【課題】単一の回路構成により電流形インバータやマトリクスコンバータ等の各種電力変換装置への適用を可能にして汎用性、経済性を高めた電力用半導体スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】逆耐圧性電力用半導体スイッチを複数備えた電力用半導体スイッチモジュールにおいて、自己消弧形半導体スイッチ素子１１（１２）とダイオード２１（２２）とを直列接続して逆耐圧性電力用半導体スイッチ６１〜６６を構成し、これらを各２個直列接続してなる直列回路の両端、及び、この直列回路内の逆耐圧性電力用半導体スイッチ同士の直列接続点を、外部接続用の端子Ａ〜Ｆ，Ｇ〜Ｉにそれぞれ接続してモジュール１００Ａを構成する。 （もっと読む）

【課題】システム全体の損失を効率的に低減する。
【解決手段】電圧駆動素子の出力コレクタ電流が所定の電流値より小さく、かつ、電圧駆動素子をＰＷＭ制御する際のキャリア周波数が所定周波数より低い場合には、ゲート電圧を第１のゲート電圧から第２のゲート電圧に増大することによる定常損失の低減量が電圧駆動素子の駆動電力増大量より大きいと判断して、電圧駆動素子のゲート端子に、第２のゲート電圧を印加する。
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【課題】低コストにて、高力率かつ昇圧能力に優れた直流電源装置を提供する。
【解決手段】交流電源１からの交流電圧を整流する整流手段２と、第１のコンデンサ３および第２のコンデンサ４とからなる倍電圧整流回路と、リアクタ６と、リアクタ６を介して交流電源１を短絡するスイッチング手段７と、交流電源１のゼロクロス点を検出するゼロクロス検出手段８と、ゼロクロス検出手段８に同期させてスイッチング手段７を短絡・開放する制御手段９とを備えた直流電源装置において、交流電源１の半周期毎にスイッチング手段７を短絡動作させる回数を負荷５に応じて変更する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のＯＮ→ＯＦＦ切換え及び／又はＯＦＦ→ＯＮ切換えを高速で実行する。
【解決手段】入力信号源Ｖ１からの信号ＶｓｉｇによってフォトカプラＰＣの発光素子が発光せしめられ、その光がフォトカプラＰＣの受光素子によって検出されて電気エネルギに変換され、受光素子からの信号が増幅部によって増幅され、増幅部からの信号に基づいて出力部によって出力信号が形成され、その出力信号が例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴのようなスイッチング素子のゲート端子に供給されるように構成されたゲートドライブ回路において、増幅部としてバイポーラトランジスタＱ１１Ａ，Ｑ１１Ｂを用い、ベース接地型（ベース電位拘束型）になるようにバイポーラトランジスタＱ１１Ａ，Ｑ１１Ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】 直列接続された自己消弧形半導体素子間の電圧アンバランス量に応じて各素子のスイッチングタイミングを自動的に調整できるチョッパ制御装置を提供する。
【解決手段】 直流電動機Ｍを駆動する自己消弧形半導体素子２１，２２から成るチョッパ装置を制御するチョッパ制御装置３０において、自己消弧形半導体素子２１，２２の入力信号Ｓｃｈｕ、Ｓｃｈｄと端子電圧Ｅｃｈｕ，Ｅｃｈｄから自己消弧型半導体素子２１，２２のオン・オフタイミングを補正する信号ΔＴｄ、ΔＴｕを出力するチョッパ信号補正演算部３０３と、この出力により自己消弧形半導体素子を複数個直列接続して使用する場合の電圧アンバランスを抑制するチョッパ信号演算手段３０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチのオン・オフ時に過渡的に発生する電力を抑圧すると共に、発熱を減少させて、素子冷却のための放熱装置を小型化し材料費の低減と信頼性が向上できる半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチに並列に過渡電流用スイッチとコンデンサを直列に接続し、さらに並列に過渡電流スイッチとコイルの直列接続回路を接続する。スイッチ開閉時における負荷電流の急激な不連続を発生させない回路である。負荷電流値Ｉｘを通電スイッチで遮断する過渡的な時間Δｔ_０に対して過渡的に増大する電圧Ｖｘの値を、コンデンサＣの値で制御する。Ｃ≧Δｔ_０×Ｉｘ／Ｖｘの値で半導体スイッチの動作時のスイッチ部の電圧を定格電圧以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 部品実装面積が小さく安価な回路構成の出力欠相検出手段を搭載した電力変換装置と欠相検出方法を提供する。
【解決手段】 半導体スイッチング素子１、２と逆並列接続されたダイオード３、４との並列接続体を２個直列接続してなる直列接続体の接続部を出力端子としてなるアームを１相とし、アームを直流電源の正極と負極間に２個以上並列接続して多相とし、各半導体スイッチング素子をオン・オフ制御する電力変換装置において、出力電位の状態により欠相と判定する欠相検出手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】 インダクタンスが小さくでき、サージ電圧が小さくかつ小型化が可能なパワー半導体装置を提供する。
【解決手段】 パワー半導体装置が、冷却面を備えた水冷ブロックと、冷却面上に配置され、パワー半導体素子を含む封止樹脂と、封止樹脂の第１側面から突出した主端子と、第１側面に対して略平行な第２側面から突出した制御端子とを備えたパワーモジュールと、パワーモジュールを挟んで配置された１対の主回路基板と制御端子であって、主端子に接続された主回路基板と制御端子に接続された制御基板とを含む。主端子は、冷却面に略平行な第１領域と、主回路基板と略同一平面となるように該第１領域から角度θだけ屈曲した第２領域からなり、主回路基板と第２領域とが、これらを貫通するボルトとナットにより固定される。 （もっと読む）

