【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】起動時にＴＤＣにキャリブレーション処理を加えることで、時間分解能のばらつきが発生することを防ぎ、合わせて、遅延用の素子の冗長度を減らすことで回路規模の増大を防ぐ手段を提供する。
【解決手段】電源投入時等に多相発振器型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｃ及びバーニア型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｆのキャリブレーションを実行する。キャリブレーション時にはＰＤＣ＿ｆに入力するタイミング入力を参照クロックＣＬＫ＿ＲＥＦからＤＣＣＯの出力信号のうち一つを選択する。またデータは、先のＤＣＣＯの出力信号に隣接し、位相が進んだ出力信号とし、その間の遅延を導出する。これを全出力信号繰り返すことで、ＤＣＣＯの出力信号1周期を導出する。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減する発振回路及びその動作電流制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】制御信号に応じてコンデンサＣ５１，Ｃ１２の充放電を切り替える充放電部Ｍ１１〜Ｍ１４と、コンデンサの電圧を基準電圧と比較して比較結果信号を出力するコンパレータ５３，１３と、比較結果信号でセット又はリセットされ、出力信号を制御信号として前記充放電部に供給すると共に発振信号として出力するフリップフロップ６１と、コンデンサの電圧に応じてコンパレータの動作電流を制御する電流制御部１６〜１９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】小面積で広帯域特性及び低位相雑音特性を得ることが可能な同期回路を提供する。
【解決手段】位相検出器１１は、参照信号と帰還信号との位相差を検出する。電圧生成器１２，１３は、位相検出器の出力信号に基づき電圧を発生する。パルス発生器１６は、参照信号に基づきパルス信号を生成する。電圧制御発振器１４は、パルス信号に同期して、発振信号を発振する。分周器１５は、電圧制御発振器からの信号を分周し、帰還信号を生成する。電圧制御発振器１４は、電圧発生回路から供給される電圧レベルをシフトするレベルシフト回路１４ｃと、電圧発生回路からの電圧とレベルシフト回路からのレベルシフトされた電圧により駆動される複数のインバータ回路１４ａ、１４ｂからなるリング発振器とにより構成され、インバータ回路の１つにパルス信号が供給される。 （もっと読む）

【課題】ループフィルタの容量値を抑え、且つ動作を安定させることが可能なＰＬＬ回路を提供することを目的としている。
【解決手段】入力信号の位相と電圧制御発振回路の出力信号の位相とを比較し、位相差に応じた信号を出力する位相比較器と、前記位相比較器の出力信号に応じて充放電電流を生成するチャージポンプ回路と、前記チャージポンプ回路の出力を平滑し第一の制御電圧を生成するループフィルタと、前記ループフィルタから出力される前記第一の制御電圧を所定の電圧になるよう第二の制御電圧を生成する制御電圧生成回路と、を備え、前記第一の制御電圧と前記第二の制御電圧とが前記電圧制御発振回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路を必要としない無安定バイブレータ回路を用いたパルス幅変調回路を提供する。
【解決手段】パルス幅変調回路１内のコンパレータＣＯＭＰａは上側のレベル変動範囲を決定する電圧Ｖcc，Ｖａ（＜Ｖcc）で駆動され、コンパレータＣＯＭＰｂは下側のレベル変動範囲を決定する電圧Ｖｂ，Ｖss（＜Ｖｂ）で駆動される。コンデンサＣａの一方端はスイッチ回路Ｓｗａにより電圧Ｖcc，Ｖａのいずれかに設定され、コンデンサＣｂの一方端はスイッチ回路Ｓｗｂにより電圧Ｖｂ，Ｖssのいずれかに設定される。スイッチ回路ＳｗａはコンパレータＣＯＭＰｂの出力レベルが「Ｖｂ」のとき、コンデンサＣａの一方端を電圧Ｖccに設定し、「Ｖss」のとき、電圧Ｖａに設定するように切り換えられる。スイッチ回路ＳｗｂはコンパレータＣＯＭＰａの出力レベルが「Ｖcc」のとき、コンデンサＣｂの一方端を電圧Ｖssに設定し、「Ｖａ」のとき、電圧Ｖｂに設定する。 （もっと読む）

