【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】 内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを精度よく検出し、内部回路が動作を開始するまでの復帰時間を短縮する。
【解決手段】 第１電源スイッチは、内部電源電圧を受けて動作する内部回路の動作を開始させるための第１電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源電圧が供給される内部電源線に接続する。第２電源スイッチは、第２電源オン信号の活性化中に、外部電源線を内部電源線に接続する。検知部は、第１電源スイッチのオンにより上昇する内部電源電圧を受けて動作する回路を含む。検知部は、内部電源電圧が第１電圧を超えることにより、内部回路の内部ノードが初期状態に設定されたことを検出したときに第２電源オン信号を活性化する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】電源回路における回路素子の破壊を防止することが可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】誘導性負荷駆動装置の構成として、電源回路の出力端子と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源回路の出力端子に回生させる逆起電流回生回路と、前記電源回路の出力電圧が予め設定された閾値以上となった場合に、前記第２のスイッチング素子をオンにする回路素子保護回路と、を備えた構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】小型化と高いアイソレーションを実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】装置本体２は、半導体素子搭載部３と、第１の導電体４及び第２の導電体５を有する。第１の導電体４及び第２の導電体５は、半導体素子搭載部３の周囲に互いに近接して設けられている。半導体素子は、半導体素子搭載部に配設される。半導体素子は、第１のスルースイッチＦＥＴ１と、第１のシャントスイッチＦＥＴ１と、第２のスルースイッチＦＥＴ２と、第２のシャントスイッチＦＥＴ２と、を有する。第１のスルースイッチＦＥＴ１は、共通端子ＡＮＴと第１の高周波端子ＲＦ１との間に接続される。第１のシャントスイッチＦＥＴ１は、第１の高周波端子ＲＦ１に接続される。第２のスルースイッチＦＥＴ２は、共通端子ＡＮＴと第２の高周波端子ＲＦ２との間に接続される。第２のシャントスイッチＦＥＴ２は、一端が第２の高周波端子ＲＦ２に接続される。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】 異なる通信システムに対応可能で、受信感度が高く送信電力の損失が抑制された高周波回路、高周波部品及びこれを用いた通信装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２のアンテナ端子と、第１の通信システム用の送信端子並びに第１及び第２の受信端子と、前記第１及び第２のアンテナ端子を選択して前記送信端子と接続するスイッチ回路を少なくとも備えた高周波回路であって、前記スイッチ回路と第１のアンテナ端子をつなぐ信号経路と、前記スイッチ回路と第２のアンテナ端子をつなぐ信号経路のそれぞれに整合回路を配置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。ＭＯＳＦＥＴのバッグゲート端子とトランスファゲートＴＧ間の接続点と、グラウンド電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｎチャネルの場合）または電源電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｐチャネルの場合）との間にスイッチを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】しきい電圧Ｖ_Ｔが小さくてもリーク電流が小さく、また高速にかつ小さな電圧振幅で動作するＣＭＯＳ回路さらには半導体装置を提供することである。
【解決手段】ゲートとソースを等しい電圧にしたときにドレインとソース間に実質的にサブスレショルド電流が流れるようなＭＯＳＴ（Ｍ）を含む出力段回路において、その非活性時には、前記ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートとソース間を逆バイアスするように該ＭＯＳＴ（Ｍ）のゲートに電圧を印加する。すなわち、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｐチャンネル型の場合にはｐ型のソースに比べて高い電圧をゲートに印加し、また、ＭＯＳＴ（Ｍ）がｎチャンネル型の場合にはｎ型のソースに比べて低い電圧をゲートに印加する。活性時には、入力電圧に応じて該逆バイアス状態を保持するかあるいは順バイアス状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号が通る信号線と、オーディオ信号が通る複数の信号線が合流して使用される場合において、高周波信号およびオーディオ信号に発生する歪成分を抑制する。
