【課題】同時に２組以上の経路切替用ＦＥＴ段を導通状態にすることが可能な高機能な高周波スイッチ回路を電源端子の追加無しで小型化かつ低消費電力で実現する。
【解決手段】ダイオードスイッチロジック回路１００は、共通入出力端子１０１と個別入出力端子１０２〜１０４それぞれとの間の経路のうち少なくとも１つを導通させ且つ制御端子１０５〜１０７の各制御電圧を、経路切替用ＦＥＴ段１０８〜１１０それぞれのゲートに印加させるとともに、制御端子１０５〜１０７の各制御電圧の論理合成電圧を、シャント用ＦＥＴ段１１１〜１１３のゲートに印加させ、かつ、論理合成電圧は、１組のシャント用ＦＥＴ段に印加される制御電圧の否定と、残りの組のシャント用ＦＥＴ段それぞれに印加される制御電圧の論理和と、の論理積で生成されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータとＣＰＵを安全かつ確実にリセットして正常起動させる。
【解決手段】第１制御回路４１は第２電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ２０は第１電圧をレギュレートして生成した第２電圧を第１制御回路４１に供給し、第２制御回路４２は第３電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ３０は、第３電圧をレギュレートして生成した第４電圧を第２制御回路４２に供給する機器において、リセット回路１００は、第１電圧が第５電圧を超えて１５０ｍｓが経過するまでリセット信号の出力を継続させ、第１電圧が第５電圧を超えてから１５０ｍｓが経過するとリセット信号の出力を停止する。（第１電圧≧第２電圧、第３電圧≧第４電圧、第１電圧＞第３電圧、第５電圧＞第２電圧） （もっと読む）

【課題】オン時にパワー素子の立ち上がりが遅くなることを抑制し、負荷への電力供給のバラツキを抑制する。
【解決手段】スイッチ部１３およびインピーダンス制御回路１４とにより構成されたクランプ動作オフ固定回路を備える。このクランプ動作オフ固定回路により、駆動電圧がクランプオフ制御基準電圧に相当する参照電圧ＲＥＦ２以下のときには、インピーダンス制御回路１４にてスイッチ部１３を導通させることで、クランプ制御回路８によるクランプ動作をオフさせる。これにより、スイッチング時の基準電圧の変動などによって過渡的にノイズが発生しても、パワー素子５がオン動作を開始するときにクランプ制御回路８が誤動作することを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部１１は、信号バス１７にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路１４が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路１３の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。 （もっと読む）

【課題】負荷と直列に電流検出用のトランジスタを介在させることなく、オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】オン指令期間では、センストランジスタ２３が負荷電流を検出する。オフ指令期間では、制御装置２５は、オン指令期間に取得した少なくとも２つの時点の検出電流値を用いることにより、既知の電源電圧ＶＢの下でリニアソレノイド２の時定数情報を算出し、その時定数情報と、オフ指令期間に移行する前に検出したオン指令期間の電流、電源電圧ＶＢなどに基づいて、オフ指令期間における負荷電流を演算する。コンパレータ２４は、オフ指令期間において出力電圧Ｖoutと基準電圧Ｖrefとを比較し、制御装置２５は、比較結果に基づいて還流ダイオード６のオープン故障を検出する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でヒシテリシス特性を付与する。
【解決手段】ヒシテリシス装置１０００は、複数の閾値に対応するオフセット電圧を入力信号Ｖｉｎに付加した調整信号Ｖｘを出力する入力信号調整部３００と、調整信号Ｖｘに基づいて２値化した第１信号１０ａを出力するコンパレータ１０と、入力信号調整部３００を制御して複数の閾値ごとにオフセット電圧を切り替えるとともに、オフセット電圧の切り換えごとに第１信号１０ａを取得し、複数の閾値に対応する第１信号１０ａと前回の出力信号ＤＥＴとに基づいて今回の出力信号ＤＥＴを生成する判定部２００とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチとして用いられるＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴのターンオフ動作に際し、簡単な構成でオフ時間Ｔｏｆｆと立下り時間Ｔｆの最適化が可能な負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源３と負荷１との間に接続されたハイサイドスイッチとしてパワーＭＯＳＦＥＴ２を用いた負荷駆動回路１０であって、パワーＭＯＳＦＥＴ のゲート電圧Ｖｇと電源３の電源電圧Ｖｐとを比較する比較回路１１と、パワーＭＯＳＦＥＴ２のターンオフ動作においてパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる遮断回路１２とを具備し、遮断回路１２によってパワーＭＯＳＦＥＴ２のゲート端子から電荷を放電させる放電速度は、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより高い場合の放電速度よりも、ゲート電圧Ｖｇが電源電圧Ｖｐより低い場合の放電速度が遅くなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】通信周波数を微小変動させる技術よりも、ノイズレベルの低減を更に図ることができるＰＷＭ制御のデューティ決定方法を提供する。
【解決手段】制御ＩＣ６３が、駆動回路に出力するＰＷＭ信号のデューティを、指令値を中心に、所定期間内における平均が前記指令値に一致するように微小変動させる場合、ＰＣ６８のデータベース６９に、実際にＰＷＭ信号を駆動回路に与えることで発生したノイズ成分のレベル測定結果を反映したデータを、そのデューティの変動態様と共に記憶する。そして、データベース６９に記憶されているデータを参照し、与えられた動作環境や動作条件等に応じて抑圧対象となる周波数帯のノイズレベルを低減するように、制御ＩＣ６３によるＰＷＭデューティの変動態様を決定する。 （もっと読む）

