【課題】コイルのインダクタンス値の変動に伴って位相余裕が小さくなることを抑制できる電源装置を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１のコンバータ部２は、入力電圧Ｖｉが供給されるトランジスタＴ１と、トランジスタＴ１と出力電圧Ｖｏを出力する出力端子Ｐｏとの間に接続されたコイルＬ１とを有している。また、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の制御回路３は、参照電圧ＶＲ１にスロープを付加するコンデンサＣ３及びスイッチ回路ＳＷ１と、出力電圧Ｖｏに応じた帰還電圧ＶＦＢと上記スロープが付加された参照電圧ＶＲ１との比較結果に応じたタイミングでトランジスタＴ１をスイッチングする制御部とを有している。さらに、制御回路３は、コイルＬ１に流れるコイル電流ＩＬを微分した結果に基づいて、参照電圧ＶＲ１のスロープのスロープ量を調整する検出回路４０及び電流源２１を有している。 （もっと読む）

【課題】チップサイズと消費電流の増加を招くことなく入力電圧及び出力電流が変化してもスイッチング周波数と出力電圧を一定に保つ。
【解決手段】スイッチング時間制御回路３は、スイッチ素子ＳＷ１のオン時間とスイッチ素子ＳＷ２のオン時間との和に対するスイッチ素子ＳＷ１のオン時間の比に基づいてスイッチ素子ＳＷ１のオン期間の終了タイミングを示すスイッチング時間制御信号ＴＯＮを発生する。コンパレータ６は、出力電圧ＶＯＵＴと基準電圧ＶＲＥＦとの比較結果に基づいて、スイッチ素子ＳＷ２のオン期間の終了タイミングを示すスイッチング時間制御信号ＣＭＰＯを発生する。スイッチ素子制御回路２は、スイッチング時間制御信号ＴＯＮ及びＣＭＰＯに基づいて、スイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２が相補的にオンしかつ出力電圧ＶＯＵＴが一定電圧になるように、スイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２をオンオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】電動機の駆動に必要な電圧の確保とバッテリの迅速な昇温との両立を図ることができるバッテリ昇温システムを提供する。
【解決手段】制御装置１４は、車両の走行中に車両の走行状態に応じて電動機３０を駆動するために必要な駆動電圧Ｖｍを演算し、蓄電装置１３に充電されたコンデンサ電圧Ｖｃを取得する。そして、制御装置１４は、電動機３０を駆動するために必要な最大電圧である基準電圧Ｖｔｈと電動機３０を駆動するために必要な駆動電圧Ｖｍとの範囲内にコンデンサ電圧Ｖｃが収まるようにバッテリ１１と蓄電装置１３との間で電力の授受を切り替える。これにより、電動機３０の駆動に必要な駆動電圧Ｖｍの確保とバッテリ１１の迅速な昇温との両立を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】フィードバック配線が開放されても、過剰な電圧が出力されるのを抑制することができるＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ブートストラップ回路のスイッチング素子Ｔｒ２と反対側が接続されるブート配線ＰＢと、フィードバック配線ＰＦＢとの間にキャパシタＣｆｖが取り付けられているＤＣ−ＤＣコンバータＰｇ。 （もっと読む）

【課題】負荷急変時において、ＤＣ−ＤＣコンバータの電流のバランスがとれ、かつ、高速応答可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、スイッチング素子を駆動する駆動回路と、入出力電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄコンバータと、Ａ／Ｄコンバータからの出力を入力し、スイッチング動作時間を表すスイッチングパルスのパルス幅を演算する演算処理回路と、演算処理回路から演算されたスイッチングパルスのパルス幅を入力し、該パルス幅のデューティ・サイクルを可変させて駆動回路に付与するＰＷＭ回路と、を備え、演算処理回路では、入出力電圧及び所定の負荷電流の各値を使用して、スイッチングパルスのパルス幅を演算するＤＣ−ＤＣコンバータ。 （もっと読む）

