【課題】電源電圧の低下による外部出力信号のばらつきを抑制する。
【解決手段】内部入力信号Ａの電位がグランド側からＶＤＤ側、あるいはＶＤＤ側からグランド側へ変化するのに応じて、出力部１は外部出力信号ＥＢの電位を変化させる。差動部２は、外部出力信号ＥＢと、所定の基準信号ＶＲＥＦとに応じた出力信号を出力し、外部出力信号ＥＢが所定の基準信号ＶＲＥＦに応じた電位となるようボルテージフォロアとして機能する。これにより、外部出力信号ＥＢの低電圧側出力電圧ＶＯＬのばらつきを抑制する。 （もっと読む）

【課題】マルチモードシステムにおいてＳＯＩ基板上に形成された高周波スイッチの挿入損失特性を改善する。
【解決手段】少なくとも１つの第１ポート１０および第２ポート２０、共通ポート３０、第１および第２シリーズスイッチ４０，５０を有する。第１ポート、第２ポートは、各々高周波信号を入力または出力する。共通ポートは、第１ポートまたは第２ポートを介して入出力される高周波信号を送信または受信する。第１シリーズスイッチは、少なくとも１つの第１のＦＥＴを備え、第１のＦＥＴのゲートに接続される第１ゲート抵抗への印加電圧に応じて第１ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。第２シリーズスイッチは、少なくとも１つの第２のＦＥＴを備え、第２のＦＥＴのゲートに接続され、第１ゲート抵抗よりも大きな抵抗値を有する第２ゲート抵抗への印加電圧に応じて第２ポートと共通ポートとの間を導通または遮断する。 （もっと読む）

【課題】送信端子および受信端子に求められる特性を考慮して設計されたＦＥＴを有する高周波半導体スイッチを提供する。
【解決手段】高周波半導体スイッチ１０は、複数の電界効果型トランジスタ５０を有する。複数の電界効果型トランジスタ５０は、それぞれ、基板１００に間隔を置いて形成されたソース領域１３０およびドレイン領域１４０と、当該間隔上であって基板１００上に形成されたゲート１６０と、基板１００上に形成されソース領域に接続されるソースコンタクト１７２と、基板１００上に形成されドレイン領域１４０に接続されるドレインコンタクト１８２とを含む。受信端子側に接続される受信端子側トランジスタ５０ａのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｒは、送信端子側に接続される送信端子側トランジスタ５０ｃのソースコンタクト１７２およびドレインコンタクト１８２間の距離Ｌｔよりも長い。 （もっと読む）

【課題】入力電圧範囲の大きな半導体スイッチ装置を提供する。
【解決手段】外部から入力される制御電圧に応じて第１端子および第２端子間を電気的に接続または切断するスイッチ装置であって、第１端子および第２端子の間にソースおよびドレインが接続され、当該スイッチ装置に入力される入力電圧とゲート電圧との差に応じてオンまたはオフとなるメインスイッチと、制御電圧および入力電圧に応じて第１基準電圧を電圧シフトさせた駆動電圧をメインスイッチのゲートに供給する制御部と、を備えるスイッチ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝達経路における高調波特性を良好に維持しつつ、回路規模が縮小された高周波スイッチを提供する。
【解決手段】１つの送信ポート１０と、１つの受信ポート２０と、共通ポート３０と、送信側シリーズスイッチ４０と、送信側シャントスイッチ５０と、受信側シリーズスイッチ６０と、受信側シャントスイッチ７０とを有する。送信ポートは、送信信号を入力し、受信ポートは、受信信号を出力し、共通ポートは、送信信号を送信するか、または受信信号を受信する。送信側シリーズスイッチは、送信ポートと共通ポートとの間に接続され、送信側シャントスイッチは、送信ポートとグランドとの間に接続され、受信側シリーズスイッチは、受信ポートと共通ポートとの間に接続され、夫々のスイッチはボディコンタクト型ＦＥＴである。受信側シャントスイッチは、受信ポートとグランドとの間に接続され、フローティングボディ型ＦＥＴである。 （もっと読む）

【課題】電磁負荷を駆動する内燃機関制御装置において、電磁負荷の駆動周期が短い場合でも、該電磁負荷の故障診断精度を向上させ、ノイズに影響されない高速制御を安定して行う。
【解決手段】電磁負荷制御装置において、前記電圧異常を検出する手段をマスクするためのマスク手段を備え、前記マスク手段は、前記電圧異常の検出タイミングを、電磁負荷遮断と電磁負荷の通電とが繰り返される電磁負荷の通電開始タイミングに合わせて設定してあり、電磁負荷の通電遮断時より一定時間を内部タイマによってカウントすることにより、前記一定時間内に検出された電圧異常の誤検出をマスクするように構成する。 （もっと読む）

