【課題】上下アームアース間電圧が高くても安定に動作しかつ損傷を受けにくいモータ駆動装置を提供すること。
【解決手段】本発明のモータ駆動装置は、主端子間に直列接続された第１の電力半導体スイッチング素子と第２の電力半導体スイッチング素子とからなるアームと、
該アームの高圧側に接続した第１の半導体スイッチング素子の制御信号を、低圧側回路から高圧側回路に伝達するレベルシフト回路とを備え、前記レベルシフト回路の信号伝達用高耐圧素子を絶縁ゲートバイポーラトランジスタとした。 （もっと読む）

【課題】ノーマルモードチョークコイルを除去して、フィルタの小型化を図る。
【解決手段】ＥＭＩノイズを構成するコモンモードノイズが電源側に伝搬することを抑制するための第１、第２のコモンモードチョークコイルにおける第１のコモンモードチョークコイル３４に両端に突起部が形成された一対の磁脚を有する第１の磁性体コア３８を形成し、第２のコモンモードチョークコイル３５に、第１の磁性体コア３８と同一構成を有し、両端の突起部が第１の磁性体コアの両端の突起部に空隙４２を介して対向するように配設された第２の磁性体コア３９を形成している。
さらに、第１、第２の磁性体コアの空隙を介して対向する各磁脚に巻回された同一相の巻線の巻回方向を逆向きとし、この同一相の巻線で形成される磁気回路の磁束で、ノーマルモードノイズに対する高インピーダンスを得ている。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電源自給回路で健全なゲート電源を得ることができなかったとしても半導体素子へのゲート電源を確保できる半導体素子のゲート電源供給装置を提供することである。
【解決手段】 ゲート電源自給回路１２ａ、１２ｂ、１２ｃは半導体素子のオフ時の電圧を分圧してコンデンサＣａ、Ｃｂ、Ｃｃに電荷を蓄積し半導体素子のゲート駆動回路１３ａ、１３ｂ、１３ｃにゲート電圧を供給する。一方、バックアップ電源供給回路１４は、半導体素子のオフ時の電圧が低下しゲート電源自給回路１２ａ、１２ｂのコンデンサＣａ、Ｃｂにゲート電圧を維持するだけの電荷が蓄積できなくなったとき、他のゲート電源自給回路からコンデンサＣａ、Ｃｂに電荷を供給する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率に優れ、生産性に優れた電力変換装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電力変換回路の一部を構成する半導体モジュール２と、半導体モジュール２を両面から冷却するための冷却部材４とを積層配置してなる電力変換装置。半導体モジュール２と冷却部材４との間には、熱伝導性を有するゲルグリース５が介在している。ゲルグリース５は、架橋度が１６〜８０％である。また、半導体モジュール２等へのゲルグリース５の塗布は、スクリーン印刷法によって行う。 （もっと読む）

