【課題】最小限の突入電流の発生にとどめることを課題としている。
【解決手段】
本発明は、誘導負荷、特に発電機（１２）の巻き線（１３）を所定の交流中間電圧に接続するための方法に関し、誘導負荷は、ブレーカー（１７）を用いて中間電圧に接続されている。突入電流を減少させるために、中間電圧が所定の位相にある場合に、接続がなされるように調節される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチがオフ状態からオン状態へ、或いはオン状態からオフ状態へ切換えられるときに半導体スイッチの損失を低減する新規な半導体スイッチの多段ドライブ回路を実施するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】損失の低減は、半導体スイッチが切換える第１の時間期間中に半導体スイッチ両端のｄｖ／ｄｔに影響を与えることなく達成される。この損失の低減は、従って半導体スイッチが切換えるときの第１の時間期間中の急速なｄｖ／ｄｔによって発生する雑音をごくわずかしか増大させずに達成される。スイッチングロスのこの低減を達成するための回路の構成は、同様の結果を達成するための他の半導体スイッチドライブ方式よりも製造中の許容誤差及び温度の影響を受けにくい利点を有する。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】端子切替時の挿入損失の増加を抑制した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電源回路部と制御回路部とスイッチ部とを備えた半導体スイッチが提供される。前記電源回路部は、内部電位生成回路と第１のトランジスタとを有する。前記内部電位生成回路部は、電源線に接続され、入力電位よりも高い第１の電位を生成する。前記第１のトランジスタは、前記内部電位生成回路の入力と出力との間に接続され、前記第１の電位が前記入力電位よりも低下したときオンして前記第１の電位を前記入力電位以上に保持するようにしきい値電圧が設定されたことを特徴とする。前記制御回路部は、前記第１の電位を供給され、ハイレベルまたはローレベルの制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動に起因した書込電流の変動を抑制する。
【解決手段】ドライブ回路２５において、第１のＭＯＳトランジスタＰＭは、第１および第２の電源ノード２８，２９間にデータ書込線ＤＬと直列に設けられる。第２のＭＯＳトランジスタＰＳは、第１のＭＯＳトランジスタＰＭと並列に設けられる。第３および第４のＭＯＳトランジスタＰａ，Ｐｂは、互いに同じ電流電圧特性を有する。第１の素子Ｅａは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第３のＭＯＳトランジスタＰａと直列に接続される。第２の素子Ｅｂは、第１および第２の電源ノード２８，２９間に第４のＭＯＳトランジスタＰｂと直列に接続され、第１の素子Ｅａの電流電圧特性曲線と交差する電流電圧特性を有する。比較器３０は、第１の素子Ｅａにかかる電圧と第２の素子Ｅｂにかかる電圧とを比較し、比較結果に応じて第２のＭＯＳトランジスタＰＳをオンまたはオフにする。 （もっと読む）

【課題】電源ユニットの出力ラインにおける地絡などの故障に対し、電源の保護及び故障の検知を行う。
【解決手段】サブ電源供給ラインＬＳに、サブ電源１０１側をソースとして第１ＭＯＳＦＥＴ１０２を直列に接続し、第１ＭＯＳＦＥＴ１０２のドレインにドレインを接続させて第２ＭＯＳＦＥＴ１０３を直列に接続する。制御ユニット２００内のサブ電源供給ラインＬＳにも、サブ電源１０１側をソースとして第３ＭＯＳＦＥＴ２０２を直列に接続し、第３ＭＯＳＦＥＴ２０２のドレインにドレインを接続させて第４ＭＯＳＦＥＴ２０３を直列に接続し、第１〜第４ＭＯＳＦＥＴを制御することで、サブ電源１０１の電力を負荷２０１に対して供給する。各ＭＯＳＦＥＴのドレイン電圧、及び、第２ＭＯＳＦＥＴ１０３と第３ＭＯＳＦＥＴ２０２との間の電圧をモニタし、ＭＯＳＦＥＴの故障及びサブ電源供給ラインＬＳの故障を診断する。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの少ない電圧出力回路を提供する。
