【課題】設定に用いる端子数を減らすことができ、且つ回路規模の小型化を図りうるモード選択回路を提供する。
【解決手段】モード選択回路１には、通電経路５の電流状態に応じた定電流を複数の電流比較経路７に流す定電流生成回路９が設けられている。更に、複数の電流比較経路７に対してそれぞれ比較電流を流す定電流源４０が設けられ、定電流源４０によって複数の電流比較経路７に流される比較電流が互いに異なる電流値となるように構成されている。更に、電流比較部２０は、それら複数の各比較電流と前記定電流とを比較したときの比較結果をモード判定部３０に出力しており、モード判定部３０はこのような比較結果を得ることで通電経路５の状態に応じたモードに設定している。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によりスイッチ切替時間のさらなる高速化を図る。
【解決手段】外部から供給される外部制御信号に応じて、高周波スイッチ回路１０１のＦＥＴ１，２のオン、オフ状態を制御する駆動制御信号を出力する論理制御回路１０４と、ＦＥＴ１，２が論理制御回路１０４によりオフ状態からオン状態とされる際にパルス電圧を出力する切替加速回路１０２，１０３とは、それぞれの出力信号が共にＦＥＴ１，２の駆動制御信号として、それぞれへ印加可能に設けられ、論理制御回路１０４は、定常状態においてＦＥＴ１，２をオン状態とする電源電圧とほぼ等しい駆動制御信号を出力するよう構成され、切替加速回路１０２，１０３は、ピークが電源電圧を超えるパルス電圧を出力する一方、そのパルス電圧が論理制御回路１０４の出力信号の電圧レベルを下回った際には、その出力が遮断されるよう構成されたものとなっている。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を改善した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】スイッチ部と、駆動回路と、電源回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記スイッチ部は、共通端子と複数の高周波端子との接続を切り替える。前記駆動回路は、端子切替信号に基づいて前記スイッチ部に制御信号を出力する。前記電源回路は、温度に応じて変化する基準電位基づいて、前記制御信号の電位であって温度制御された第１の電位を生成して前記駆動回路に出力する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスと、オーディオデバイスを制御するための複数の受動Ｓｐスイッチを有するオーディオアクセサリとを提供すること。
【解決手段】電子デバイスを制御するように適合されているシステムであって、システムは、電子デバイスに結合されているオーディオアクセサリを含み、オーディオアクセサリは、複数の抵抗型スイッチを有し、電子デバイスは、バイアス抵抗器とグラウンド接続とを介して抵抗型スイッチに電力を提供するように適合されているバイアス電圧供給源と、測定モジュールとを含み、測定モジュールは、バイアス電圧供給源と抵抗型スイッチとの間の接続上のバイアスポイントを監視することと、オーディオ出力によって引き起こされるグラウンドオフセット電圧を決定することと、グラウンドオフセット電圧を補償することと、スイッチのどれが係合しているかを決定することとを行うように適合されている。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）アレイを含む電力切替システムを提供すること。
【解決手段】切替システム（４）は、ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、複数のダイオードに接近して結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）とを含む。ＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）は（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続される。（Ｍ×Ｎ）アレイは、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）に並列に電気的に接続された第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）を含む。第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）は直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイを含み、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）は直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイを含む。 （もっと読む）

【課題】挿入損失特性および高調波特性が共に良好な高周波スイッチを実現することを目的とする。
