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Fターム[5H740BA13]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子 (1,744) | トランジスタ (1,563) | マルチエミッタトランジスタ (26)

Fターム[5H740BA13]に分類される特許

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【課題】スイッチングデバイスが過電流の状態ではないが、過電流からの保護に先立ち、スイッチングデバイスの遮断時のサージ電圧を抑制するようにする。
【解決手段】本発明は、電流センサ10と、コンパレータ501と、タイマラッチ502と、制御回路80と、トランジスタ95とを備える。電流センサ10は、スイッチングデバイスQ1の電流を検出し、これに応じた検出電圧ESを出力する。コンパレータ501は、検出電圧ESが基準電圧ER1以上のときに信号を出力する。タイマラッチ502は、その出力信号の継続時間が設定時間以上の場合に、サージ抑制検出信号S3を出力する。制御回路80は、そのサージ抑制検出信号S3を基に、スイッチングデバイスQ1をターンオフさせる駆動信号S12を、トランジスタ95に出力する。基準電圧ER1は、スイッチングデバイスQ1に流れる過電流検出時の基準電圧ER2よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】サージ電圧のエネルギーを有効利用することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、第1及び第2接続点71,72との間に並列接続されたIGBT1a及びリカバリーダイオード1bからなる並列接続体1と、IGBT1aの耐圧以下のクランプレベルを有する第1スナバデバイスSD1と、IGBT1aのドライブ回路53に電力を供給する電力供給部54の出力電圧以上のクランプレベルを有する第2スナバデバイスSD2とを備える。第1スナバデバイスSD1の一方端子は第1接続点71を介して並列接続体1の一端と接続され、第1スナバデバイスSD1の他方端子は第3接続点73を介して第2スナバデバイスSD2の一方端子と接続され、第2スナバデバイスSD2の他方端子は第2接続点72を介して並列接続体1の他端と接続される。半導体装置は、第2及び第3接続点72,73を介して電力供給部54に電力を帰還する。 (もっと読む)


【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ1hの出力が入力される温度検出端子14a〜14cを利用し、クランプ回路5a〜5cや温度検出回路7a〜7cの一部がパワーモジュール1に接続されないときには温度検出端子14a〜14cの電位に基づいて温度センサ1hが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子14a〜14cのうち温度センサ1hに接続されない端子に断線検出無効化閾値Vth3以上の電圧を印加することで、温度検出端子14a〜14cが温度センサ1hに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路5a〜5cに接続されるクランプ端子11a〜11cの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子14a〜14cの電位に応じて判定できる。 (もっと読む)


【課題】スイッチング素子S*#のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード40およびクランプ用スイッチング素子42を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】ドライブIC20に端子T6を介して入力される操作信号g*#がオン操作指令に切り替わることで、定電流用スイッチング素子22をオン操作して、スイッチング素子S*#のゲートを充電する。スイッチング素子S*#のゲートの充電期間の初期において、クランプ用スイッチング素子42をオン状態としておく。 (もっと読む)




【課題】第1スイッチング素子22および第1抵抗体24を介してパワースイッチング素子Swのゲートと電源20とを接続して且つ、第2スイッチング素子28および第2抵抗体26を介してゲートとエミッタとを接続する駆動装置において、ゲート電圧の設定ができないこと。
【解決手段】操作信号gがパワースイッチング素子Swをオン操作する指令に切り替わることで、第1スイッチング素子22および第2スイッチング素子28の双方のオン状態を実現する。これにより、ゲート印加電圧は、第1抵抗体24および第2抵抗体26によって電源20が分圧された電圧Vcとなる。その後、ミラー期間が終了することで、第2スイッチング素子28をオフ状態に切り替え、ゲート印加電圧を電源20の電圧Vcにする。 (もっと読む)


【課題】半導体スイッチ素子の動作状態の情報を外部装置へ伝送するにあたって、情報の数を減らすことなく絶縁素子の使用個数を低減し、装置の小型化と低コスト化、及び、故障率の低減を実現する。
【解決手段】異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子(1a、1b)を2個以上直列接続して構成された半導体電力変換装置(100)であって、それぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、外部装置へ伝送する情報伝送回路部(4b)を備え、情報伝送回路部(4b)は、検知した状態検知情報に応じて、異常検出要因および所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した二値論理信号を単一の絶縁素子(7b)を介して外部装置へ伝送する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも構成を小規模とし、コストを低減できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電源から供給される電力を変換して出力する電力変換部21と、電力変換部21を構成するスイッチング素子Q1〜Q6(スイッチング素子群)を駆動制御するコントローラ22とを有する電力変換装置20において、スイッチング素子Q1〜Q6はセンス電流を出力するセンス端子S1〜S6を備え、センス端子S1〜S6には抵抗器R1〜R6を接続し、コントローラ22は、電力変換部21に内蔵されるとともに、センス電流と抵抗器R1〜R6の両端にかかるセンス電圧の相関関係を記録する記録媒体と、検出するセンス電圧から相関関係に従って得られるセンス電流に基づいて発電電動機30(出力機器)の作動状態を制御する機器制御手段とを有する。この構成によれば、従来では必要であった保護回路や電流センサが不要となる。 (もっと読む)


