【課題】入力信号に精度の高い遅延を付加した出力信号を生成することが可能な遅延回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる遅延回路は、第１電流Ｉ０及び第１電流Ｉ０と略同一の第２電流Ｉ０を生成する電流ミラー回路と、ゲートに基準電圧Ｖｒが印加されソース−ドレイン間に第１電流Ｉ０が流れることにより電圧Ｖ０を生成するトランジスタ６０７と、電圧Ｖ０に応じた参照電圧Ｖ１を生成する抵抗素子６０８，６０９と、コンデンサ６１３と、第２電流Ｉ０の電荷をコンデンサ６１３に蓄積し、又は、コンデンサ６１３に蓄積された電荷を放出する充放電部と、充放電部とコンデンサ６１３との間に設けられ、ゲートに基準電圧Ｖｒが印加されソース−ドレイン間に第２電流Ｉ０が流れることにより、比較電圧Ｖ２を生成するトランジスタ６１１と、比較電圧Ｖ２と参照電圧Ｖ１とを比較し比較結果を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する電圧比較部６１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の入出力クロックスキューを抑制する。
【解決手段】Ｉ／Ｏ電圧電源で駆動される第１のバッファ１及び第２のバッファ８と、Ｉ／Ｏ電圧電源の電圧レベルを示す電圧判定信号を生成する電圧判定部５と、第１のバッファ１を介して入力された入力クロック信号に基づいて出力クロック信号の位相を調整して第２のバッファへ出力するエコークロック生成部７と、電圧判定信号と位相の調整量との関係を選択するモード情報を記憶する記憶部６と、を有し、エコークロック生成部７は、電圧判定信号とモード情報とに基づいて出力クロック信号の位相の調整量を決定する。 （もっと読む）

【課題】多相シリアルデータを多相クロックでサンプリングするオーバーサンプリング回路において、遅延量制御動作に伴う消費電流を低減する。
【解決手段】シリアルデータSDATAは、データ遅延部１０２により多相シリアルデータsdata0〜sdata3とされ、オーバーサンプリング部１０３において、多相クロックck0〜ck3により、オーバーサンプリングされる。データ遅延部１０２のデータ遅延素子１０７の遅延時間は、キャリブレーションデータ発生部１０１で生成されたデータのオーバーサンプリング出力の位相差をオーバーサンプリング位相検出部１０５により検出し、その位相差が所望の値となるように、遅延量制御デジタル信号dd_cntを調整する。遅延量制御デジタル信号dd_cntをデジタルアナログ変換部１０６によりアナログの遅延量発生信号d_cntに変換し、データ遅延素子１０７に供給する。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ出力幅を細かい単位で正確に制御する。
【解決手段】正相と逆相のＰＷＭ信号に対するデッドタイム挿入処理を以下のように行う。ＰＷＭ信号の出力幅が所定のデッドタイム期間よりも大きく設定された基準期間よりも小さい場合はクリア信号を出力し、大きい場合はセット信号を出力する。セット信号が出力された場合は、ＰＷＭ信号を補正ＰＷＭ信号として出力する。クリア信号が出力された場合は、正相のＰＷＭ信号をインアクティブとする補正を行って補正ＰＷＭ信号として出力する。デッドタイム挿入ブロックは補正ＰＷＭ信号に対して、正相と逆相の信号が同時にオンすることを防ぐようにデッドタイムを挿入する。 （もっと読む）

【課題】調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減されたＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】内部クロック信号ＥＣＬＫを受けるインバータ回路２１０〜２１７と、内部クロック信号ＯＣＬＫを受けるインバータ回路２２０〜２２７とを有し、調整コードＣ０〜Ｃ７を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１６段階に調整する。インバータ回路２１０，２２０は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１段階変化させる能力を有し、インバータ回路２１１〜２１７，２２１〜２２７は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を２段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】擬似ロックを防止するための論理回路の回路規模を低減する。
【解決手段】遅延ロックドループ(ＤＬＬ)は、複数の可変遅延回路ＤＬ０〜８の電圧制御遅延回路１と位相周波数比較器２とチャージポンプ３を具備する。初段の出力ＰＨ［０］と最終段の出力ＰＨ［８］は、比較器２に供給される。比較器２のアップ信号とダウン信号は、チャージポンプ３に供給される。擬似ロック防止回路４は、第Ｍ段の出力ＰＨ［１］と第Ｍ＋１段の出力ＰＨ［２］に応答して、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂを生成する。初段の回路ＤＬ０から第Ｍ＋１段の回路ＤＬ２に、クロック入力信号ＣＬＫとクロック反転入力信号がリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。第Ｍ＋２段の回路ＤＬ３から最終段の回路ＤＬ８に、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂがリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。 （もっと読む）