【解決手段】アンテナへ送信信号が出力される共通ポートと、送信信号が入力される送信ポートと、複数の前記送信ポートと前記共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートと前記共通ポートとを導通または遮断する複数のスイッチ部と、を有し、前記スイッチ部は、シリコン基板に形成され直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴを有し、前記複数のＭＯＳＦＥＴはボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴのいずれかであって、各スイッチ部はボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴの両方を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチ回路において寄生容量による動作特性の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態により、第1線路と第2線路と第1スイッチとを含む第1差動線路と、第3線路とを含む高周波スイッチ回路が提供される。前記第1線路は一端および他端を有する。前記第2線路は一端および他端を有する。前記第1線路および第2線路の前記他端で差動信号を受信、または前記他端から前記差動信号を出力する。前記第1スイッチは前記第1および第2線路の前記一端間の電気的接続を切り替える。前記第3線路は、前記第1スイッチがオンのとき前記第1差動線路と電磁結合するように配置される。前記第1スイッチは、前記第1線路の他端からの電気長と、前記第2線路の他端からの電気長とが略等しくなる位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安価かつ容易に歪特性の劣化を抑制できる検出回路とそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電力増幅器とアンテナの間に配置された方向性結合器の結合線路両端の信号を用いて、該電力増幅器の歪特性劣化を検出する回路であって、該結合線路の結合端子の電力を移相および減衰する移相・減衰器と、該移相・減衰器からの出力電力と、該結合線路のアイソレーション端子の電力の差分を出力する手段と、該差分をＤＣ信号に変換する検波回路と、該ＤＣ信号の電圧レベルが所定値よりも高いかを判定する比較回路とを備える。そして、該移相・減衰器は、該電力増幅器の歪特性が劣化する該アンテナ端の負荷状態において、該移相・減衰器が出力する信号の位相が該アイソレーション端子の信号の位相と１８０°の位相差になるように該結合端子の電力を移相することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 単極多投スイッチを提供すること。
【解決手段】 単極多投スイッチは、第１の切り替えユニット、共通ポートに結合され、オフ状態寄生静電容量を備える第２の切り替えユニット、および整合ユニットを備える。整合ユニットは、第１の切り替えユニットと共通ポートとの間に結合することができ、整合ユニットは、第１の切り替えユニットがアクティブであり、第２の切り替えユニットが非アクティブである場合、第２の切り替えユニットのオフ状態寄生静電容量と併せて、インピーダンス整合に寄与するように構成される。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路中の容量に対する高速な充電手段を提供する。
【解決手段】負バイアス発生回路１中のダウンコンバータ１２内に容量が存在する。高速な充電を行うためにはこの容量を小さくし必要な電荷の量を最小限にする。一方、ダウンコンバータ１２内の容量とは別に外付け容量１７を直接電源電圧に接続して充電する。ダウンコンバータ１２内の容量の充電終了後に、並列に外付け容量１７とダウンコンバータ１２内の容量を接続する。これにより、充電高速化とリップルノイズへの耐性向上を両立することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号を制御するスイッチング回路の動作試験のコストを低減すること。
【解決手段】 本発明は、複数の入出力端子３４及び３６の間に接続されるＦＥＴ５と、複数の入出力端子３４及び３６のうち少なくとも一つとＦＥＴ５との間に接続されるキャパシタＣ５及びＣ６と、キャパシタＣ５及びＣ６と並列に接続され、ゲート電極が接地端子３８に接続されるＦＥＴ６及びＦＥＴ７と、を有するスイッチング回路の試験方法であって、接地端子３８にＦＥＴ６及びＦＥＴ７を接続状態にする電位を印加するステップと、ＦＥＴ６及びＦＥＴ７を介して、ＦＥＴ５の直流試験を実施するステップと、を備えることを特徴とするスイッチング回路の試験方法である。 （もっと読む）

【課題】入力信号電圧が変化する場合にも、オン抵抗の変動によって入力信号波形に生ずる歪みを低減し、入力連続信号の広い周波数帯域に渡ってオン抵抗を一定に保つことができるアナログスイッチ回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースが第１のスイッチ端子に接続され、ドレインが第２のスイッチ端子に接続される第１の電界効果トランジスタ（ＭＮ）と、電荷を充電するための第１の容量（ＣＰ）と、電荷を充電するための第２の容量（ＣＡ）と、直流電圧ノードと基準電位ノードとの間に第１の容量を接続するための第１のスイッチ回路（Ｓ１ＨＰ，Ｓ１ＬＰ）と、第１の容量及び第２の容量を並列に接続するための第２のスイッチ回路（Ｓ１ＨＳ，Ｓ１ＬＳ）と、第１の電界効果トランジスタのゲートとソースとの間に第２の容量を接続するための第３のスイッチ回路（Ｓ２ＨＳ，Ｓ２ＬＳ）とを有するアナログスイッチ回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの劣化を抑制する。
