【課題】マイクロコンピュータにかかる負荷を抑制しつつ、サンプリング周期の異なるゲートパルスデータとモニタデータとをモニタ用メモリに格納するとともに、モニタ用メモリのデータバス幅が取得できるゲートパルス点数の制約になるのを低減する。
【解決手段】モニタデータ書込み手段１ａは、モニタデータを書込み先アドレスとともにバッファ手段２ａに書込み、ゲートパルスデータ書込み手段１ｂは、ゲートパルスデータを書込み先アドレスとともにバッファ手段２ｂに書込み、アクセス制御手段３は、アクセスの対象となるバッファ手段２ａ、２ｂを周期的に切り替えながら、モニタデータおよびゲートパルスデータをバッファ手段２ａ、２ｂからそれぞれ順次読出し、それらのモニタデータおよびゲートパルスデータをモニタ用メモリ４に順次書込む。 （もっと読む）

【課題】ゲート閾値電圧の異なる電力用半導体素子を並列接続することにより構成された電力変換装置の出力電流のアンバランスを補正する。
並列に接続する電力用半導体素子のゲート閾値電圧にばらつきがあった場合でも、出力電流のアンバランスを補正する電力用半導体素子の駆動回路を得る。
【解決手段】半導体素子１を駆動する駆動制御用電源３の電圧とエミッタ電位生成用電源４電位の双方を、ゲート閾値電圧とゲート閾値電圧基準値との差分に応じて同極性に等量変位させる変位手段、及び、半導体素子を駆動する手段としての定電流駆動回路７ａとを備えたもの。 （もっと読む）

【課題】ローサイドスイッチング素子ＳＷｄの発熱に耐え得るように一対のスイッチング素子を設計しなければならず、ひいてはハイサイドスイッチング素子ＳＷｕを冗長設計する必要が生じること。
【解決手段】ハイサイドスイッチング素子ＳＷｕのエミッタ及びゲート間には、コンデンサ３６が接続されている。コンデンサ３６には、ダイオード３８を介して、ローサイドスイッチング素子ＳＷｄの駆動電源である電源３０の電圧が印加される。コンデンサ３６の電圧は、ツェナ−ダイオード５０により電源３０の電圧にクランプされた後、ハイサイドスイッチング素子ＳＷｕのゲートに印加される。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の各半導体素子の破損を防止する。
【解決手段】制御装置５のゲート接続端子Ｇ０１と接続点Ｇ００間の配線１４及びエミッタ接続端子Ｅ０１と接続点Ｅ００間の配線１６にコモンモード電流対策部品１８を接続するとともに、制御装置５のゲート接続端子Ｇ０２と接続点Ｇ００間の配線１５及びエミッタ接続端子Ｅ０２と接続点Ｅ００間の配線１７にコモンモード電流対策部品１９を接続する。 （もっと読む）

【課題】漏洩電流を低減するインバータ圧縮機の運転方法及び圧縮機駆動装置を提供する。
【解決手段】インバータ（３）に設けられたハイアーム側トランジスタ（３０１）の動作電源として機能するブートコンデンサ（３０７）は、モータ（２）の通常運転前に充電される必要がある。このブートコンデンサ（３０７）の充電動作を通常運転時のキャリア周波数よりも低いキャリア周波数で実行する。よって、ブートコンデンサの充電動作で生じる漏洩電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体電力変換装置における冷却装置の異常の有無を容易に診断できる。
【解決手段】温度センサ７は、冷却装置６で冷却するインバータ本体２内のベースプレート直近の温度を検出する。診断処理部８は、インバータ装置の運転停止後に、温度センサ７で検出する温度検出信号と、時計９が出力する時刻信号とによって、温度の時間変化率（傾き）を求め、この時間変化率の大小から冷却装置の異常有無を診断する。
冷却装置を停止状態にして時間変化率を求めること、運転状態にして時間変化率を求めること、停止と運転状態で時間変化率を求めて両者の大小比較をすることも含む。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのベースの電位が不安定になることで、寄生動作により保護回路が誤作動することを防止する。
【解決手段】保護回路７を逆トランジスタ方式で構成すると共に、各トランジスタ１０〜１２のベースをコレクタに接続することで、ベースの電位がコレクタの電位に固定できるようにする。これにより、従来のようにベースを開放した場合と比べて、ベースの電位を安定させられ、寄生ベースに対してノイズ的に電位が印加されても、寄生動作によりトランジスタがＯＮしてしまう等の誤動作を防止することが可能となる。また、ベースの電位を安定させられることにより、サージ電流が発生したときに確実に保護回路７のトランジスタ１０〜１２をＯＮさせられるため、保護回路７にてサージ電流を吸収してＧＮＤに流れさせることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】的確な維持管理が容易に得られるようにしたインバータ装置を提供すること。
【解決手段】主回路順変換部３と平滑用コンデンサ４、それに主回路逆変換部５を備えたインバータ装置２の電源回路８、制御回路９などを搭載した制御基板００７上に温度検出器１０と温度検出回路１１を設け、これによりインバータ装置内の雰囲気温度を検出して表示し、インバータ装置の状況を常時把握して保護動作や部品管理に必要な処理が行なえるようにするようにしたもの。
【効果】インバータ装置内の雰囲気温度が検出できることで、ユーザが使用条件を超過しているかどうかも容易に確認することができる。また、適切な使用環境のもとでのインバータ装置の使用を促すことができるため、稼働率の向上や保守、管理が容易となる。 （もっと読む）

