【課題】誤ったゲートパルスによる短絡故障を防ぐインタロック機能を有し、且つ直流短絡の被害拡大を防止する半導体電力変換装置を提供する。
【解決手段】互いに排反関係を持ってオンオフ制御される一対のスイッチング素子を各相に有する半導体電力変換装置において、ゲート基準信号を生成するゲート制御信号発生回路１１と、ゲート基準信号４１がオフからオンになり且つゲートフィードバック信号５３がオフのときだけスイッチング素子３１をオフからオンに遷移させ、一旦オンとなった後はゲート基準信号４１がオフになるまでスイッチング素子３１のオン状態を保持するゲート制御信号４６を出力するゲートインタロック手段１０１と、ゲートインタロック手段１０１の動作状態を監視してスイッチング素子の異常を検出するゲートインタロック監視手段１０２を具備し、ゲートインタロック監視手段１０２が異常を検出したとき、ゲート基準信号をゲートブロックする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の端子とゲート抵抗との接続の誤配線や熱による素子等の破損を防止するとともに、接続のための作業時間を短縮し、かつゲート抵抗値の変更を容易にする。
【解決手段】スナバ回路１２とゲート抵抗回路１３とスイッチング素子８，９の端子との接続端子１４とをモジュールにより一体化してスナバモジュール１７を形成するとともに、このスナバモジュール１７を複数のスイッチング素子８，９からなるスイッチングモジュール７に取り付け、かつゲート抵抗回路１３ではゲート接続端子１４に複数のゲート抵抗１５をスナバモジュール１７外に配置したジャンパ線１６を介して並列に接続し、使用するゲート抵抗１５以外のゲート抵抗１５に接続されたジャンパ線１６を切断する。 （もっと読む）

【課題】種々のタイプの電力モジュールに簡単に対処する基板を提供する。
【解決手段】互いに直列接続された１対のＩＧＢＴを３相分互いに並列接続し、各ＩＧＢＴと並列に第１ダイオードを逆極性で接続してなるコンバータと、互いに直列接続された１対のＩＧＢＴを３相分互いに並列接続し、各ＩＧＢＴと並列に第１ダイオードを逆極性で接続してなるインバータと、コンバータとインバータとの間に接続された平滑用コンデンサと、コンバータの各対のＩＧＢＴの接続点と図示しない交流電源の各相出力端子との間に接続されるリアクトルとを基板上に有する構成を基準とし、要求仕様に応じて、一部のコンバータ部品、および／または一部のインバータ部品を省略する。 （もっと読む）

【課題】半導体パワーモジュールの内部配線による劣化を、効率よく正確に検出できるようにする。
【解決手段】半導体パワーモジュールの上下アーム素子（ＩＧＢＴ）３ａ，３ｂに、制御回路１０から短絡耐量を超えない極めて短時間の短絡パルス１５ａ，１５ｂを入力し、そのときのワイヤ配線９ａ，９ｂにおける電圧降下を基準値７ａ，７ｂとそれぞれ比較し、基準値７ａ，７ｂ以上になったとき素子劣化と検出することで、素子劣化を効果的かつ正確に検出できるようにする。 （もっと読む）

【課題】供給電圧の変更に柔軟に対応可能なドライバ回路を提供する
【解決手段】ドライバ回路（２５０）は、ブリッジ回路（２５１〜２５４）と、駆動信号の電圧値を調整することによって、ブリッジ回路に含まれる各トランジスタのゲートに供給するためのゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＬ２，ＤＨ２，ＤＬ１）を生成するレベルシフタ回路（３１１，３１３）とを備える。レベルシフタ回路（３１１，３１３）は、上アームトランジスタ（２５１）に供給される上アーム用ゲート駆動信号（ＤＨ１，ＤＨ２）のレベルを、可変供給電圧（ＶＳＵＰ）の電圧値に応じて調整する。 （もっと読む）