【解決手段】第１の期間と、第２の期間とを有する。第１の期間において、第１のトランジスタと第２のトランジスタとが交互にオンとオフとを繰り返し、第３のトランジスタと第４のトランジスタとはオフになる。第２の期間において、第１のトランジスタと第２のトランジスタとはオフになり、第３のトランジスタと第４のトランジスタとが交互にオンとオフとを繰り返す。こうして、トランジスタがオンになる時間を短くすることができるので、トランジスタの特性劣化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】小型でかつ所要の移相量が得られる移相器を提供する。
【解決手段】第１および第２の高周波信号入出力端子1a,1bと、前記第１および第２の高周波信号入出力端子とグランド間に並列に接続された少なくとも１つの移相ユニット7a,7bと、を備え、前記各移相ユニットが、前記第１および第２の高周波信号入出力端子の間に接続された第１のインダクタ3a、前記第１のインダクタに並列接続された第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子の直列回路2a,2b、前記第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子との接続点とグランドとの間に接続された第２のインダクタと第３のインダクタの直列回路3b,3c、前記第３のインダクタに並列接続された第３のスイッチング素子2cを含む。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＴＸシリーズトランジスタＳＥ（ＴＸ），ＲＸシリーズトランジスタＳＥ（ＲＸ）およびＲＸシャントトランジスタＳＨ（ＲＸ）を低耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｎから構成する一方、ＴＸシャントトランジスタを高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈから構成する。これにより、ＴＸシャントトランジスタＳＨ（ＴＸ）を構成する高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈの直列接続数を少なくすることで、直列接続された各高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ_Ｈに印加される電圧振幅の不均一性を抑制する。この結果、高次高調波の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦリーク電圧によるスイッチドライバ回路の動作不良を回避する。
【解決手段】ＲＦ信号切替回路は、複数のＲＦ信号ポートを選択的に切替えてアンテナポートに接続するＲＦスイッチ３００ａ，３００ｂと、ＲＦスイッチの制御端子７００に制御信号を供給し、ＲＦスイッチのオン・オフを制御するスイッチドライバ２００と、制御端子７００と接地端子との間に設けられ、制御端子のＥＳＤ電圧が所定値を超えた時、制御端子を接地するＥＳＤ保護回路６００と、制御端子と接地端子との間に設けられ、制御端子のＲＦリーク電圧が所定値を超えた時、制御端子から接地へＲＦリーク電圧をショートするＲＦリーク電圧抑圧回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路にＤＡコンバータが内蔵され、且つ、上記ＤＡコンバータとデジタル回路とでパッドが共有される場合のアナログ電源電圧の動作範囲を改善する。
【解決手段】複数の抵抗が結合されて成るラダー抵抗回路を含むＲ−２Ｒ型ＤＡコンバータ（１０６）と、デジタル信号の入出力を可能とするデジタル回路（６０１）と、上記ＤＡコンバータの出力ポートと上記デジタル回路の入出力ポートとの間で共有されるパッド（６０２）とを設ける。そして、上記Ｒ−２Ｒ型ＤＡコンバータが非アクティブ状態とされるとき、上記ラダー抵抗回路を上記Ｒ−２Ｒ型ＤＡコンバータから切り放すためのスイッチ制御回路（２０）を設け、上記ＤＡコンバータのアナログ信号出力ポートを導電ライン（３２０）によって上記パッドに直結することで、アナログ電源電圧の動作範囲を拡大する。 （もっと読む）

集積回路の通信バス上のトランスポートユニット間でデータ及びタイミング情報を含む信号を送信する方法は、バス上のすべてのトランスポートユニットのクロックトリガを生成するステップであって、それによって、各先行トランスポートユニットを起動して、隣接する後続トランスポートユニットへウェイブ-フロントで前記信号の送信を開始し、該ウェイブ-フロントはトランスポートユニットのそれぞれにおいて共通の時点で起動される、生成するステップと、すべてのトランスポートユニットが、自身が前記先行トランスポートユニットから前記信号で受信するデータ及びタイミング情報の少なくとも一方にタイミング調整を適用するステップを備えており、該適用するステップは、（１）先行トランスポートユニットからの前記データをキャプチャすること、（２）先行トランスポートユニットから前記後続トランスポートユニットへ通信バス上で前記データを変更することなく中継すること、及び（３）通信バスへ新たなデータをロードすること、の少なくとも１つを、更新されたタイミング情報を用いて後続のウェイブ-フロントで行う。
（もっと読む）

【課題】製造後であっても、電源スイッチの特性を変更できるようにする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路１は、複数の電源線２，３間の接続を切り換える複数の電源スイッチ５を有する半導体集積回路１であって、前記電源スイッチ５の少なくとも１つは、複数の前記電源線２，３間に接続されたトランジスタ４０と、設定値を保持する設定値保持部４２と、前記設定値に基づいて、前記トランジスタ４０の接続状態を切り換える接続制御信号を、複数の制御信号の中から選択する選択部４１とを有する。 （もっと読む）