【課題】回路用電源電圧としてむやみに高い電圧を用いることなく、シャント抵抗の低電位側端子の電圧がグランド電位付近となる異常が原因で生じる過電流を検出する。
【解決手段】検出電流出力部１１は、シャント抵抗Ｒｓの各端子電圧を入力し、その入力した電圧から負荷２に流れる電流に応じた検出電流を出力する。過電流判定部１２は、検出電流に基づいて負荷２に過電流が流れているか否かを判定する。検出電流出力部１１において、通常時に駆動用電源電圧Ｖｄに近い電圧が印加される部分と、回路用電源電圧Ｖｃに近い電圧が印加される部分との間の経路に第１ダイオードＤ１および第２ダイオードＤ２を逆方向に介在させることにより、第１トランジスタＴ１および第２トランジスタＴ２がブレークダウンして電流が流れることを阻止する。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子１ｂから所定距離離間した位置にゲート制御端子５を備え、サージ発生時にドレイン端子１ｂとゲート制御端子５との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子５にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子１のゲートを充電し、パワー半導体素子１をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子１ｂに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子１が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】負荷、電源などの動作条件が変化しても、電磁妨害等を引き起こす周波数帯域の成分が除去された駆動信号を出力する。
【解決手段】負荷５に与えられる駆動信号をハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタからなる検出用フィルタ１７を介して検出し、その検出駆動信号をバンドギャップ回路１８に入力する。バンドギャップ回路１８は、固有の周波数特性を有し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の周波数成分が含まれていると出力電圧が低下する特性を持つ。制御回路２８は、バンドギャップ回路１８の出力電圧を基準電圧と比較し、検出駆動信号に固有の周波数帯域内の信号成分が含まれるか否かを判定する。含まれる場合には、ローパスフィルタ１３により駆動信号から当該周波数帯域内の信号成分を除去する。 （もっと読む）

【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第２のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第１及び第２のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第２のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート−ソース間に加わる電圧を耐圧電圧未満に制限する際に消費電流の増加を抑制する。
【解決手段】ｐＭＯＳトランジスタＭ１がオフし、かつｎＭＯＳトランジスタＭ２がオンしたとき、ツェナーダイオードＺＤ２により、ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間の電圧を一定電圧に制限する。ｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子との間に耐圧電圧よりも高い電圧が加わることを避けることが可能になる。このとき、定電流電源２０ｂが電源からツェナーダイオードＺＤ２を通してグランドに流れる電流を制限する。電源からトランジスタＭ３、Ｍ５ｂ、Ｍ６ｂを通してｎＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子に流れる電流をｎＭＯＳトランジスタＭ６ｂが制限する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。
【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子１のセンス端子に流れるセンス電流を電圧（センス電圧）に変換するセンス抵抗４と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子１の保護動作を行う過電流保護回路３とを備える。過電流保護回路３は、上記閾値を、第１基準電圧Ｖ_REF1またはそれよりも低い第２基準電圧Ｖ_REF2に切り替えることができる。過電流保護回路３は、スイッチング素子１が定常状態のときは、上記閾値を第２基準電圧Ｖ_REF2とし、スイッチング素子１のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第１基準電圧Ｖ_REF1に設定する。 （もっと読む）

【課題】過電流検出抵抗の温度特性の影響をキャンセルすることのできる過電流保護回路を提供する。
【解決手段】基準抵抗と第１定電流源との第１接続点には、該第１接続点の電位の温度特性が、過電流検出抵抗の電圧検出端子の電位の温度特性と等しくなるように、第１接続点に対して正の温度特性を有する第２定電流を供給する第２定電流源が接続されている。第２定電流源は、負の温度特性を有する第３定電流を供給する第３定電流源と、温度特性を有さない第４定電流を供給する第４定電流源と、第３定電流源に対して直列接続された第１トランジスタと、第４定電流源に対して直列接続された第２トランジスタと、により構成された第１カレントミラー回路と、第４定電流源と第２トランジスタとの接続点に接続され、第１接続点に第２定電流を供給するための電流経路と、を有する。第３定電流源は、過電流検出抵抗と同じ基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動に適した推奨値からずれた電気的特性を持つ負荷を駆動した場合でも誤検出を極力防止する。
【解決手段】しきい値生成回路１１は、抵抗１３、１４にしきい値生成電流ＩTH、ＩTLを流してしきい値電圧ＶTH、ＶTLを生成し、コンパレータ１２はシャント抵抗７の検出電圧Ｖａと比較して過電流検出信号Ｓｃを得る。しきい値補正回路１７は、平均負荷電流、負荷電流の交流変化分、電源電圧ＶＢが大きいほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やし、負荷４の温度が低いほどしきい値電圧ＶTH、ＶTLを増やす。 （もっと読む）