【課題】クロックのばらつきが引き起こすジッタを抑制することが可能なデューティ補正付き位相調整回路及びシリアライザを提供することを目的としている。
【解決手段】正クロック信号及び負クロック信号が入力され前記正クロック信号と前記負クロック信号のデューティ及び位相を調整した正クロック出力信号及び負クロック出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】アナログ電圧を使用することなく、クロック信号を高精度且つ広範囲に遅延させる。
【解決手段】入力ノード１１０ａと出力ノード１１０ｂとの間に直列接続された複数のワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎを備える。ワンショットパルス生成回路２０１〜２０ｎのそれぞれは、入力されたクロック信号の一方のエッジに応答して、ワンショットパルスを生成する。ワンショットパルスのパルス幅は、カウント値ＲＣＮＴに基づいて可変である。これにより、カウント値ＲＣＮＴを変化させることによって、ディレイライン１１０の遅延量を広範囲且つ高精度に変化させることが可能となる。しかも、アナログ電圧を使用しないことから、アナログ電圧の生成回路やその安定化回路などを設ける必要もなくなり、回路設計が容易となる。 （もっと読む）

【課題】サンプル間、温度等の変位に伴い発生するロック位相の変動を補正し、ロック位相を一定とすることができるＤＬＬを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】位相検出回路（ＰＤ）１０５を構成する複数のＭＯＳＦＥＴのうち所定のＭＯＳＦＥＴのバックゲート電位を変更するＰＤバックゲート電位変更回路１０６と、温度センサ１０７と、サンプル別閾値電圧（Ｖｔ）情報を記憶したＦｕｓe（ヒューズ）１０８を備える。温度センサ１０７の温度情報、Ｆｕｓe（ヒューズ）１０８に記憶されたサンプル別閾値電圧（Ｖｔ）情報は、ＰＤバックゲート電位変更回路１０６に読み出され、閾値電圧を制御し、ロック位相の変動を補正する。 （もっと読む）

【課題】
本開示は遅延ロックループ（ＤＬＬ）及びフェーズロックループ（ＰＬＬ）における移相処理に関する。
【解決手段】
ＤＬＬまたはＰＬＬにおけるチャージポンプは、出力ノードに並列に接続されたキャパシタを備える。一次電流スイッチング回路は、ソース電流でキャパシタを充電し、シンク電流でキャパシタを放電する。補助ソース回路は、大きさの範囲を有する正の位相生成電流をソースする。正の移相生成電流の大きさは、少なくとも１つのソース選択信号により決定される。補助シンク回路は、大きさの範囲を有する負の移相生成電流をソースする。前記負の移相生成電流の大きさは、少なくとも１つのシンク選択信号により決定される。 （もっと読む）

【課題】電流消費を削減する。
【解決手段】第１のクロック信号（ＩＣＬＫ）を受け、第１のクロック信号を可変である遅延量に応じて遅延させた第２のクロック信号（ＬＣＬＫ）を出力する遅延回路（３１）と、第２のクロック信号を受け、遅延された第３のクロック信号（ＲＣＬＫ）を出力するレプリカ回路（３２）と、第１および第３のクロック信号の位相差が所定時間以上であるか否かを検知し、所定時間以上である場合には遅延回路の遅延量を変化させ、所定時間未満である場合には遅延回路の遅延量を変化させないように制御する位相差検出回路（３６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 相変化物質に基づくプログラマブル抵抗を用いた遅延発生器を提供する。
【解決手段】 本発明は、カルコゲナイドに基づく相変化物質で作られる少なくとも１つのプログラマブル抵抗Ｒ_ＰＣＭ（１１）を含み、前記抵抗Ｒ_ＰＣＭが、遅延を発生させるために、抵抗Ｒ_ＰＣＭの抵抗値が所定の初期値Ｒ_０に等しく、そしてカルコゲナイドが非晶相であるようなやり方で初期化され、比較器（１３、１６、１９）が、時間の経過に対して安定な基準電気量を、プログラマブル抵抗Ｒ_ＰＣＭ（１１）の抵抗値を表わす可変電気量と比較し、比較器が特異信号ｓを発生させ、前記特異性が、その２つの電気量の間の差が符号を変えるときに生成される、遅延発生器に関する。 （もっと読む）

【課題】 遅延段の数を切り換えるときの遅延時間の増加量および減少量を一定にすることで、高い精度を有する遅延回路を形成する。
【解決手段】 遅延回路は、直列に接続された複数の遅延段、検出回路および調整回路を有する。各遅延段は、前段からの信号を反転して後段に伝達する第１遅延素子と、後段からの信号を反転して前段に伝達し、または前段からの信号を反転した遅延信号を反転して前段に伝達する第２遅延素子とを含む。検出回路は、奇数段目および偶数段目の遅延段において、前段からの信号を受けてから遅延信号を経て第２遅延素子から信号が出力されるまでの伝搬遅延時間をそれぞれ検出する。調整回路は、検出回路の検出結果に基づいて、奇数段目および偶数段目の遅延段の伝搬遅延時間を互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】遅延ロックループにおいて誤ロックが生じた場合、そこから抜け出すために使用される誤ロック防止回路、防止方法及びそれを利用した遅延ロックループを提供する。
【解決手段】誤ロック防止回路はハーモニックロックを検出する検出器とスタックロックを検出する検出器とで構成される。ハーモニックロック検出器は前記遅延クロックを本発明の特徴的な方法でサンプリングする複数個のフリップフロップ及び論理部で構成される。ハーモニックロック検出器では基準クロックと基準クロックから遅延された複数個の遅延クロックの立ち上がりエッジを比較してこれらの立ち上がりエッジが基準クロックの１周期から離れた場合を検出する。スタックロック検出器は位相検出器の出力信号と前記遅延クロックのうち１つを利用した論理回路であり、論理演算の結果で位相検出器をリセットさせる。 （もっと読む）

