【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第１の電位と、負の第２の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第１の電位をハイレベルとし前記第２の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第１と、第２のレベルシフタと、第１の回路と、を有する。前記第２のレベルシフタは、前記第１のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第２のハイサイドスイッチと第２のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第１の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第２のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 （もっと読む）

【課題】インバータなどの遅延が無視できない高速動作時において、クロックフィールドスルーの影響を改善するのが困難
【解決手段】ＭＯＳＴ４はソース端子に入力されるアナログ入力信号を矩形波パルスのサンプル信号によりオンオフしてサンプリングする。ＭＯＳＴ５はＭＯＳＴ４のドレイン端子にソース端子およびドレイン端子が接続されサンプル信号の極性を反転した反転サンプル信号によりオンオフしてＭＯＳＴ４の寄生容量を補償する。論理回路10,11はサンプル信号と反転サンプル信号の位相差を検出して誤差信号を出力する。ＭＯＳＴ６,７はＭＯＳＴ５のソース端子およびドレイン端子にソース端子およびドレイン端子が接続され、位相差を補償する。 （もっと読む）

【課題】同じタイプの特性量を有し、この特性量の値が相互に比例するいくつかの機能ブロックを備える電気回路をコンフィギュレーションする。
【解決手段】機能ブロックは、同様のタイプの少なくとも1組の電気素子(102a〜102d、104a〜104d)と、前記電気素子を互いに接続するおよび/もしくは電気回路100の残部に接続するための手段(106a〜106d、108a〜108d、110a〜110d)とにより構築され、テストされる1組の接続コンフィギュレーションのそれぞれに対して、電気回路のパラメータの値を測定するステップと、テストされる結合コンフィギュレーションの中から、測定されたパラメータの値が、少なくとも1対の機能ブロックの特性量の値間の不整合が最小の1つのコンフィギュレーションを選択するステップと、選択されたコンフィギュレーションに従って、接続する手段をポジショニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流がスイッチ回路に接続される回路に影響を与えることを抑制することが可能なスイッチ回路の提供。
【解決手段】第１の電位と第２の電位の間の接続状態をオンオフする第１のトランジスタと、該第１のトランジスタのドレインにソースが接続され、前記第１のトランジスタと略同一の特性を有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタをオフした時に、前記第１のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS1と、前記前記第２のトランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖ_GS2が略等しくなることを特徴とするスイッチ回路。 （もっと読む）

【課題】動作速度の速いルックアップテーブル回路およびフィールドプログラマブルゲートアレイを提供する。
【解決手段】ルックアップテーブル回路１は、入力信号に基づいて複数の抵抗変化型素子の中から一つの抵抗変化型素子を選択する抵抗変化回路２と、抵抗変化回路２の最大抵抗値と最小抵抗値との間の抵抗値を有する参照回路４と、抵抗変化回路２の他端にソースが接続された第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６と、参照回路の他端にソースが接続された第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレインを通して抵抗変化回路２に電流を供給する第１の電流供給回路１０と、第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレインを通して参照回路４に電流を供給する第２の電流供給回路１２と、第１のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ６のドレイン電位と第２のｎチャネルＭＯＳＦＥＴ８のドレイン電位を比較する比較器１４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】低電圧で動作可能なリセット回路を提供する。
【解決手段】リセット回路５０Ａは、Ｐチャネルの第１トランジスタ１１を備え、第１電流ｉ１が第１の値を超えると第１信号Ｄ１をアクティブとする第１回路１０Ａと、Ｎチャネルの第２トランジスタ２１を備え、第２電流ｉ２が第２の値を超えると第２信号Ｄ２をアクティブとする第２回路２０Ａと、電源電圧Ｖｄｄの供給開始から、所定時間が経過した後に第３信号Ｄ３をアクティブとする第３回路３０Ａと、第１信号Ｄ１、第２信号Ｄ２、及び第３信号Ｄ３の全てがアクティブになるとリセット解除を指示するリセット信号ＲＥＳを生成する論理回路４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。ＭＯＳＦＥＴのバッグゲート端子とトランスファゲートＴＧ間の接続点と、グラウンド電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｎチャネルの場合）または電源電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｐチャネルの場合）との間にスイッチを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器１２が電流を遮断するとき、スイッチＳ_３，Ｓ_４の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるスイッチ回路装置では、ドライバ回路がアンテナ端子とポートとの間に振幅の大きい高周波信号を入力した際に、ドライバ回路内部でリーク電流が発生し、スイッチ回路装置の消費電力が増大する、という問題がある。
【解決手段】ドライバ回路の出力部に、リーク電流抑制回路部を設ける。本発明のスイッチ回路装置によれば、リーク電流抑制回路部が高周波信号の侵入を抑制するので、ドライバ回路は出力状態を保持することが出来て、リーク電流の問題が解決される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の極性切替（極性反転）が可能な表示パネルドライバの消費電力を低減する表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】本発明による表示パネルドライバは、表示パネルの画素に接続された第１データ線及び第２データ線を駆動する出力段として、第１電源範囲で駆動する第１出力段２４Ａ及び第４出力段２４Ｂを利用する第１モードと、第１電源範囲よりも広い第２電源範囲で駆動する第２出力段７３Ａ及び第３出力段７３Ｂを利用する第２モードとを切替える第１スイッチ回路５０と、第２モードの間に、正極性駆動電圧と負極性駆動電圧の出力先となるデータ線６を切替える第２スイッチ回路３０とを備える。又、第１出力段２４Ａは、ウェルが他のＮＭＯＳトランジスタから分離され、バックゲートがソースに接続された第１プルダウン出力トランジスタＭＮ１８を備える。 （もっと読む）

【課題】モータの起動時のうなり音を回避し、使用者に不快感を与えることなく使用できる小型電気機器を提供することを課題とする。
【解決手段】ＤＣモータ１１の起動時に、ＤＣモータ１１の回転数が安定した安定動作時のスイッチングパルス幅と同等のスイッチングパルス幅でスイッチング素子１３をスイッチング制御し、ＤＣモータ１１が安定動作しているときと同等の駆動電圧をＤＣモータ１１に供給してＤＣモータ１１を起動するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性のばらつきにかかわらず画像ムラがなく、高精細・高解像度の良好な画像を得ることができる半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置を提供する。
【解決手段】半導体表示装置はソース信号線側駆動回路と、ゲイト信号線側駆動回路とを有し、駆動回路はシフトレジスタ回路からのタイミング信号をバッファする複数のインバータ回路を有するバッファ回路を有し、インバータ回路は複数のインバータ回路を並列に接続して構成される。 （もっと読む）