【解決手段】電圧出力回路１０では、出力トランジスタ１１は、入力電圧Ｖｉｎが印加される第１端子１６と負荷ＲＬが接続される第２端子１７の間に接続され、ゲート電極が第１ノードＮ１に接続される。第１プルアップ回路１２は、制御信号ＶｃがＬｏｗのときに、第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。プルダウン回路１３は、制御信号ＶｃがＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き下げる。ゲート電圧監視回路１４は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、差電圧ΔＶ＝Ｖｉｎ−Ｖｎ１が基準電圧Ｖｒｅｆより大きいときに導通して第２ノード電圧Ｖｎ２をＨｉｇｈにする。第２プルアップ回路１５は、第１端子１６と第１ノードＮ１の間に接続され、制御信号ＶｃがＬｏｗで且つ第２ノード電圧Ｖｎ２がＨｉｇｈのときに導通して第１ノード電圧Ｖｎ１を引き上げる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い省電力モードを実現可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、送信ノードＴＸをアンテナＡＮＴに接続するスイッチ用トランジスタＴＳＷ２と、ＴＸを接地電源電圧ＧＮＤに短絡するスイッチ用トランジスタＴＳＷ１と、ＴＳＷ１，ＴＳＷ２のオン・オフを正の電源電圧ＶＳＷと負の電源電圧（−ＶＳＳ）で制御するレベルシフト回路ＬＳを備える。ＬＳは、ＴＳＷ２をオン、ＴＳＷ１をオフに制御する送信動作モードＴＸＭＤの状態でスリープ命令を受けた際に、一旦、ＴＳＷ２をオフ、ＴＳＷ１をオンに制御するアイソレーション動作モードＩＳＯＭＤに移行し、一定の期間（Ｔｗａｉｔ）が経過したのち、ＶＳＷ，−ＶＳＳが非活性状態となるスリープモードＳＬＰＭＤに遷移する。 （もっと読む）

【課題】小型化と高いアイソレーションを実現可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】装置本体２は、半導体素子搭載部３と、第１の導電体４及び第２の導電体５を有する。第１の導電体４及び第２の導電体５は、半導体素子搭載部３の周囲に互いに近接して設けられている。半導体素子は、半導体素子搭載部に配設される。半導体素子は、第１のスルースイッチＦＥＴ１と、第１のシャントスイッチＦＥＴ１と、第２のスルースイッチＦＥＴ２と、第２のシャントスイッチＦＥＴ２と、を有する。第１のスルースイッチＦＥＴ１は、共通端子ＡＮＴと第１の高周波端子ＲＦ１との間に接続される。第１のシャントスイッチＦＥＴ１は、第１の高周波端子ＲＦ１に接続される。第２のスルースイッチＦＥＴ２は、共通端子ＡＮＴと第２の高周波端子ＲＦ２との間に接続される。第２のシャントスイッチＦＥＴ２は、一端が第２の高周波端子ＲＦ２に接続される。 （もっと読む）

【課題】自励型発振回路を備えるＤ級増幅装置における音質を従来から更に向上させることが可能な自励型発振回路等を提供する。
【解決手段】信号出力端子ＯＵＴに接続されたスイッチング素子１５Ａ及び１５Ｂと、信号入力端子ＩＮと、の間に接続される自励型発振回路ＳＢにおいて、入力端が信号入力端子ＩＮに接続され且つ増幅素子を含む電流駆動型の電圧／電流変換部１０と、電圧／電流変換部１０の出力端に一端が接続され且つ他端が直接接地された積分コンデンサ１１と、スイッチング素子１５Ａ及び１５Ｂの出力段と、積分コンデンサ１１の上記一端と、の間に接続された帰還抵抗１４と、積分コンデンサ１１の上記一端と、ゲートドライバ１３と、の間に接続されたヒステリシスコンパレータ１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より簡易的な構成で半導体スイッチを駆動する回路を実現する。