【課題】 電流増幅半導体のベース電流をコレクタ電流に応じた必要最小限の値に制御するようにし、高速で低消費電力の電流増幅半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】 ２個の直流電源の正側電源２の正極と負極の間に、チョッピング用スイッチング素子４とインダクタ６と被制御電流増幅半導体１のベース及びエミッタとの直列回路を接続するとともに、チョッピング用スイッチング素子とインダクタの接続点に該接続点側にカソード及び負側電源３の負極にアノードとなるようダイオード８を接続し、被制御電流増幅半導体のベースと負側電源の負極間に制御用スイッチング素子７を接続した回路構成をなし、被制御電流増幅半導体のコレクタ及びエミッタ間の電圧を検出し、被制御電流増幅半導体がオン状態時に、該電圧が準飽和電圧近辺の２値間になるようにチョッピング用スイッチング素子のオンオフ期間を制御する制御回路５を有する電流増幅半導体の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータにかかる負荷を抑制しつつ、サンプリング周期の異なるゲートパルスデータとモニタデータとをモニタ用メモリに格納するとともに、モニタ用メモリのデータバス幅が取得できるゲートパルス点数の制約になるのを低減する。
【解決手段】モニタデータ書込みデータ発生回路１ａは、モニタデータをバッファ２ａに書込むとともに、ゲートパルスデータ書込みデータ発生回路１ｂ〜１ｄは、複数の組に分けられたゲートパルスデータをバッファ２ｂ〜２ｄにそれぞれ書込み、アクセス制御手段３は、アクセスの対象となるバッファ２ａ〜２ｄを周期的に切り替えながら、モニタデータおよびゲートパルスデータをバッファ手段２ａ〜２からそれぞれ順次読出し、ゲートパルスデータまたはモニタデータについての書込みアドレスを生成しながら、それらのモニタデータおよびゲートパルスデータをモニタ用メモリ４に順次書込む。 （もっと読む）

【課題】インバータの出力性能の低下を抑止するためにコンデンサの過熱を防ぎ、安定した性能を発揮することのできるハイブリッド車両用駆動装置及び制御方法を提供する。
【解決手段】ハイブリッド自動車１００は、エンジンとインバータの冷却系を有し、エンジン冷却系は、エンジン用ラジエータ１１と、ポンプ６２と、によりエンジンを冷却し、インバータ冷却系は、インバータ用ラジエータ１０と、ポンプ６１と、によりインバータ３３、３４と、モータ３２を冷却する。制御系は、ハイブリッドＥＣＵ２１と、エンジンＥＣＵ２２と、モータＥＣＵ２４と、過熱保護ＥＣＵ２３と、を有し、過熱保護ＥＣＵ２３は、エンジン水温度、インバータ３３，３４の雰囲気温度、インバータ水温度を測定し、各ＥＣＵより、車両の各種情報を取得すると共に、インバータ３３，３４の出力値を取得してコンデンサの温度を推定する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続して使用する場合において、特定の半導体素子に偏った発熱が生じ難く、電流アンバランスに起因する電力損失の増大を抑制することが可能な電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】並列接続され、それぞれが駆動信号によってオンオフされる複数の電力用半導体素子PD1,PD2と、各電力用半導体素子に対する上記駆動信号を生成する信号生成回路CTaとを備え、上記各駆動信号は異なるタイミングで上記各電力用半導体素子をオンオフする構成とする。 （もっと読む）

【課題】３相モータの駆動に利用されるインバータの発熱を抑制するモータ制御装置を提供する。
【解決手段】３相モータ７の駆動に利用されるインバータ６を構成する半導体パワースイッチ素子の温度に応じて、３相モータ７の駆動を制御してインバータ６の発熱を抑制するモータ制御装置１００は、３相モータ７のロック時に３相モータ７が備える各相のコイルに流れるコイル電流に基づいて、各相の半導体パワースイッチ素子の温度推定値を演算する素子温度推定部１０と、温度推定値の中から最高温度値を抽出する最高温度抽出部１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動装置で駆動される複数個のスイッチングデバイスにおけるＶｔｈ、ミラー電圧のバラツキによるスイッチング速度のバラツキを抑え、かつ損失のバラツキを最小限とすることができるゲート駆動装置を得ることを目的とする。
【解決手段】スイッチングデバイス１へのゲート信号を定電流出力で作成する定電流パルスゲート駆動回路２、ゲート信号を定電圧出力で作成する定電圧パルスゲート駆動回路３、および定電流パルスゲート駆動回路２の動作と定電圧パルスゲート駆動回路３の動作との切替を行う判定／切替回路４を備えた。 （もっと読む）