【解決手段】高周波信号を伝送可能なケーブルの端子と、オーディオ信号を専用に伝送するケーブルの端子を共通に挿し込むことができる共通端子５０からの信号線は二つに分岐して、高周波系スイッチ（ＵＳＢスイッチ１０）の一端と、第１階層のオーディオ系スイッチ（オーディオスイッチ２０）の一端にそれぞれ接続される。高周波系スイッチの他端からの信号線は目的の回路に接続される。第１階層のオーディオ系スイッチの他端からの信号線は複数に分岐して、それぞれ第２階層のオーディオ系スイッチ（ヘッドホンスイッチ２１、マイクスイッチ２２）の一端に接続される。第２階層の複数のオーディオ系スイッチの他端からのそれぞれの信号線はそれぞれの目的の回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の極性切替（極性反転）が可能な表示パネルドライバの消費電力を低減する表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】本発明による表示パネルドライバは、表示パネルの画素に接続された第１データ線及び第２データ線を駆動する出力段として、第１電源範囲で駆動する第１出力段２４Ａ及び第４出力段２４Ｂを利用する第１モードと、第１電源範囲よりも広い第２電源範囲で駆動する第２出力段７３Ａ及び第３出力段７３Ｂを利用する第２モードとを切替える第１スイッチ回路５０と、第２モードの間に、正極性駆動電圧と負極性駆動電圧の出力先となるデータ線６を切替える第２スイッチ回路３０とを備える。又、第１出力段２４Ａは、ウェルが他のＮＭＯＳトランジスタから分離され、バックゲートがソースに接続された第１プルダウン出力トランジスタＭＮ１８を備える。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】出力信号遅延を抑制し、消費電流の増大を抑制する出力回路の提供。
【解決手段】入力端子１０１と出力端子１０２の電圧を差動入力する差動入力段１１０からなる差動増幅回路と、第１及び第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳに接続された第１及び第２のカレントミラー１３０、１４０と、前記第１及び第２のカレントミラーの入力間、出力間に接続される第１、第２の連絡回路１５０Ｌ、１５０Ｒと、第１導電型の第１のトランジスタ１２１と第２導電型の第２のトランジスタ１２２とからなる出力増幅回路と、前記第１、第２の電源端子ＶＤＤ、ＶＳＳの電源電圧の間の電圧が供給される第３の電源端子ＶＭＬの電圧に応じたバイアス信号を受ける第１導電型の第３のトランジスタ１６１からなる制御回路１６０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ターンオフ用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＦＦは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１Ｕのコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオンするときに、ＦＷＤ１２Ｄの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。この場合、ターンオン用ｄｉ／ｄｔ帰還部２３ＯＮは、転流電流ＩＦＷの方向が、リバースリカバリー区間に対応する方向、即ち図１３に示すＦＷＤ１２Ｄのカソードからモータ等の負荷Ｌ側に流れる方向である場合、帰還電圧ＶＦＢを生成し、それ以外の場合、帰還電圧ＶＦＢの生成を禁止する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のスイッチング時において、スイッチング損失の増加を抑制しつつ、サージ電圧を低減すること。
【解決手段】ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１Ｕがターンオフするときに、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流Ｉｃの時間変化に基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。また、ｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、ＩＧＢＴ１１がターンオンするときに、図示せぬＦＷＤの転流電流ＩＦＷＤに基づいて、帰還電圧ＶＦＢを生成する。このようなｄｉ／ｄｔ帰還部２３は、帰還電圧ＶＦＢを駆動信号の電圧の一部として印加するタイミングを遅延させる遅延フィルタとして、ＬＰＦ回路２０１を備えている。ＬＰＦ２０１の遅延量、即ちインダクタンスＬｄを適度に調整することで、還流ダイオードの電圧におけるサージ電圧を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部の異常を簡易且つ正確に検出できるスイッチ装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体層で形成されて、ゲート電極にゲート電圧を印加されることによってドレイン電極−ソース電極間が導通し、ゲート電圧によって半導体層内で正孔と電子とが結合して発光する電界効果トランジスタ１１，１２と、ゲート電圧を制御する駆動部２１と、トランジスタ１１，１２の発光量を検出する光検出部２３１，２３２とを備え、駆動部２１は、光検出部２３１，２３２の検出結果に基づいて、トランジスタ１１，１２の異常を判定し、この判定結果に基づいてゲート電圧を制御する。 （もっと読む）