【課題】保全作業者の労力を増大させることがなく、パワースイッチング素子の交換作業を可能にする電力変換器用制御装置の提供。
【解決手段】上記目的は、電力変換器に用いられるパワースイッチング素子のパワーサイクルによる残存寿命を推定する残存寿命推定手段１１と、該残存寿命推定手段１１により推定した寿命に至る前にパワースイッチング素子の交換を指示する信号を出力する診断結果出力手段１５と、電力変換器の負荷パターンを記憶して所定期間の負荷パターンの移動平均値を求める負荷パターン記憶手段１２と、将来の負荷パターンを移動平均値としてパワースイッチング素子の故障に至る時期を推定して交換時期を設定する交換時期設定手段１３と、該交換時期設定手段１３からの情報により電力変換器の出力を制限する指令を出力する出力制限設定手段１４を備えた電力変換器用制御装置によって、達成できる。 （もっと読む）

【課題】安価かつ小型化に適し、かつ入出力の電圧ロスが少なく、入力端子の過電圧及び出力端子の過電流による破壊から回路を保護する過電圧過電流保護回路を提供する。
【解決手段】電源入力端子と出力端子の間に過電流検出抵抗器１と、ベースをバイアス抵抗器３で接地した第１のＰＮＰトランジスタ２とが直列に接続され、電源入力端子に過電圧が印加されるとツェナーダイオード６に通電して第２のＰＮＰトランジスタ７がオンとなり第１のＰＮＰトランジスタ２がオフとなる。出力端子に過電流が流れると過電流検出抵抗器１に発生する電圧により第２のＰＮＰトランジスタ７がオンとなり第１のＰＮＰトランジスタ２がオフとなる。 （もっと読む）

【課題】 パルス幅変調（Ｐulse Ｗidtｈ Ｍodulａtion、ＰＷＭ）インバーターへの使用における部品のターンオフプロセスを改良する。
【解決手段】 本発明は、ＩＧＢＴ型の電力用半導体部品１１のゲート指令装置１０に関する。ランプ波発生回路２０は、基準ゲート電圧を出力で供給する。前記基準電圧の電流増幅段は、ＩＧＢＴ部品のゲート電流を送出し、この増幅段は、トリガー回路３０と高速ターンオフ回路４０を有する。低速ターンオフ回路５０は、ＩＧＢＴ部品のゲートＧと発生回路の出力との間に接続される。部品のコレクタ・エミッター間電圧検出回路６０は、高速ターンオフ回路４０と発生回路の出力２２に作用する帰還信号７１を供給する帰還回路７０に接続されている。 （もっと読む）

【目的】 インバータ回路の駆動に先立ち、ＩＰＭのアクティブタイプを判別し、正常性を判定する。
【構成】 インバータ回路の駆動に先立って、ＩＰＭのコントロール端子の動作電圧レベルを読み込み（Ｓ１，Ｓ２）全てのコントロール端子の動作電圧レベルが一致するか否かを判定し（Ｓ３）、全てのコントロール端子の動作電圧レベルが一致したときにＩＰＭがローアクティブタイプかハイアクティブタイプかを判定し(Ｓ４，Ｓ５)、ＩＰＭのアクティブレベルに対応したＩＰＭ制御信号を生成する(Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８)。
【採用図面】 図３ （もっと読む）

本発明のアクティブフィルタは、トランジスタ段と、コモンモードノイズ電流を有する回路のブランチに接続された電流検出器（トランス）と、前記トランジスタ段及び負荷からのグランド戻りラインの間に接続された容量とを備える。前記トランジスタ段は、前記電流検出器（トランス）の出力によって駆動される二つのトランジスタ（Ｑ１，Ｑ２）を備える。前記電流検出器（トランス）および前記トランジスタ段は、フィードフォワード配置で接続される。前記フィルタは、消費電力およびトランジスタ定格電圧を低減させるための直列接続された複数のトランジスタ段を備えてもよい。
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【課題】
絶縁信号伝送素子に由来する周期が長いノイズを周期が短いｄｖ／ｄｔノイズや誘導ノイズと区別して検知できる、信頼性が高いインバータ装置を提供する。
【解決手段】
電圧駆動型の電力半導体スイッチング素子のゲート駆動回路の入力部と、制御回路の出力を伝達する絶縁信号伝送手段との間に、ローパスフィルタと、バンドパスフィルタと、スイッチ手段とを配置し、バンドパスフィルタの出力でスイッチ手段をオンオフして絶縁信号伝送素子に由来する周期が長いノイズと周期が短いｄｖ／ｄｔノイズや誘導ノイズを排除し、警告信号も出力する異常信号の判定回路を配置する。 （もっと読む）