【課題】制御電源電圧が低下した場合においても、半導体デバイスの熱破壊を防止することが可能なパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワーモジュール１００は、半導体デバイス１０のＩＧＢＴ１１を駆動する駆動回路２０と、ＩＧＢＴ１１のコレクタ電流がトリップレベルに達したときにＩＧＢＴ１１の保護動作を行う保護回路３０と、駆動回路２０に供給される制御電源電圧Ｖ_Dを検出する制御電源電圧検出回路４０とを備える。保護回路３０は、制御電源電圧Ｖ_Dが所定値よりも低くなると、センス抵抗を抵抗Ｒ₁から抵抗Ｒ₁，Ｒ₂の直列回路に切り替えることで、トリップレベルを下げる。 （もっと読む）

【課題】所定のスイッチング動作を実行しつつ、破壊耐性を向上することが可能なハイサイドスイッチ回路を提供する。
【解決手段】電源電圧をスイッチングして出力するハイサイドスイッチ回路１００は、電源電圧Ｖｃｃが印加される電源端子１に一端が接続された第１の出力ＭＯＳトランジスタＭ１、第１の出力ＭＯＳトランジスタの他端に一端が接続され電圧出力端子２に他端が接続された第２の出力ＭＯＳトランジスタＭ２、第１の出力ＭＯＳトランジスタに流れる電流の検出信号を出力する電流検出回路６、第１の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第１の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第１の制御電圧を印加する第１のゲートドライバ４、第２の出力ＭＯＳトランジスタが線形領域で動作するように第２の出力ＭＯＳトランジスタのゲートに第２の制御電圧を印加する第２のゲートドライバ５を備える。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】駆動用のスイッチ素子によって出力端子からの出力を制御する半導体装置において、端子に静電気が印加されたときに、スイッチ素子をより確実に保護し得る構成を、装置構成の大型化を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１は、高電位側電源又は低電位側電源の一方からなる基準部にスイッチ素子の第１端子が接続され、出力端子Ｐ１にスイッチ素子の第２端子が接続されている。また、スイッチ素子と並列に第１保護素子が設けられている。また、基準部とは逆側の電源（他方部）と出力端子の間には第２保護素子が接続されている。そして、基準部とは逆側の電源（他方部）側には無効化手段が接続され、出力端子へのサージ電圧の印加によって駆動電圧が発生した場合に、当該駆動電圧の発生後の所定時間、制御入力端子への通電信号の入力を無効化し、所定時間の経過後に無効化を解除するように機能している。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子に並列に接続される保護回路の異常を検出できる半導体スイッチ素子の制御回路を得る。
【解決手段】半導体スイッチに印加される電圧を抑制するために半導体スイッチに並列に接続された保護回路と、駆動回路の出力ゲート電圧が予め設定された電圧以上あることを検出し、半導体スイッチのオン・オフ状態を判別するゲート電圧検出手段と、半導体スイッチの主端子電圧を検出する主電圧検出手段と、駆動回路に与えられた駆動信号により、駆動指令がオン指令の場合はゲート電圧状態を選択し、駆動指令がオフ指令の場合は主電圧状態を選択する選択手段と、選択手段の出力を絶縁して低圧回路に伝達する第一の信号絶縁手段と、選択手段が選択して出力したゲート電圧状態・主電圧状態と半導体スイッチの駆動指令とを比較し、半導体スイッチの正常又は異常を判別する判別手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】実際に発生しているフライバックエネルギーを定量的に評価した上で保護動作を行うことができるスイッチング素子の制御装置を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２を介してコイル１に供給される電流をセンスＭＯＳＦＥＴ６及び検出用抵抗素子２１により検出し、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた際に発生し、ドレインに印加される逆起電圧をクランプ回路３によってクランプする。電流検出回路２４は、クランプ回路３に発生するクランプ電圧によりＮチャネルＭＯＳＦＥＴがターンオンした際に、検出用抵抗素子２１に流れる電流を複数の閾値と比較し、保護動作部２６は、電流検出回路２４の比較結果により、前記電流がＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２をターンオフさせた時点からの時間経過に対応する特定の閾値を超えていると判定されると、逆起電圧に基づくエネルギーを減少させるようにＮチャネルＭＯＳＦＥＴ２の制御状態を変更する。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の電流駆動型半導体スイッチ８の駆動回路は、駆動回路における電力損失を抑制するためにスイッチやスイッチを制御するための手段が必要となり部品点数が増える。
【解決手段】電源１と電流駆動型半導体スイッチ８のベース又はゲート端子の間に接続される負の温度特性を有する第１の可変抵抗１０と、前記電流駆動型半導体スイッチ８のコレクタ又はドレイン電流による動作損失により過熱される熱伝導部１１を備え、前記第１の可変抵抗１０を前記熱伝導部１１により熱が供給されるように配置する。
本発明により、簡単な構成で部品点数を増やすことなく駆動回路における電力損失を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】並列に駆動される複数の半導体素子の特性差によって生じる、ターンオンやターンオフ時のスイッチングにおける電流の偏りを緩和すること。
【解決手段】電圧変換器１４は、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々のエミッタセンス電流を電圧信号に変換する。平均値演算器１７や誤差演算器１８等の演算器は、ＬＰＦ１５から出力される、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に対応する電圧信号の平均値を求め、それぞれの電圧信号についての平均値に対する誤差を演算する。ＰＷＭ波形生成部１１は、ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々を駆動するための駆動信号（パルス信号）を出力する。差動増幅器１２の各々の駆動信号を、当該ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に対応する誤差に基づいて調整して、当該ＩＧＢＴ１３−１乃至１３−３の各々に供給する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子Ｔ１に入力される入力電圧Ｖｉｎよりも低い基準電圧Ｖ１と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第１のコンパレータ８と、スイッチング素子２がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔを基準電圧Ｖ１よりも高く、且つ入力電圧Ｖｉｎよりも低いｃｌａｍｐ電圧にクランプするクランプ回路７とを備えることにより、第１のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Ｖｉｎよりも低く且つｃｌａｍｐ電圧よりも高い基準電圧Ｖ２と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第２のコンパレータ９を備えることにより、第１のコンパレータ及び第２のコンパレータ９の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 （もっと読む）