【課題】一次側と二次側の電圧の大小関係が変化しても連続的に電流の制御を行う際に一次側と二次側の電圧検出値のうち一方について逐次の値を不要とする。
【解決手段】昇降圧双方向ＤＣ／ＤＣコンバータのＤＣリアクトル３の電流を制御するために一次側と二次側の電圧Ｖ１，Ｖ２とＤＣリアクトル３の電流の検出値ＩＬを用いるが、このうち一方の電圧検出値Ｖ２はリアクトル電流制御の際の積分初期値にのみ使用し、通流率指令値を作成する際には逐次の値を演算に使用せず、他方の電圧検出値Ｖ１のみを逐次の値として使用する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した、ＤＣ入力電圧をＤＣ出力電圧またはＡＣ出力電圧に変換するコンバータを提供する。
【解決手段】コンバータは、入力端子１０１と出力端子１０３に電圧を供給するスイッチング素子１０４を備え、スイッチング素子１０４をオフしたとき、寄生インダクタンスＬｐａｒａｓｉｔｉｃによって誘導されるエネルギをキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えるために、ダイオードＤ１１０およびキャパシタＣ１１０の第１の直列回路１１０が設けられている。ダイオードＤ１１０は一方の入力端子１０１に結合され、並列に結合されている能動回路１２０によって、第１の直列回路１１０のキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えられているエネルギを解放制御する。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構成により、電子機器の動作状態又は停止状態に応じて、それぞれ異なる直流電圧を出力する。
【解決手段】１次巻線と補助巻線と２次巻線を有するトランスＴ３０１と、入力された交流電圧を平滑整流した直流電圧の１次巻線への導通を制御する主スイッチング素子Ｑ３０１と、２次巻線に発生する電圧を平滑整流した電圧Ｖｏｕｔと基準電圧を比較し、電圧差に応じた電圧を出力する差動増幅器ＩＣ３０１と、トランスの２次側の差動増幅器からの出力電圧に応じた帰還電流を１次側に伝達するフォトカプラＰＣ３０１と、帰還電流と補助巻線からの帰還電圧に応じて、主スイッチング素子を制御するスイッチング素子Ｑ３０２と、２次巻線に電圧Ｖｏｕｔ２を発生させる際に、帰還電流を増加させて、主スイッチング素子をオフ状態にするスイッチング素子Ｑ３０４を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源の出力回路に設けられた誘導性素子の逆流電流によって発生する、出力コンデンサのアンダーシュートを抑制する。
【解決手段】開閉素子20Aを制御して車載バッテリ11から降圧された所定の中間電圧Ｖaを得ると共に、脈動電圧を抑制するために下流側コイル21aと転流ダイオード25と出力コン
デンサ22aが接続されたスイッチング電源を有する車載電子制御装置において、車載バッ
テリ11の電源電圧Ｖbが異常低下したときに、開閉素子20Aが逆導通して出力コンデンサ22aの充電電圧が異常低下するのを防止するために、開閉素子20Aに対する逆導通抑制回路70Aを設ける。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源回路における電力の無駄な消費を抑えつつ、負荷に供給する電圧を安定させる。
【解決手段】制御部４０は、キャパシタ２４の充電電圧ＶＯＵＴの上昇に応じてＰチャネルトランジスタＰＰＳ及びＮチャネルトランジスタＮＰＳのスイッチング周波数ｆを低下させる。制御部４０は、スイッチング周波数ｆが下限周波数ｆ_０になったときに限り電圧リミタ２７とキャパシタ２４とを接続させ、電圧リミタ２７によりキャパシタ２４の充電電圧ＶＯＵＴを上限電圧ＬＭＴ１以下になるまで基準電源線に放電させる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤへの過大電流を防止できるＬＥＤ電源装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ電源装置１０は、整流器ＤＢと、ＬＥＤ１２へ電力を供給する出力電源調整回路１３と、ドライブ回路１４と、ＬＥＤ１２に流れる電流を検出することによりＬＥＤ１２の有無を判定し、ＬＥＤ１２のない状態を検出するとドライブ回路１４を停止するように動作する停止制御回路１６と、整流後の電圧をモニターし停止制御回路１６を制御するマスク回路１７とを備え、整流後の電圧がマスク回路１７の所定値以下の場合は、停止制御回路１６を動作禁止としない。 （もっと読む）

