【課題】充分な長さのリセット期間を安定して得ることができるパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】電源電圧ＶＤＤの値が第１閾値以上になると、第１スタートアップ回路２０によりバンドギャップリファレンス回路１０の安定動作が開始され、バンドギャップリファレンス回路１０から第１電圧値Ｖ_Ａが出力される。電源電圧の値が第１閾値より大きい第２閾値以上になると、第２スタートアップ回路４０により電圧分割回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ_３がオン状態となり、電圧分割回路３０から出力される第２電圧値Ｖ_Ｂは、抵抗器Ｒ_３１，Ｒ_３２の抵抗比に応じて電源電圧の値が分割された値となる。電圧比較回路５０から、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａより小さいときにリセットレベルの電圧値が出力され、第２電圧値Ｖ_Ｂが第１電圧値Ｖ_Ａ以上になると電源電圧レベルの電圧値が出力される。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ高精度の電流検出手段を有するレノイド電流制御回路を提供することにある。
【解決手段】
直流電源１に対して直列接続されたハイサイドＭＯＳＦＥＴ４とローサイドＭＯＳＦＥＴ５との接続点からソレノイド６に電流を供給する。制御回路３は、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ及びローサイドＭＯＳＦＥＴのオンオフを制御する。センスＭＯＳＦＥＴ７とセンス抵抗８との直列回路が、ローサイドＭＯＳＦＥＴ５と並列に接続される。誤差増幅器９は、センス抵抗８の両端の電圧を増幅する。制御回路２の電流算出部２Ａ，２Ｂは、誤差増幅器の出力値を用いて、ローサイドＭＯＳＦＥＴがオフとなる期間の電流を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘導負荷に流れる負荷電流を止めなくても、負荷電流の電流検出部のオフセットを検出して補正をすることができる、誘導負荷制御装置の提供を目的とする。
【解決手段】誘導負荷３０に流れる負荷電流の電流検出値を出力する電流検出回路１２と、電流検出値に電流検出回路１２のオフセットを反映することにより電流検出値を補正した補正検出値を出力する補正回路１３と、負荷電流の電流値がその指示値に一致するように、補正検出値に基づいて、誘導負荷３０を駆動するためのＰＷＭ信号のデューティ比を制御する制御回路１４とを備えており、制御回路１４は、負荷電流の電流値が安定した状態での制御方式を、閉ループ制御からその閉ループ制御で制御されていたデューティ比を維持するように制御する開ループ制御に切り替え、開ループ制御に切り替えられた状態で電流検出回路１２のオフセットが検出される、誘導負荷制御装置。 （もっと読む）

【課題】周辺回路を誤動作させないスイッチ回路を提供する。
【解決手段】第一端子Ｐ１が内部回路への負の入力電圧を入力される時、ＮＭＯＳトランジスタ１２はオフするよう制御されているが、入力電圧が負であるので、この時のＮＭＯＳトランジスタ１２のゲート・ソース間電圧に基づき、ＮＭＯＳトランジスタ１２が完全にオフしないで例えば弱反転領域で動作する。すると、接地端子ＶＳＳから第一端子Ｐ１にＮＭＯＳトランジスタ１２、１３を介して電流が流れる。よって、電源端子ＶＣＣでなくて接地端子ＶＳＳからこの電流は流れるので、この電流が流れることにより、電源電圧が低くならず、その電源電圧を使用する周辺回路が誤動作しない。 （もっと読む）

