１１０の出力電流から、第２カレントミラー回路１４０の出力電流を減じた電流を作成し、これと比例する基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。 （もっと読む）

【課題】何れかのバンドギャップ電圧基準回路内のバイポーラ素子に格子欠陥等の不具合が発生しても、基準電流の供給先の回路を安定に動作させることができる電流源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】シリコンＳｉのバンドギャップ電圧を利用して、基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２を出力するバンドギャップ電圧基準回路２，４と、バンドギャップ電圧基準回路２，４から出力された基準電流Ｉｒｅｆ１，Ｉｒｅｆ２の総和を基準電流Ｉｒｅｆとして出力する電流出力回路５とを備える。 （もっと読む）

【課題】充電電流の温度依存性が小さい低コストの充電用定電流回路と、その充電用定電流回路を用いた過充電防止機能を備えた充電装置を提供する。
【解決手段】ベースとエミッタとコレクタとベースとがそれぞれ接続される同極性の第１のトランジスタと第２のトランジスタと、第１のトランジスタのベースに一端を順方向に接続するダイオードと、ダイオードの他端と当該第１のトランジスタのエミッタとの間に直列に接続される第１の抵抗素子と、第１のトランジスタのコレクタと第２のトランジスタのベースとの接続点に一端を接続する第２の抵抗素子と、を備え、第１のトランジスタのベース・エミッタ間電圧の温度変化をダイオードの温度変化で打ち消す。 （もっと読む）

【課題】トリミングデータによって調整可能な基準電圧発生回路を備えた半導体装置において、電源が立上がるまでの基準電圧のばらつきの影響を受けないようにする。
【解決手段】半導体装置１０において、基準電圧生成部１は、外部電源電圧ＶＣＣに基づいて、トリミングデータＴＲＭ１に応じて調整された第１の基準電圧Ｖ１＊およびこのトリミングデータＴＲＭ１に依存しない第２の基準電圧Ｖ２を生成する。不揮発性メモリ３は、第１の基準電圧Ｖ１＊に基づく電圧によって動作し、上記のトリミングデータＴＲＭ１を記憶する。パワーオンリセット回路５は、電源立上げ時に外部電源電圧ＶＣＣが第２の基準電圧Ｖ２の定数倍に達したときにリセット信号の論理レベルを切替える。制御回路６は、リセット信号の論理レベルの切替に応答して、不揮発性メモリ３に記憶された上記のトリミングデータＴＲＭ１を基準電圧生成部１に読込ませる。 （もっと読む）

【課題】寄生素子の動作を起因とする不安定動作を防ぐことができる、半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】入出力を異なる電流値にする入出力比特性を有するカレントミラーを構成する一対のトランジスタ（６３，６５）と、前記カレントミラーの出力電流に応じて基準電圧を生成する出力トランジスタとを備える半導体集積回路であって、一対のトランジスタ（６３，６５）のうち前記電流値が小さい方のトランジスタ６３側のコレクタ領域８５Ａの総面積と一対のトランジスタ（６３，６５）のうち前記電流値が大きい方のトランジスタ６５側のコレクタ領域８２と８８とを合わせた総面積とが等しくなるように構成されたことを特徴とする、半導体集積回路。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの閾値電圧に対する依存性が抑制された定電圧を供給する定電圧回路を提供する。
【解決手段】本発明にかかる定電圧回路は、第１および第２のノードで互いのドレインおよびゲートが共通接続される電界効果トランジスタＱ１１およびＱ１２と、電界効果トランジスタＱ１１、１２のゲートが共通接続される前記第２のノードと電界効果トランジスタＱ１２のソースとの間に接続される抵抗器Ｒ１１と、コレクタが前記第２のノードに接続されるバイポーラトランジスタＱ１３と、電界効果トランジスタＱ１２のソースに接続し、バイポーラトランジスタＱ１３のベースにバイアス電圧を供給するバイアス回路１０１と、を備え、電界効果トランジスタＱ１１、１２のドレインが共通接続される前記第１のノードに電圧源Ｖｂａｔが接続され、電界効果トランジスタＱ１１のソースから定電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、且つ負荷の消費電力を高い精度で一定に制御できる定電力制御回路を提供する。
【解決手段】定電力制御回路１０は、ヒータＨに電流を供給する電流源１１と、ヒータＨの両端電圧の大きさに相当する検出信号を生成するＡ／Ｄ変換器１２と、Ａ／Ｄ変換器１２に第１の基準電圧を与える離散制御型ＢＧＲ１６と、電流源１１の出力電流の大きさを制御するための離散的な制御信号を生成する制御回路１３と、離散的な制御信号を連続的な制御信号に変換するＤ／Ａ変換器１４と、Ｄ／Ａ変換器１４に第２の基準電圧を与える連続制御型ＢＧＲ１５とを備える。制御回路１３は、連続制御型ＢＧＲ１５からＡ／Ｄ変換器１２を介して第２の基準電圧の大きさに関するモニタ信号を入力し、モニタ信号が示す第２の基準電圧の変動量に基づいて離散的な制御信号を補正する。 （もっと読む）

