【課題】消費電力を低減したマルチプレクサを提供する。
【解決手段】マルチプレクサ１００は、複数の差動信号を受け、制御信号に応じたひとつを選択して出力ポートＰｏから出力する。複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５には、複数の差動信号Ａ〜Ｅそれぞれが入力される。バッファＢＵＦ_１〜ＢＵＦ_５は、複数の差動入力ポートＰｉ_１〜Ｐｉ_５ごとに設けられ、それぞれが、対応する差動入力ポートと接続される差動入力端子Ｄｉと、出力ポートＰｏと接続される差動出力端子Ｄｏを有する。バッファＢＵＦは、差動入力端子Ｄｉに入力される差動信号に応じた差動信号を出力するイネーブル状態と、消費電流が実質的にゼロとなり、その差動出力端子がハイインピーダンスとなるディスエーブル状態と、が制御信号に応じて切りかえ可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減することができる半導体装置及びそれを用いた電子機器を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高電位電源から第１の電位が供給され、低電位電源
から第２の電位が供給され、入力ノードに第１の信号が入力されると、出力ノードから第
２の信号を出力する。本発明の半導体装置は、第２の信号の電位差を、第１の電位と第２
の電位の電位差よりも小さくすることにより、配線の充電と放電に伴う消費電力を低減す
ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート酸化膜の信頼性を維持しながら、待機時のリーク電流を抑制でき、回路面積の増加を最小限にでき、欠陥を確実に検出することができる半導体集積回路を実現する。
【解決手段】 論理回路１０と電源電圧Ｖ_ddの供給端子との間にスイッチング回路２０を設ける。動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_Bを印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。待機時にトランジスタＭＰ０のゲートに電源電圧Ｖ_ddと同じ電圧を印加し、ソースに電源電圧より低い電圧を印可し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたはそれより高いバルクバイアス電圧Ｖ_Bを印加し、トランジスタＭＰ０のドレイン電流を最少化することにより、論理回路１０の電流経路を遮断し、リーク電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 小型・低雑音のスイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】 導通、遮断の２状態が交互に切り替わる複数のトランジスタで構成されたスイッチングレギュレータの出力段と、その出力段トランジスタを各々個別に駆動するための駆動回路から構成され、当該駆動回路は、各々出力段トランジスタにおける遮断から導通状態への遷移時間が、導通から遮断状態への遷移時間に比べて長くなるように立ち上がり、立ち下がり時の駆動能力をアンバランスに設定され、各々の遷移時間は、出力信号の電位があらかじめ設定された電位に達したことを判定して変化させることを特徴とするスイッチングレギュレータとして構成される。 （もっと読む）