【解決手段】充放電切替回路１１は、プラス側の電力線に挿入される半導体スイッチ１２−１および１２−２と、入力側の端子に入力される入力電圧を、所定の出力電圧に変換して出力側の端子から出力する絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２とを備える。そして、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のマイナス端子がプラス側の電力線に接続され、絶縁型DCDCコンバータ２３−１および２３−２の出力側のプラス端子が半導体スイッチ１２−１および１２−２の開閉を制御する端子に接続される。本発明は、例えば、高電圧の電源の充放電を制御する回路に適用できる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の双方向スイッチを小型化する技術を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。ＭＯＳＦＥＴのバッグゲート端子とトランスファゲートＴＧ間の接続点と、グラウンド電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｎチャネルの場合）または電源電位（上記ＭＯＳＦＥＴがｐチャネルの場合）との間にスイッチを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】小型化及びコストダウンを図ることができるスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチ素子駆動回路１０は、スイッチ素子１のゲート電極１ｇに二次巻線ｎ２が接続されたトランス１１と、トランス１１の一次巻線ｎ１に電流が流れるオン期間と一次巻線ｎ１に電流が流れないオフ期間を交互に設けて、スイッチ素子１をオン／オフさせる制御回路１２を備える。制御回路１２は、オン期間に一次巻線ｎ１に流れる電流に基づいて、スイッチ素子１に接続された負荷状態をモニタし、負荷状態に応じて二次側に供給する出力を制御する。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時に問題となるダイオードの逆回復電流低減等の特性について所望の特性を得られるようにする。
【解決手段】ダイオードＤ３およびインダクタＬ１による直列回路がダイオードＤ１に並列接続されているため、負荷電流が還流するときにはインダクタＬ１の作用によってダイオードＤ３の順方向に流れ続けやすくなる（図５（ｂ））。また、トランジスタＭ２のゲートに第１オン制御電圧が印加される前にトランジスタＭ１のゲートに０を超える電圧で且つトランジスタＭ１のしきい値電圧Ｖｔｈ未満の第２オン制御電圧（ＯＮ’：図５（ａ）、図５（ｂ））を印加している。インダクタＬ１およびダイオードＤ３に流れ続けているときに、ダイオードＤ１に逆回復電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】高周波信号が通る信号線と、オーディオ信号が通る複数の信号線が合流して使用される場合において、高周波信号およびオーディオ信号に発生する歪成分を抑制する。
【解決手段】高周波信号を伝送可能なケーブルの端子と、オーディオ信号を専用に伝送するケーブルの端子を共通に挿し込むことができる共通端子５０からの信号線は二つに分岐して、高周波系スイッチ（ＵＳＢスイッチ１０）の一端と、第１階層のオーディオ系スイッチ（オーディオスイッチ２０）の一端にそれぞれ接続される。高周波系スイッチの他端からの信号線は目的の回路に接続される。第１階層のオーディオ系スイッチの他端からの信号線は複数に分岐して、それぞれ第２階層のオーディオ系スイッチ（ヘッドホンスイッチ２１、マイクスイッチ２２）の一端に接続される。第２階層の複数のオーディオ系スイッチの他端からのそれぞれの信号線はそれぞれの目的の回路に接続される。 （もっと読む）

【課題】スナバ回路や波形発生回路等を用いずに、回路面積が大型になったり、生産コストを高くなったりするのを抑えることのできる半導体遮断回路を提供する。
