【課題】出力アンプのスルーレートを、出力負荷変動があっても高精度に調整可能なスルーレート制御回路を提供すること。
【解決手段】制御時間設定回路がスルーレートを検出するタイミング信号を発生し、電圧比較回路が、出力アンプの出力信号と、上記のタイミング信号によるタイミングに応じた制御電圧との比較を行う。比較結果に応じて、出力アンプ制御回路が、出力アンプのバイアス電流を制御する。上記した処理を、スルーレート制御期間において複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増加を抑制しつつ電源投入時にレベルシフタの状態を確定させる技術を提供する。
【解決手段】信号レベル変換部（１１）と、安定化回路（１２）とを具備するレベルシフト回路を構成する。安定化回路（１２）は、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）と接続ノード（ＮＤ２）との接続を制御する第１スイッチ（Ｐ３）と、接続ノード（ＮＤ２）電圧に応答して接地電圧供給ノード（ＧＮＤ）と出力ノード（ＮＤ３）との接続を制御する第２スイッチ（Ｎ３）とを備えることが好ましい。そして、第１スイッチ（Ｐ３）は、第２電源電圧（ＶＤＤ）が、第１中間電圧を超えないときに、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）と接続ノード（ＮＤ２）とを接続する。また、第２スイッチ（Ｎ３）は、第２電源電圧供給ノード（ＮＤ１）の電圧に応答して、出力ノード（ＮＤ３）と接地電圧供給ノード（ＧＮＤ）とを接続する。 （もっと読む）

【課題】出力信号のデューティを保ちつつ消費電流の変化を低減する。
【解決手段】出力バッファ回路は、出力回路（３００）と、第１入力回路（２１０）と、第２入力回路（２２０）と、第１クランプ回路（１１０）と、第２クランプ回路（１２０）とを具備する。出力回路（３００）は、第１出力トランジスタ（Ｐ３０１）と第２出力トランジスタ（Ｎ３０１）とを備え、出力信号（ＶＯＵＴ）を出力する。第１クランプ回路（１１０）および第２クランプ回路（１２０）のそれぞれは、カスコード接続される第１導電型のトランジスタ（Ｐ１１１／Ｐ１２１）と、第２導電型のトランジスタ（Ｎ１１１／Ｎ１２１）とを備える。第１クランプ回路（１１０）は、所定の期間第１入力回路（２１０）の出力電圧（ＶＡ１）をクランプする。第２クランプ回路（１２０）は、所定の期間第２入力回路（２２０）の出力電圧（ＶＡ２）をクランプする。 （もっと読む）

【課題】信号波形の変異を抑制すること。
【解決手段】第１のトランジスタＴ１は、信号Ｓ３に応答してオンオフし、オンしたトランジスタＴ１は外部端子Ｐ２に接続された伝送路２７をプルダウンする。伝送路２７のレベルは、トランジスタＴ１のゲートと外部端子Ｐ２とをＡＣカップリングするキャパシタＣ１により、キャパシタＣ１の容量値に応じた傾きで立ち下がる。プルダウン回路４４は、外部端子Ｐ２の電位に応じて、トランジスタＴ１のゲート電圧をプルダウンする。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加に制限があるスイッチング素子を高い周波数で高速にスイッチングできる半導体スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ダイオードＤａ１及びスイッチＳａ１，スイッチＳａ２及びダイオードＤａ２で正側，負側直列回路を夫々構成し、コンデンサＣ１，Ｃ２を正側，負側直列回路に夫々並列に接続し、スイッチＳａ１，Ｓａ２によりゲート駆動用電源３とコンデンサＣ１，Ｃ２の間の接続形態を切替える。スイッチＳ１及びＳ２の共通接続点とＦＥＴ１のゲートとの間に抵抗素子Ｒｇを接続し、前記ゲートとゲート駆動用電源３の正側端子との間にスイッチＳ３を配置する。通電制御回路４は、スイッチＳａ１，Ｓａ２，Ｓ１〜Ｓ３を制御してコンデンサＣ１，Ｃ２を充電する経路，ＦＥＴ１のゲートを充電する経路，ゲートの電位が電圧ＶＧを超えようとする際にゲート駆動用電源３に還流電流を流す経路と、ＦＥＴ１のゲートを放電する経路を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流制御用トランジスタ、電流検出用抵抗及びオフ駆動用スイッチング素子の少なくともいずれかの異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時のミラー期間Ｔｍの終了時ｔ４におけるＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がミラー電圧Ｖｍより高い場合、電流制御用ＦＥＴ１２１ａのショート故障、又は、電流検出用抵抗１２１ｂのショート故障が発生していると判断する。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧の立ち上がり時ｔ２を基準として、所定時間Ｔ１経過後のｔ４におけるＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧に基づいて異常を検出する。これにより、電流制御用ＦＥＴ１２１ａ又は電流検出用抵抗１２１ｂの異常を検出するころができる。 （もっと読む）