【課題】フラクショナル分周器の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制したアキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬおよびその制御方法を実現する。
【解決手段】アキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬシンセサイザ１００を、その参照信号入力側の位相検出器の前段にアキュムレータ１２０からの誤差信号によって上記参照信号に対し位相調整を行う位相調整回路１３０を介挿して構成し、出力段のＶＣＯ１１４の出力を前段側にフィードバックするフラクショナル分周器１１５の出力である帰還信号と、上記位相調整された参照信号との両信号の位相差が生じないようにして、該両信号の位相差に応じた出力を得る位相検出器１１１の出力によってチャージポンプ１１２が駆動されないようにすることによって、フラクショナル分周器１１５の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制するように構成する。 （もっと読む）

【課題】入力信号と出力信号の位相差の増大を抑制すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、縦続接続された複数の遅延素子を用いて、入力信号と出力信号の位相を合致させるロック調整動作を行うＤＬＬ回路と、リファレンス電位を基準として生成した出力電圧を、複数の遅延素子に供給する遅延素子用電源回路と、出力電圧がリファレンス電位の一定範囲内にあるか否かを検出し、出力電圧が一定範囲内にない場合、ロック調整動作を停止させるＤＬＬ動作信号をＤＬＬ回路に出力する検出回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アパーチャディレイをより小さくするアパーチャディレイ調整機能を有するサンプリングクロック生成回路を提供する。
【解決手段】ＳＳＣＧ１１からの出力クロック信号に対して所定の遅延量だけ遅延してサンプリングクロック信号を発生してサンプリングホールド回路に供給する、遅延回路２１，２２及びクロック発生器２３からなるサンプリングクロック生成手段と、ＳＳＣＧ１１の出力クロック信号に基づいて生成されたＣＣＤ駆動クロック信号と、上記サンプリングクロック信号とを位相比較して位相比較結果を出力する遅延型フリップフロップ２４と、上記位相比較結果に基づいて、上記駆動クロック信号と上記サンプリングクロック信号との位相差が実質的にゼロとなるように上記サンプリングクロック生成手段の遅延量を制御する制御ロジック回路２０とを備えた。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して回路構成が簡単であってサイズが小さく、しかも高精度で位相補正することができるクロック生成回路を提供する。
【解決手段】基準クロックを、互いに縦続接続された複数の遅延素子により所定の遅延幅で遅延して所定の駆動クロックを発生し、上記複数の遅延素子の初段と最終段からの各駆動クロックを位相比較し、当該位相比較結果に基づいて上記複数の遅延素子の遅延量を制御することにより、上記位相比較結果の位相差が小さくなるように制御するＤＬＬ回路を備えたクロック生成回路であって、上記複数の遅延素子の初段からの駆動クロックのタイミングで、上記最終段からの駆動クロックのレベルを検出して、上記検出レベルを含む判断結果に基づいて、上記位相差が小さくなるように上記複数の遅延素子の遅延量を制御する位相オフセット手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、また設計が容易な構成にて、高精度なクロックを生成するＤＬＬ回路を実現する。
【解決手段】ＤＬＬ回路は、外部から入力される動作クロックｃｌｋｓと前記動作クロックと周波数が異なるもしくは等しい入力クロックと所望の周波数を表す設定値ｋから前記動作クロック周波数の前記設定値ｋ分の一の周波数を有する生成クロックｃｌｋｃを生成するクロック生成部１００と、前記生成クロックｃｌｋｃと外部から入力される参照クロックｃｌｋｒの位相差を比較し、その位相差を出力する位相比較部２００と、前記位相比較部２００の出力である位相差から、前記位相差を“０”とするように前記設定値ｋへ補正をする補正値を生成し、前記設定値ｋへ補正値を加算する補正部３００とを備える。 （もっと読む）

【課題】再開トリガ信号を生成できないことによってリードデータの出力タイミングと外部クロック信号の同期が外れてしまうことを防止する。
【解決手段】ＤＬＬ回路１００には、当該ＤＬＬ回路１００を初期起動させるリセット信号ＲＥＳＥＴと、内部クロック信号ＬＣＬＫの内部クロック信号ＩＣＬＫに対する遅延量の制御を当該ＤＬＬ回路１００に再開させる再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴとが入力され、ＤＬＬ回路１００は、リセット信号ＲＥＳＥＴ又は再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化されたことに応じて遅延量の制御を開始し、リセット信ＲＥＳＥＴ号が活性化された後再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化される前には、当該ＤＬＬ回路１００のロック後にも遅延量の制御を継続し、再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化された後には、当該ＤＬＬ回路１００のロックに応じて遅延量の制御を停止する。 （もっと読む）