【解決手段】制御部１１が、短絡や過電流が発生したと判断して半導体遮断器１２が電流を遮断するとき、スイッチＳ_３，Ｓ_４の電気的接続状態をオン状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を低い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を開始する閾値電圧Ｖ_１よりもやや高いレベルまで短時間で一気に減少させる。次に、スイッチＳ_１，Ｓ_３の電気的接続状態をオフ状態に切り替え、ゲート電圧調整部の抵抗値を高い状態にして、半導体遮断器１２のゲート電圧Ｖ_Ｇを半導体遮断器１２が遮断を完了する閾値電圧Ｖ_２よりもやや低いレベルまで緩やかに減少させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング応答性を維持しながら、雑音が低減された出力特性をもつ半導体スイッチ回路を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態の半導体スイッチ回路は、スイッチ部１、デコーダ部３、ドライバ部２、ＤＣ−ＤＣコンバータ５、第１のフィルタ回路９ｎ、第１のフィルタバイパス回路１０、及び第１のバイパス制御回路１１ａを備える。ＤＣ−ＤＣコンバータ５は、第１のフィルタ回路９ｎを介して第１の電位をドライバ部２に出力する。第１のフィルタバイパス回路１０が、第１のフィルタ回路９ｎと並列に電気的に接続される。スイッチ部１の入出力端子Ｐと複数の高周波信号端子Ｔ１〜Ｔｎのうちのいずれかの高周波信号端子との間の導通状態及び非導通状態が切り替えられたときに、第１のフィルタバイパス回路１０が導通状態になるように、第１のバイパス制御回路１１ａが、第１のフィルタバイパス回路１０に第１のモード信号Ｖ_{ｍｏｄｅ１}を供給する。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化することなく且つ半導体スイッチの電圧のばらつきの影響を軽減して過電流を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）のドレインと、ＥＥＰＲＯＭ１２との間に、抵抗Ｒ１，Ｒ２の直列接続回路を含む分圧回路１５を設ける。従って、ＥＥＰＲＯＭ１２には、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン電圧Ｖ１を抵抗Ｒ１とＲ２で分圧した電圧が供給され、この電圧が判定電圧ＶＭの嵩上げ電圧となる。その結果、ＦＥＴ（Ｔ１）のドレイン・ソース間電圧Ｖdsが大きく、判定電圧ＶＭがＥＥＰＲＯＭ１２の設定電圧の上限を超える場合であってもこの嵩上げ電圧が存在することにより、この電圧Ｖdsに応じた判定電圧ＶＭを設定することができ、過電流の発生を高精度に検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＰＷＭ信号の傾きを制御する場合でも、本来意図したデューティと同じ期間だけ、半導体スイッチング素子をオンできる駆動装置を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路４が、入力されるＰＷＭ信号の立ち上がり及び立ち下がりにそれぞれ傾きを付与したゲート信号をＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１のゲートに出力する場合、デューティ調整部３は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１を介してランプ２に出力される電圧信号を検出し、入力信号の立ち上がりから電圧信号が立ち上がるまでの時間ａと、ＰＷＭ信号の立ち下がりから電圧信号が立ち下がるまでの時間ｂとを求め、デューティｚ＝（ｘ＋ａ−ｂ）に設定した駆動信号をゲート駆動回路４に出力する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の極性切替（極性反転）が可能な表示パネルドライバの消費電力を低減する表示パネルドライバを提供する。
【解決手段】本発明による表示パネルドライバは、表示パネルの画素に接続された第１データ線及び第２データ線を駆動する出力段として、第１電源範囲で駆動する第１出力段２４Ａ及び第４出力段２４Ｂを利用する第１モードと、第１電源範囲よりも広い第２電源範囲で駆動する第２出力段７３Ａ及び第３出力段７３Ｂを利用する第２モードとを切替える第１スイッチ回路５０と、第２モードの間に、正極性駆動電圧と負極性駆動電圧の出力先となるデータ線６を切替える第２スイッチ回路３０とを備える。又、第１出力段２４Ａは、ウェルが他のＮＭＯＳトランジスタから分離され、バックゲートがソースに接続された第１プルダウン出力トランジスタＭＮ１８を備える。 （もっと読む）