【課題】回路規模及び消費電流の増大を抑制しながら識別対象電圧の大きさを精度良く識別することができる電圧識別装置及び時計用制御装置を提供する。
【解決手段】基準電圧生成回路１２と、被印加線１８並びに電圧線ＶＳＨ及び接地線ＧＮＤが導通可能となるように電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に挿入されると共に、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさに応じてスイッチングを行うスイッチング回路２０を備え、被印加線１８に印加された識別対象電圧の大きさと閾値とを比較することにより識別対象電圧の大きさを識別する識別回路１４と、識別回路１４に対して識別対象電圧の大きさを識別させる間、電圧線ＶＳＨと接地線ＧＮＤとの間に流れる電流の大きさが所定の大きさに保たれるようにスイッチング回路２０と接地線ＧＮＤとの間の抵抗２２を制御可能とする制御部１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】単電源駆動で、歪が小さく、大振幅の信号出力電圧が得られるドライバ回路を提供する。
【解決手段】１は入力端子、２、３は出力端子、４は第１の反転型オペアンプ、５は第２の反転型オペアンプ、６は非反転型オペアンプ、７はトランス、８は正電源電圧ＶＣＣ、９はアナロググランドＡＧＮＤ（ＶＣＣ／２）、１０はグランドＧＮＤ（０Ｖ）を示す。第１の反転型のドライバ用オペアンプの出力を第２の反転型のドライバ用オペアンプと非反転型のドライバ用オペアンプで受け、それらの出力を差動構成とすることで、低電圧での単電源駆動でも大振幅で、歪の小さい出力信号電圧が得られる構成とした。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路１０３は、前記昇圧指示信号がＬレベルの間は、制御電源１０２の所定電圧Ｖ１をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がＨレベルの間は、前記所定電圧Ｖ１を昇圧した電圧Ｖ２を出力する。駆動信号出力回路１０４は、ＰＷＭパルス出力回路１１１から出力されるＰＷＭパルスの電圧を電圧制御回路１０３から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路１０４からスイッチング素子１１への駆動信号は、前記ＰＷＭパルスがＨレベルになった時に、先ず昇圧された電圧Ｖ２となり、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧Ｖ１となる。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく、出力トランジスタのしきい値電圧がばらついてもノイズを抑えつつターンオフ時間を短縮する。
【解決手段】駆動信号ＳｄがＬの時、トランジスタＴ１がオン、Ｔ２がオフしてＶGS(T3)がほぼ電源電圧Ｖccに等しくなりトランジスタＴ３がオンする。駆動信号ＳｄがＨになるとトランジスタＴ１がオフ、Ｔ２がオンする。トランジスタＴ４がオンするので抵抗Ｒ２がバイパスされ、トランジスタＴ３のゲート電荷はトランジスタＴ４、Ｔ２を通して急速に放電する。ＶGS(T3)がＶth(T4)＋ＶDS(T2)よりも低下すると、トランジスタＴ４はオフとなり、以後はトランジスタＴ３のゲート電荷が抵抗Ｒ２とトランジスタＴ２を通して緩やかに放電する。トランジスタＴ３、Ｔ４のしきい値電圧は一致する傾向があるので、ＶGS(T3)がＶTH(T3)に低下した時点でトランジスタＴ４をオフできる。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子のスイッチング特性におけるトレードオフ関係を改善する駆動回路を提供すること。
【解決手段】駆動回路１は、ゲート抵抗Ｒ１とそのゲート抵抗Ｒ１に対して並列に接続されている分岐回路部２３を備えている。分岐回路部２３は、分岐ゲート抵抗Ｒ３とツェナーダイオードＺＤ１を有するとともに、分岐ゲート抵抗Ｒ３とツェナーダイオードＺＤ１が直列に接続されている。ツェナーダイオードＺＤ１のカソードが駆動電源Ｖ１の正極端子１４側に接続されており、ツェナーダイオードＺＤ１のアノードがトランジスタＴｒ１の制御端子１２側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のゲート電流を所望の電流値に高精度に設定でき、スイッチング損失の低減が可能な電圧駆動型スイッチングデバイスの駆動回路を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１のゲート端子に接続され、駆動用パルス信号２のオン／オフゲート制御信号に基づき、ＩＧＢＴ１をターンオン／ターンオフさせるゲート信号を前記ゲート端子に出力するゲート駆動定電流回路が示されている。このゲート駆動定電流回路は、正電源３とＧＮＤ電位４間に直列に接続された第１の抵抗５と第１のトランジスタ１５と第２の抵抗６と制御信号伝達トランジスタ７、および正電源３とＩＧＢＴ１のゲート端子間に直列に接続されたゲートオン抵抗８と定電流出力トランジスタ９を備え、第１のトランジスタ１５のベース端子は第１のトランジスタ１５のコレクタ端子と短絡接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード４０およびクランプ用スイッチング素子４２を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン操作指令に伴い、まず制限用電圧ＶＬを端子電圧とする直流電圧源２５を電源とし、定電流用スイッチング素子２７を用いてスイッチング素子Ｓ＊＃のゲート充電処理を行う。そして、所定時間が経過することで、定常用電圧ＶＨ（＞ＶＬ）を端子電圧とする直流電圧源２２を電源とし、定電圧用スイッチング素子２３を用いてスイッチング素子Ｓ＊＃のゲート充電処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高電位側スイッチ素子の十分な駆動電圧を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、入力電圧用端子、出力用端子、接地電位用端子、電源電圧用端子、第１端子を有し、入力電圧用端子と出力用端子との間にソースードレイン経路を有する第１ＭＯＳを含む第１チップ、出力用端子と接地電位用端子との間にソースードレイン経路を有する第２ＭＯＳを含む第２チップ、第１ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第１駆動回路、第２ＭＯＳのゲートにその出力が接続された第２駆動回路、電源電圧用端子に接続されたドレインと、第１端子に接続されたソースとを有するＰＭＯＳとを含む第３チップが一つのパッケージ内に封止され、第１端子と出力用端子との間に容量が接続可能とされ、第２ＭＯＳがオンとされるとき、ＰＭＯＳはオンとされ、第２ＭＯＳがオフとされるとき、ＰＭＯＳはオフとされる。 （もっと読む）

