【課題】本発明の実施形態は、高パワーの高周波信号に対する耐圧を維持しながら小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、絶縁膜の上の半導体層に設けられたＦＥＴを含むスイッチ回路を有する半導体装置であって、前記ＦＥＴのソース領域とドレイン領域との間に、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向に並んで設けられた第１のゲート電極および第２のゲート電極と、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間の中間領域に電気的に接続された制御端子と、を備える。前記ＦＥＴは、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極に供給されるゲート電圧によりＯＮ／ＯＦＦ制御され、前記ＦＥＴがＯＮ状態にある時、前記制御端子をアース電位とし、前記ＦＥＴがＯＦＦ状態にある時、前記制御端子を正電位または負電位とする。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】マルチモードシステムにおいてＳＯＩ基板上に形成された高周波スイッチの挿入損失特性を改善する。
【解決手段】少なくとも１つの第１ポート１０および第２ポート２０、共通ポート３０、第１および第２シリーズスイッチ４０，５０を有する。第１ポート、第２ポートは、各々高周波信号を入力または出力する。共通ポートは、第１ポートまたは第２ポートを介して入出力される高周波信号を送信または受信する。第１シリーズスイッチは、少なくとも１つの第１のＦＥＴを備え、第１のＦＥＴのゲートに接続される第１ゲート抵抗への印加電圧に応じて第１ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。第２シリーズスイッチは、少なくとも１つの第２のＦＥＴを備え、第２のＦＥＴのゲートに接続され、第１ゲート抵抗よりも大きな抵抗値を有する第２ゲート抵抗への印加電圧に応じて第２ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。 （もっと読む）

【課題】高周波スイッチの歪特性の劣化を抑止することができる高周波スイッチを提供する。
【解決手段】アンテナ１１０へ送信信号が出力される共通ポートＣＸと、送信信号が入力される送信ポートＴＸ１、ＴＸ２と、複数の送信ポートと共通ポートとの間にそれぞれ接続され、各送信ポートから共通ポートへの送信信号を導通または遮断する複数のスイッチ部１００Ａ、１００Ｂと、を有し、スイッチ部はシリコン基板に形成された一以上のＭＯＳＦＥＴＴ_ＳＷを有し、ＭＯＳＦＥＴのうち共通ポートに接続されたもののボディ端子と共通ポートに接続された端子との間にキャパシタが接続される。 （もっと読む）

【課題】送信端子および受信端子に求められる特性を考慮して設計されたＦＥＴを有する高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。 （もっと読む）

【課題】入力電圧範囲の大きな半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される制御電圧に応じて第１端子および第２端子間を電気的に接続または切断するスイッチ装置であって、第１端子および第２端子の間にソースおよびドレインが接続され、当該スイッチ装置に入力される入力電圧とゲート電圧との差に応じてオンまたはオフとなるメインスイッチと、制御電圧および入力電圧に応じて第１基準電圧を電圧シフトさせた駆動電圧をメインスイッチのゲートに供給する制御部と、を備えるスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の立ち上がりの速度を高速に維持しつつ、スイッチング素子を駆動するドライバ回路の消費電流を削減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷１０に接続されるスイッチング素子５０と、定電流を生成する定電流生成部３０と、定電流生成部３０から流れ込む定電流の大きさに応じたオン時間でスイッチング素子５０をオンするドライバ回路４０と、を備えた構成とする。そして、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間に達するまではドライバ回路４０に第１電流量の大きさの定電流を流すことでスイッチング素子５０の立ち上がりの速度を高速に維持する。また、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間が経過した後はドライバ回路４０に第１電流量よりも小さい第２電流量の定電流を流すことでドライバ回路４０の消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】電磁負荷を駆動する内燃機関制御装置において、電磁負荷の駆動周期が短い場合でも、該電磁負荷の故障診断精度を向上させ、ノイズに影響されない高速制御を安定して行う。
【解決手段】電磁負荷制御装置において、前記電圧異常を検出する手段をマスクするためのマスク手段を備え、前記マスク手段は、前記電圧異常の検出タイミングを、電磁負荷遮断と電磁負荷の通電とが繰り返される電磁負荷の通電開始タイミングに合わせて設定してあり、電磁負荷の通電遮断時より一定時間を内部タイマによってカウントすることにより、前記一定時間内に検出された電圧異常の誤検出をマスクするように構成する。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パワーオンまたはパワーダウンを検出するリセット回路を誤動作することなく動作させ、パワーオン時にリセット信号を正常に出力する。
【解決手段】 電源検出回路は、電源電圧が第１電圧を超えたときにパワーオン状態を示すパワーオン信号を活性化するとともに、初期化信号の活性化中に初期化される。スタータ回路は、電源電圧線と接地線の間に直列に配置された抵抗素子、遮断スイッチおよびキャパシタを有し、抵抗素子と遮断スイッチとを接続する第１接続ノードから初期化信号を出力する。遮断スイッチは、パワーオン信号の活性化中にオフする。このため、パワーオン状態中に、抵抗素子を介してキャパシタが充電されることを防止できる。この結果、キャパシタのＴＤＤＢの劣化を確実に防止でき、リセット回路を搭載する半導体装置およびシステムの誤動作を防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高周波スイッチ回路の高周波特性の良否を簡便に判定することができる半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の高周波端子と、共通高周波端子と、の間の信号経路を、前記高周波端子と前記共通高周波端子との間に直列に設けられた複数のＦＥＴにより切り替える高周波スイッチ回路を有する半導体装置であって、前記共通高周波端子に接続された複数のＦＥＴを含む半導体スイッチと、前記半導体スイッチを介して前記共通高周波端子に接続された発振回路と、前記発振回路の出力を入力とする検波回路と、前記検波回路の出力端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサとクロック分割回路との間における相互の電源ノイズの影響を低減する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫに基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫ１を生成するＤＬＬ回路１００と、内部クロック信号ＬＣＬＫ１に基づいて、互いに位相の異なる内部クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂを生成するクロック分割回路２００と、内部データ信号ＣＤ，ＣＥに基づいて、クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂにそれぞれ同期した内部データ信号ＤＱＰ，ＤＱＮを出力するマルチプレクサ３００とを備える。クロック分割回路２００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ２とマルチプレクサ３００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ３は、互いに異なる電源回路８２，８３によって生成され、且つ、該半導体装置内で分離されている。これにより、相互にノイズの影響を及ぼし合うことがなくなる。 （もっと読む）