【課題】ダンプサージにも耐えられ、省エネが図れる、過電圧保護回路を実現する。
【解決手段】半導体スイッチ１６と、半導体スイッチを制御するＳＷコントローラ１８と、半導体スイッチから供給される電圧の変動を平滑化するリップルフィルタ１９と、入力電圧Ｖinの検出手段１７と、を備え、ＳＷコントローラ１８は、一定振幅の三角波電圧Ｖsigを出力する三角波電圧発生器３１と、入力電圧Ｖinと三角波電圧Ｖsigとの比較に基づいて、Ｖin＜Ｖsigの最小値のときはオン信号、Ｖin≧Ｖsigの最大値のときはオフ信号、Ｖsigの最小値≦Ｖin＜Ｖsigの最大値のときは、Ｖin＜Ｖsigであればオン信号、Ｖin≧Ｖsigであればオフ信号、を半導体スイッチ１６へ出力する電圧比較手段３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒューズの溶断を確実かつ高速に検出できるとともに、相毎のアームに接続された平滑コンデンサ電圧の過電圧検出機能を備えた電力変換装置を得る。
【解決手段】自己消弧可能な電力半導体を直列に接続してアーム対を構成し、アーム対と主回路平滑コンデンサが直接接続され、かつ主回路平滑コンデンサと直流電圧源との間にそれぞれヒューズを設けてなるものにおいて、負極（Ｎ極）側の電力半導体を駆動するゲート駆動回路の電位を基準としてアーム対に印加される電圧を検出する手段と、検出された電圧と正常範囲のレベルを比較する手段と、正常範囲を逸脱した場合に異常信号を送出する機能とを備えたゲートドライブ回路を設ける。 （もっと読む）

【課題】電気回路モジュールの温度計算点における温度を迅速かつ高精度に取得することが可能な装置および方法を提供する。
【解決手段】 自己温度関数に基づく値を入力イミタンスとして有する自己関数回路と、温度計算点に与えられる熱エネルギーを等価的に示す電力を自己関数回路の入力端子に出力する自己電力源と、温度計算点から隔てられた隔離点に与えられた熱エネルギーに対する温度計算点の応答特性を示す相互温度関数に基づく値を入力イミタンスとして有する相互関数回路と、隔離点に与えられる熱エネルギーを等価的に示す電力を相互関数回路の入力端子に出力する相互電力源と、自己関数回路の入力端子に現れる電気物理量の値と、相互関数回路の入力端子に現れる電気物理量の値とを合成して得られる合成値に基づいて温度計算点における温度を求める温度計算部とを備える。 （もっと読む）

１つの交流電圧端子（３）と少なくとも１つの直流電圧端子（ｐ、ｎ）とを有する少なくとも１つの相モジュール（２）を備えた電流変換装置（６）であって、電流を開閉するための半導体バルブが直列回路の半導体モジュール（７）を有して交流電圧端子（３）と各直流電圧端子（ｐ、ｎ）との間に設けられ、電気エネルギを蓄積するための少なくとも１つのエネルギ蓄積部（５）が設けられているものにおいて、ブリッジ短絡の否定的作用を効果的かつ確実に減少するために、各半導体モジュールが相互に並列に接続された半導体素子群（８ａ、８ｂ、８ｃ）を有し、半導体モジュールの各半導体素子群が個別の半導体素子群電流路（１０ａ、１０ｂ、１０ｃ）を介してエネルギ蓄積部（５）の少なくとも１つと接続される。 （もっと読む）

【課題】従来とは異なる手法によって、絶縁ゲートトランジスタの主電極間電圧に基づいてトランジスタのゲート抵抗の抵抗値を調整する技術を提供する。
【解決手段】絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート電極側をアノード電極とする第１ダイオードＤ１と、絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート電極側をカソード電極とする第２ダイオードＤ２とが、並列接続されて、絶縁ゲートトランジスタ２０のゲート駆動信号ラインに挿入配置され、第１ダイオードＤ１のアノード電極と、第２ダイオードＤ２のカソード電極との間に、デプレッション型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０が挿入配置され、デプレッション型ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ１０のゲート電極が、抵抗Ｒ２を介して、絶縁ゲートトランジスタ２０の出力電極に接続されてなる絶縁ゲートトランジスタ２０の駆動回路Ｋ１とする。 （もっと読む）

