【課題】ＵＷＢレーダに使用するアレイアンテナであって、ビーム方向を１次元を含む２次元に走査可能であり、低コストでＩＣ化が可能なＵＷＢ電子走査アレイアンテナを提供すること。
【解決手段】Ｘ軸アレイ、Ｙ軸アレイで構成される２次元アレイアンテナの各素子にインパルス発生器を接続して構成されるＵＷＢ電子走査アレイアンテナにおいて、任意のＸ軸アレイ、Ｙ軸アレイに対応するアンテナ素子の制御情報を情報加算回路に入力し、前記入力された前記制御情報から得られる加算信号を用いて遅延時間信号を生成し、得られた遅延時間信号をインパルス発生器のトリガとして動作させ、前記各アンテナ素子から発射するインパルス波のタイミングを変化させることにより、２次元アレイアンテナから放射されるビーム方向を制御することを特徴としたＵＷＢ電子走査アレイアンテナ。 （もっと読む）

【課題】多相シリアルデータを多相クロックでサンプリングするオーバーサンプリング回路において、遅延量制御動作に伴う消費電流を低減する。
【解決手段】シリアルデータSDATAは、データ遅延部１０２により多相シリアルデータsdata0〜sdata3とされ、オーバーサンプリング部１０３において、多相クロックck0〜ck3により、オーバーサンプリングされる。データ遅延部１０２のデータ遅延素子１０７の遅延時間は、キャリブレーションデータ発生部１０１で生成されたデータのオーバーサンプリング出力の位相差をオーバーサンプリング位相検出部１０５により検出し、その位相差が所望の値となるように、遅延量制御デジタル信号dd_cntを調整する。遅延量制御デジタル信号dd_cntをデジタルアナログ変換部１０６によりアナログの遅延量発生信号d_cntに変換し、データ遅延素子１０７に供給する。 （もっと読む）

【課題】調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減されたＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】内部クロック信号ＥＣＬＫを受けるインバータ回路２１０〜２１７と、内部クロック信号ＯＣＬＫを受けるインバータ回路２２０〜２２７とを有し、調整コードＣ０〜Ｃ７を受けて選択されたインバータ回路の出力を合成することによって、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１６段階に調整する。インバータ回路２１０，２２０は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を１段階変化させる能力を有し、インバータ回路２１１〜２１７，２２１〜２２７は内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を２段階変化させる能力を有する。このように、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整するインバータ回路の最大能力が抑制されていることから、調整コードの変化に伴うジッタの発生が低減される。 （もっと読む）

【課題】擬似ロックを防止するための論理回路の回路規模を低減する。
【解決手段】遅延ロックドループ(ＤＬＬ)は、複数の可変遅延回路ＤＬ０〜８の電圧制御遅延回路１と位相周波数比較器２とチャージポンプ３を具備する。初段の出力ＰＨ［０］と最終段の出力ＰＨ［８］は、比較器２に供給される。比較器２のアップ信号とダウン信号は、チャージポンプ３に供給される。擬似ロック防止回路４は、第Ｍ段の出力ＰＨ［１］と第Ｍ＋１段の出力ＰＨ［２］に応答して、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂを生成する。初段の回路ＤＬ０から第Ｍ＋１段の回路ＤＬ２に、クロック入力信号ＣＬＫとクロック反転入力信号がリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。第Ｍ＋２段の回路ＤＬ３から最終段の回路ＤＬ８に、可変遅延リセット信号ＲＳＴ＿ＶＤＬ＿Ｔ、Ｂがリセット信号ＲＳＴ＿Ｂ、Ｔとして供給される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変わっても一定の遅延時間を有する遅延回路を提供する。
【解決手段】遅延回路１０では、第１、第２チャネルの第１、第２絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ１１〜Ｐ１ｎ、Ｎ１１〜Ｎ１ｎのゲート電極同士および第１電極同士が接続された相補型電界効果トランジスタは、ゲート電極に入力される入力信号Ｖｉｎを反転した出力信号Ｖｏｕｔを出力する。第１チャネルの第３絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ２１〜Ｐ２ｎは第１電源電圧Ｖｃｃが印加される第１電源端子１６と第１絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ１１〜Ｐ１ｎの第２電極との間に接続され、第１電源電圧Ｖｃｃをゲート電極に入力される第１制御信号Ｖｃに応じて定まる出力電圧Ｖｃｃｏｕｔに変換して出力する。第１制御信号生成回路１３は、第１電源電圧Ｖｃｃに応じて第１制御信号Ｖｃを生成し第３絶縁ゲート電界効果トランジスタＰ２１〜Ｐ２ｎのゲート電極に出力する。 （もっと読む）