【課題】差動アンプ回路の出力信号の出力をより正確に制御することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、第４のＭＯＳトランジスタと第５のＭＯＳトランジスタとの間の接点の第１の電圧に応じた信号とイネーブル信号とが入力され、イネーブル信号が第１のレベルであり且つ第１の電圧が規定電圧以上の場合に差動アンプ回路の出力信号を出力端子に出力するための第１の信号を出力し、イネーブル信号が第２のレベルまたは第１の電圧が規定電圧未満の場合に第２の信号を出力する演算回路と、差動アンプ回路の出力信号と演算回路が出力した信号とが入力され、第１の信号が入力された場合には、出力信号を出力端子に出力し、第２の信号が入力された場合には、出力端子へ或る論理に固定した信号を出力する出力バッファ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】応答性、温度に対するロバスト性、ならびに、半導体スイッチ素子の最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間に対するフレキシブル性に優れた半導体スイッチ素子用ドライバ回路および半導体スイッチ素子の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子用ドライバ回路１０１は、フリップフロップ素子９を含む論理回路からなり、外部からのＯＮ指令Ｌ１およびＯＦＦ指令Ｌ２に従いＩＧＢＴ１０の動作信号を生成するフリップフロップ回路６と、動作信号が半導体スイッチ素子９に関する最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間の要求を満たすようにフリップフロップ素子９のセット／リセットを操作するマイコン１と、を備える。フリップフロップ回路６により、外部からのＯＮ／ＯＦＦ指令に対して高応答で動作させ、マイコン１でフリップフリップ素子９のセット・リセットを制御することで、その出力信号をマスクし、最小ＯＮ／ＯＦＦ時間を満足する。 （もっと読む）

【課題】従来の過電流保護回路では、トランジスタの特性ばらつきにより高精度の過電流検出ができないという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる過電流保護回路は、負荷２に供給する電流に応じた検出用電流を生成する検出用ＭＯＳトランジスタＱ２と、バイアス信号１に基づいて電流Ｉｒｅｆ１を生成するトランジスタ９と、バイアス信号１と異なるバイアス信号２に基づいてＩｒｅｆ２を生成し、トランジスタ９と同一サイズのトランジスタ１０と、電流Ｉｒｅｆ１と、電流Ｉｒｅｆ２と、検出用電流と、に基づいて過電流検出信号を出力するカレントミラー回路と、を備える。このような回路構成により、高精度の過電流検出が可能な過電流保護回路を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタをＯＦＦさせる時に、駆動信号生成回路内のプルアップトランジスタと他の素子に流れる貫通電流を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、従来の半導体装置のプルアップトランジスタ２０に代えて、ＮＡＮＤ素子７を設けた。その結果、プルアップトランジスタ２０を排除したことから、プルアップトランジスタ２０に起因する従来の半導体装置において課題であった、Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタ１のＯＦＦ時に駆動信号生成回路内のプルアップトランジスタ２０と他の論理素子とに生じる貫通電流を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子の過電圧保護回路として、電圧クランプ素子をコレクタ・ゲート間に接続する回路があるが、クランプ動作時、電圧クランプ素子には素子電圧と同じ電圧が印加され，かつ電流も流れる。そのため発生損失が大きく，高い頻度で動作する場合には許容できる特殊品を適用する必要があり，信頼性も低下する。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のコレクタ端子とゲート端子間に、可飽和リアクトルと、コンデンサと、抵抗の直列回路を接続する。 （もっと読む）