【課題】オペアンプのオフセット電圧の影響を抑えたバンドギャップ電圧と最低動作電圧を抑えたバンドギャップ電圧とを得ることを目的とする。
【解決手段】開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタ、第２のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第１の抵抗、第１のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第１の抵抗の他端が入力に接続され、負帰還制御が行われる第１のオペアンプを有する。また、開示の装置は、第１及び第２のＰＮＰトランジスタのエミッタにベースが接続された第３及び第４のＰＮＰトランジスタ、第４のＰＮＰトランジスタのエミッタに一端が接続された第２の抵抗、第３のＰＮＰトランジスタのエミッタ及び第２の抵抗の他端が入力に接続された、負帰還制御が行われる第２のオペアンプを有する。 （もっと読む）

【課題】交流的な電源電圧変動による基準電圧への影響を抑え、かつ、半導体装置に内蔵する場合にレイアウト面積を小さくできる基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】それぞれカソードが基準電位に接続された第１、第２のダイオードと、第２のダイオードのアノードに一端が接続された第１の抵抗素子と、第２の抵抗素子と、第１の抵抗素子の他端に一端が接続された第３の抵抗素子と、第１のダイオードのアノードに一端が接続された第４の抵抗素子と、第１、第２の差動入力端子と差動出力端子とを有する差動増幅回路と、を備え、第１の差動入力端子に第１の抵抗素子の他端が接続され、第２の差動入力端子に第２の抵抗素子を介して第１のダイオードのアノードが接続され、差動出力端子に第３の抵抗素子の他端と第４の抵抗素子の他端とが接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を改善した基準電圧回路を提供する。
【解決手段】基準電圧回路１００は、電源端子と接地端子の間に順に直列にスタックされた電流源３０、第１バンドギャップリファレンス回路１０および第２バンドギャップリファレンス回路２０を備える。第１バンドギャップリファレンス回路１０と第２バンドギャップリファレンス回路２０はそれぞれ、互いに反対の温度係数を有する第１基準電圧Ｖｒｅｆ１、第２基準電圧Ｖｒｅｆ２を生成するよう構成される。基準電圧回路１００は、第１基準電圧Ｖｒｅｆ１と第２基準電圧Ｖｒｅｆ２の和電圧Ｖｒｅｆ（＝Ｖｒｅｆ１＋Ｖｒｅｆ２）を出力する。 （もっと読む）

【課題】１次の温度依存性だけではなく、２次以上の温度依存性を補正することにより、高精度のクロック信号を生成する。
【解決手段】シリコンのｐ−ｎ接合ダイオードの順方向電圧Ｖｂｅ０が負の１次温度係数をもつこと、電流密度の異なるｐ−ｎ接合ダイオードの順方向電圧の差（Ｖｐｔａｔ＝Ｖｂｅｎ−Ｖｂｅ０）が正の１次温度係数をもつことを利用し、正の１次の温度係数をもった電流Ｉｐｔａｔと１次の温度係数が小さい電流Ｉ０を生成させ、抵抗Ｒ１０とバイポーラのトランジスタＱ１０〜Ｑ１３からなる電流生成部に、電流Ｉ０，Ｉｐｔａｔを加算および減算することにより、正の２次温度係数をもった電流Ｉｐｔａｔ２を生成し、これを用いて正の２次温度係数をもった基準電圧を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性を持たないバンドギャップリファレンス回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の入力端に供給される電位差に基づいて電流経路ＰＡ，ＰＢに流れる電流量を制御することによりリファレンス電圧を生成するオペアンプＯＰと、第１及び第２の入力端が電流経路ＰＡ，ＰＢに含まれる接続点Ａ，Ｂにそれぞれ接続されている場合に得られるリファレンス電圧ＶＲＥＦ１と、第１及び第２の入力端が接続点Ｂ，Ａにそれぞれ接続されている場合に得られるリファレンス電圧ＶＲＥＦ２との中間値を生成するローパスフィルタＬＰＦとを備える。これにより、オペアンプＯＰのオフセット電圧がキャンセルされることから、オフセット電圧がゼロである場合に得られる理想的なリファレンス電圧ＶＲＥＦを生成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度に対する変動幅が小さく所望の電圧値を有する出力電圧を生成する基準電圧生成回路を提供する。
【解決手段】基準電圧を生成する差動アンプＡ１の出力端子ＯＵＴとグランドとの間に，第１抵抗Ｒ１，第２抵抗Ｒ２と，第２抵抗Ｒ２にエミッタが接続されグランドにコレクタが接続された第１トランジスタＢ１とを有する第１の経路と，差動アンプＡ１の出力端子ＯＵＴとグランドとの間に，第３抵抗Ｒ１ｂと第３抵抗にエミッタが接続されグランドにコレクタが接続された第２トランジスタＢ２とを有する第２の経路とを有する。第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との間の第１ノードＮ１と，第３抵抗Ｒ１ｂと第２トランジスタＢ２のエミッタとの間の第２ノードＮ２とが，差動アンプの入力端子対にそれぞれ接続され，第１トランジスタＢ１のエミッタサイズが第２トランジスタＢ２のエミッタサイズより大きく，さらに第４の抵抗Ｒ３を有する。 （もっと読む）