【課題】電気負荷に電流を流す複数の各トランジスタが設けられている並列な通電用配線の断線を、各トランジスタに大きな電流負担をかけることなく、また電気負荷への通電を中断してしまうことなく検出する。
【解決手段】２つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によりリレーのコイル１３ａに通電するＥＣＵ１１では、コイル１３ａへの通電期間中に、電圧変動制御部３１が、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２へのゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２の各々を定期的に且つ互いに時間をずらして所定時間だけ低下させることにより、一方のトランジスタの通電能力が落ちてドレイン・ソース間電圧が所定値以上になる期間を発生させる。そして、故障判定部３２は、各トランジスタのソース電圧ＶＳ１，ＶＳ２の差が所定の閾値以上になったことを検知すると、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている通電用配線Ｌ１，Ｌ２の負荷側部分ＬＳ１，ＬＳ２の何れかが断線していると判断する。 （もっと読む）

【課題】電気負荷に電流を流す複数の各トランジスタが設けられている並列な通電用配線の断線を、各トランジスタに大きな電流負担をかけることなく、また電気負荷への通電を中断してしまうことなく検出する。
【解決手段】トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２によりリレーのコイル１３ａに通電する装置１１では、コイル１３ａへの通電期間中に、電圧変動制御部３１が、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２へのゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２の両方を定期的に所定時間だけ低下させることにより、両トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の通電能力が落ちてドレイン・ソース間電圧が所定値以上になる検査用期間を発生させ、該検査用期間中に、故障判定部３２が、各トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２のドレイン・ソース間電圧を監視し、ドレイン・ソース間電圧が判定値未満のトランジスタがあれば、該トランジスタが設けられている通電用配線の反負荷側部分（ＬＤ１又はＬＤ２）が断線していると判定する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化または小型化を実現可能なマルチバンド対応の高周波モジュールおよび無線通信システムを提供する。
【解決手段】例えば、高周波電力増幅装置ＨＰＡＩＣ１は、ＧＳＭ用のパワーアンプ回路部ＰＡＢＫ＿ＬＢ（ＰＡＢＫ＿ＨＢ）と、ＧＳＭかＷ−ＣＤＭＡかを選択するモード設定信号Ｍｃｔｌを受けて、アンテナスイッチ制御信号ＳｃｔｌをＶＳＷ１レベルかＶＳＷ２レベルで出力する制御回路を備える。ＶＳＷ２は、発振回路ＯＳＣからのクロック信号を用いてＶＳＷ１を昇圧することで生成される。ＨＰＡＩＣ１は、ＭｃｔｌによってＧＳＭが選択された際には、ＯＳＣを停止させると共にＶＳＷ１レベルのＳｃｔｌをアンテナスイッチ装置ＡＮＴＳＷに出力し、ＭｃｔｌによってＷ−ＣＤＭＡが選択された際には、ＯＳＣを用いてＶＳＷ２レベルのＳｃｔｌをＡＮＴＳＷに出力する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】マルチモードシステムにおいてＳＯＩ基板上に形成された高周波スイッチの挿入損失特性を改善する。
【解決手段】少なくとも１つの第１ポート１０および第２ポート２０、共通ポート３０、第１および第２シリーズスイッチ４０，５０を有する。第１ポート、第２ポートは、各々高周波信号を入力または出力する。共通ポートは、第１ポートまたは第２ポートを介して入出力される高周波信号を送信または受信する。第１シリーズスイッチは、少なくとも１つの第１のＦＥＴを備え、第１のＦＥＴのゲートに接続される第１ゲート抵抗への印加電圧に応じて第１ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。第２シリーズスイッチは、少なくとも１つの第２のＦＥＴを備え、第２のＦＥＴのゲートに接続され、第１ゲート抵抗よりも大きな抵抗値を有する第２ゲート抵抗への印加電圧に応じて第２ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。 （もっと読む）

【課題】送信端子および受信端子に求められる特性を考慮して設計されたＦＥＴを有する高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。 （もっと読む）