【課題】安定した参照電圧生成が可能であり且つ適切なタイミングで起動信号を生成できる電源回路ユニットを備えた半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体装置は、外部電源が投入されたことを検出して第１検出信号を出力する外部電源検出回路と、前記外部電源に基づいて内部電源電圧を生成する内部電源電圧生成回路と、前記第１検出信号に応答して第１参照電圧を生成する参照電圧生成回路と、前記参照電圧が所定電圧になったことを検出して第２検出信号を出力する参照電圧検出回路と、前記第２検出信号に応答して前記第１参照電圧に依存した第２参照電圧に基づいて、容量素子が負荷として結合されるバイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路と、前記第２検出信号に応答して前記バイアス電圧と前記外部電源の電圧もしくは前記内部電源電圧に依存したモニタ電圧とを比較してスタート信号を出力する電源電圧検出回路とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる電源電圧で使用されることが考えられる半導体装置において、好適な出力回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも出力端子の機能を有する信号端子と、電源端子と、電源端子から電源電圧が供給され内部出力信号を受けて信号端子を駆動する第一及び第二の出力バッファ回路を備えた出力回路と、電源電圧を判定し出力回路の動作を制御する電源電圧判定回路と、を備え、電源電圧判定回路が、第１の電位にあると判定したときには、第１の出力バッファ回路を活性化させると共に、第２の出力バッファ回路を非活性化させ、第２の電位にあると判定したときには、前記第１、第２の出力バッファ回路を共に活性化させる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧化可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、第１電位ノード〔VDD〕と接続された第１ノード〔VOUT〕と、第１ノード〔VOUT〕と第１電位ノードより低電位である第２電位ノード〔VSS〕との間に直列に接続された第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕および第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕を有し、第１のｎチャネル型トランジスタ〔NT1〕の一端は、第２電位ノード〔VSS〕に接続され、他端は、第２のｎチャネル型トランジスタの一端に接続され、ゲート端子は、第２ノード〔VIN〕に接続され、第２のｎチャネル型トランジスタ〔NT2〕の他端は、第１ノード〔VOUT〕に接続され、ゲート端子は、第１電位ノード〔VDD〕と第２電位ノード〔VSS〕との間に位置する第１中間電位〔VM1〕に接続されている。第２のｎチャネル型トランジスタにより分圧され、各トランジスタに印加される電圧を低減できる。 （もっと読む）

【課題】電力ロスを低減しつつセンサ回路に供給される電圧の安定化を図ることができるセンサ駆動回路を安価に提供する。
【解決手段】ブリッジ回路Ｂに対して正電圧を供給する方向に導通するトランジスタＱ１が、ブリッジ回路Ｂと図示しない交流電圧源との間に設けられている。ダイオードブリッジ１２が、ブリッジ回路Ｂと図示しない交流電圧源との間に設けられ、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧を全波整流する。比較回路１３が、ブリッジ回路Ｂに供給された交流電圧と電圧Ｖｔｈとを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないようにトランジスタＱ１を制御する。 （もっと読む）

【課題】さらに入力ノイズ耐性を有するシュミットトリガ型インバータを提供すること。
【解決手段】入力側ノードへの供給電圧が増加して第１の基準電圧に達するに従い出力側ノードから出る電圧が比較高電圧レベルから比較低電圧レベルに遷移し、入力側ノードへの供給電圧が減少して第１の基準電圧より低い第２の基準電圧まで減少するに従い出力側ノードから出る電圧が比較低電圧レベルから比較高電圧レベルに遷移するインバータと、インバータの入力側ノードに一方端が接続された第１の抵抗素子と、インバータの入力側ノードに一方端が接続された、該一方端の電圧が上昇するほどに抵抗値が減じる可変抵抗素子と、可変抵抗素子の他方端に一方端が接続された第２の抵抗素子と、ドレインが第２の抵抗素子の他方端に接続され、ゲートがインバータの出力側ノードに接続され、ソースが接地電位に接続されたｎチャネルＭＯＳトランジスタとを具備する。 （もっと読む）

【課題】電力ロスを低減しつつセンサ回路に供給される電圧の安定化を図ることができるセンサ駆動回路を安価に提供する。
【解決手段】電圧検出回路１２が、ブリッジ回路Ｂに供給される交流電圧を分圧した電圧を基準電圧Ｖｒｅｆだけシフトアップした電圧を出力する。第１比較回路１３が、電圧検出回路１２により出力された電圧と第１比較電圧Ｖｃ１とを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される正の交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないように第１トランジスタＱ１を制御する。第２比較回路１４が、電圧検出回路１２により出力された電圧と第２比較電圧Ｖｃ２とを比較して、ブリッジ回路Ｂに供給される負の交流電圧の大きさが電圧Ｖｔｈを越えないように第２トランジスタＱ２を制御する。 （もっと読む）