【課題】無負荷時または軽負荷時においても安定した高精度の定電圧制御を可能とする。
【解決手段】ＰＷＭ制御信号を入力してＰＷＭ駆動信号を出力する駆動信号生成回路２４において、電圧ＶｂがＨからＬに変化した時、電源線２７からトランジスタＴＰ２と抵抗２９を通してコンデンサ３０に充電電流が流れるので、電圧Ｖｃの立ち上がる傾きが減少してＨへの反転タイミングが遅れる。電圧ＶｂがＬからＨに変化した時には、コンデンサ３０の放電経路に抵抗２９が介在しないのでＬへの反転タイミングに遅れは生じない。遅延回路３１を設けたことにより電圧ＶｃのＨパルス幅が狭まり、極めて幅狭のオンパルスを出力できる。 （もっと読む）

【課題】２つの電位の誤差を増幅して出力する半導体装置におけるスタンバイ状態からの復帰に際して生じる動作遅延を抑制する。
【解決手段】チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタによって、トランスコンダクタンスアンプの出力端子とキャパシタの一方の電極の電気的な接続を制御する。よって、トランスコンダクタンスアンプがスタンバイ状態となる場合であっても、当該トランジスタをオフ状態とすることでキャパシタの一方の電極において長期に渡って電荷の保持を行うことが可能となる。また、トランスコンダクタンスアンプをスタンバイ状態から復帰する際には、当該トランジスタをオン状態とすることで、キャパシタの充放電を早期に収束させることができる。これにより、早期に当該半導体装置の動作を定常状態とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングの周波数を適切に制御することにより、高輝度域でのバースト調光の分解能を確保すると共に、低輝度域でのちらつきも低減可能とした固体光源点灯装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ１を用いて入力直流電源Ｖｄｃを電力変換して固体光源３に電流を流す直流電源回路部１と、スイッチング素子Ｑ１を高周波でオンオフする第１のスイッチング制御手段２ａと、第１のスイッチング制御手段２ａよりも低周波でスイッチング素子Ｑ１のオンオフ動作を間欠的に停止させる第２のスイッチング制御手段２ｂを有し、固体光源３に流す電流を変化させる場合、第２のスイッチング制御手段２ｂの周波数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ＤＣ／ＤＣ電力変換装置のリアクトルに電流が流れなくなり、充放電コンデンサの電圧制御ができなくなったとき、半導体素子の過電圧破壊を防止する。
【解決手段】直流電源１０に接続されたリアクトル１２と出力電圧の平滑用コンデンサ１８ａ、１８ｂ間に直流電圧変換部２３を設け、第１及び第２スイッチング素子１３、１４と、第１及び第２スイッチング素子１３、１４のオンオフにより充放電動作する充放電コンデンサ１５と、充放電コンデンサ１５の充電経路と放電経路を形成するダイオード１６、１７で構成する。ダイオード１６、１７と平滑用コンデンサ１８ａとの接続点と、充放電コンデンサ１５の高電位側端子の間に接続された分圧抵抗２４と、充放電コンデンサ１５と並列に接続された分圧抵抗２５と、充放電コンデンサ１５の低電位側端子と、第１スイッチ素子１３と平滑用コンデンサ１８ｂの接続点の間に接続された分圧抵抗２６を備えた。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が安定化する前に動作してしまうことを確実に防止する。
【解決手段】交流電圧から変換されて電源入力ラインによって供給される直流電圧を、当該電源入力ラインと接続する入力端子を介して入力するＤＣ‐ＤＣコンバータ用のＩＣを含み、当該ＩＣによる動作によって値が変換された直流電圧を出力可能であり、当該ＩＣは所定のしきい値以上の電圧をイネーブル端子から入力する場合に動作可能となる、ＤＣ‐ＤＣ変換回路であって、上記電源入力ラインから供給される直流電圧が所定値に達したときに、上記イネーブル端子に入力される電圧を上記しきい値以上にするイネーブル制御回路を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】低損失で、磁気特性が低下し難いリアクトル、このリアクトルの部品に適したリアクトル用コア、このコアの材料に適した複合材料を提供する。
【解決手段】リアクトル1Aは、巻線2wを螺旋状に巻回してなる一つのコイル2と、コイル2の内外に配置されて閉磁路を形成する磁性コア3とを具える。磁性コア3は、コイル2内に配置される内側コア部31と、コイル2の外周を覆うように設けられた外側コア部32とを具える。外側コア部32は、磁性体粉末と樹脂との複合材料から構成されている。この複合材料の断面における気泡の最大径が300μm以下である。リアクトル1Aは、外側コア部32における気泡の最大径が300μm以下であることで、低損失で、磁気特性が低下し難い。 （もっと読む）

