【課題】レベル変換時の信号の立ち上がりを速くすることのできるレベル変換バススイッチを提供する。
【解決手段】実施形態のレベル変換バススイッチは、低電圧レベル信号が伝送される低電圧レベル信号線と高電圧レベル信号が伝送される高電圧レベル信号線との間に、低電圧レベルの制御信号により導通が制御されるＭＯＳトランジスタ型のスイッチ１が接続され、高電圧レベル信号線と高電圧電源線ＶｃｃＢとの間に、プルアップ抵抗２が接続される。このレベル変換バススイッチでは、加速回路３が、高電圧レベル信号の立ち上がりをプルアップ抵抗２による立ち上がりよりも速くし、加速期間制御回路４が、加速回路３の作動期間を制御する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の歪みの増加を抑制した半導体スイッチ及び無線機器を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路と、駆動回路と、スイッチ部と、補正回路と、を備えた半導体スイッチが供給される。前記電源回路は、電源電位と異なる第１の電位を生成する。前記駆動回路は、前記第１の電位と異なる第２の電位と前記第１の電位とが供給され、端子切替信号に基づいて前記第１の電位及び前記第２の電位の少なくとも一方を出力する。前記スイッチ部は、前記駆動回路の出力に応じて共通端子と高周波端子との接続を切り替える。前記補正回路は、前記端子切替信号の変化を検出し、前記第１の電位の極性と等しい極性の電荷を前記駆動回路に供給して前記第１の電位を補正する。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】 誘導性負荷を駆動する出力バッファ回路の電力損失を低減する。
【解決手段】 誘導性負荷２から出力バッファ回路１００に電流が流入している場合、スルーレート制御部１４０は、出力バッファ回路１００の出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートへ変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行う。また、出力バッファ回路１００から誘導性負荷２に電流が流出している場合に、スルーレート制御部１４０は、出力信号ＶＯＵＴの立ち上がり過程において高いスルーレートから低いスルーレートに変化させる制御を行うとともに、出力信号ＶＯＵＴの立ち下がり過程において低いスルーレートから高いスルーレートに変化させる制御を行う。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、かつ消費電力の小さい無線通信装置及び高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】無線通信装置１００は、共用アンテナ１０１と、整合回路１１０、１２０と、高周波スイッチ回路１３０と、充電電力受電回路１４０と、応答器１５０と、から構成される。高周波スイッチ回路１３０は、電界効果トランジスタ１３１、１３２と、検波回路と、を備える。電界効果トランジスタ１３１、１３２のソース端子は共通接続される。検波回路は共通接続点に接続され、電界効果トランジスタ１３１のドレイン端子から出力された高周波信号を検波し、共通接続点の電位を基準とした検波電圧を電界効果トランジスタ１３１、１３２のゲート端子に印加する。電界効果トランジスタ１３１、１３２のドレイン端子間のインピーダンスは検波電圧に従って変化する。 （もっと読む）

【課題】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタのスイッチング速度を速くする。
【解決手段】ゲートとフィールドプレートとを有するトランジスタ４を制御する制御回路２であって、トランジスタを駆動するタイミングを検出する検出回路３８と、駆動するタイミングに応答してゲートを駆動する第１の駆動タイミングとフィールドプレートを駆動する第２の駆動タイミングとを制御するタイミング制御回路４０と、第１の駆動タイミングに応答してゲートを駆動し第２の駆動タイミングに応答してフィールドプレートを駆動する駆動回路４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】電力効率を低下させずに高速動作可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路は、入力電圧を第１の電圧に変換する第１のＤＣ／ＤＣコンバータＢ１と、制御信号に応じて第１の電圧を出力するか否か切り替える第１のスイッチ回路Ｃ１と、第１のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第１の制御回路Ｄ１と、高圧側電源に一端が、出力端子に他端が接続され、第１の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第１の能動素子Ａ１と、入力電圧を第２の電圧に変換する第２のＤＣ／ＤＣコンバータＢ２と、制御信号に応じて第１のスイッチ回路とは相補的に第２の電圧を出力するか否か切り替える第３のスイッチ回路Ｃ３と、第３のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第２の制御回路Ｄ２と、出力端子に一端が、低圧側電源に他端が接続され、第２の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第２の能動素子Ａ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加に制限がある半導体スイッチング素子を高い周波数で高速にスイッチングできる駆動回路を提供する。