【課題】電力用半導体装置がＯＦＦ状態の時に電源電圧の急峻な増加が発生した場合であっても、出力トランジスタがＯＮすることを防止する。
【解決手段】本発明の電力用半導体装置は、電源端子と出力端子との間に接続された出力トランジスタと、出力トランジスタのゲートに接続された第１ノードを充放電し、出力トランジスタをＯＮ／ＯＦＦ制御するゲート充放電回路と、第１ノードと出力端子との間に接続されたショートスイッチ回路と、ショートスイッチ回路を制御するショート制御回路と、を備える。ターンオン期間、ＯＮ期間及びターンオフ期間において、ショート制御回路は、ショートスイッチ回路を介した第１ノードと出力端子との間の電気的接続を切断する。ＯＦＦ期間において、ショート制御回路は、ショートスイッチ回路を介して第１ノードと出力端子との間を電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】より確実に安定した減電圧監視を行うことが可能な減電圧リセット回路及び電源装置を提供する。
【解決手段】減電圧リセット回路１５は、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第１トランジスタ１５３と、ドレインがリセット信号出力端子Ｔ５に接続されたＮチャネル型の第２トランジスタ１５４と、監視対象電圧Ｖ１の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧を下回っているときに第１トランジスタ１５３をオンさせる第１監視部１５１と、監視対象電圧Ｖ１とは異なる駆動電圧Ｖ０の供給を受けて動作し、監視対象電圧Ｖ１が第１閾値電圧よりも低く第１監視部１５１の下限動作電圧よりも高い第２閾値電圧を下回っているときに第２トランジスタ１５４をオンさせる第２監視部１５２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】同じタイプの特性量を有し、この特性量の値が相互に比例するいくつかの機能ブロックを備える電気回路をコンフィギュレーションする。
【解決手段】機能ブロックは、同様のタイプの少なくとも1組の電気素子(102a〜102d、104a〜104d)と、前記電気素子を互いに接続するおよび/もしくは電気回路100の残部に接続するための手段(106a〜106d、108a〜108d、110a〜110d)とにより構築され、テストされる1組の接続コンフィギュレーションのそれぞれに対して、電気回路のパラメータの値を測定するステップと、テストされる結合コンフィギュレーションの中から、測定されたパラメータの値が、少なくとも1対の機能ブロックの特性量の値間の不整合が最小の1つのコンフィギュレーションを選択するステップと、選択されたコンフィギュレーションに従って、接続する手段をポジショニングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る故障または異常検出機能を有するパルス増幅装置は、入力されるパルスを増幅して出力するパルス増幅器１１と、パルス増幅器１１の入力端子に接続され、パルス増幅器１１に入力されるパルスに同期したパルス増幅器１１を動作させる制御信号を形成して、この制御信号を入力端子に入力するパルス増幅器制御回路１２と、パルス増幅器制御回路１２に接続され、制御信号を連続波に変換する平均化回路１７と、平均化回路１７に接続され、平均化回路１７から出力された連続波の電圧Ｖｇａｖｅとしきい値電圧Ｖｓとを比較する比較回路１８と、比較回路１８に接続され、比較回路１８から出力される差分電圧（Ｖｇａｖｅ−Ｖｓ）に基づいて、パルス増幅器１１の故障、あるいはパルス増幅器制御回路１２の異常を検出する警報装置２３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。
【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の駆動回路を内蔵した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧値以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧値以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたツェナダイオードとＰ型ＭＯＳＦＥＴを備えている。また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の少ない回路によって２線式電子スイッチのＯＮ／ＯＦＦ状態を的確に検出できる外部アダプターを提供する。
【解決手段】 外部アダプター１１は、電子スイッチ１に接続される２つの入力端子１２，１３を備える。分圧抵抗器Ｒ１，Ｒ２は入力電圧を分圧し、分圧抵抗器Ｒ２の両端電圧に基づいて、フォトカプラー１４が電子スイッチ１のＯＮ／ＯＦＦ状態を検出する。インピーダンス調整回路１９は、入力端子１２，１３間に介装された調整抵抗器Ｒ３、フォトカプラー１４の出力に応答して調整抵抗器Ｒ３への通電／遮断を切り替えるトランジスタＱ１およびフォトＭＯＳリレー１８を備え、アダプター１１の入力インピーダンスを電子スイッチ１の接点導通状態で相対的に高く、接点非導通状態で相対的に低く調整する。 （もっと読む）