【課題】 電源利用率を向上させることができ、出力段の電界効果トランジスタにおける短絡電流を防止し、かつ駆動する自己消弧型半導体素子のスイッチング速度を向上させることができる自己消弧型半導体素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】 フォトカプラ絶縁回路２の出力信号を、第１の相補型エミッタフォロワ回路２１によって電流増幅し、相補型ベース接地回路２２に与える。相補型ベース接地回路２２の第２のＰＮＰ型および第２のＮＰＮ型バイポーラトランジスタＱ３，Ｑ４のコレクタＣ３，Ｃ４にそれぞれ接続される正極側および負極側コレクタ負荷抵抗器Ｒ５，Ｒ６から信号は、第３および第４の相補型エミッタフォロワ回路３１，３２によって電流増幅されて、各ドレインＤ１，Ｄ２が接続されるＰチャネルおよびＮチャネルの電界効果トランジスタＭ１，Ｍ２にそれぞれ与える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セットパルスとリセットパルスの誤発生による誤動作防止機能を向上させた、スイッチングデバイスの駆動回路の提供を目的とする。
【解決手段】トランジスタ３０をターンオンさせるためのパルス状のセット電圧を出力するセット側レベルシフト回路と、トランジスタ３０をターンオフさせるためのパルス状のリセット電圧を出力するリセット側レベルシフト回路と、セット電圧の入力時にセット状態となってトランジスタ３０をターンオンし、リセット電圧の入力時にリセット状態となってトランジスタ３０をターンオフするラッチ回路と、ラッチ回路に入力されるセット電圧とラッチ回路に入力されるリセット電圧との同論理部分を除去する同相除去フィルタ１２，１３とを備え、リセット側レベルシフト回路の出力特性である時定数がセット側レベルシフト回路の出力特性である時定数より大きいことを特徴とする、スイッチングデバイスの駆動回路。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子などの回路素子によって電流検出器の出力特性を調整する工程が不要な場合でも、電流検出ラインでの過電流を瞬時に検出し、応答の速い半導体スイッチ素子のオフ動作を行い、過電流に対して半導体スイッチ素子を保護する電力変換装置を得る。
【解決手段】電流検出器の電流検出感度およびオフセット電圧に応じた上限閾値電圧および下限閾値電圧のうちの少なくともいずれか一方を出力する制御信号生成手段と、検出電圧が上限閾値電圧より大きい場合または検出電圧が下限閾値電圧より小さい場合には、半導体スイッチ素子をオフ動作させるゲート遮断回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型パワー半導体スイッチング素子を、高速で駆動するゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明の電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路は、電圧駆動型のパワー半導体スイッチング素子と、該スイッチング素子のゲート電極に駆動信号を与える駆動同路と、該スイッチング素子のエミッタ制御端子或いはソース制御端子と半導体モジュールのエミッタ主端子或いはソース主端子の間にインダクタンスを有するパワー半導体スイッチング素子のゲート駆動回路を備え、インダクタンスの両端に発生する電圧を検出し、その検出値に基づいて、ゲート駆動電圧或いはゲート駆動抵抗を可変させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング回路において並列に接続されたスイッチング素子にしきい値電圧のばらつきがあったとしても、特定のデバイスに損失が集中して発熱するのを防ぐ。
【解決手段】ＩＧＢＴの電流に応じて変動するＢ点の電位が、トランジスタＱ１４のしきい値より高い時はＱ１４がオンになり、抵抗Ｒ１５と抵抗Ｒ１６が並列になり、ピーク制御回路のＡ点の電位は相対的に低下する。Ｂ点の電位がＱ１４のしきい値より低い時はＱ１４はオフとなり、ピーク制御回路には抵抗Ｒ１５のみが作用しＡ点の電位は相対的に高くなる。ＩＧＢＴのターンオフ時、素子間の特性ばらつきによりＩＧＢＴに流れる電流が増加すると、Ｑ１４がオンになり、Ｒ１５とＲ１６とが並列になり、Ａ点の電位が低くなり、トランジスタＱ１２に注入される電荷量が少なくなり、Ｑ１２のベース電圧Ｖｂが低下し、ＩＧＢＴのゲート電圧Ｖgeが低下し、ＩＧＢＴのコレクタ電流も減少する。
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【課題】アクティブゲート駆動技術によるサージ電圧抑制を行いながら、素子損失の増大を抑制するゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】電力用スイッチング素子９の主電極間に印加される電圧を検出する主電圧検出手段４a, 4bと、主電圧検出手段によって検出される電圧に応じて電力用スイッチング素子のゲート電極に電流を注入する制御電流源６と、電力用スイッチング素子の主電極間に流れる主電流を検出する主電流検出手段１４と、主電流検出手段によって検出される主電流に応じて制御電流源の電流を調整する調整手段12, 2とを備える。 （もっと読む）

【課題】構成の簡略化を容易に図ることができる電力供給装置を提供する。
【解決手段】電力供給装置１００に、コンバータ１１０にインバータ１２０に対して並列に接続された単相ブリッジ整流回路部１３１と、この単相ブリッジ整流回路部１３１に接続され電圧を平滑して出力するコンデンサ１３２Ａと、で構成される電源装置を設けている。このため、単相ブリッジ整流回路部１３１およびコンデンサ１３２Ａで構成される直列回路がサージ電圧を吸収する回路と同等な回路となるため、外部からコンバータ１１０にサージ電圧が入力された場合であっても、このサージ電圧を単相ブリッジ整流回路部１３１およびコンデンサ１３２Ａの直列回路で吸収でき、他の部品に供給しない状態とすることができる。 （もっと読む）

【課題】
電力変換装置のパワーモジュールにコイルを配置する場合において、パワーモジュールの構造的な問題からコイルの両端に容量が発生し、その結果ノイズフィルタとしての効果が低くなってしまっていた。
【解決手段】
パワーモジュール内にコイルを配置するときに、その場所にかかわらず、パワーモジュール内の該コイルの両端間の回路系を構造的に分離絶縁する。分離絶縁することによって該コイルの両端間に容量が発生せず、該コイルはフィルタとしての効果を発揮することで、ノイズフィルタとしての特性の向上が従来よりも図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡素な回路によりゲート放電トランジスタのオフを早期化可能な絶縁ゲート型トランジスタ駆動回路装置を提供すること。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタ１は電流ドライバ１０を通じてゲートドライブ回路７からの制御電圧Vaにより断続制御される。放電トランジスタ断続回路１１は、OR回路１２とNOT回路４とにより構成され、電流ドライバ１０の出力電圧Veと制御電圧Vaとの論理和信号を反転してゲート放電トランジスタ２を断続制御する。ゲート放電トランジスタ２は、絶縁ゲート型トランジスタ１のオフ時にオンして絶縁ゲート型トランジスタ１のゲート電圧を低電位に固定する。 （もっと読む）