【解決手段】通電制御回路４が４つのスイッチＳ１〜Ｓ４とスイッチＳａ１及びＳａ２とを併せて制御することで、インダクタＬ１に電流を双方向に通電し、インダクタＬ１を介して流れる電流によりＮチャネルＦＥＴ１のゲートを充電し、また前記ゲートから放電させる。具体的にはダイオードＤａ１のカソードとダイオードＤａ２のアノードとの間に接続されるスイッチＳ１及びＳ２の直列回路と、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間に接続され、共通接続点がＮチャネルＦＥＴ１のゲートに接続されるスイッチＳ３及びＳ４の直列回路とで構成し、インダクタＬ１を、スイッチＳ１及びＳ２の共通接続点と、スイッチＳ３及びＳ４の共通接続点との間に接続する。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増加を抑制しつつ電源投入時にレベルシフタの状態を確定させる技術を提供する。
【解決手段】信号レベル変換部（１１）と、安定化回路（１２）とを具備するレベルシフト回路を構成する。安定化回路（１２）は、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）と接続ノード（ＮＤ２）との接続を制御する第１スイッチ（Ｐ３）と、接続ノード（ＮＤ２）電圧に応答して接地電圧供給ノード（ＧＮＤ）と出力ノード（ＮＤ３）との接続を制御する第２スイッチ（Ｎ３）とを備えることが好ましい。そして、第１スイッチ（Ｐ３）は、第２電源電圧（ＶＤＤ）が、第１中間電圧を超えないときに、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）と接続ノード（ＮＤ２）とを接続する。また、第２スイッチ（Ｎ３）は、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）の電圧に応答して、出力ノード（ＮＤ３）と接地電圧供給ノード（ＧＮＤ）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】複数の電源電圧条件に対して電流制限特性が追従し、負荷特性に適した電流制限を行なう負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】図１に示す負荷駆動回路は、電源及び負荷に接続された出力ＭＯＳトランジスタと、出力ＭＯＳトランジスタの出力電圧に応じて、出力ＭＯＳトランジスタに流れる出力電流を複数段階の制限電流に制限すると共に、制限電流が切り替わる際の出力電圧を電源電圧の変化に基づいて切り替える電流制限値切り替え回路と、を備える。その結果、段階的に電流制限を行い、過剰な電流制限となることを妨げ、負荷条件の拡大を図る。さらに、電流制限値の切り替えを電源電圧に対応させて行なうため、当初の電源電圧条件とはことなる電源電圧で使用したとしても、電流制限特性が電源電圧の変動に追従し、全体として負荷特性に適した電流制限を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ３により短絡状態の場合は、電源電圧ＶＤＤからＦＥＴゲート電圧出力端子ＦＥＴ＿ＰＡＤ（外部ＦＥＴ０）に電流が流れる経路をＰＭＯＳトランジスタＭＰ０及び短絡電流検出用抵抗素子Ｒ０を経由する経路から、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及び抵抗素子Ｒｐｕを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視ＩＣ１４が破壊されるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電子スイッチの開放されたスイッチを通したリーク電流は、信号クロストークを引き起こす。
【解決手段】スイッチング用の電子回路は少なくとも４個の電子スイッチ２００のセット１００を備える。第１サブセット１１０の少なくとも２個の電子スイッチ２１０，２３０は直列接続され、第２サブセット１２０の少なくとも２個の電子スイッチ２２０，２４０は直列接続される。前記第１サブセット１１０の第１電子スイッチ２１０に接続される第１バッファ３１０、及び前記第２サブセット１２０の第２電子スイッチ２２０に接続される第２バッファ３２０を備え、前記第１バッファ３１０は開状態における前記第１電子スイッチ２１０を通した電圧降下を最小化し、前記第２バッファ３２０は開状態における前記第２電子スイッチ２２０を通した電圧降下を最小化する。また２個のサブセット１１０，１２０の間に配され、グランドに接続されたスイッチ４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模及び消費電流の増大を抑制しながら識別対象電圧の大きさを精度良く識別することができる電圧識別装置及び時計用制御装置を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１２と、被印加線１８並びに電圧線ＶＳＨ及び接地線ＧＮＤが導通可能となるように電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に挿入されると共に、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさに応じてスイッチングを行うスイッチング回路２０を備え、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさと閾値とを比較することにより識別対象電圧の大きさを識別する識別回路１４と、識別回路１４に対して識別対象電圧の大きさを識別させる間、電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に流れる電流の大きさが所定の大きさに保たれるようにスイッチング回路２０と接地線ＧＮＤとの間の抵抗２２を制御可能とする制御部１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、出力トランジスタのしきい値電圧がばらついてもノイズを抑えつつターンオフ時間を短縮する。