【課題】高次高調波歪またはＩＭＤを低減可能な半導体集積回路装置および高周波モジュールを提供する。
【解決手段】例えば、アンテナ端子ＡＮＴと複数の信号端子Ｔｘａ，Ｒｘｂ，Ｒｘｃとの間にそれぞれ複数のトランジスタＱａ，Ｑｂ，Ｑｃを備えた所謂アンテナスイッチに対して、電圧供給回路ＶＤ＿ＢＫを設ける。電圧供給回路ＶＤ＿ＢＫは、電圧供給端子Ｖｄｄから前述した複数の信号端子Ｔｘａ，Ｒｘｂ，Ｒｘｃの中の少なくとも２つの信号端子（例えばＲｘｂ，Ｒｘｃ）に向けてそれぞれ抵抗素子Ｒａｄｄ１，Ｒａｄｄ２を介して電圧を供給する回路である。これによって、リーク等によって低下したアンテナ電圧Ｖａｎｔを上昇させることが可能となり、例えばオフ状態となっているトランジスタＱｂ，Ｑｃを深いオフ状態にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】最小限の突入電流の発生にとどめることを課題としている。
【解決手段】
本発明は、誘導負荷、特に発電機（１２）の巻き線（１３）を所定の交流中間電圧に接続するための方法に関し、誘導負荷は、ブレーカー（１７）を用いて中間電圧に接続されている。突入電流を減少させるために、中間電圧が所定の位相にある場合に、接続がなされるように調節される。 （もっと読む）

【課題】より効果的に逆起電圧の発生を抑え、過電圧による素子の破壊を防ぐことが可能な保護回路を提供する。
【解決手段】第１の実施形態の保護回路２は、抵抗値可変スイッチ１０，過電流検出部２０，制御電圧印加部３０，容量部４０，制御端子電圧変更部５０および外部端子１１を備える。抵抗値可変スイッチ１０は、制御端子１０ａ，第１端子１０ｂおよび第２端子１０ｃを有する。制御端子電圧変更部５０は、抵抗値可変スイッチ１０の制御端子１０ａと基準電位端子との間に直列的に設けられたスイッチ５１および抵抗器５２を含む。 （もっと読む）

【課題】負バイアス発生回路を用いずにマージン電圧を改善することができる手段をスイッチ回路に提供する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ１を、信号をアンテナに同通するスイッチに、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴを用いて構成されるスイッチＭ２を、信号を接地するシャント用にそれぞれ用いる。各スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴのゲート端子に共通の制御信号を入力する。この制御信号の反転信号をスイッチＭ２の接地端に接続することで、各ＭＯＳＦＥＴのゲート端子の電位を接地電圧に設定できる。 （もっと読む）

【課題】回路面積および製造コストの増大を招くことなく、ゲート電圧をクランプ値に収束するまでの応答時間を短くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１１に過電流が流れる異常が生じると異常検出信号ＳａがＨレベルになり、スイッチＳ１１がオンする。その状態において信号線Ｌ１３、Ｌ１２間の電位差がクランプ値を超えて上昇しようとすると、ツェナーダイオードＤ１１が降伏し、その降伏電流の大部分が増幅用トランジスタＴ１２のベース電流となる。増幅用トランジスタＴ１２の増幅作用によって、降伏電流を増幅した電流がクランプ用トランジスタＴ１１のベースに供給される。クランプ用トランジスタＴ１１は、供給されるベース電流に応じたコレクタ電流を信号線Ｌ１１、Ｌ１２間に流す。これにより、信号線Ｌ１１、Ｌ１２間の電位差が低下する。 （もっと読む）

【課題】アンテナスイッチのコスト削減を図る観点から、特に、アンテナスイッチをシリコン基板上に形成された電界効果トランジスタから構成する場合であっても、アンテナスイッチで発生する高調波歪みをできるだけ低減できる技術を提供する。
【解決手段】ＲＸスルートランジスタ群ＴＨ（ＲＸ）は、互いに直列に接続されたＭＩＳＦＥＴＱ１〜Ｑ５において、それぞれのＭＩＳＦＥＴのボディ領域と、隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域とを、それぞれ、ダイオード（整流素子）を介して接続する。そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。 （もっと読む）