【課題】電源部品を減らし、安価な構成の駆動回路。
【解決手段】一次巻線Npと第１の二次巻線S1と第１の二次巻線の極性とは逆極性を持つ第２の二次巻線を有する２以上の二次巻線とを有し一次巻線に駆動信号が印加されるトランスDT1、第１の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第１スイッチング素子Qh、第２の二次巻線からの信号によりオンオフ制御される第２スイッチング素子Ql、第１の二次巻線の一端と第１スイッチング素子の制御端子との間に接続され第１スイッチング素子を駆動する第１駆動部Q11,Q12、第２の二次巻線の一端と第２スイッチング素子の制御端子との間に接続され第２スイッチング素子を駆動する第２駆動部Q21,Q22、第１の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第１駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D11,D12,C11,C12、第２の二次巻線電圧を倍電圧整流平滑して第２駆動部に供給する倍電圧整流平滑回路D21,D22,C21,C22を有する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】出力期間の切替時における出力信号の遅延発生を抑制する出力回路、データドライバと表示装置の提供。
【解決手段】出力回路は差動増幅回路１１０、１０５，出力増幅回路１２０と第１の制御回路１６０、入力端子１０１、出力端子１０４、第１乃至第３の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＭＬを備える。差動増幅回路は前記入力端子の入力信号と前記出力端子の出力信号を入力する差動入力段１１０と第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０を備える。出力増幅回路１２０は第１の電源端子ＶＤＤと出力端子１０４との間に接続された第１導電型の第１のトランジスタ１２１と出力端子１０４と第３の電源端子ＶＭＬとの間に接続された第２導電型の第２のトランジスタ１２２とを備える。第１の制御回路１６０は、第１導電型の第３のトランジスタ１６１と第１のスイッチ１６２を備える。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】モータ駆動装置内で駆動信号経路のオープン故障が発生した場合にも、モータ駆動回路のトランジスタを安全、確実にオフ状態とする。
【解決手段】モータ駆動回路３のトランジスタＱ１〜Ｑ６に駆動信号を供給してトランジスタをオン・オフ制御するトランジスタ駆動回路５を備えたモータ駆動装置において、トランジスタＱ１〜Ｑ６のゲート・ソース間（またはベース・エミッタ間）に、トランジスタ駆動回路５からトランジスタＱ１〜Ｑ６への駆動信号経路上にオープン故障が発生した場合に、トランジスタＱ１〜Ｑ６をオフさせるための抵抗体Ｒｇｓ及び／又はコンデンサＣｇｓを接続すると共に、抵抗体、コンデンサをトランジスタの内部に配置したもの。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】負荷回路の消費電力によらず、最適な電力効率を実現するＤＣＤＣコンバータを提供すること。また、広いサンプリング周波数の可変幅を持った制御回路を提供すること。
【解決手段】制御回路内の三角波発生回路が有する電流生成回路は、並列接続された複数段のカレントミラーを有し、上記複数段のカレントミラーからの出力電流の合計の電流が、当該電流生成回路の出力電流となるよう配置される。さらに各々のカレントミラーには、ＤＣＤＣコンバータの負荷電流の大きさに応じて電流のオン／オフを制御するスイッチング素子が接続される。 （もっと読む）