【解決手段】駆動信号ＳｄがＬの時、トランジスタＴ１がオン、Ｔ２がオフしてＶGS(T3)がほぼ電源電圧Ｖccに等しくなりトランジスタＴ３がオンする。駆動信号ＳｄがＨになるとトランジスタＴ１がオフ、Ｔ２がオンする。トランジスタＴ４がオンするので抵抗Ｒ２がバイパスされ、トランジスタＴ３のゲート電荷はトランジスタＴ４、Ｔ２を通して急速に放電する。ＶGS(T3)がＶth(T4)＋ＶDS(T2)よりも低下すると、トランジスタＴ４はオフとなり、以後はトランジスタＴ３のゲート電荷が抵抗Ｒ２とトランジスタＴ２を通して緩やかに放電する。トランジスタＴ３、Ｔ４のしきい値電圧は一致する傾向があるので、ＶGS(T3)がＶTH(T3)に低下した時点でトランジスタＴ４をオフできる。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチングデバイスが完全な機能を維持していることを保証するために、サービス中にそれらを試験する方法を提供する。
【解決手段】負荷および電圧源２に接続するためのスイッチング回路１であって、負荷への電力をスイッチオンおよびスイッチオフするための１つまたは複数のスイッチングデバイス６、７、．．．、ｎと、負荷を短絡し、それにより負荷を電圧源から隔離するためのプルダウンデバイス４と、一度に複数のスイッチングデバイスのうちの少なくとも１つを起動するために、電圧源が負荷から隔離されている間に動作させることができるコントローラ３とを備え、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスを通って電流が流れ、この電流を測定して、起動された前記スイッチングデバイスまたは個々のスイッチングデバイスが適切に動作しているかどうかを試験することができるスイッチング回路１が開示される。 （もっと読む）

【課題】クロック源の消費電力を増大させることなく、動作クロック周波数に応じて駆動能力を変化させることにより消費電力低減可能なクロックバッファ回路を提供すること。
【解決手段】クロック信号を伝達するバッファ部１０２と、クロック信号の参照クロック信号に対する逓倍数をカウントし、バッファ部１０２に対して逓倍数に基づいたイネーブル信号を出力する駆動能力切替部１０１と、を備え、バッファ部１０２は、当該バッファ部１０２の入力に接続された入力インバータ７と、イネーブル信号によりオンオフが可能であって、それぞれの出力が当該バッファ部の出力に共通に接続された複数の出力インバータ１３〜２８と、を備え、入力インバータ７が１個のＣＭＯＳインバータからなるクロックバッファ回路。 （もっと読む）

【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第１端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第１ＭＯＳを含む第１チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第２ＭＯＳを含む第２チップ、第１ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第１駆動回路、第２ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第２駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第１端子に接続されたソースとを有するＰＭＯＳとを含む第３チップが一つのパッケージ内に封止され、第１端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第２ＭＯＳがオンとされるとき、ＰＭＯＳはオンとされ、第２ＭＯＳがオフとされるとき、ＰＭＯＳはオフとされる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化または小型化を実現可能なマルチバンド対応の高周波モジュールおよび無線通信システムを提供する。
【解決手段】例えば、高周波電力増幅装置ＨＰＡＩＣ１は、ＧＳＭ用のパワーアンプ回路部ＰＡＢＫ＿ＬＢ（ＰＡＢＫ＿ＨＢ）と、ＧＳＭかＷ−ＣＤＭＡかを選択するモード設定信号Ｍｃｔｌを受けて、アンテナスイッチ制御信号ＳｃｔｌをＶＳＷ１レベルかＶＳＷ２レベルで出力する制御回路を備える。ＶＳＷ２は、発振回路ＯＳＣからのクロック信号を用いてＶＳＷ１を昇圧することで生成される。ＨＰＡＩＣ１は、ＭｃｔｌによってＧＳＭが選択された際には、ＯＳＣを停止させると共にＶＳＷ１レベルのＳｃｔｌをアンテナスイッチ装置ＡＮＴＳＷに出力し、ＭｃｔｌによってＷ−ＣＤＭＡが選択された際には、ＯＳＣを用いてＶＳＷ２レベルのＳｃｔｌをＡＮＴＳＷに出力する。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】挿入損失特性および高調波特性が共に良好な高周波スイッチを実現することを目的とする。
【解決手段】アンテナへ送信信号が出力される共通ポートと、送信信号が入力される送信ポートと、複数の前記送信ポートと前記共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートと前記共通ポートとを導通または遮断する複数のスイッチ部と、を有し、前記スイッチ部は、シリコン基板に形成され直列に接続された複数のＭＯＳＦＥＴを有し、前記複数のＭＯＳＦＥＴはボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴのいずれかであって、各スイッチ部はボディコンタクト型ＦＥＴおよびフローティングボディ型ＦＥＴの両方を含む。 （もっと読む）