【課題】
本開示は遅延ロックループ（ＤＬＬ）及びフェーズロックループ（ＰＬＬ）における移相処理に関する。
【解決手段】
ＤＬＬまたはＰＬＬにおけるチャージポンプは、出力ノードに並列に接続されたキャパシタを備える。一次電流スイッチング回路は、ソース電流でキャパシタを充電し、シンク電流でキャパシタを放電する。補助ソース回路は、大きさの範囲を有する正の位相生成電流をソースする。正の移相生成電流の大きさは、少なくとも１つのソース選択信号により決定される。補助シンク回路は、大きさの範囲を有する負の移相生成電流をソースする。前記負の移相生成電流の大きさは、少なくとも１つのシンク選択信号により決定される。 （もっと読む）

【課題】クロック信号にジッタ成分が重畳している場合であってもＤＬＬ回路を正しくロックさせる。
【解決手段】カウンタ部１０２のカウント値に応じてクロック信号ＬＣＬＫを生成するディレイライン１０１と、クロック信号ＬＣＬＫを反転させるか否かを制御する反転制御部１０３とを備える。カウンタ部１０２のカウント値を第１の初期値にリセットした後、反転制御部１０３はクロック信号ＬＣＬＫを反転させ又は反転させることなく出力する。次に、カウンタ部１０２のカウント値を第２の初期値にリセットする。本発明によれば、ジッタなどの影響によってクロック信号ＬＣＬＫを誤って反転させ、或いは誤って反転させなかった場合であっても、ダウンカウント（またはアップカウント）が多数回連続することがなくなる。これにより、第１及び第２の初期値としてオフセットした値を用いることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】出力クロック信号を生成して出力するまでに要する時間を短縮させる。
【解決手段】半導体装置は、第１のクロック信号のライズエッジ及び第２のクロック信号のライズエッジを合成して第１及び第２のクロック信号のライズエッジの間にライズエッジを有する第３のクロック信号を生成する第１の位相合成回路と、第１のクロック信号のフォールエッジ及び第２のクロック信号のフォールエッジを合成して第１及び第２のクロック信号のフォールエッジの間にフォールエッジを有する第４のクロック信号を生成する第２の位相合成回路と、第３のクロック信号のライズエッジを受けてライズ／フォールエッジの内の一方の位相を、第４のクロック信号のフォールエッジを受けてライズ／フォールエッジの内の他方の位相を其々調整した出力クロック信号を出力する第３の位相合成回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 遅延段の数を切り換えるときの遅延時間の増加量および減少量を一定にすることで、高い精度を有する遅延回路を形成する。
【解決手段】 遅延回路は、直列に接続された複数の遅延段、検出回路および調整回路を有する。各遅延段は、前段からの信号を反転して後段に伝達する第１遅延素子と、後段からの信号を反転して前段に伝達し、または前段からの信号を反転した遅延信号を反転して前段に伝達する第２遅延素子とを含む。検出回路は、奇数段目および偶数段目の遅延段において、前段からの信号を受けてから遅延信号を経て第２遅延素子から信号が出力されるまでの伝搬遅延時間をそれぞれ検出する。調整回路は、検出回路の検出結果に基づいて、奇数段目および偶数段目の遅延段の伝搬遅延時間を互いに等しくする。 （もっと読む）

