【課題】スイッチング素子のターンオフ時に発生するサージ電圧を抑制できるとともに、早期に短絡状態を検出して短絡保護を行うことができるスイッチング素子駆動回路を提供することである。
【解決手段】２つの主電極と１つの制御電極とを有するノンラッチング型スイッチング素子１１の主電極間に印加される電圧を複数個の分圧素子１４ａ〜１４ｃで分圧する分圧回路１３と、分圧回路１３の分圧素子１４ａ〜１４ｃのうち主電圧検出用分圧素子の分圧電圧に応じて制御電極に電流を注入する制御電流源１６と、スイッチング素子１１を制御するための制御信号に応じて分圧回路１３の主電圧検出用分圧素子１４ｂ、１４ｃの分圧比を調整する分圧比制御回路２０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高電圧側から低電圧側に信号を伝達する際、従来必要とされていたフォトカプラを不要にして装置保護ができるようにし、低コスト化と高信頼化を図る。
【解決手段】ＩＧＢＴ４のコレクタに接続された電源短絡検知用ダイオード２５を流れる電流経路上に、トロイダルコアのような磁性体３３を設け、これに二次巻線３４を形成してそこに誘起される電圧Ｖ_CTを検出することにより、ＩＧＢＴの過電流状態または電源短絡状態、もしくはゲート駆動回路の電源電圧異常などを検出できるようにし、装置の保護が図れるようにする。 （もっと読む）

【課題】直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子のいずれかの破壊により短絡電流が流れたときに、確実に短絡電流発生の現象を捉えることができ、他の正常な電圧駆動型半導体素子を破壊から保護できる電力変換装置を提供することである。
【解決手段】直列接続された複数個の電圧駆動型半導体素子１４と、電圧駆動型半導体素子１４のコレクタ・エミッタ間の電圧に基づいて直列接続された他の電圧駆動型半導体素子１４の短絡故障を検出する電圧センス回路１６と、電圧センス回路１６が直列接続された他の電圧駆動型半導体素子１４の短絡故障を検出したときは、自己の電圧駆動型半導体素子１４のゲート電圧を絞り、自己の電圧駆動型半導体素子１４に流れる過電流を防止するゲート絞り回路１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧接形スイッチング素子の適用範囲は狭く、高価である。このため半導体電力変換装置自体を安価にすることが難しい。
【解決手段】各スイッチング素子の主電極間に所定の電圧以上印加されていることを検出する電圧印加検出手段と、電圧検出手段が検出した信号を駆動回路内部で増幅した状態信号と、制御回路が出力したオン・オフ指令と状態信号を比較する手段を有し、制御回路がオン指令を出力している状態でスイッチング素子主電極間に電圧が印加された状態であることを搬送波の１／２周期以内に検出した場合または、制御回路がオフ指令を出力している状態でスイッチング素子主電極間に電圧が印加されていないことを搬送波の１／２周期以内に検出した場合、変換器の運転モードに応じてスイッチング素子の短絡故障，開放故障または駆動回路異常を３種類の不具合を検出することを特徴とした半導体電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】正常な半導体素子にストレスを与えることなく、電力変換装置の異常を検出する。
【解決手段】保護回路９は、主半導体素子１０のコレクタ電圧を検出する電圧検出回路３と、ＸＯＲ回路４と、フィルタ回路５を備える。ＰＷＭ発生回路１から主半導体素子１０のオンオフを指令するＰＷＭ信号１０１が出力され、電圧検出回路３から主半導体素子１０のコレクタ電圧に対応した電圧検出信号１０３が出力される。主半導体素子１０が短絡状態のとき、電圧検出回路３からＨレベルの電圧検出信号１０３が出力され、ＰＷＭ信号１０１がオフ指令（Ｌレベル）のとき、ＸＯＲ回路出力１０４はＨレベルとなり、フィルタ回路５を通してＰＷＭ発生回路１にエラー信号１０５を供給する。 （もっと読む）