【課題】より高速駆動に対応でき、かつ、消費電流を低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】ダーリントン回路によってスイッチングデバイス２を駆動するようにし、ダーリントン回路を構成する第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５と第２ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６のドレインを共にスイッチングデバイス２を構成するＩＧＢＴのゲートに接続する。これにより、第２ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６の駆動電流もＩＧＢＴの駆動に用いることができるため、消費電流を低減できると共に、より大電流でのＩＧＢＴ駆動が可能になるため高速駆動を行うことができる。また、第２抵抗４と並列的にスイッチ１０を備え、このスイッチ１０をプルアップ駆動時にオンさせる。これにより、プルアップ駆動時に第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５のゲート−ソース間の抵抗値を低下させることが可能となり、駆動スピードが低下することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非反転増幅によるＦＥＴドライブ回路を提供する。
【解決手段】第１基準電圧出力部と、入力端子および第１基準電圧出力部の間に位置する第１端子および第２端子の間に設けられ、第１端子から第２端子へと流れる電流に応じて電圧を降下させる第１電圧降下部と、第１端子および出力端子の間に接続された第１電流源と、第２基準電圧を出力する第２基準電圧出力部と、出力端子および第２端子の間に設けられ、第２基準電圧と第２端子の電圧との差に応じてオンまたはオフとなる第１スイッチ部と、第１スイッチ部がオンおよびオフの状態における第１電圧降下部が降下させる電圧の変化を補償する補償部と、を備える駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポジティブエッジの波形、ネガティブエッジの波形の少なくとも一方を調節可能なドライバ回路を提供する。
【解決手段】分岐回路１０は、送信すべき入力信号Ｓ_ＩＮを複数の経路１２に分岐する。各タイミング調節回路２０は、それぞれが対応する経路に分岐された送信すべき信号Ｓａのポジティブエッジおよびネガティブエッジの少なくとも一方に遅延を与える。合成出力回路３０は、複数のタイミング調節回路２０の出力信号Ｓｂを合成し、合成された信号Ｓ_ＯＵＴを伝送線路３に出力する。 （もっと読む）

