【課題】耐圧の向上が図られる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ-型半導体領域には、ドレイン領域となるｎ-型の拡散領域が形成されている。ｎ-型の拡散領域の周囲を取囲むようにｐ型の拡散領域が形成されている。ｐ型の拡散領域には、ソース領域となるｎ+型の拡散領域が形成されている。ｎ-型の拡散領域の直下には、ｐ-型の埋め込み層１３が形成されている。ｎ-型の半導体領域の領域には、高電位が印加されるｎ+型の拡散領域が形成され、そのｎ+型の拡散領域の表面上には電極が形成されている。電極とドレイン電極とは、配線２０によって電気的に接続されている。配線２０の直下に位置する部分に、ｐ-埋め込み層１３に達するトレンチ３ａが形成されて、ポリシリコン膜８１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変動しても半導体デバイスのオン動作及びオフ動作を安定して駆動できる半導体デバイス駆動回路を得る。
【解決手段】ドライブ回路１０は、入力回路１１より得られる制御信号Ｓ１１に基づき、インバータＧ４から電源電圧ＶＣＣにより決定される“Ｈ”（オンレベル）、あるいは接地電圧ＧＮＤにより決定される“Ｌ”（オフレベル）の出力電圧ＶＯＵＴ１を駆動信号として半導体デバイスＱ１のゲートに出力する。基準電源部１４は抵抗Ｒ１及びＲ２の直列接続により、電源電圧ＶＣＣ，接地電圧ＧＮＤ間の電位差を所定の分圧比率（抵抗Ｒ１及びＲ２による抵抗比）で分圧して得られる電圧が基準電圧ＶＲＥＦ１として得られる。バッファ回路８は基準電圧ＶＲＥＦ１により決定される基準信号となる出力電圧ＶＯＵＴ２を半導体デバイスＱ１のソースに付与する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧回路の素子破壊を防止する際、半導体チップ面積の増大を軽減する。
【解決手段】半導体集積回路ＩＣは、高電源電圧で動作する高耐圧回路１００、２００と低電源電圧で動作する低耐圧回路３００、４００を内蔵する。入力信号Ａに応答して、高耐圧回路の第１素子５と第２素子３はオン状態とオフ状態に、低耐圧回路の第３素子７と第４素子８はオフ状態とオン状態に制御される。この状態において、高電源電圧供給端子に所定レベルのサージ電圧が供給される。この状態で、初期サージ電流が第１素子５と第２素子３の容量を介して低耐圧回路の出力端子Ｙに流入する。出力端子Ｙの電圧降下は、高耐圧回路の第２素子３のターンオン電圧に設定される。第２素子３はオフ状態からオン状態に制御されて、サージ電圧のエネルギーを吸収するサージ吸収電流が第１素子５と第２素子３に流入する。 （もっと読む）

【課題】ウォッチドッグのための特殊な構成を追加することなく、マイコンラッチ時に自動的かつ確実にマイコンにリセットをかける
【解決手段】水晶振動子Ｘｔａｌを用いた水晶発振回路からクロック信号を入力されるマイコン２００のリセット回路１００であって、マイコン２００は、出力がＨｉｇｈとＬｏｗとで周期的に変動するＧＰＩＯ端子２０１を備え、クロック信号の入力が停止されたときに自動的にリセット状態となる構成とされ、リセット回路１００は、ＧＰＩＯ端子２０１の出力をコンデンサを用いて平滑し、平滑電圧がＨｉｇｈとＬｏｗの中間電位のときは水晶振動子Ｘｔａｌの負性抵抗より小さい抵抗を発生して水晶振動子Ｘｔａｌに印加し、平滑電圧がＨｉｇｈとＬｏｗのいずれかになると水晶振動子Ｘｔａｌの負性抵抗以上の抵抗を発生して水晶振動子Ｘｔａｌに印加する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの出力素子の入力が共にハイレベルになり次に電源オン状態に移行する際に動作を開始することができないとい問題を解決する。
【解決手段】 電源制御手段１６は、スイッチングアンプ１０が電源オフ状態に移行する場合に、スイッチＳＷがオフ状態になり、コンデンサＣ１０２を強制的に放電させ、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３を強制的に低下させる。基準電位Ｖ３に対するロジック電源電圧Ｖｄｄは、基準電位Ｖ３と同じだけ低下していくので、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄは固定される。定電流回路は、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３の低下に伴い、定電流Ｉを減少させ、第１の電流Ｉ１および第２の電流Ｉ２を減少させる。従って、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄが低下しないうちに、第１の電流Ｉ１、第２の電流Ｉ２を減少させ、パルス発生手段の動作を正常な状態で終了できる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】良好な逆回復特性と良好なＥＭＣとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置の走査信号線の駆動回路において、走査信号線の出力波形なまりを改善し、表示品質を高めた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の信号線Ｇ_ｎに対して、順に画素トランジスタを導通させる電位であるアクティブ電位を印加する駆動回路２１０を備え、前記駆動回路２１０は、前記複数の信号線のうちの一の信号線である出力信号線の一端に、より上位の前記出力信号線において出力されるアクティブ電位が入力されることに起因して、クロック信号を印加してアクティブ電位を出力させる主駆動回路２４０と、前記出力信号線の他端、及び前記クロック信号の信号線が、ソース／ドレインを介して接続されたトランジスタである補助トランジスタを含む補助駆動回路２５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