【課題】１つのゲート駆動回路によって駆動する半導体スイッチング素子を並列接続した素子のうち少なくとも１つの素子に故障が発生した時にこれを検出し、被害拡大を防ぐことができるチョッパ回路の故障検出装置を提供するものである。
【解決手段】電力変換装置の主回路に接続され、複数のＩＧＢＴ素子１１〜１４を並列接続したチョッパ回路３において、素子１１〜１４のオン・オフを制御するゲート信号を発生するゲート制御部２０と、ゲート信号を並列接続した全てのＩＧＢＴ素子１１〜１４に与えるゲート駆動回路３０と、前記素子１１〜１４のオン・オフ状態をゲート−エミッタ間電圧の大きさと基準電圧を比較し、ゲート−エミッタ間電圧の大きさが基準電圧より大きい時にオン状態と判別し、それ以外の時はオフ状態と判別する比較回路４５と、フィードバック信号の有無により故障と判別する第１の故障判別部２６とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性があり維持管理がしやすく費用効率のよい電流変換又は電圧形成のための装置を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１つの制御可能なパワー半導体素子（３）を有する直列接続された半導体モジュール（１）と、半導体モジュールの１つの電位にある高電圧制御ユニットと、少なくとも１つの光ファイバケーブル（１７、１８）により高電圧制御ユニットに接続されている接地電位近傍の低電圧制御ユニットとを備えた電流変換又は電圧形成のための装置に関する。本発明によれば、高電圧制御ユニットが高電圧インターフェース（７）を有し、高電圧インターフェースが半導体モジュールの１つの電位にあってかつ信号線（１１、１２、１３、１４）を介して少なくとも２つの制御可能なパワー半導体素子に接続されていて、高電圧インターフェースが前記光ファイバケーブルの少なくとも１つを介して低電圧制御ユニットに接続されている。 （もっと読む）

【課題】安価で且つ小型化を図る能動フィルタ装置及び電力変換装置。
【解決手段】３つの電源線1a〜1cの内の１つの電源線1bを接地相とする三相交流電源1と交流電源から供給された交流電力を所定の交流電力又は直流電力に変換して負荷5に供給し且つ筐体3aに接地端子を有する電力変換装置3との間に設けられ、電源線1a〜1cに流れるコモンモード電流によるノイズを低減する能動フィルタ装置であり、電源線と検出線10aとが挿通され、検出線によりコモンモード電流を１／Ｎ（Ｎ＞１）の検出比で検出し、コモンモード電流検出信号を出力する電流検出手段10と、コモンモード電流検出信号を増幅度１で増幅して、第１のコンデンサC1を介して接地相の電源線と接地との間に流す増幅手段11と、第１のコンデンサの（Ｎ−１）倍のアドミタンスを有し、増幅手段と略同電位の端子から、接地相の電源線又は接地に電流を流す第２のコンデンサC2とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線位置の制約を軽減しつつ、積層配線導体の接続部の配線インダクタンスを小さくする。
【解決手段】平板導体１０１、１０２には、平板導体１０１、１０２の端部を鉛直面内にそれぞれ折り曲げることで構成された折り曲げ部１０１ａ、１０２ａをそれぞれ設けるとともに、平板導体１０３、１０４には、平板導体１０３、１０４の端部を鉛直面内にそれぞれ折り曲げることで構成された折り曲げ部１０３ａ、１０４ａをそれぞれ設け、折り曲げ部１０１ａ、１０３ａの平面を互いに当接させることで平板導体１０１、１０３を接続するとともに、折り曲げ部１０２ａ、１０４ａの平面を互いに当接させることで平板導体１０２、１０４を接続する。 （もっと読む）

