【課題】ターンオフスイッチング時に発生するノイズとスイッチング損失のトレードオフ特性を改善する。
【解決手段】半導体素子をターンオフさせるとき、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧がコレクタ・エミッタ間に印加された直流電圧に達するまでは、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を大きくし、半導体素子のコレクタ・エミッタ間電圧が直流電圧に達した後は、前記コレクタ・エミッタ間電圧の変化率を小さくする。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護回路を提供することを課題とする。
【解決手段】過電圧保護回路であって、電圧源とポータブル電子デバイスの間に提供された入力電圧が該ポータブル電子デバイスの許容定格耐電圧を超えないように設計する過電圧保護（ｏｖｅｒｖｏｌｔａｇｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ）を提供する。該回路は入力ユニットを通じて該電圧源から発生した入力電圧を受け、該入力電圧が分圧モジュールを通じて分圧電圧を生成することで、電圧安定モジュールが第１のスイッチングユニットを短絡状態、或いは、開路状態に入ることができる第１の制御信号を生成させ、また間接的に第２のスイッチングユニットを該第１のスイッチングユニットと逆の短絡状態、或いは、開路状態に入るよう制御し、該入力電圧が該定格電圧を上回った時、該第２のスイッチングユニットを通じて該入力電圧を該ポータブル電子デバイスに供給停止することで、温度の影響を受けることなく過電圧保護を実現できる。 （もっと読む）

【課題】グランド端子からグランド電位の供給を受けることなく、スイッチ素子をオン状態に維持することを可能とするスイッチ素子駆動回路を提供する。
【解決手段】本発明によるスイッチ素子駆動回路（１００）は、電源と負荷との間に接続されたスイッチ素子を駆動するためのスイッチ素子駆動回路であって、前記電源と前記負荷との間に設けられた電圧降下素子（１０）と、前記電圧降下素子の端子間に発生する電圧を動作電源として該電圧を昇圧し、該昇圧により得られた電圧から前記スイッチ素子を制御するための制御信号を生成する信号生成部（２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＶＴ変動に応じて動作駆動力を変更することが可能な、プリエンファシス動作をサポートするデータ出力回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】インピーダンスコードＰＣＯＤＥ＜０：２＞，ＮＣＯＤＥ＜０：２＞の変動に応じて値が調節されるプリエンファシスコードＥＭ＿ＰＣＯＤＥ＜０：１＞，ＥＭ＿ＮＣＯＤＥ＜０：１＞を生成するコード生成部３６０と、出力データＰ＿ＤＡＴＡ，Ｎ＿ＤＡＴＡを受信してデータ出力パッドＤＱに駆動し、インピーダンスコードに応じて駆動力が調節されるメイン駆動部３１１〜３１３，３２１〜３２３と、出力データを受信してデータ出力パッドに駆動し、プリエンファシスコードに応じて駆動力が調節される補助駆動部３１４〜３１５，３２４〜３２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路において、ノーマリオン型トランジスタを利用したスイッチング素子への貫通電流を抑制する。
【解決手段】本発明による電力変換回路は、相互に直列接続されハーフブリッジ回路を構成するハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２と、ハイサイドトランジスタ１１及びローサイドトランジスタ１２のゲートを相補に駆動する２つの駆動回路２１、２２とを具備する。ハイサイドトランジスタ１１はノーマリオフ型トランジスタであり、ローサイドトランジスタ１２は、ノーマリオン型トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】受信動作への切換時に発生するノイズを抑制する。
【解決手段】受信回路１０は、圧電センサ２の受信信号ＳＰ及びＳＮを増幅するアンプ１５と、圧電センサ２の一端とアンプ１５の一端との間に並列接続されて受信動作への切換時に位相をずらしてオンされる複数のトランジスタ１１ａ及び１１ｂ（ないしは１２ａ及び１２ｂ）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子機器装置において、減電圧状態になった場合及び過電圧状態になった場合に、より確実に回路を保護する。
【解決手段】電子機器装置１は、第１の規定電圧値以下の電圧が電子機器装置１に供給される減電圧状態になった場合に、マイコン８をリセットさせ、第２の規定電圧値以上の電圧が電子機器装置１に供給される過電圧状態になった場合に、ヒューズ１０を溶断させる減電圧／過電圧検出回路１１を備える。減電圧／過電圧検出回路１１は、平滑用のコンデンサ４により平滑化された電圧（１次側電圧出力ラインＬ１から出力された電圧）を監視し、平滑用のコンデンサ４により平滑化された電圧に基いて、減電圧状態、及び過電圧状態を検出する。そして、減電圧／過電圧検出回路１１は、過電圧状態を検出した場合には、マイコン８をリセットさせ、過電圧状態を検出した場合には、ヒューズ１０を溶断させる。 （もっと読む）