電流を抑制し且つ高速動作が可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層の主面上に、第１の主電極Ｄｓｗと第２の主電極Ｓｓｗの間に配置された制御電極Ｇｓｗを有するスイッチング素子Ｔｓｗと、スイッチング素子Ｔｓｗの第１の主電極Ｄｓｗにアノード端子が接続された第１の整流素子Ｄ１、第１の整流素子Ｄ１のカソード端子に第１の主電極ＤＤ１が接続され、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第２の主電極ＳＤ１が接続された第１の駆動素子ＴＤ１、スイッチング素子Ｔｓｗの制御電極Ｇｓｗに第１の主電極ＤＤ２が接続され、スイッチング素子の第２の主電極Ｓｓｗに第２の主電極ＳＤ２が接続された第２の駆動素子ＴＤ２、及び、第１の駆動素子ＴＤ１の制御電極ＧＤ１と第２の駆動素子ＴＤ２の制御電極ＧＤ２にそれぞれ入力される制御信号を受信する入力端子ＩＮ＿Ｈ，ＩＮ＿Ｌを有する駆動回路１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】電流検出用の抵抗を使用せず、簡易回路で負荷ショートの保護が可能な電子制御装置を得る。
【解決手段】パルス発生源３と第２のスイッチング素子２１との間に接続されたコンデンサ２３を有するトリガ回路と、負荷４と第１のスイッチング素子１１との交点と第２のスイッチング素子２１のベース端子との間にダイオード２５を介して接続されるラッチ回路を有する制御回路を備え、パルス発生源が駆動信号を出力時は、トリガ回路を介し所定時間第２のスイッチング素子２１をオンし、第１のスイッチング素子１１もオンさせ、前記交点の電圧で、ラッチ回路を介し第２のスイッチング素子２１のオン状態を継続させる。駆動信号の停止時は、第１、第２のスイッチング素子は共にオフとし、負荷ショートが発生した時は、パルス発生源３の駆動信号が出力されている場合でも、交点の電圧で、ラッチ回路を介して第２のスイッチング素子２１をオフし、第１のスイッチング素子１１もオフする。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることの可能なインバータ回路、およびこのインバータ回路を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】入力端子ＩＮ１から印加される電圧に応じてオンオフするトランジスタＴ３を介して、入力電圧Ｖｉｎ２がトランジスタＴ２のゲートに入力される。そのため、入力電圧Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２がともにハイとなったときだけ、トランジスタＴ１，Ｔ２の双方のゲートにオン電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】電圧伝達経路における電圧降下が小さい過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力電圧と第１の電圧とを入力して、昇圧した第２の電圧を、電圧伝達経路１１０の遮断または導通を制御するスイッチ回路ＳＷのＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに供給する昇圧回路ＣＰと、ＭＯＳトランジスタＰＳＷのゲートに蓄積された電荷を放電する放電回路ＤＣＧとを備える。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しながら、コネクタに接続されたチャージャーの種類を的確に認識する。
【解決手段】電源検出回路１２は、ＶＢＵＳ端子への外部からの給電を検出する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の電圧を検出することにより、チャージャーの種類を特定する。チャージャー検出回路１４は、ＤＰ端子およびＤＭ端子の少なくとも一方のオープン、プルアップ、プルダウンまたは両端子間のショートを検出する。 （もっと読む）

【課題】短絡保護のためのクランプ電圧の設定に基づいて、損失を抑制することが可能な負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１の温度、出力電流、ミラー電流もしくはゲート閾値電圧Ｖｔｈを検出し、これらのいずれかに基づいてミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキに応じたクランプ電圧を演算する。これにより、クランプ電圧をその状況下でのミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒに対応する値に低く抑えることが可能となり、クランプ電圧をミラー電圧Ｖｍｉｒｒｏｒのバラツキの最大値、つまりすべての環境変化等を含めた最大値を考慮して設計する場合と比較して、クランプ電圧を小さく抑えられる。したがって、クランプ時にＩＧＢＴ１を損失が大きくなることを抑制しつつ、短絡耐量を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低電圧試験のためのリセット回路及び方法を提供する。
【解決手段】低電圧試験回路１２５と、システム１００および２００と、集積回路パッケージ１０４および２０４における回路１２７の低電圧試験を実行する方法が、電源電圧の一部分である電圧を生成する電圧分割ラダー３２０、一部分を基準電圧と比較する比較器３１０、電圧分割ラダーのトポロジーを制御し、それによって一部分の値を変更するスイッチ３５０を含む、選択可能閾値リセット回路１２５を含み、スイッチは製品試験装置１０２および２０２からの信号によって制御され、信号は、選択可能閾値リセット回路のリセット閾値を標準リセット閾値未満に低減されるようにして、標準リセット閾値未満の電源電圧で回路を試験することを可能にする。 （もっと読む）