【課題】遅延ロックループにおいて誤ロックが生じた場合、そこから抜け出すために使用される誤ロック防止回路、防止方法及びそれを利用した遅延ロックループを提供する。
【解決手段】誤ロック防止回路はハーモニックロックを検出する検出器とスタックロックを検出する検出器とで構成される。ハーモニックロック検出器は前記遅延クロックを本発明の特徴的な方法でサンプリングする複数個のフリップフロップ及び論理部で構成される。ハーモニックロック検出器では基準クロックと基準クロックから遅延された複数個の遅延クロックの立ち上がりエッジを比較してこれらの立ち上がりエッジが基準クロックの１周期から離れた場合を検出する。スタックロック検出器は位相検出器の出力信号と前記遅延クロックのうち１つを利用した論理回路であり、論理演算の結果で位相検出器をリセットさせる。 （もっと読む）

【課題】 遅延時間の制御信号に対する線形性の高い可変遅延回路を提供する。
【解決手段】 遅延制御回路１００は、インバータＩＮＶ１およびＩＮＶ３に与える電源電圧ＶＤＤ１−ＶＳＳ１の大きさを一定値ＶＢに保ち、かつ、インバータＩＮＶ２およびＩＮＶ４に与える電源電圧ＶＤＤ２−ＶＳＳ２の大きさを同じ一定値ＶＢに保った状態で、前者の電源電圧ＶＤＤ１およびＶＳＳ１の各電位に対して後者の電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２の各電位を所望のシフト量ΔＶだけ負方向にシフトさせる。この結果、シフト量ΔＶとほぼ同じシフト量だけ、インバータＩＮＶ１およびＩＮＶ３の論理閾値に対して、インバータＩＮＶ２およびＩＮＶ４の論理閾値が負方向にシフトされる。そして、インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ４からなる遅延回路の遅延時間に論理閾値のシフト量に比例した変化が発生する。 （もっと読む）

【課題】入力信号と出力信号の位相差の増大を抑制すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、縦続接続された複数の遅延素子を用いて、入力信号と出力信号の位相を合致させるロック調整動作を行うＤＬＬ回路と、リファレンス電位を基準として生成した出力電圧を、複数の遅延素子に供給する遅延素子用電源回路と、出力電圧がリファレンス電位の一定範囲内にあるか否かを検出し、出力電圧が一定範囲内にない場合、ロック調整動作を停止させるＤＬＬ動作信号をＤＬＬ回路に出力する検出回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】立ち上がり時間と立ち下がり時間の差を解消しつつ、動作に伴う貫通電流の発生が防止されたレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】互いに同じ回路構成を有するレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２に相補の入力信号をそれぞれ供給する入力回路と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡する出力回路とを備える。本発明によれば、同じ回路構成を有する２つのレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２を用いるとともに、これらレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡していることから、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２の動作速度差による貫通電流の発生がほとんど生じない。 （もっと読む）

【課題】起動時にＴＤＣにキャリブレーション処理を加えることで、時間分解能のばらつきが発生することを防ぎ、合わせて、遅延用の素子の冗長度を減らすことで回路規模の増大を防ぐ手段を提供する。
【解決手段】電源投入時等に多相発振器型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｃ及びバーニア型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｆのキャリブレーションを実行する。キャリブレーション時にはＰＤＣ＿ｆに入力するタイミング入力を参照クロックＣＬＫ＿ＲＥＦからＤＣＣＯの出力信号のうち一つを選択する。またデータは、先のＤＣＣＯの出力信号に隣接し、位相が進んだ出力信号とし、その間の遅延を導出する。これを全出力信号繰り返すことで、ＤＣＣＯの出力信号1周期を導出する。 （もっと読む）