【課題】 出力端子から出力される電圧値に応じて複数種の中から選択される耐圧に設定される集積回路装置等の提供すること。
【解決手段】 第１の耐圧を有する第１の出力トランジスター構造Ｔｒ＿Ｍ１，Ｔｒ＿Ｍ２と、第１の耐圧よりも高い第２の耐圧を有する第２の出力トランジスター構造Ｔｒ＿Ｈ１，Ｔｒ＿Ｈ２とが形成された半導体基板に、マスクを変えて配線して所定の耐圧に設定される集積回路装置である。配線により第１の耐圧が選択されると、第１，第２の出力トランジスター構造の双方が出力端子ＯＵＴと接続され、第２の出力トランジスター構造は、ダイオード接続されて静電気保護素子Ｄ１，Ｄ２を形成する。配線により第２の耐圧が選択されると、第１の出力トランジスター構造は出力端子ＯＵＴに非接続とされ、第２の出力トランジスター構造が出力端子ＯＵＴと接続される第２耐圧出力段トランジスターを形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動信号を電源用トランスによって適切に伝達することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動信号を電源用トランス２により絶縁伝達するゲート駆動回路１であって、一次側電圧の駆動タイミングを生成するタイミング生成部４と、駆動タイミングに基づいて一次側電圧を出力するトランス駆動回路部３と、二次側電圧に含まれるパターン信号でゲート駆動信号を検出するパターン検出部６及びフリップフロップ回路部８とを備え、タイミング生成部４は、ゲート駆動信号を時間Ｔ１だけ遅延させ、ゲート駆動信号の極性反転タイミングから時間Ｔ１経過までの期間は一次側電圧Ｖ_Ｔ１の極性反転を禁止し、時間Ｔ１経過直後にゲート駆動信号に応じて時間Ｔ１よりも短い時間幅Ｔ２,Ｔ３をもつパルス状極性反転を有するパターン信号が一次側電圧Ｖ_Ｔ１に含まれるように駆動タイミングを生成する。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 パワーオンまたはパワーダウンを検出するリセット回路を誤動作することなく動作させ、パワーオン時にリセット信号を正常に出力する。
【解決手段】 電源検出回路は、電源電圧が第１電圧を超えたときにパワーオン状態を示すパワーオン信号を活性化するとともに、初期化信号の活性化中に初期化される。スタータ回路は、電源電圧線と接地線の間に直列に配置された抵抗素子、遮断スイッチおよびキャパシタを有し、抵抗素子と遮断スイッチとを接続する第１接続ノードから初期化信号を出力する。遮断スイッチは、パワーオン信号の活性化中にオフする。このため、パワーオン状態中に、抵抗素子を介してキャパシタが充電されることを防止できる。この結果、キャパシタのＴＤＤＢの劣化を確実に防止でき、リセット回路を搭載する半導体装置およびシステムの誤動作を防止できる。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサとクロック分割回路との間における相互の電源ノイズの影響を低減する。
【解決手段】外部クロック信号ＣＫに基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫ１を生成するＤＬＬ回路１００と、内部クロック信号ＬＣＬＫ１に基づいて、互いに位相の異なる内部クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂを生成するクロック分割回路２００と、内部データ信号ＣＤ，ＣＥに基づいて、クロック信号ＬＣＬＫ２，ＬＣＬＫ２Ｂにそれぞれ同期した内部データ信号ＤＱＰ，ＤＱＮを出力するマルチプレクサ３００とを備える。クロック分割回路２００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ２とマルチプレクサ３００に供給される内部電源電圧ＶＰＥＲＩ３は、互いに異なる電源回路８２，８３によって生成され、且つ、該半導体装置内で分離されている。これにより、相互にノイズの影響を及ぼし合うことがなくなる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを用いたスイッチ回路を有するデジタル回路において、電源電圧、入力信号の振幅、トランジスタのしきい値電圧の関係に応じて適切に入力信号を補正し、好適な回路動作を可能とする。
【解決手段】電源電位（ＶＤＤ、ＶＳＳ）が供給される第１のトランジスタ（３２、３３）を有するスイッチ回路（３１）と、入力信号が印加される入力端（ＩＮ）と第１のトランジスタの制御端子（ゲート）との間に接続された補正回路（３４、３６）とを有し、前記制御端子と入力端との間に接続された容量（Ｃ２、Ｃ３）と、該容量と前記制御端子との間のノード（Ｎ５、Ｎ６）と電源電位との間に設けられた、第１のトランジスタと概ね同じしきい値を有するダイオード接続された第２のトランジスタ（３５、３７）と、第２のトランジスタに直列に接続されたスイッチ（ＳＷ２、ＳＷ３）とを有するデジタル回路（３０）を提供する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で高速シリアル伝送が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、インタフェース部と、駆動回路部と、スイッチ部と、電源回路部と、を備えた半導体装置が提供される。前記インタフェース部は、フローティング状態のバックゲートを有しＳＯＩ基板上に設けられた第１のＭＯＳＦＥＴを含み、入力したシリアルデータの端子切替信号をパラレルデータに変換する。前記電源回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記ＳＯＩ基板上に設けられた第２のＭＯＳＦＥＴを含み、前記インタフェース部に供給される電源の電位よりも高いオン電位を生成する。前記駆動回路部は、ソースに接続されたバックゲートを有し前記ＳＯＩ基板上に設けられた第３のＭＯＳＦＥＴを含み、前記パラレルデータに応じて、前記オン電位をハイレベルとする制御信号を出力する。前記スイッチ部は、前記ＳＯＩ基板上に設けられ、前記制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、高周波スイッチ回路の高周波特性の良否を簡便に判定することができる半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、複数の高周波端子と、共通高周波端子と、の間の信号経路を、前記高周波端子と前記共通高周波端子との間に直列に設けられた複数のＦＥＴにより切り替える高周波スイッチ回路を有する半導体装置であって、前記共通高周波端子に接続された複数のＦＥＴを含む半導体スイッチと、前記半導体スイッチを介して前記共通高周波端子に接続された発振回路と、前記発振回路の出力を入力とする検波回路と、前記検波回路の出力端子と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンピュータとＣＰＵを安全かつ確実にリセットして正常起動させる。
【解決手段】第１制御回路４１は第２電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ２０は第１電圧をレギュレートして生成した第２電圧を第１制御回路４１に供給し、第２制御回路４２は第３電圧が動作電圧に達したときにリセット信号が入力されていれば初期化後に起動し、レギュレータＩＣ３０は、第３電圧をレギュレートして生成した第４電圧を第２制御回路４２に供給する機器において、リセット回路１００は、第１電圧が第５電圧を超えて１５０ｍｓが経過するまでリセット信号の出力を継続させ、第１電圧が第５電圧を超えてから１５０ｍｓが経過するとリセット信号の出力を停止する。（第１電圧≧第２電圧、第３電圧≧第４電圧、第１電圧＞第３電圧、第５電圧＞第２電圧） （もっと読む）

【課題】オン時にパワー素子の立ち上がりが遅くなることを抑制し、負荷への電力供給のバラツキを抑制する。
【解決手段】スイッチ部１３およびインピーダンス制御回路１４とにより構成されたクランプ動作オフ固定回路を備える。このクランプ動作オフ固定回路により、駆動電圧がクランプオフ制御基準電圧に相当する参照電圧ＲＥＦ２以下のときには、インピーダンス制御回路１４にてスイッチ部１３を導通させることで、クランプ制御回路８によるクランプ動作をオフさせる。これにより、スイッチング時の基準電圧の変動などによって過渡的にノイズが発生しても、パワー素子５がオン動作を開始するときにクランプ制御回路８が誤動作することを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】外乱ノイズが侵入した場合でも、通信線の信号レベルの変動をより確実に防止できる通信ドライバ回路を提供する。
【解決手段】通信ドライバ部１１は、信号バス１７にノイズが印加されると、信号レベル変化阻止回路１４が、出力段がオープンコレクタタイプで構成される反転増幅回路１３の出力信号がローレベル側に変化することを阻止するように動作する。 （もっと読む）