【課題】 回路のダイナミックレンジを圧迫しないと共に、チップサイズの増大を抑制することができるバッファリング回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子を有するバッファリング回路でドレインが第１電圧ラインに接続され、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第１プルアップドライバと、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第２プルアップドライバと、前記第２プルアップドライバのドレインに定電流を供給する定電流回路と、前記出力端子と第２電圧ラインとの間に配置されたプルダウンドライバとを備え、前記プルダウンドライバは、前記定電流回路の定電流から前記第２プルアップドライバに流れる電流を減じた差電流に基づいた電流を流すように構成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示パネルを駆動するソースドライバのソースアンプの振幅差偏差を向上する。
【解決手段】液晶表示パネルを駆動するソースドライバ１００が、画素データＤ_ＩＮに対応する階調電圧を出力するＤ／Ａコンバータ２３と、階調電圧に対応する駆動電圧を出力するソースアンプ２５とを備えている。ソースアンプ２５は、第１及び第２ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１１，ＭＮ１２を含むＮＭＯＳ差動対と、第１及び第２ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１１，ＭＰ１２を含むＰＭＯＳ差動対と、ＮＭＯＳ差動対とＰＭＯＳ差動対に流れる電流に応じて駆動電圧を出力する出力回路部（２，３）と、第１及び第２入力レベル変換回路４、５とを備えている。第１及び第２入力レベル変換回路４、５は、ソースアンプ２５に入力される階調電圧と、ソースアンプ２５の入力にフィードバックされる駆動電圧とに対し、駆動電圧の極性及び／又は階調電圧に応じて入力レベル変換を行う。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型のＳｉＣ−ＪＦＥＴとノーマリオフ型のＳｉ−ＭＯＳＦＥＴとをカスコード接続してなるハイブリッドパワーデバイスにおいて、共振の発生を抑制しつつ、スイッチング損失を低減できるようにする。
【解決手段】ハイブリッドパワーデバイスを構成するノーマリオン型のＳｉＣ−ＪＦＥＴ２とノーマリオフ型のＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ４とは、各ＦＥＴ２、４のソース及びドレインを互いに接続することによりカスコード接続されており、ＳｉＣ−ＪＦＥＴ２のゲートとＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ４のソースはスイッチング速度調整用の抵抗１０を介して接続されている。そして、この抵抗１０にコンデンサ１２を並列接続することにより、ハイブリッドパワーデバイスのスイッチング期間中の前半部分ではスイッチング速度を速くしてスイッチング損失を低減し、後半部分ではスイッチング速度を遅くして発振の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の実動作に応じて貫通電流を防止することで動作信頼性を向上する。
【解決手段】下アーム側のＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）に流れる通電電流を測定するときに、トランジスタＱ２がＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）の通電電流を直列抵抗Ｒ１およびＲ２の印加電圧によってセンシングする。そしてトランジスタＱ３がトランジスタＱ２の出力信号をレベルシフトする。そして、トランジスタＱ４がトランジスタＱ３のエミッタ電圧に応じてＩＧＢＴ（ＢＴＵ１）を強制的にオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】サージ破壊に対する耐性を強化する。
【解決手段】スイッチ装置(10)は、半導体基板(SUB)に形成された複数の差動スイッチ(SW₁,SW₂,…)を備える。差動スイッチ(SW₁,SW₂,…)の各々は、差動トランジスタ(T1,T2)を含む。差動スイッチ(SW₁,SW₂,…)は、差動トランジスタ(T1)同士が隣接し、且つ、差動トランジスタ(T2)同士が隣接するように、半導体基板(SUB)に配置されている。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチの高調波歪特性を改善する。
【解決手段】アンテナスイッチのアンテナ端子２にアンテナが接続され、第１信号端子３とアンテナ端子２の間に第１転送スイッチ１００が接続され、第２信号端子４とアンテナ端子２の間に第２転送スイッチ１０１が接続され、第１信号端子３と接地電位の間に第１シャントスイッチ１０２が接続され、第２信号端子４と接地電位の間に第２シャントスイッチ１０３が接続される。負電圧生成回路１０４の入力１０は第１信号端子３に供給される送信信号に応答可能とされ、出力端子１１に生成される負電圧に応答して第２転送スイッチ１０１と第１シャントスイッチ１０２とはオフ状態に制御される。 （もっと読む）

【課題】ゲート線駆動回路の領域を効率よく利用できると共に、ゲート線選択信号の立ち上がり速度の低下（立ち上がり遅延）を防止できる電気光学装置、並びに、それに適した単一導電型のトランジスタで構成されたシフトレジスタ回路を提供する。
【解決手段】ゲート線駆動回路３０は、複数のゲート線ＧＬの奇数行を駆動する奇数ドライバ３０ａと、偶数行を駆動する偶数ドライバ３０ｂとから成る。奇数および偶数ドライバ３０ａ，３０ｂの単位シフトレジスタＳＲの各々は、２行前の選択信号Ｇ_k-2を受け、その２水平期間遅れて自己の選択信号Ｇ_kを活性化させる。偶数ドライバ３０ｂのスタートパルスＳＰ１は、奇数ドライバ３０ａのスタートパルスＳＰ２よりも１水平期間だけ位相が遅れている。 （もっと読む）

【課題】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路を提供する。
【解決手段】 パワースイッチング素子直列電圧制限回路は、複数のパワースイッチング素子（Q1〜Qn）などからなるパワースイッチング素子直列分岐回路を含み、当該パワースイッチング素子は制御端と、高端(SD)と低端(WD)とを含み、パワースイッチング素子は分岐回路に直列にされるが、当該複数のパワースイッチング素子(Q1〜Qn)直列方式は1つのパワースイッチング素子における高端(SD)と別の1つのパワースイッチング素子における低端(WD)とを順に従って直列する。また、複数のエネルギー一時記憶回路(K1〜Kn)を含み、各パワースイッチング素子の両端が1つのエネルギー一時記憶回路を対応並列するが、各パワースイッチング素子の開/閉が非同期短時間過電流の負荷エネルギーを記憶するためである。また、前記パワースイッチング素子直列分岐回路に電圧制限を行う集中電圧制限回路Hを含む。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の雑音指数の劣化を抑制すること。
【解決手段】送信端子Ｔｘから入力された送信信号を前記共通端子ＡＮＴに接続する送信スイッチＳＷ１と、前記共通端子から入力された受信信号を増幅し、受信端子Ｒｘに出力する増幅回路９０と、前記共通端子から他のスイッチを介さず入力された前記受信信号を前記増幅回路に接続する第１受信スイッチＳＷ２と、前記共通端子と前記受信端子との間で前記第１受信スイッチとは並列に接続され、前記共通端子から入力された前記受信信号を前記増幅回路とは別の経路で前記受信端子に接続する第２受信スイッチＳＷ３と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】消費電力低下および速度向上が可能なレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】レベルシフト回路２は、第１入力端子１１、第２入力端子１２、第１出力端子２１、第２出力端子２２、第１ＰＭＯＳトランジスタ３１、第２ＰＭＯＳトランジスタ３２、第１ＮＭＯＳトランジスタ４１、第２ＮＭＯＳトランジスタ４２、第１ブートストラップ回路５１および第２ブートストラップ回路５２を備える。第１ブートストラップ回路５１は、第１充電用スイッチ５１１，第１転送用スイッチ５１２，第１容量部５１３および第１インバータ回路５１４を含む。第２ブートストラップ回路５２は、第２充電用スイッチ５２１，第２転送用スイッチ５２２，第２容量部５２３および第２インバータ回路５２４を含む。 （もっと読む）