【課題】静電気放電に対する耐性が強く且つ低消費電力にて、遅延時間のバラツキを抑えることが可能な遅延回路及びインバータを提供する。
【解決手段】遅延回路のインバータとして、低電位部は、夫々のソース端子及びドレイン端子が第１共通接続点にて接続されている一対のＦＥＴを有し、高電位部は、夫々のソース端子及びドレイン端子が第２共通接続点にて接続されている一対のＦＥＴを有する。インバータ出力Ｌ２が高電位状態となった場合には、上記第１共通接続点に電源電位ＶＤＤを印加する一方、低電位状態となった場合には、上記第２共通接続点に接地電位ＧＮＤを印加することによりヒステリシス特性を持たせる。更に、製造上のバラツキ又は環境温度の変化に伴う遅延時間の変動を抑制させるべく、上記した電源電位ＶＤＤ又は接地電位ＧＮＤの供給元となり、かつ常時オン状態のＦＥＴを設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のデータ入力回路における消費電力を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの少なくともいずれか一方の近傍の期間において活性状態となる制御信号を生成して出力する制御信号生成回路と、制御信号が活性状態である期間においてデータ信号を受信可能な活性状態となり、それ以外の期間において非活性状態となるデータ入力回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
内部電源回路からの内部電源電圧が安定状態となり、レベルシフタの入力が適正となった後に、レベルシフタを活性化させるパワーダウンモードの復帰シーケンスを備えた電子回路を提供する。
【解決手段】
電源電圧からシステム電圧を発生するシステム電圧発生回路１０と、システム電圧を供給されて動作する内部回路３０と、入出力回路２４と、内部回路からの信号を入力し、電源電圧の電圧レベルに変換し入出力回路へ出力するレベルシフタ２３と、レベルシフタを制御する制御回路４０とを備え、システム電圧発生回路１０が停止状態から動作状態へ移行するとき、制御回路は内部回路が動作状態であることを判定する第１の判定手段４１と、システム電圧が所定値に達したか、または所定値に収束したかを判定する第２の判定手段４２とを備え、双方の判定手段の結果に基づいてレベルシフタを活性化する構成とした。 （もっと読む）

【課題】注入信号の半整数倍の周波数で同期した信号を取り出せ、かつ広帯域動作に有利な電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、互いに逆相の差動信号が入力される複数のユニットセル（ＵＣ１〜ＵＣ４）を具備し、外部電圧（Ｖtune）によって前記複数のユニットセル内の負荷抵抗値を制御することで、前記差動信号の遅延量を制御するリングオシレータ型の電圧制御発振回路であって、前記ユニットセルは、制御端子に前記外部電圧が与えられる可変負荷回路（Ｂｕ１，Ｂｕ２）をそれぞれ備え、前記複数のユニットセルの少なくとも一つ（ＵＣ１）は、入力端子から注入される入力信号により出力端子間が短絡されるスイッチ（ＳＷ１）を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性のバラツキに応じて遅延回路の遅延特性を設定することを特徴とする。
【解決手段】定電流源１２と、ゲートとドレインが結合され、定電流源の電流が流れるＭＯＳトランジスタ１４とを含み、ＭＯＳトランジスタ１４のゲートのノードからバイアス電圧を出力するバイアス回路部１０と、インバータ２６と、電流通路がインバータの入力ノードと基準電位ノードとの間に直列に挿入され、バイアス電圧がゲートに供給されるＭＯＳトランジスタ２１及び入力信号ＩＮがゲートに供給されるＭＯＳトランジスタ２２と、インバータの入力ノードと基準電位のノードとの間に挿入された容量２５と、電流通路が電源電位ノードとインバータの入力ノードとの間に挿入され、入力信号がゲートに供給されるＭＯＳトランジスタ２３とを含み、インバータの出力ノードから信号を出力する遅延部２０とを具備している。 （もっと読む）

【課題】有効なセットアップ特性及びホールド特性を良好に確保することが可能な入力インターフェース回路を提供すること。
【解決手段】本発明に係る入力インターフェース回路１００は、データが外部入力される信号端子に接続される入力初段回路と、外部入力されるクロックと、入力初段回路に含まれるラッチ回路３、４へのラッチタイミング信号とを同位相に調整する位相調整回路６と、を備える。位相調整回路６は、クロックと当該クロックから擬似する擬似遅延回路の出力との比較結果に基づいてクロックツリー回路７を通過してラッチ回路３、４へと供給されるラッチタイミング信号の遅延時間を調整する。 （もっと読む）