【課題】単一の直流電源を使用しながらも簡単な構成で、ターンオン時の逆バイアス電圧の印加を実現できる絶縁ゲート型半導体素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート電圧に応じて、グランドラインに接続されたエミッタと所定の電圧が供給されるコレクタとの間に流れる電流を制御する絶縁ゲート型半導体素子を駆動する駆動回路は、グランドラインＧＮＤと直流電圧ＶＤが供給される電圧ラインとの間に直列接続され、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲート電圧を制御するためのトランジスタＱ１，Ｑ２と、ゲート電圧を直流電圧ＶＤより低く維持するための電圧クランプ回路と、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのゲートとトランジスタＱ１，Ｑ２の接続点との間に設けられ、絶縁ゲート型半導体素子ＰＴのオン時に充電され、オフ時に逆バイアス電圧を発生するコンデンサＣ１などで構成される。 （もっと読む）

【課題】コストとサイズの増大を招くことなくスイッチング素子に対する短時間過負荷耐量を向上させ、素子破壊を防止することで定格電流の大きな電力変換器を提供する。
【解決手段】電力用スイッチング素子１００と、電力用スイッチング素子１００の外囲器に接触して冷却する冷却部２００とを備え、冷却部２００は、スイッチング素子から生じる熱を伝導させる熱伝導部と、熱伝導部に接触し、熱伝導部により伝えられた熱を蓄積する熱蓄積媒体と、熱伝導部に接触し、熱蓄積媒体に蓄積された熱を放熱する放熱手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ整流器とＰＷＭインバータで構成する交直／直交変換装置の中性点を互いに接続した中性線接続型無停電電源システムにおいて、中性線を通したリップル電流を抑制する。
【解決手段】ＰＷＭ整流器１のＰＷＭ制御装置１１~１４は、交流入力の各相Ｕ，Ｖ，Ｗと比較する三角波キャリア信号発生部１４のキャリア位相を互いに１２０°だけずらした３つのキャリア信号を発生し、ＰＷＭ波形生成部１３はこれらキャリア信号とＵ，Ｖ，Ｗ相の正弦波信号との相別の比較によりＰＷＭ波形を生成することで、三相全てがＯＮとなる期間を無くす。
ＰＷＭインバータの制御装置も同様にすること、さらにＰＷＭ整流器とＰＷＭインバータの両方の制御装置に適用することも含む。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子が並列接続された半導体電力変換装置において、いずれか一つのＩＧＢＴが故障した場合でも、簡易な回路構成で残りのＩＧＢＴを故障から防止する。
【解決手段】温度検出手段３を有する第１のＩＧＢＴ１と電流検出手段４を有する第２のＩＧＢＴ２を並列接続し、第１及び第２の半導体素子１，２をスイッチ動作させる半導体電力変換回路１０と、第１のＩＧＢＴ１の温度検出手段３から得られる温度情報にもとづき第１及び第２のＩＧＢＴ１，２の過熱保護を行う過熱保護回路５と、第２のＩＧＢＴ２の電流検出手段４から得られる電流情報にもとづき第１及び第２のＩＧＢＴ１，２の過電流保護を行う過電流保護回路６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】高電圧のインバータのＩＧＢＴのスイッチング時の回路電圧の変動により様々なノイズが発生し、各種センサや保護回路に混入する。ノイズが混入すると保護回路が誤動作し、異常が発生しないのに異常を検知した状態になり、その結果、指令部は保護回路からの誤った異常信号により、インバータを停止してしまうという問題があった。
【解決手段】ＩＧＢＴの制御信号を生成する指令部と、ＩＧＢＴを制御するゲート回路と、ＩＧＢＴの主電流またはコレクタ電圧を監視する監視回路と、監視回路からの出力が所定の値を超えた時にゲート回路を制御し、指令部に異常を通知する保護回路と、前記保護回路からの異常通知を受け、その回数をカウントするカウント回路とを備え、カウント数が少なくとも２以上になった場合に司令部が異常が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】直列接続ＩＧＢＴ３，４の接続点７のｄＶ／ｄｔによる誤動作発生時に、上下アーム短絡などの事故を回避できる高信頼性ＩＧＢＴ駆動装置を提供する。
【解決手段】高低圧側ＩＧＢＴ３，４は、デッドタイムを挟み相補的にオン／オフ制御される。これらデッドタイム期間中に、高圧側ＩＧＢＴ３をオフさせるリセットパルスＲＳを、例えば、次のような要領で発生させる。（１）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前に、（２）低圧側ＩＧＢＴ４のオン指令ＬＤの直前から、このオン指令ＬＤと重なる期間ｔｄをもつように、（３）デッドタイムＤＴ期間中、継続して、（４）低圧側ＩＧＢＴ４がオンとなる直前のデッドタイム期間中、継続して、（５）高圧側ＩＧＢＴ３のオン状態を観測したとき、低圧側ＩＧＢＴのオン指令を無効とするように、リセットパルスを生成する。 （もっと読む）