【課題】単相インバータや直流コンデンサの構成部品に、各相において個体差が存在しても、三相電圧の平衡化が可能となる電力変換装置を得ることを目的とする。
【解決手段】単相インバータ直流電圧バランス制御回路４１は、各相の電圧センサ２８で検出した電圧と電流センサ２５で検出した電流とを入力し、三相の単相インバータを一つの三相電源と考えた場合に零相電圧成分に相当する電圧指令を平衡化電圧指令として演算する。そして、電圧指令演算回路４７でこの零相電圧成分を各相の単相インバータ２６の電圧指令に重畳する。零相電圧は各相で同じであるが、電流は各相で位相が異なるため、零相電圧成分により各相の単相インバータ２６に生じる有効電力は異なり、各相の直流コンデンサ２７の電圧を個別に変化させることができ各相の電圧が平衡する。 （もっと読む）

【課題】電力ロスを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、直列接続され、第１のモードおよび第２のモードにおいて各々に対してオン指令およびオフ指令が排他的に出力され、かつ誘導性負荷に結合される第１パワー半導体素子ＴＵＰおよび第２パワー半導体素子ＴＵＮを備え、第１のモードにおいて第１パワー半導体素子ＴＵＰがオン状態の場合には、第１パワー半導体素子ＴＵＰと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が形成され、第２のモードにおいて第１パワー半導体素子ＴＵＰがオン状態の場合には、第１パワー半導体素子ＴＵＰと誘導性負荷とを通して電流を流すための電流経路が遮断され、さらに、第２のモードにおいては、第１パワー半導体素子ＴＵＰに対するオン指令に関わらず第１パワー半導体素子ＴＵＰをオフ状態とする制御を行なう駆動制御回路ＧＵＰを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子だけではなく、半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】ゲート端子に電圧を供給することでオン・オフを制御する半導体スイッチの駆動回路において、駆動回路３の出力ゲート電圧を検出するゲート電圧検出手段５と、半導体スイッチ４の主端子電圧を検出する主電圧検出手段９と、ゲート電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段６と、半導体スイッチの主電圧状態を光絶縁して低圧回路に伝達する第二の信号絶縁手段１０と、第一の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令、第二の信号絶縁手段の信号と半導体スイッチの駆動指令とを各々比較し、正常又は異常を判別する判別手段７、１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のスイッチング動作時における寄生インダクタンスを低減し、小型化、低コスト化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】正極電極１と負極電極２との間に、ＦＷＤ１２を並列接続したＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１４を並列接続したＩＧＢＴ１３とを直列に接続し、２個のＩＧＢＴ１１，１３の接続点から電力を出力電極３へ出力する半導体装置として、正極電極１と出力電極３とを隣接させ、負極電極２を出力電極３の上側に配置し、正極電極１、負極電極２それぞれの外部接続部を出力電極３の外部接続部と対向する位置に平行に隣接させ、ＩＧＢＴ１１、ＦＷＤ１２を正極電極１上に配置し、ＩＧＢＴ１３、ＦＷＤ１４を、ＩＧＢＴ１１、ＦＷＤ１２と負極電極２を挟んだ位置にある出力電極３上に配置する。 （もっと読む）

【課題】従来使用されてきた電圧駆動型素子の保護回路では、保護回路の利得が大の場合は素子のコレクタ・エミッタ間電圧のピーク値が大となり、逆に、利得を小にすると短絡電流の抑制に遅れを生じ、過渡的に生じた過電流を迅速に抑制することができなかった。本発明は、広範囲の利得に対して、短絡電流の抑制効果が高い電圧駆動型素子の駆動回路の提供にある。
【解決手段】電圧駆動型素子のゲートとエミッタとの間に保護回路を設け、該保護回路は電圧駆動型素子のコレクタに短絡電流が検出された際に、少なくとも第１の放電手段の立ち上がりよりも急峻な立ち上がりで且つ所定の電流値で放電を開始する第２の放電手段と、これに続いて電圧駆動型素子のコレクタ電流に応じて予め定められた電流値で放電を行なう第１の放電手段とを有する２重保護構成をしている。 （もっと読む）