【課題】効率の改善された電源装置を提供する。
【解決手段】スイッチングレギュレータ１０は、入力電圧Ｖ_ＢＡＴを降圧して第１出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１を生成する。リニアレギュレータ３０は、第１出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１を安定化して第２出力電圧Ｖ_ＯＵＴ２を生成する。パルス信号生成部１１は、第１出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１が第１設定レベルＶ_Ｌ１と一致するようにデューティ比が調節されるパルス信号Ｓ１を生成する。ドライバ１６は、パルス信号Ｓ１に応じて、スイッチングレギュレータ１０のスイッチング動作を制御する。リニアレギュレータ３０は、第１出力電圧Ｖ_ＯＵＴ１を、制御データＳ１によって指示された第２設定レベルＶ_Ｌ２に安定化し、第２出力電圧Ｖ_ＯＵＴ２を生成する。出力調節部４４は、第１設定レベルＶ_Ｌ１を、制御データＳ１に応じた値に設定する。 （もっと読む）

【課題】 リップル制御方式のスイッチング電源装置において、ラインレギュレーションを悪化させることなく、制御回路（ＩＣ）にリップル注入機能を搭載することができるようにする。
【解決手段】 インダクタに電流を流す駆動用スイッチング素子（ＳＷ１）をオン、オフ制御する制御回路（２０）を備えたリップル制御方式のスイッチング電源装置において、前記制御回路は、フィードバック電圧と所定の電圧とを比較する電圧比較回路（２３）と、振幅が一定の疑似リップル電圧を生成する疑似リップル生成回路（２１）を備え、この疑似リップル生成回路により生成された疑似リップル電圧に基づいてフィードバック電圧の伝達経路においてリップル成分を注入するように構成した。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置ＳＭ１のパッケージＰＡ内には、パワーＭＯＳ・ＦＥＴが形成された半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬと、その動作を制御する制御回路が形成された半導体チップ４Ｄとが内包されており、半導体チップ４ＰＨ，４ＰＬ，４Ｄは、それぞれダイパッド７Ｄ１，７Ｄ２，７Ｄ３上に搭載されている。ハイサイド側の半導体チップ４ＰＨのソース電極用のボンディングパッド１２Ｓ１，１２Ｓ２は、金属板８Ａを通じてダイパッド７Ｄ２に電気的に接続されている。ダイパッド７Ｄ２の上面には、半導体チップ４ＰＬを搭載する領域に形成されたメッキ層９ｂと、金属板８Ａが接合される領域に形成されたメッキ層９ｃとが設けられており、メッキ層９ｂとメッキ層９ｃとは、メッキ層が形成されていない領域を間に介して離間されている。 （もっと読む）