【課題】パワースイッチング素子Swに過度の電流が流れた場合に、これに対処するまでにタイムラグが生じること。
【解決手段】パワースイッチング素子Swのゲート及びエミッタ間には、パワースイッチング素子Swのゲート電圧をクランプするクランプ回路として、ツェナーダイオード78及びスイッチング素子76の直列接続体が接続されている。パワースイッチング素子Swのオフ状態からオン状態への切替開始時点から規定期間に渡って、スイッチング素子76をオン操作する。これにより、パワースイッチング素子Swの上記オン状態への切替開始時点から規定期間に渡ってツェナーダイオード78によってパワースイッチング素子Swのゲート電圧が制限される。この規定期間は、ミラー期間の終了時以前に終了するように設定される。 (もっと読む)


【課題】パワースイッチング素子Swと、これと同一半導体基板に併設されたフリーホイールダイオードFDとが設けられた半導体デバイスを備えるものにあって、その電力損失の低減が困難なこと。
【解決手段】フリーホイールダイオードFDに流れる電流は、シャント抵抗50の電圧降下量Vseとして検出され、コンパレータ54によって閾値と比較される。そして、フリーホイールダイオードFDに流れる電流が規定値以上である場合には、パワースイッチング素子Swのゲートへの電圧の印加を強制的に停止する。上記閾値を、パワースイッチング素子Swのゲートの電圧に応じて可変設定すべく、基準電圧生成回路56では、コンパレータ54に印加する電圧をゲート電圧に応じて可変設定する。 (もっと読む)


【課題】
過熱等の異常状態が発生した直後に短絡電流が発生した場合において、短絡保護処理を行う前にスイッチング素子に流れる短絡電流を遮断してしまう事態を防止し、過大なサージ電圧から適切に保護することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】
スイッチング素子Qを駆動する駆動回路11と、スイッチング素子Qに流れる電流を検出する電流検出手段13と、短絡状態を検出したとき、スイッチング素子Qに流れる電流を所定範囲に制限して所定時間駆動を継続する短絡保護手段14と、を備え、スイッチング素子Qを停止すべき異常状態が検出されたときに、駆動回路11がスイッチング素子Qの駆動を停止する電力変換装置1において、異常状態が検出された後であって異常状態に基づく駆動停止が実行される前に短絡状態を検出した場合に、異常状態に基づく駆動停止よりも短絡保護手段14に基づく短絡保護処理を優先して実行する。 (もっと読む)


【課題】入力信号に重畳されるノイズの除去可能な期間を可変させつつ、低圧側と高圧側とを電気的に絶縁しながら信号の授受を行う。
【解決手段】ノイズ除去回路NU1、ND1は、外部クロック信号CKOが入力されるかどうかを監視し、外部クロック信号CKOが入力される場合には、グリッチノイズを除去するためのフィルタ期間を規定するクロック信号として外部クロック信号CKOを使用し、外部クロック信号CKOが入力されない場合には、グリッチノイズを除去するためのフィルタ期間を規定するクロック信号として内部クロック信号を使用する。 (もっと読む)


【課題】IGBTモジュールの電流を高精度に検出することができ、IGBTの過電流による破壊を確実に防止することができる半導体電力変換装置の過電流保護装置を提供する。
【解決手段】並列接続され主電流に応じたセンス電流が流れるセンスセルを有する複数の電力用半導体素子1、2を同期させてオンオフ駆動する半導体電力変換装置において、少なくとも2個の上記電力用半導体素子の上記センス電流の合算値に応じたセンス電圧を発生する電圧発生回路30と、上記センス電圧に応じて上記各電力用半導体素子の過電流保護動作を行う過電流保護回路40と、上記各電力用半導体素子を駆動するためのゲート駆動回路50とを備えた構成とする。 (もっと読む)



【課題】電圧制御形スイッチングデバイスに過電流異常時に、迅速に定電流パルス出力、定電圧パルス出力を停止できる電圧制御形スイッチングデバイスのゲート駆動装置を提案する。
【解決手段】定電流パルス出力または定電圧パルス出力を発生する電流出力トランジスタまたは電圧出力トランジスタを含む定電流駆動回路または定電圧駆動回路を用い、定電流パルス出力または定電圧パルス出力を電圧制御形スイッチングデバイスのゲートに供給して、それを駆動する電圧制御形スイッチングデバイスのゲート駆動装置である。閾値電圧を持った半導体スイッチ素子を有し、スイッチングデバイスの出力電流に応じて大きさが変化する検出電圧が、半導体スイッチ素子の閾値電圧を越えたときにスイッチ出力を発生するスイッチ回路を備え、このスイッチ出力に基づいて、電流出力トランジスタまたは電圧出力トランジスタの制御端子に、オフ制御電圧を供給する。 (もっと読む)





【課題】フォトカプラを介してPWM信号の伝送を行いながら、フォトカプラの寿命を予測できるようにする。
【解決手段】ゲート信号発生器5にて生成されたゲートドライブ用PMW信号SU1、SD1をフォトカプラFU1、FU2をそれぞれ介してゲートドライバ9、11にそれぞれ絶縁伝送するとともに、寿命予測装置21、22にそれぞれ入力し、フォトカプラFU1、FU2の出力信号SU2、SD2の立ち下がりの傾きに基づいて、フォトカプラFU1、FU2の電流変換効率を寿命予測装置21、22にてそれぞれ推定し、フォトカプラFU1、FU2が寿命限界に到達する時期を予測する。 (もっと読む)


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