【課題】放電回路を特に設けることなく、インバータ直流中間コンデンサの電荷を放電できるようにする。
【解決手段】各アームにＩＧＢＴ等の電圧駆動型半導体素子Ｑｕ１〜Ｑｚ２を、複数個直列接続して構成される電力変換装置において、半導体素子Ｑｕ１〜Ｑｚ２に対しスイッチングタイミング調整のためにそれぞれ並列に接続される分圧抵抗Ｒｄｕ１〜Ｒｄｚ２と、任意にオン，オフされる半導体素子とを介して、直流中間コンデンサＣｄに蓄えられている電荷を速やかに放電し得るようにする。 （もっと読む）

【課題】メイン電源のオフに応じて速やかに平滑コンデンサの電荷を消費することが可能な電源装置を提供する。
【解決手段】電源部７０は、整流部１２Ａ，１２Ｂ、電源スイッチ１０、平滑コンデンサ２６、メイン電源部１４、サブ電源部１６、切換部２０、ゼロクロス検出回路１８を備える。メイン電源部１４は、１次側が平滑コンデンサ２６に接続されたトランス２７を有する。サブ電源部１６は、１次側が平滑コンデンサ２６に接続されたトランス３３を有する。ゼロクロス検出回路１８は、商用電源８０からの交流の供給状態を検出することによって電源スイッチ１０がオフになったことを検出する。切換部２０は、メイン電源部１４がオフの場合にゼロクロス検出回路１８が電源スイッチ１０のオフを検出したときには、メイン電源部１４をオンに切り換える。 （もっと読む）

【課題】各アームに電圧駆動型半導体素子を複数個直列接続してなる電力変換装置で、部品点数を増加させることなく各素子の電圧分担の均一化を図り、素子耐圧を超えないようにする。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子Ｑｕ１〜Ｑｘ２と並列に接続される複数の抵抗Ｒｄｕ１１とＲｄｕ１２〜Ｒｄｘ２１とＲｄｘ２２の各接続点（黒丸印）を、Ｑｕ１〜Ｑｘ２を冷却する冷却体Ｆｕ１〜Ｆｘ２に接続する。つまり、複数個直列接続するときに必要となる分圧抵抗と、冷却体の電位を固定するための抵抗とを共通にすることで、掲記課題の解決を図る。 （もっと読む）