【課題】複数の無線通信チャンネルについて、ＰＬＬ回路全体の動作特性に基づいて電圧制御発振器の精密なキャリブレーションを行う。
【解決手段】半導体集積回路は、高周波信号を生成する電圧制御発振器を含むＰＬＬ回路と、電圧制御発振器のトランジスタに選択的に負荷される複数のキャパシタと、複数の無線通信チャンネルについて電圧制御発振器の発振周波数を補正するためのキャパシタに関する情報を格納する格納部と、キャリブレーションモードにおいて、複数の無線通信チャンネルについてＰＬＬ回路のループ特性を測定することにより補正用キャパシタに関する情報を格納部に格納し、通常動作モードにおいて、選択された無線通信チャンネルに従って、格納部に格納されている情報を読み出すことにより補正用キャパシタを決定するキャリブレーション回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】リングオシレータ回路において、確実な発振動作を実現する。また、発振周波数の可変範囲の拡大を実現する。
【解決手段】例えば、リングオシレータ回路を複数段の差動増幅回路ＤＡＭＰ＿Ａで構成し、ＤＡＭＰ＿Ａの差動対（ＭＮ１およびＭＮ２）の入力ノード（ＩＴおよびＩＢ）にそれぞれＭＯＳトランジスタ（ＭＮ＿ＬＩＭ１およびＭＮ＿ＬＩＭ２）を付加し、当該トランジスタのゲートをそれぞれ制御するゲート制御回路ＧＣＴＬ＿Ｔ，ＧＣＴＬ＿Ｂを設ける。ＧＣＴＬ＿Ｔ，ＧＣＴＬ＿Ｂは、モード３において、ＭＮ＿ＬＩＭ１，２を振幅制限用のリミッタ回路として機能させ、モード２において、当該リミッタ回路をオフに制御し、モード１において、当該リミッタ回路を利用して発振起動を行う。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数の可変幅が大きい電圧制御発振器を実現する。
【解決手段】 リング発振器を差動インバータで構成し、テイル電流と負荷電流を制御する。
差動インバータの出力をＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタでスイッチングし、出力電圧をクリッピングトランジスタで制限する。
出力振幅を反転増幅回路によって与えられる周波数制御電圧に応じて変化させる。 （もっと読む）

【課題】電源ノイズにより遅延時間が影響を受けにくい遅延回路及び遅延回路を用いた電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】第１及び第２の電源端子と一対の差動信号入力端子と一対の差動信号出力端子とを備え、一対の差動信号入力端子から入力した信号を遅延させて一対の差動信号出力端子から出力する遅延部と、電流制御端子により制御された電源電流を遅延部の第１の電源端子と第２の電源端子との間に流すように制御する電流制御部と、第１及び第２の電源端子の電圧が一定の電圧になるように制御する電圧制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単なデューティサイクル制御と、広い周波数レンジと、簡単な周波数調整構成と、低消費電力を備え、集積回路に組み込まれ、且つ、その集積回路を複雑にすることのない多相出力を有する可変周波数多相発振器を提供する装置および方法を提供すること。
【解決手段】多相信号を供給するための可変周波数多相発振器が開示される。この可変周波数多相発振器は、相関器、複数の遅延セル、およびＮＯＲ回路を備える。上記相関器のそれぞれは、電流供給部、キャパシタ、コンパレータ、スイッチ、及び論理ユニットを備える。上記複数の遅延セルは、大きな周波数レンジの範囲内で相が相関性を有する多相信号を発生させる。上記多相信号の周波数とデューティサイクルは調整可能である。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振回路の回路規模の増大を抑制する。
【解決手段】電圧制御発振回路は、発振信号を増幅する発振アンプ部３２と、発振信号の発振周波数を制御するＬＣ共振部３３と、負性抵抗成分を有する負性抵抗部３４と、を備える。ＬＣ共振部３３は、ループ状に接続されたｇｍセル２５，２６と、ループ上のノードに一端が接続された容量２８〜３１と、を有し、ｇｍセル２５，２６と容量２８，２９とに基づくインダクタンス値と、容量３０，３１の容量値と、に基づいて発振周波数を制御する。 （もっと読む）