【課題】複数個の半導体素子で構成された電力変換器の並列接続された半導体素子に故障が発生した場合であっても運転継続を可能とする。
【解決手段】ゲート駆動回路１３は、複数個の半導体素子１２を並列接続して形成された並列素子群１１を多段に直列接続して構成された電力変換部を構成する各々の半導体素子１２のゲートにゲート信号を出力する。そして、故障検出装置１４は、各々の半導体素子１２の故障を検出したときは、ゲート駆動回路１３と半導体素子１２のゲートとの間に設けられたスイッチＳをオフする。これにより、一部の半導体素子１２に故障が発生した場合であっても運転継続を可能とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート形パワー半導体素子の短絡故障や断線故障を精度良く検出できる絶縁ゲート形パワー半導体素子の故障検出装置を提供することである。
【解決手段】短絡故障検出部１７は半導体素子１２のゲート駆動回路１３からゲートＧに流れ込むオンゲート電流または半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して短絡故障を検出する。断線故障検出部１６は、少なくとも半導体素子１２のゲートＧよりゲート駆動回路１３へ流れ込むオフゲート電流を健全時の電流と比較して断線故障を検出する。 （もっと読む）

本二水準電流制限電源システム（１００）は、電流が過負荷状態の間、熱応力を減少させる能力がある。例示的一実施形態によれば、本電源システム（１００）は、負荷へ供給された電流を測定するための測定デバイス（Ｒ６〜Ｒ９、２２、Ｖ２、Ｑ３）、ならびに電流が第１の試験期間の間第１の閾値を超過する場合、第１の不作動期間の間電流を不作動状態にすること、および電流が第２の試験期間の間第２の閾値を超過する場合第２の不作動期間の間電流を不作動状態にすることのための処理装置（２８）を含む。
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【課題】電子電力回路における電流温度測定方法、および、電流温度測定装置を提供する。
【解決手段】電流／温度測定方法では、電子電力回路における寄生構成要素Ｒ１、Ｒ２（例えば、３相変換器におけるハーフブリッジ回路（ＨＢ））が用いられる。初めに、該寄生構成要素Ｒ１、Ｒ２から不正確に得られた測定値を、該構成要素の電流／温度依存性または電圧依存性に関して、製造工程（例えば、電子電力回路での電気系最終検査）中に補償する。動作中に行われる評価工程は、互いに線形に独立している２つの測定と、評価ユニットＡＥでの適切な算術演算とを用いて、センサ構成要素Ｒ１、Ｒ２の温度または電流依存性を補償する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴのスイッチング時にＩＧＢＴの電流・電圧の状態を検知しゲートを制御する回路において、電流・電圧の検知からゲートの制御までの回路の遅延によりスイッチングの制御ができないという問題があった。
【解決手段】ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴのスイッチング速度を制御するスイッチング速度制御回路と、ＩＧＢＴのスイッチング開始を検出し前記スイッチング速度制御回路に信号を送るスイッチング検出回路と、ＩＧＢＴの電流の変化を検出し前記スイッチング速度制御回路に信号を送る電流検出回路とを有し、前記スイッチング速度制御回路は前記スイッチング検出回路からの信号で動作準備状態となり、前記電流検出回路からの信号で動作する。 （もっと読む）

【課題】電力変換器のスイッチング素子のゲート、エミッタ端子とゲートドライバの制御信号出力部を結ぶ制御信号配線のインダクタンスを低減し、主回路ノイズの影響を受けにくく、かつ高速制御可能な主回路を有する電力変換装置を提供する。
【解決手段】自己消弧型のスイッチング素子、主回路配線の平板状導体を具備する電力変換装置において、平板状導体の少なくとも１箇所以上に該平板状導体を貫通する穴を設け、該スイッチング素子を制御する信号線を該貫通穴に通して構成する。 （もっと読む）

【課題】複数の並列結合したＩＧＢＴ（１４、１６、１８）を有する電気スイッチング装置（１０）を提供する。
【解決手段】第１のゲート端子は、駆動回路から第１のインピーダンス回路を介して電圧信号を受け、第２のゲート端子は、駆動回路から第２のインピーダンス回路を介して電圧信号を受け、第２のコレクタ端子は、第１のコレクタ端子に電気的に結合される。第１及び第２のゲート端子が駆動回路からそれぞれ第１及び第２のインピーダンス回路を介して電圧信号を受けた時に、第１のゲート端子と第１のエミッタ端子との間の第１の電圧の大きさが第２のゲート端子と第２のエミッタ端子との間の第２の電圧に実質的に等しくなるようにすることにより、第１のＩＧＢＴの第１のエミッタ端子から負荷に流れる第１の電流が第２のＩＧＢＴの第２のエミッタ端子から負荷に流れる第２の電流に実質的に等しくなる。 （もっと読む）