【課題】電力制御回路、それを含む半導体装置及び該電力制御回路の動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の電力制御回路は、電源電圧とロジック回路との間に連結されてロジック回路への電源供給をスイッチングする回路であって、外部から並列的にモード転換信号を受信する複数の第１パワーゲーティングセルと、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つと連結される少なくとも１つの第２パワーゲーティングセルと、第２パワーゲーティングセルと直列連結される複数の第３パワーゲーティングセルと、直列連結された複数の第３パワーゲーティングセルのうち、先端の第３パワーゲーティングセルと並列連結される複数の第４パワーゲーティングセルとを含み、モード転換信号は、第１パワーゲーティングセルのうちの何れか１つ、第２及び第３パワーゲーティングセルを経て第４パワーゲーティングセルに伝達され、第１ないし第４パワーゲーティングセルのそれぞれは、各自のセルに入力されるモード転換信号に応答して電源供給をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト基準電位が下がった場合にスイッチング素子を安全且つ確実に停止できるレベルシフト回路。
【解決手段】レベルシフト電源に接続された抵抗R1にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN3、R1と同じ抵抗値を有しレベルシフト電源に接続された抵抗R2にドレインが接続されソースがグランドに接続されたＭＯＳＦＥＴMN4、入力信号に基づきMN3,MN4のオン／オフを制御するパルス生成回路10、MN3がオンである場合にセット信号を生成しMN4がオンである場合にリセット信号を生成する制御部MN1,MN2,R5,R6、制御部で生成されたセット信号とリセット信号とに基づき入力信号をレベルシフトした出力信号を出力しスイッチング素子Q1を動作させるフリップフロップFF1、レベルシフト基準電位が負電位に下がったことを検出してスイッチング素子を停止させるスイッチング動作停止部INV3,FF2,AD1を備える。 （もっと読む）

【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第１電流が流れる第１内部回路と、第２電流が流れる第２内部回路と、前記第１電流のうちの一部と前記第２電流のうちの一部は第１接地パッドに流れ、残りの前記第１電流と残りの前記第２電流は第２接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力が小さく抑えられ、出力される電位の振幅が小さくなるのを防ぐことができる、単極性のトランジスタを用いた半導体装置。
【解決手段】第１電位を有する第１配線、第２電位を有する第２配線、及び第３電位を有する第３配線と、極性が同じである第１トランジスタ及び第２トランジスタと、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第１電位を与えるか、第１トランジスタ及び第２トランジスタのゲートに第３電位を与えるかを選択し、なおかつ、第１トランジスタ及び第２トランジスタのドレイン端子に、１電位を与えるか否かを選択する複数の第３トランジスタと、を有し、第１トランジスタのソース端子は、第２配線に接続され、第２トランジスタのソース端子は、第３配線に接続されている半導体装置。 （もっと読む）

【課題】位相同期ループ（ＰＬＬ）における位相周波数検出器およびチャージポンプの線形動作を達成する。
【解決手段】位相周波数検出器は、基準信号とクロック信号とを受け取り、基準信号とクロック信号とに基づいて第１および第２の信号を生成し、第１の信号のみに基づいて第１および第２の信号をリセットする。第１および第２の信号は、それぞれ、ｕｐおよびｄｏｗｎの信号であってもよいし、それぞれ、ｄｏｗｎおよびｕｐの信号であってもよい。位相周波数検出器は、予め定められた量の分、第１の信号を遅らせ、遅れた第１の信号と第２の信号とに基づいて、リセット信号を生成し、リセット信号を用いて第１および第２の信号をリセットすることができる。チャージポンプは、第１および第２の信号を受け取り、基準信号とクロック信号との間の位相誤差を示す出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】発光装置に含まれる発光素子の発光輝度を周囲の情報に応じて調節する表示シス
テムを提供する。
【解決手段】本発明において、センサー２０１１が周囲の情報を電気信号として検出し、
これをＣＰＵ２０１３は、あらかじめ設定しておいた比較データに基づきＥＬ素子の発光
輝度を補正するための補正信号に変換する。この補正信号が電圧可変器２０１０に入力さ
れることにより、電圧可変器２０１０が所定の補正電位をＥＬ素子に印加する。以上の表
示システムによりＥＬ素子２００３の発光輝度を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】飛び込みの影響を軽減できるブートストラップ回路を提供する。
【解決手段】同一導電型の第１乃至第４ＴＲから構成され、第１ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は第２ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、他方のＳ／Ｄ領域には、２相のクロックのうち一方のクロックが印加され、ゲート電極は、第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域に接続され、第２ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域は電圧供給線に接続され、第３ＴＲにおいて、他方のＳ／Ｄ領域には入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加され、第１ＴＲのゲート電極と第３ＴＲの一方のＳ／Ｄ領域とは、第３ＴＲがオフ状態になると浮遊状態となるノード部を構成し、第４ＴＲにおいて、一方のＳ／Ｄ領域は、反転回路の入力側に接続されると共に、該反転回路の出力側と第２ＴＲのゲート電極とが接続されており、他方のＳ／Ｄ領域は入力信号が印加され、ゲート電極には他方のクロックが印加される。 （もっと読む）