【課題】 サージを抑制した電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】 電力用半導体装置において、直列に接続される１対の高圧側および低圧側の電力用スイッチング半導体素子と、各電力用スイッチング半導体素子に逆接続されたフライホイールダイオードと、電力用スイッチング半導体素子ごとに配置され、入力信号に基づいて当該電力用スイッチング半導体素子のゲートに駆動信号を供給するゲート駆動回路とを備え、さらに、サージの影響を抑制するため、たとえば、低圧側のゲート駆動回路とそのゲート駆動回路に電源電圧を供給する制御電源回路との間にダイオードを挿入する。または、ゲート駆動回路と、入力信号を供給するための入力端子との間にダイオードを挿入する。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成する逆阻止ＩＧＢＴの発生損失を低減し、電力変換装置の効率向上を図る。
【解決手段】逆阻止型ＩＧＢＴＱｕｒ，Ｑｒｕを互いに逆並列に接続した双方向スイッチＳＷｒをスイッチング素子とする電力変換装置において、素子Ｑｕｒ，Ｑｒｕのゲート端子に流れる電流を個別に検出する電流検出手段ＣＴｆ，ＣＴｒと、検出された電流値を比較する比較手段とを設け、逆電圧が印加されているＩＧＢＴを検出してそのゲート電圧をオンとすることで、漏れ電流を低減できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 制御装置で発生したノイズによるスイッチング素子の誤作動を防止した電力変換装置の制御装置を提供する。
【解決手段】 制御回路１１からノイズ電圧が出力された場合においても、送信側光モジュール１２と並列に分圧抵抗Ｒ２を接続することにより、送信側光モジュール１２にＯＮ電圧以上の電圧が印加しないようにする。 （もっと読む）

この発明の電動機制御装置は、温度変化推定部１１で、スイッチング回路５の半導体素子を流れる電流から演算した出力電流信号１０５と運転周波数信号とキャリア周波数信号とに基づき半導体素子の温度変化を推定して温度変化振幅１０８を演算し、熱ストレス演算部１３で、パワーサイクル曲線データ記憶部１４に格納されたパワーサイクル曲線データから温度変化振幅１０８に対応するパワーサイクル数１１０に換算し、熱ストレス信号１１１を演算し、寿命推定部１５ａで、熱ストレス信号１１１に基づいて半導体素子の寿命推定をし、寿命推定結果信号１１２として表示部１６に出力する。
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【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。電力用半導体スイッチング素子２１はノーマリーオン型であり、第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３はノーマリーオフ型である。 （もっと読む）

【課題】小型であって、かつ、信頼性の高い電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、冷媒の流路をなす扁平管形状の冷却チューブ２０と、電力変換回路を構成する平板状の半導体モジュール１０とを交互に積層してなる半導体積層ユニット２を有してなる。半導体積層ユニット２は、隣り合う冷却チューブ２０の間に複数の半導体モジュール１０を並列配置していると共に、積層方向の一方の端面からばね材５５の押圧力が付与されるように構成してある。 （もっと読む）