【課題】並列に接続した複数のスイッチング半導体素子の間に不平衡が生じない電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の絶縁基板４の表面に矩形の第１の電極パターン５と、第１の電極パターン５の一辺に隣接して延伸する細長い第２の電極パターン６とを形成し、第１の電極パターン５に複数のスイッチング半導体６を配置し、表面に第３の電極パターン１２を形成した第２の電極パターン６よりもさらに細い第２の絶縁基板１１を、第２の電極パターン６の上に接合し、スイッチング半導体素子６に対応する複数の制御抵抗１４を第３の電極パターン１２の上に並べて配置し、スイッチング半導体素子６の制御端子８と制御抵抗１４をそれぞれ接続し、各スイッチング半導体素子６の検出電極１０と第２の電極パターン６の第１の電極パターン５側を第２のボンディングワイヤ２０で接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の直列数が少なく、且つ半導体スイッチング素子への印加電圧のばらつきが小さく、しかも動作周波数が数ＭＨｚなどの高周波であっても損失を小さくすることを可能とする。
【解決手段】直流電源または初期充電されたコンデンサであるエネルギー供給電源１と複数個直列接続された半導体スイッチング素子２_１〜２_ｎとが接続されており、前記複数個の半導体スイッチング素子２_１〜２_ｎのオン／オフ制御でパルス電圧を発生させるパルス電源において、電圧分担が所定値よりも大きな半導体スイッチング素子のみに、電圧分担の大きさに応じた容量を有するコンデンサ９が並列に接続される。上記構成によって、高周波数の繰り返しスイッチング動作時、コンデンサ９が並列接続された半導体スイッチング素子２のインピーダンスが低くなる。その結果、コンデンサ９が並列接続された半導体スイッチング素子２に印加される電圧を下げることが出来る。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失とサージ電圧の両者を同時に抑制できるスイッチング回路を提供する。
【解決手段】 トランジスタのゲート電圧を切り換えることによってトランジスタの主電極間を導通状態と非導通状態の間で時間的に切り換えるスイッチング回路であり、トランジスタのドレインまたはコレクタとゲートの間、もしくは、トランジスタのドレインまたはコレクタとソースまたはエミッタの間を、ツエナーダイオードとコンデンサーの直列回路で接続する。ドレイン電圧が低い間は、ツエナーダイオードによってコンデンサーの容量が寄与しない状態とされ、ドレイン電流とドレイン電圧は高速に変化し、スイッチング損失を小さくする。ドレイン電圧が上昇すると、ツエナーダイオードが降伏し、コンデンサーの容量が加わり、ドレイン電流とドレイン電圧は低速に変化し、サージ電圧が低く抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 電力変換装置に好適な駆動回路を提供する。
【解決手段】 電力変換装置における駆動回路の絶縁部をホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）と、電源Ｖ５Ａからホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）の発光素子に流す電流値を設定する抵抗１２５ａ（１２５ｄ）と、ホトカプラ１２５ｂ（１２５ｅ）の出力を電源Ｖ５Ｂにプルアップする抵抗１２５ｃ（１２５ｆ）と、論理積（ＡＮＤ）素子１２５ｇと、排他的論理和（ＥＸＯＲ）素子１２５ｈとで形成し、ホトカプラ１２５ｂ，１２５ｅそれぞれの出力値に基づいて、それぞれのホトカプラの動作状態を排他的論理和（ＥＸＯＲ）素子１２５ｈで監視しつつ、論理積（ＡＮＤ）素子１２５ｇの出力により電力変換主回路を形成するＩＧＢＴなどへの駆動信号を生成するようにして、この駆動回路の動作信頼性を向上させる。 （もっと読む）

本発明はスイッチング回路に関し、このスイッチング回路は、直列に接続した２つのパワー・トランジスタ（２２，２４）と、トランジスタの各々を励起するための回路（２６，２８）とを備えており、このトランジスタの各々を励起するための回路（２６，２８）は、上記２つのトランジスタを同時にスイッチすることに適している。本回路は、上記２つの直列に接続したトランジスタ（２２，２４）の導通端子の電圧の時間的変動における差に従い、上記２つのトランジスタ（２２，２４）のうちの被補正制御トランジスタ（２２）を制御する補正電流（δｉ）を生じさせるための手段（３０）と、上記電流を上記被補正制御トランジスタ（２２）のゲート電極に印加するための手段（３７）とを備えている。
（もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）