【解決手段】周波数分周器は、複数のインジェクションロックリング発振器（ＩＬＲＯ）を含む。第１ＩＬＲＯは、クロスカップルされたＮチャネルトランジスタの対、負荷抵抗の対、インテグレイトキャパシタ、及び電流注入回路を含む。各トランジスタのドレインは、他方のトランジスタのゲートに結合される。各負荷抵抗は、各トランジスタのドレインを回路電圧源に結合する。インテグレイトキャパシタは、各トランジスタのソースに結合する。電流注入回路は、第１周波数の発振入力信号に応答して、各トランジスタのソースから回路グランドへのパスを交互にオープン及びクローズする。これに応答して、各トランジスタのドレインの電圧状態は交互にラッチ及びトグルされて、２分周された発振信号の差動対が生成される。逆位相で駆動される第１及び第２ＩＬＲＯは、位相直交する２つの差動出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で広帯域の動作が可能であり、回路面積の縮小が可能な高周波信号生成回路を提供する。
【解決手段】信号発生回路１３は、出力信号の周波数と同一の周波数の信号を発生する。遅延手段１４は、複数の遅延回路１７を有し、信号発生回路１３により発生された信号を遅延する。選択手段１５は、複数の遅延回路１７の出力信号を選択する。合成手段１９は、選択手段１５により選択された信号を合成し、出力信号を出力する。制御手段１２は、出力信号の波形形状を設定するデータ、及び出力信号の少なくとも振幅、位相及び周波数を設定する制御信号に基づき、選択手段１５を制御する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】発振周波数のばらつきを抑えることができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】本発明による電圧制御発振器は、直列に接続されたＮ（Ｎは２以上の整数）個の反転差動増幅器（９）を備えている。Ｎ個の反転差動増幅器（９）の各々は、所定の電圧値の定電圧（Ｖ_ｃｎ１）と制御電圧（Ｖ_ｃｎｔ）とに応じて動作する。Ｎ個の反転差動増幅器（９）の各々の動作電流は、定電圧（Ｖ_ｃｎ１）に応じた電流と、制御電圧（Ｖ_ｃｎｔ）に応じた電流とを加算した電流の値で直接定まる。 （もっと読む）

【課題】発振周波数が一定なパルス信号を出力可能な発振器を提供する。
【解決手段】コンデンサＣの一方の電極に接続される第１スイッチ素子Ｑ１の開閉状態と、コンデンサＣの他方の電極に接続される第２スイッチ素子Ｑ２の開閉状態とを、コンデンサＣの充放電に応じて変化する端子間電圧に基づいて交互に切り替えて所定の周期を有するパルス信号を出力する発振器１００は、第１スイッチ素子Ｑ１の開閉状態を制御する制御信号を出力する制御信号出力部１０と、第１スイッチ素子Ｑ１の閉状態への移行に応じて、第１スイッチ素子Ｑ１を閉状態にする制御信号の信号レベルを保持する閉信号レベル保持部１１と、第２スイッチ素子Ｑ２の閉状態への移行に応じて、第１スイッチ素子Ｑ１を開状態にする制御信号の信号レベルを保持する開信号レベル保持部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】可変容量ダイオードの最小サイズに制限を有する半導体集積化プロセスによる複数のバッファ回路を用いたＶＣＯにおいて、制御電圧の変化に対する発振周波数の変化を必要に応じて小さくできるようにしたバッファ回路を提供すること。
【解決手段】カスコード接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ４とＬ１、Ｌ２ インダクタＬ１、Ｌ２により形成されているバッファ回路において、時定数回路素子を構成する可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２をトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子側に接続したもの。基本動作上でトランジスタＱ３、Ｑ４のソース端子の電圧変動が小さくなるので、電圧制御端子Ｖcont１に印加する電圧を変化させたときの可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２による静電容量の変化が小さくなる。制御電圧の変化に対して静電容量の変化が小さくなれば、ＶＣＯに適用したときに制御電圧の変化に対する発振周波数の変化が抑制され、安定度が向上する。 （もっと読む）

【課題】金属製の外装に収容しても検出対象物（鉄およびアルミ）に対して実用的な検出距離を有する近接センサを提供する。
【解決手段】検出用コイル１０とコンデンサ６と非線形増幅器１２とを含む発振回路５を有し、導電性を有する検出対象物７の近接に伴って生じる検出用コイル１０のＱ値の変化によって検出対象物７の有無または／および距離を検出する近接センサ４において、比透磁率が実質的に１であり、かつ、２０℃での体積抵抗率が４５×１０^-8（Ω・ｍ）以上の金属からなるステンレスカバー１が検出用コイル１０と検出対象物７との間に配置されており、検出対象物７が検出用コイル１０に近接したときに、検出対象物７が強磁性体の場合には検出対象物７が無いときよりもＱ値が減少し、検出対象物７が非磁性体の場合には検出対象物７が無いときよりもＱ値が増加するように発振回路５の発振周波数を設定する。 （もっと読む）