【課題】 ダイオードのオープン故障を比較的簡単な構成で確実に検出することが可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】 変換アームをブリッジ構成し、誘導性の負荷２に電力を供給する電力変換回路１と、電流検出器３と、ゲート出力制御手段６とを備えた電力変換装置において、測定対象ダイオードと同相で逆極性の変換アームのスイッチング素子と、異相で同極性の変換アームのスイッチング素子をオンする第１のゲートオン手段と、一方の測定対象ダイオードと同相で逆極性の変換アームのスイッチング素子をオフし、他方のスイッチング素子のオンを継続する第２のゲートオン手段と、第１のゲートオン手段が動作して所定時間後の出力電流が所定値より大きいとき、第２のゲートオン手段へ移行し、第２のゲートオン手段が動作して所定時間後の前記出力電流が所定値より小さいとき、前記測定対象ダイオードはオープン故障していると判定する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、且つ、ゲート駆動ユニットの過電流時にも他のゲート駆動ユニットに影響を与えることなく実質的に切り離し可能な半導体電力変換装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】 高周波入力電力を絶縁トランス２１を介して直流に変換するコンバータ部２２と、このコンバータ部２２の出力に設けられた過電流抑制回路２３と、この過電流抑制回路２３の出力を平滑するコンデンサ２５と、前記過電流抑制回路２２の出力を電源として半導体電力変換装置の１アームの電力用半導体素子１１を駆動するためのゲート電圧駆動回路２４とを備え、前記過電流抑制回路２３は、過電流保護素子２３１の正抵抗サーミスタ特性を用いてその出力電流が所定値以下となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 駆動回路部の故障をパワー半導体に電圧を印加しない状態で検知することで、駆動回路部からパワー半導体に対する誤信号の送出を事前に防止し、パワー半導体の破壊を回避することが可能である安全性の高い高電圧の電力変換装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも１相分の直列接続されたパワー半導体Ｘ１，Ｘ２を交互にスイッチング制御することによって直流電源から交流を出力する電力変換回路と、ゲート制御信号を供給してパワー半導体Ｘ１，Ｘ２の制御を行う制御部２２と、パワー半導体Ｘ１，Ｘ２毎に接続してあり制御部２２からのゲート制御信号を増幅してゲート駆動信号をそれぞれのパワー半導体Ｘ１，Ｘ２に送信する駆動回路部２０，２１とで構成してあり、駆動回路部２２内にその駆動回路に対する故障診断を行う故障診断演算部１０を備える。 （もっと読む）

【課題】 比較的安価な回路構成で、第１および第２端子間に過電圧がかからないようにすることが可能なスナバ装置を提供する。
【解決手段】 スナバ装置は、IGBT１のコレクタ−エミッタ間に並列接続されるIGBT２と、IGBT２のコレクタ−エミッタ間電圧に相関する電圧を検知する電圧検知回路３と、電圧検知回路３の検知結果に基づいてIGBT２のゲート電圧を制御して、IGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧を制御する電圧制御回路４とを備えている。IGBT１のターンオフ時に、IGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧が所定電圧を超えたか否かを電圧検知回路３で検知し、所定電圧を超えた場合には、IGBT１に並列接続されたIGBT２に主電流の一部を迂回させるようにしたため、ターンオフ時にIGBT１のコレクタ−エミッタ間電圧が所定電圧以上にならなくなる。 （もっと読む）

【課題】高速で小型、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。
【解決手段】ソースを電源＋Ｖ_DDと接続したＰチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴ_ru+ とソースをＧＮＤと接続したＮチャンネルＭＯＳＦＥＴトランジスタＴ_ru- のドレインを接続し、モータコイルの出力とする。また、前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru+ のソースとゲート間にバイアス抵抗Ｒ４を接続し、その抵抗Ｒ４と並列にソースとゲートを前記ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru+ のオフ時に短絡するトランジスタＱ２を設けるとともに、前記ゲートとコレクタを接続し、ベースを電源＋Ｖ_DDに接続した入力用のＮＰＮトランジスタＱ１のエミッタをマイコン２のポートＰ１に接続する。一方、前記ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＴ_ru- のゲートをマイコン２のポートＰ２と接続して両ポートＰ１、Ｐ２から駆動信号を入力する。この回路を用いることで簡便で高速動作ができて小型化が図れ、低損失で信頼性の高いＰＷＭモータ駆動回路を実現する。 （もっと読む）

【課題】 制御遅れを解消して電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時における過電圧を確実に抑制する。
【解決手段】 ターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を示す動作状態データを時系列データとして順次記憶する動作状態記憶部と、該動作状態記憶部に予め記憶された動作状態データに基づいて次のターンオフ時における電力用半導体スイッチング素子の動作状態を予測し、この予測結果に基づいてオーバーシュートが低減するように次のターンオフ電圧を設定する駆動信号生成部とを備えた制御駆動手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 モジュール型半導体スイッチング素子における開放故障をより高速かつ確実に検出する
【解決手段】 モジュール型半導体スイッチング素子Ａの主端子間電圧を検出する電圧検出器６と、モジュール型半導体スイッチング素子Ａの主端子に流れる主端子電流を検出する電流検出器７と、電圧検出器６から入力された主端子間電圧と電流検出器７から入力された主端子電流とからモジュール型半導体スイッチング素子Ａの主端子間内部抵抗を求め、該主端子間内部抵抗に基づいて開放故障の発生を検出すると短絡手段を作動させて主端子間を短絡させる制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチングタイミング、特性のばらつき、または外部回路による電圧ばらつきがある場合でも、簡単な回路で素子電圧のばらつきを抑制する。
【解決手段】１アームあたり複数個直列接続される電圧駆動型半導体素子Ｑ１１〜Ｑ２２の各コレクタとゲート間に、等価回路がコンデンサＣｃｇ１１，１２，２１，２２と他の回路と磁気結合させる回路Ｔｒ１，２との直列回路からなるバランス回路を接続することにより、如何なる条件の場合でも各素子の電圧ばらつきを抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置の温度バランスを図り、放熱器や素子の低コスト化を図る。
【解決手段】多相の交流出力または入力を行なう電力変換回路等において、１相当り複数個並列接続される電力用半導体素子（ＩＧＢＴ）Ｕ１〜Ｗ３を、図の実線矢印で示す冷却用ファンの通風方向に対し、相ごとに並行に配置することにより、正特性のＩＧＢＴの特長を生かし、モジュールケース温度が高い下流側ＩＧＢＴの電流値を抑制して、温度バランスを図るようにする。なお、１は直流電源としての電解コンデンサ、６はヒューズを示す。 （もっと読む）