【課題】過電流や短絡発生時に絶縁ゲート型トランジスタへの遮断の遅延を抑制し、安全に絶縁ゲート型トランジスタを保護できるゲート駆動を提供する。
【解決手段】対を成すＮＰＮトランジスタ１５、ＰＮＰトランジスタ１７によるトーテムポール回路９に駆動信号が入力され、回路９の出力が絶縁ゲート型トランジスタ３のゲート３Ａに接続され、トランジスタ３のゲート３Ａの電位を下げて保護動作をする保護回路１１が備えられたゲート駆動回路１であって、トーテムポール回路９のトランジスタ１５、１７ごとに独立して設けられて駆動信号をベース１５Ａ、１７Ａに入力するベースライン２９Ａ、２９Ｂと、保護回路１１の保護動作の間、トーテムポール回路９の上アーム側のトランジスタ１５のベース電位を下げる電位強制低下回路１３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オン指令期間とオフ指令期間の両期間における電流を高精度に検出する。
【解決手段】制御装置１３は、ＰＷＭ駆動信号のオン指令期間において、電流検出回路１４による検出電流と電源電圧検出回路１５による検出電源電圧を電圧方程式に適用してオン期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を算出する。これらの値から還流経路１２以外の経路の抵抗値とインダクタンス値を減算してオフ期間電流経路の抵抗値とインダクタンス値を求める。オフ指令期間において、オフ期間電流経路の抵抗値Ｒとインダクタンス値Ｌ、ダイオード７の順電圧Ｖｆおよび前回の計算で求めた前回電流値を電圧方程式に適用し、リニアソレノイド２に流れる負荷電流を順次算出する。 （もっと読む）