【課題】オフ歪みを低減した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】負の第１の電位を生成する電圧生成回路と、外部から入力される端子切替信号に応じて前記第１の電位を変化させる電圧制御回路と、電源電圧または電源電圧よりも高い正の第２の電位と前記第１の電位とが供給され、前記端子切替信号を入力し前記端子切替信号に基づいて前記第１の電位及び前記第２の電位の少なくとも一方を出力する駆動回路と、ＳＯＩ基板に設けられ、前記駆動回路の出力により端子間の接続を切り替えるスイッチ部と、を備えたことを特徴とする半導体スイッチが提供される。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を防止するレベルシフト回路
【解決手段】従来のレベルシフト回路にＰＭＯＳトランジスタＭＰ３およびＭＰ４ならびにレベルシフト回路の出力信号をフィードバックするスイッチ制御回路を追加することで、従来回路の問題点であった貫通電流の流れる時間を減らし、消費電力を低減させ、かつ実装面積の増加を抑えながら高速動作させる。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減できるＰＬＤ回路、集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】ＰＬＤ回路は、各トランジスター列が直列接続されたプログラマブルな複数のトランジスターを有する第１〜第ｍ（ｍは２以上の整数）のトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍを含む。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの一端に第１の非直流電源ＶＳ１が供給される。第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの各トランジスター列は、複数の入力信号ＸＰ（Ｘ１Ｐ〜ＸｉＰ）、ＸＮ（Ｘ１Ｎ〜ＸｉＮ）によってオン・オフされる。第１の非直流電源ＶＳ１の電圧により規定される第１のホールド期間に、第１〜第ｍのトランジスター列ＴＡ１〜ＴＡｍの他端のノードである第１〜第ｍのノードＮＡ１〜ＮＡｍの電圧レベルを各々出力する。 （もっと読む）

【課題】出力遅延を短縮できる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】信号ＰｅｎがＬレベルからＨレベルに切り替わり信号ＮｅｎがＨレベルからＬレベルに切り替わった直後において、定電流源Ｉｓ１が追従しきれずまた切り替わっていない場合には、ノードＰは未だＨレベルのままであるので、ノードＯＵＴはＬレベルのままである。この状態で、切り替え前にＨレベルのノードＮに接続されていたノードＡは、切り替えによりＨレベルのノードＰへ接続される。これと同時に、インバータｉｎｖ３の出力部がＨレベルからＬレベルに切り替わっているので、キャパシタＣ２を介して、ノードＡもＨレベルからＬレベルに切り替えられる。このとき、ノードＰの電位はノードＡと等しくなるまで引き下げられ、Ｌレベルへ遷移する。 （もっと読む）

高電圧差動信号方式のためのドライバ回路（２００）。この回路は、入力に応答して第１の出力で第１の正の遷移を生成する第１の正のドライバ（２０５Ａ）を含む。この回路は更に、第１の正のドライバに結合され、電流の生成を可能にする第１の電流要素（２１０Ａ）を含む。更に、この回路は、第１の電流要素（２１０Ａ）に結合され、第１の電流要素に起因して、入力及び電流に応答して、第１の正の遷移の速度に類似する速度で、第２の出力で第１の負の遷移を生成する、第１の負のドライバ（２１５Ａ）を含む。
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【課題】フリーホイールダイオードを用いることなく、より低い電圧のアンダーシュートでも低減できる送信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のドレインをグランドに接続して、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２１，ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ２２のソースをそれぞれ信号線３Ｈ，３Ｌに接続する。第１データ電圧設定部４１は、信号出力部がハイレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差を（２・Ｒ１・Ｉref）にする電圧信号を設定し、第２データ電圧設定部４２は、信号出力部がロウレベル信号を出力すると、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ間の電位差をゼロにする電圧信号を設定する。これらの作用により、伝送線路３を構成する信号線３Ｈ，３Ｌ間の電圧を変化させて差動信号を伝送する。 （もっと読む）