【課題】複数個直並列接続される電圧駆動型半導体素子のスイッチングタイミングのばらつきを、部品点数を増加させず回路を大型化することなく抑制する。
【解決手段】ＩＧＢＴＱ１１〜Ｑ１３とゲート駆動回路ＧＤＵ１１〜ＧＤＵ１３からなる直列回路１では、ＩＧＢＴＱ１１とＱ１２のゲート線を磁気回路ＭＣ１１により、ＩＧＢＴＱ１２とＱ１３のゲート線を磁気回路ＭＣ１２により、それぞれ磁気結合させることで３直列素子のスイッチングタイミングを一致させ、印加される電圧をバランスさせる。また、直列回路１と２の間ではＩＧＢＴＱ１１とＱ２１のゲート線のみを磁気回路ＭＣｘにて磁気結合することで、全素子のスイッチングタイミングを一致させる。 （もっと読む）

【課題】 電力用半導体装置において、さらに確実に貫通電流を抑制する。
【解決手段】 直列に接続される１対の高圧側および低圧側の電力用スイッチング半導体素子を含む電力半導体装置において、駆動回路は、電力用スイッチング半導体素子をオンするときに導通する第１の半導体素子と、前記電力用スイッチング半導体素子をオフするときに導通する第２の半導体素子と、電力用スイッチング半導体素子のゲートとエミッタの間に接続されるゲート遮断用半導体素子と、ゲート遮断用半導体素子のゲートへのゲート遮断制御ラインを含む。ゲート遮断制御ラインはたとえば遅延素子を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の過負荷及び過熱状態を検出する回路を小型、軽量、低価格とすることができ、これによって装置全体の小型化、軽量化、低価格化を図ること。
【解決手段】 電源電圧Ｖ１が供給される主回路１１側でなく、その電源電圧Ｖ１の供給のオン／オフ制御を行う半導体素子１２の駆動を制御する電源供給制御回路１３におけるゲート抵抗器３２の両端電圧を異常検出回路５１で検出し、この検出電圧がツェナーレベル（所定値）Ｌｔを超えた場合に半導体素子１２の過負荷又は過熱と判断する検出を行う。 （もっと読む）

【課題】 インバータ回路に供給される高電位電源電圧に応じて、パワーＭＯＳトランジスタやＩＧＢＴなどのスイッチング素子の立ち上がり時間及び立ち下り時間を制御する。
【解決手段】 半導体集積回路装置２０はスイッチング制御装置１及びインバータ回路７から構成され、スイッチング制御装置１はゲート駆動回路５ａ、５ｂ、電源電圧監視回路１３、スイッチング制御回路１４ａ、及びスイッチング制御回路１４ｂから構成されている。外部ＡＣ電源が所定以上の高電圧の場合、ゲート制御回路から出力されるゲート制御信号Ｖｇａがゲート制御信号傾き調整手段１６を介してゲート駆動回路５ａに出力される。このため、ＩＧＢＴ８ａのゲートに入力されるゲート制御信号の傾きが、外部ＡＣ電源が所定の電圧の場合のゲート制御信号の傾きよりもなだらかになり、外部ＡＣ電源が所定以上の高電圧の場合にＩＧＢＴ８ａの立ち上がり時間及び立ち下がり時間を長くできる。 （もっと読む）

【課題】 適切な昇圧電圧を発生でき、当該昇圧電圧を用いてモータを駆動するモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】 昇圧回路２の昇圧端子Ｅ４の電圧は、トランジスタＴＲ４を介してＦＥＴ１のゲート端子に印加されており、当該３８Ｖのゲート電圧が、２４Ｖ電源Ｅ１によるＦＥＴ１のソース−ドレイン電圧よりも高くなっている。ＦＥＴ１のオン状態に保持するためには、ソース−ドレイン電圧の２４Ｖよりも４Ｖ高い２８Ｖ以上であることが条件となるが、昇圧回路２からの３８Ｖという高電圧をＦＥＴ１のゲート端子に印加し、２４Ｖという高電圧で三相ブラシレスモータ４００を回転させる場合であっても、確実にＦＥＴ１をオン状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】 適切な昇圧電圧を発生でき、当該昇圧電圧を用いてモータを駆動するモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】 ＦＥＴのゲートと、ツェナーダイオードＺＤ１３を三相ブラシレスモータ４００との間に配置し、ツェナーダイオードＺＤ１３のツェナー電位を超えるまで、三相ブラシレスモータ４００から抵抗Ｒ１１側に流れる電流を遮断する。その後、三相ブラシレスモータ４００と抵抗Ｒ１１との電圧がツェナー電位を超えた場合には、抵抗Ｒ１１側に電流が流れてしまうが、当該電流値は小さくなっており、抵抗Ｒ１１や抵抗Ｒ１２の焼損を防止する。 （もっと読む）