【課題】 電力用半導体スイッチング素子における主端子間電圧のオーバーシュートを抑制すると共に主端子間電圧変動の整定時間を均一化あるいは短時間化する。
【解決手段】 制御駆動手段は、所定の制御伝達関数によって主端子間電圧を補正電圧に変換する補正電圧発生部と、補正電圧に基づいて駆動信号を生成する駆動信号生成部とを備え、上記制御伝達関数は、主端子間電圧が定常電圧となるように制御するためのフィードバック制御系の二次振動系伝達関数における減衰係数及び角振動数を、上記オーバーシュートのピーク電圧Ｖp及び主端子間電圧変動の整定時間Ｔaが所望の値となるように設定することによって規定される。 （もっと読む）

【課題】負荷信号の駆動を細やかに制御し、消費電力を低減する。
【解決手段】マイコン側に接続された発光ダイオード１１と、受光素子２１およびプッシュプル回路を備えたＩＧＢＴゲート制御部２０と、交流制御のための双方向スイッチ部３０とからなり、双方向スイッチ部３０は、エミッタ同士を接続するとともに、各ゲートにプッシュプル回路の出力を接続した第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２と、アノード同士を接続した第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４とからなり、第１ＩＧＢＴ３１のコレクタと第１ＦＲＤ３３のカソード、及び第２ＩＧＢＴ３２のコレクタと第２ＦＲＤ３４のカソードとをそれぞれ接続し、第１ＩＧＢＴ３１および第２ＩＧＢＴ３２のエミッタ同士の接続点と、第１ＦＲＤ３３および第２ＦＲＤ３４のアノード同士の接続点とを信号線で接続することにより、出力側の交流電流のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】
アーム短絡を確実に回避した高い信頼性の電力変換装置の提供。
【解決手段】
本発明の電力変換装置は、直流電圧端子と交流電圧端子とを接続するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する信号を生成する信号生成部と、前記信号生成部からの信号により前記スイッチング素子を駆動する駆動回路と、前記駆動回路間を接続する通信回路とを有し、前記駆動回路はオフ信号が入力されてからスイッチング素子がオフするまでの遅延時間よりもオン信号が入力されてからスイッチング素子がオンするまでの遅延時間の方が長い。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子のゲート容量を増大することなく、フライホイールダイオードの電圧が急激に立ち上がったときにも、ゲート電圧を安定して、高い応答性能を確保し、最大性能を出力する。
【解決手段】 スイッチング素子７のコレクタ端子、エミッタ端子に接続された微分器１６によって、スイッチング素子７のコレクタ・エミッタ間電圧“Ｖｃｅ”を微分して、微分信号を生成するとともに、電圧増幅器１７によって、前記微分信号を増幅して、制御電流源１８を制御し、スイッチング素子７のコレクタ・エミッタ間電圧“Ｖｃｅ”が急速に上昇し始めたとき、内部帰還容量を介して、コレクタ側からゲート端子側に帰還される電流と対応する電流値分だけ、ゲート端子から電流を引き去る。 （もっと読む）

【課題】
軽負荷時にサイリスタの点弧失敗による明るさのちらつきが発生するのを防止する電力制御装置を提供する。
【解決手段】
調光装置は、自己消弧形制御素子Ｑ１、Ｑ２を備えた第１の位相制御回路ＰＣ１と、サイリスタＴ１、Ｔ２を備えた第２の位相制御回路ＰＣ２と、交流電圧半波の所望位相で第１の位相制御回路ＰＣ１の自己消弧形制御素子Ｑ１、Ｑ２を傾斜制御により動作させ、次にその導通がほぼ飽和状態になったときに、第２の位相制御回路ＰＣ２のサイリスタＴ１、Ｔ２に対して点弧所要時間だけ連続し、かつ、交流電圧半波の終了前に少なくともリセット時間を確保して終了する短時間トリガー信号を供給するとともに、自己消弧形制御素子Ｑ１、Ｑ２をオンさせるように構成された制御手段ＣＣとを具備している。 （もっと読む）