【課題】通信線に現れるリンギング現象を効果的に抑制することができる通信システムを得る。
【解決手段】ＮＰＮバイポーラトランジスタＴ１１のエミッタは抵抗Ｒ１１の一端に接続されるとともに接地レベルに接続され、コレクタは抵抗Ｒ１２の一端及びコンデンサＣ１２の一方電極に接続され、ベースは抵抗Ｒ１１の他端及びコンデンサＣ１１の一方電極に接続される。コンデンサＣ１１の他方電極はＬライン通信線１０Ｌに接続される。ＰＮＰバイポーラトランジスタＴ１２のエミッタは電源電圧Ｖ１１を受け、コレクタはＮＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続される。ＮＭＯＳトランジスタＱ１１のドレインはＨライン通信線１０Ｈに接続され、ソースがＬライン通信線１０Ｌに接続され、ゲートは抵抗Ｒ１４を介して接地される。 （もっと読む）

【課題】負電圧の変化に対して正常な論理回路動作を確保できる範囲である動作ウィンドウの幅の拡張を可能とし、回路動作の確実性、安定性の向上を図った正負電圧論理出力回路を提供する。
【解決手段】論理入力と負電圧との間に、ゲートに論理入力するエンハンスメント型Ｐ型電界効果トランジスタＥＰＦＥＴ１とブレークダウン保護用素子１３，１４とが直列に接続され、ブレークダウン保護用素子１４に並列に短絡する切替スイッチ８ａが接続される。切替スイッチ８ａをオン、オフ制御することで、ＶＳＳの変動に対して正常な回路動作を確保できる動作ウィンドウの拡張を可能とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチ１１３のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第１のトランジスタ１１１を含む第１の駆動回路部１１０と、第１のスイッチ１１３と相補的に動作する第２のスイッチ１３３のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第２のトランジスタ１３１を含む第２の駆動回路部１３０と、第１の駆動回路部１１０と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第２のスイッチ１３３のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】出力信号を高速に変化させかつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。
【解決手段】入力信号を反転して出力する主ドライバ１１に加えて、補助ドライバ１２を設け、入力信号の電圧変化に応じて出力信号が第１の電圧レベルから第２の電圧レベルへ変化するときに、変化開始から主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えるまでの期間では信号変化を補助するように制御部１５により補助ドライバの動作を制御し、主ドライバの出力信号がある電圧レベルを超えてから第２の電圧レベルになるまでの期間に信号変化を抑制するように制御部により補助ドライバの動作を制御するようにして、出力信号における信号変化の高速性を向上させ、かつオーバーシュートやアンダーシュートを抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】駆動用のスイッチ素子によって出力端子からの出力を制御する半導体装置において、端子に静電気が印加されたときに、スイッチ素子をより確実に保護し得る構成を、装置構成の大型化を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１は、高電位側電源又は低電位側電源の一方からなる基準部にスイッチ素子の第１端子が接続され、出力端子Ｐ１にスイッチ素子の第２端子が接続されている。また、スイッチ素子と並列に第１保護素子が設けられている。また、基準部とは逆側の電源（他方部）と出力端子の間には第２保護素子が接続されている。そして、基準部とは逆側の電源（他方部）側には無効化手段が接続され、出力端子へのサージ電圧の印加によって駆動電圧が発生した場合に、当該駆動電圧の発生後の所定時間、制御入力端子への通電信号の入力を無効化し、所定時間の経過後に無効化を解除するように機能している。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】半導体スイッチに印加される電圧を抑制するために半導体スイッチに並列に接続された保護回路と、駆動回路の出力ゲート電圧が予め設定された電圧以上あることを検出し、半導体スイッチのオン・オフ状態を判別するゲート電圧検出手段と、半導体スイッチの主端子電圧を検出する主電圧検出手段と、駆動回路に与えられた駆動信号により、駆動指令がオン指令の場合はゲート電圧状態を選択し、駆動指令がオフ指令の場合は主電圧状態を選択する選択手段と、選択手段の出力を絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段と、選択手段が選択して出力したゲート電圧状態・主電圧状態と半導体スイッチの駆動指令とを比較し、半導体スイッチの正常又は異常を判別する判別手段とを備える。 （もっと読む）