【課題】電源起動時のリーク電流によるトランジスタの誤作動を防止することが可能な半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】発明にかかる半導体集積回路は、第１の制御信号を駆動回路１２０を介して出力する論理回路２０９と、コレクタが高電位側の電源電圧ＶＣＣに接続され、エミッタが出力端子ＶＯＵＴに接続され、ベースに入力される第１の制御信号に応じてオンオフが制御されるＮＰＮ型バイポーラトランジスタ２０１をそなえる。また、一方の端子がベースと駆動回路２１０との間のノードに接続され、他方の端子が電源電圧及び接地電圧のいずれか一方に接続されたトランジスタスイッチ２０３と、第１のトランジスタスイッチに並列に接続された抵抗素子２０５とを備える。このような回路構成により、電源起動時のリーク電流によるトランジスタの誤作動を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ターンオンサージやターンオフサージを抑制できる絶縁ゲート型の半導体装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ駆動回路の供給側（電源側）からゲート電極７ａとダミーゲート電極７ｂに至る経路内における各抵抗２２〜２４について、ゲート電極７ａに至る経路に存在する第１、第３抵抗２２、２４の抵抗値Ｒｇ１、Ｒｇ３の合計値Ｒｇ１＋Ｒｇ３よりもダミーゲート電極７ｂに至る経路に存在する第２抵抗２３の抵抗値Ｒｇ２の方が小さくなるようにする。また、ゲート電極７ａやダミーゲート回路と電極７ｂからＩＧＢＴ駆動回路の引き抜き側（ＧＮＤ側）に至る経路内における各抵抗２２〜２４について、ゲート電極７ａからの経路に存在する第１抵抗２２の抵抗値Ｒｇ１の方がダミーゲート電極７ｂからの経路に存在する第２、第３抵抗２３、２４の抵抗値Ｒｇ２、Ｒｇ３の合計値Ｒｇ２＋Ｒｇ３よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】発光素子のドライバ回路における消費電力を抑制する。
【解決手段】発光素子２０２と、発光素子２０２と直接に接続された電流制限用インダクタ２４との直列接続部と、直列接続部に並列に接続され、電流制限用インダクタ２４に蓄えられたエネルギーを回生する回生用ダイオード２８と、発光素子２０２及び電流制限用インダクタ２４に流れる電流を制御するトランジスタ２６と、トランジスタ２６の動作を制御する制御部２２と、電流制限用インダクタ２４と電磁気的に結合し、制御部２２に電源電力の少なくとも一部を供給する電源用インダクタ３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 直前の数サイクルに依存して波形が劣化する信号に対して正しく受信することができない。
【解決手段】 本発明の受信回路１０は、入力信号を基準電圧と比較して比較結果をハイレベル又はローレベルで出力する比較回路１２と、比較回路１２の出力レベルを次の１サイクル間保持する第１の記憶回路１３と、第１の記憶回路１３の出力レベルを次の１サイクル間保持する第２の記憶回路１４と、第１の記憶回路１３と第２の記憶回路１４の出力レベルに応じて前記基準電圧のレベルをサイクル毎に制御する電圧制御回路１１を有する。 （もっと読む）

【課題】発振回路において発振動作が行われているか否かを判定する発振停止検出回路を内蔵した半導体集積回路において、電源電位が立ち上がる際の誤検出を防止する。
【解決手段】この半導体集積回路は、クロック信号又は反転クロック信号がゲートに印加されて交互にオン／オフする複数のトランジスタが直列に接続され、第１の電源電位から正の電荷を移送するトランジスタ列と、複数のトランジスタによって移送される電荷を蓄積する複数のコンデンサと、最終段のコンデンサの端子をプルダウンするプルダウン素子と、最終段のコンデンサの端子の電位がゲートに印加され、第２の電源電位がソースに供給されるＮチャネルＭＯＳトランジスタと、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレインをプルアップするプルアップ素子と、該ＮチャネルＭＯＳトランジスタのドレイン電位に基づいて出力信号を生成する論理回路とを具備する。 （もっと読む）