【課題】インテリジェントパワーモジュール周辺回路のブートストラップダイオードが短絡破壊に至った場合、高圧側駆動回路の制御電源端子および低圧側駆動回路の制御電源端子に過電圧が印加され、電源電位とＧＮＤ電位で短絡電流が流れる。この時、短絡電流検出回路を有する低圧側駆動回路が破壊しているため、シャント抵抗を含むインバータ回路の広範囲な連鎖破壊に繋がるという課題があった。
【解決手段】インテリジェントパワーモジュール１の周辺回路のブートストラップダイオード１０３、１０４が短絡破壊に至った場合においても、高圧側制御電源端子７および低圧側制御電源端子８とＧＮＤ間に過電圧保護用ツェナーダイオード１０５を挿入することによりに過電圧が印加されず、インバータ回路の広範囲な連鎖破壊を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動形のスイッチング素子ＳＷの導通制御端子に印加される電圧が可変設定される場合、スイッチング素子ＳＷを流れる電流を適切に制限することが困難なこと。
【解決手段】センス電圧は、ＲＣフィルタ回路４２を介して、過電流用比較器４３及び貫通電流用比較器４４のそれぞれの非反転入力端子に印加される。これら過電流用比較器４３及び貫通電流用比較器４４の反転入力端子には、閾値電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２が印加されている。センス電圧が閾値電圧Ｖｒｅｆ１以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ１以上となるときや、閾値電圧Ｖｒｅｆ２以上となる継続時間が規定時間Ｄｅｌａｙ２以上となるときには、スイッチング素子ＳＷを遮断する。閾値電圧Ｖｒｅｆ１，Ｖｒｅｆ２は、スイッチング素子ＳＷのゲートに印加される電圧に応じて可変設定される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の入出力端子間に過度の電流が流れるか否かをディジタル回路によって判断することに伴って不都合が生じること。
【解決手段】スイッチング素子ＳＷのコレクタ及びエミッタ間を流れる電流は、センス端子ＳＴから出力される微少電流による電圧降下量として間接的に検出され、コンパレータ３０の反転入力端子に印加される。スイッチング素子ＳＷの温度は、感温ダイオードＤによって検出される。そして、感温ダイオードＤの出力が、出力変換回路５０によって変換される。これにより、出力信号Ｖｏは、スイッチング素子ＳＷのコレクタ及びエミッタ間に流れる電流が閾値以上か否かを判断する際の閾値に応じた信号となる。この出力信号Ｖｏがコンパレータ３０の非反転入力端子に印加される。 （もっと読む）

本発明はトランジスタに対する動的なエラー保護のための回路及び方法に関している。詳細にはここでのエラー保護は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）の保護に適するものである。
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【課題】順変換器と逆変換器とからなり、両者の直流部分を共通接続した電力変換装置の入出力間を、流れる循環電流を極力抑制し得るようにする。
【解決手段】逆変換器各相の正側半導体スイッチ８，１０，１２の全てが同時に導通状態となるか、または各相の負側半導体スイッチ９，１１，１３の全てが同時に導通状態となるゼロ電圧出力状態とならないよう、半導体スイッチのスイッチング動作パターンに工夫をすることによって循環電流を抑制し、直流中間コンデンサ１４が過電圧とならないようにする。 （もっと読む）

【課題】洗濯機、空気調和機、冷蔵庫などに用いるインバータや力率改善回路の半導体スイッチなどのための過電流検出装置において、回路損失を低減する。
【解決手段】負荷に流れる一方向の電流を検出する電流検出抵抗と、電流検出抵抗の高電位側にカソード端子が接続されたダイオードと、直流電源とバイアス電流調整用抵抗とを備えてダイオードを介して電流検出抵抗に、電流を検出する方向と同一方向に一定のバイアス電流を流すバイアス回路と、ダイオードと電流検出抵抗との直列回路と並列に、直流電源から電流検出抵抗へ流れる電流経路より分岐した電流が１次側のフォトダイオードに流れるように接続されたフォトカプラとを備えた過電流検出装置において、通常フォトカプラ７はオフ状態となるようにバイアスされており、電流検出抵抗に所定の電流値以上の電流が流れる際にフォトカプラがオン状態となってフォトカプラの２次側へ過電流状態を伝達する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を具えた電力変換装置において、スイッチング素子の正確な温度測定が可能な素子駆動回路を提案する。
【解決手段】直流電圧源10と負荷30とを電気的に接続するスイッチング素子41〜46と、該スイッチング素子にオンオフ動作のためのゲート信号を与える素子駆動回路20とを具え、前記スイッチング素子をオンオフしてパルス状電圧を生成することにより負荷30の駆動電流を制御する電力変換装置において、前記素子駆動回路20は、前記スイッチング素子から前記負荷30へ流れる電流i_swを検知する素子電流検知手段と、前記スイッチング素子をオフからオンにする際の前記ゲート信号の電圧値Vgを監視し、前記素子電流検知手段が前記素子電流i_swを検知したときのゲート信号の電圧値Vgを、ゲートオン電圧値Vg1とするゲートオン電圧値測定手段と、前記ゲートオン電圧値Vg1に基づき前記スイッチング素子の温度を求める素子温度判断手段とを具えた。 （もっと読む）