【課題】バッテリ逆接続でのリレー動作防止を実現するとともに、リレー回路の駆動電流経路の電圧降下を抑制する技術を提供する。
【解決手段】リレー装置１００では、電源電圧ＶｂａｔｔからグランドＧＮＤに向けて、逆流防止回路１５０、リレー駆動回路１１０及びリレー回路ＲＬＹが直列に配置されている。逆流防止回路１５０は、ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とを備えている。ショットキーダイオードＤ１０１とツェナーダイオードＺＤ１０１とは並列に接続されており、順方向が同じである。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング性能を低下させることなく、パワー半導体素子のサージ耐量向上と過電圧保護を図る。
【解決手段】ドレイン端子１ｂから所定距離離間した位置にゲート制御端子５を備え、サージ発生時にドレイン端子１ｂとゲート制御端子５との間に放電が起こるようにする。この放電現象に伴ってゲート制御端子５にサージ電圧が印加されることで、パワー半導体素子１のゲートを充電し、パワー半導体素子１をオンさせることでサージエネルギーを吸収する。これにより、ドレイン端子１ｂに印加されるサージ電圧を抑制することが可能となり、パワー半導体素子１が破壊に至ることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、出力駆動回路及びトランジスタ出力回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチ１１３のオン動作によって駆動され、出力トランジスタのゲートに高電圧電源を供給する第１のトランジスタ１１１を含む第１の駆動回路部１１０と、第１のスイッチ１１３と相補的に動作する第２のスイッチ１３３のオン動作によって生成されたワンショットパルスによって駆動され、出力トランジスタのゲート−ソースのキャパシタンスを放電させる第２のトランジスタ１３１を含む第２の駆動回路部１３０と、第１の駆動回路部１１０と並列されるように高電圧電源端と出力トランジスタのゲートとの間に配置され、第２のスイッチ１３３のオン動作によって放電した出力トランジスタのゲート電位を保持させる出力駆動電圧クランピング部１５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型電界効果トランジスタとＮ型電界効果トランジスタとが同時にオン状態になる期間内で発生する短絡電流に起因する消費電力の増大を抑制するともに、パワー素子を高速スイッチングさせることが可能なゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】このゲート駆動回路１１は、ＰｃｈＦＥＴ１２と、ＮｃｈＦＥＴ１３と、駆動信号が入力される入力側とＰｃｈＦＥＴ１２のゲート（Ｇ）およびＮｃｈＦＥＴ１３との間に設けられ、電源電位ＶＣＣに接続されているツェナーダイオード１４およびツェナーダイオード１５とを備え、ツェナーダイオード１４および１５は、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）に印加される電圧を、ＰｃｈＦＥＴ１２およびＮｃｈＦＥＴ１３のゲート（Ｇ）の閾値電圧側にシフトさせるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】駆動用のスイッチ素子によって出力端子からの出力を制御する半導体装置において、端子に静電気が印加されたときに、スイッチ素子をより確実に保護し得る構成を、装置構成の大型化を抑えて実現する。
【解決手段】半導体装置１は、高電位側電源又は低電位側電源の一方からなる基準部にスイッチ素子の第１端子が接続され、出力端子Ｐ１にスイッチ素子の第２端子が接続されている。また、スイッチ素子と並列に第１保護素子が設けられている。また、基準部とは逆側の電源（他方部）と出力端子の間には第２保護素子が接続されている。そして、基準部とは逆側の電源（他方部）側には無効化手段が接続され、出力端子へのサージ電圧の印加によって駆動電圧が発生した場合に、当該駆動電圧の発生後の所定時間、制御入力端子への通電信号の入力を無効化し、所定時間の経過後に無効化を解除するように機能している。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が変動しても半導体デバイスのオン動作及びオフ動作を安定して駆動できる半導体デバイス駆動回路を得る。
【解決手段】ドライブ回路１０は、入力回路１１より得られる制御信号Ｓ１１に基づき、インバータＧ４から電源電圧ＶＣＣにより決定される“Ｈ”（オンレベル）、あるいは接地電圧ＧＮＤにより決定される“Ｌ”（オフレベル）の出力電圧ＶＯＵＴ１を駆動信号として半導体デバイスＱ１のゲートに出力する。基準電源部１４は抵抗Ｒ１及びＲ２の直列接続により、電源電圧ＶＣＣ，接地電圧ＧＮＤ間の電位差を所定の分圧比率（抵抗Ｒ１及びＲ２による抵抗比）で分圧して得られる電圧が基準電圧ＶＲＥＦ１として得られる。バッファ回路８は基準電圧ＶＲＥＦ１により決定される基準信号となる出力電圧ＶＯＵＴ２を半導体デバイスＱ１のソースに付与する。 （もっと読む）

【課題】ウォッチドッグのための特殊な構成を追加することなく、マイコンラッチ時に自動的かつ確実にマイコンにリセットをかける
【解決手段】水晶振動子Ｘｔａｌを用いた水晶発振回路からクロック信号を入力されるマイコン２００のリセット回路１００であって、マイコン２００は、出力がＨｉｇｈとＬｏｗとで周期的に変動するＧＰＩＯ端子２０１を備え、クロック信号の入力が停止されたときに自動的にリセット状態となる構成とされ、リセット回路１００は、ＧＰＩＯ端子２０１の出力をコンデンサを用いて平滑し、平滑電圧がＨｉｇｈとＬｏｗの中間電位のときは水晶振動子Ｘｔａｌの負性抵抗より小さい抵抗を発生して水晶振動子Ｘｔａｌに印加し、平滑電圧がＨｉｇｈとＬｏｗのいずれかになると水晶振動子Ｘｔａｌの負性抵抗以上の抵抗を発生して水晶振動子Ｘｔａｌに印加する。 （もっと読む）

【課題】少ないトランジスタ数で双方向スイッチを構成する。
【解決手段】双方向スイッチ装置は，ＨＥＭＴを有する双方向スイッチと，第１の条件時にＨＥＭＴのソースまたはドレインの一方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第１の電圧を印加してソースまたはドレインの他方の端子から一方の端子への第１の電流パスをオフにし，第２の条件時に他方の端子とゲートとの間に閾値電圧未満の第２の電圧を印加して一方の端子から他方の端子への第２の電流パスをオフにし，第３の条件時にＨＥＭＴのソース及びドレインとゲートとの間に閾値電圧より高い第３の電圧を印加して第１，第２の電流パスをオンにする制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ素子の短絡耐量を向上させ得る過電流保護装置を提供する。
【解決手段】過電流保護装置２０では、各ＩＧＢＴ１１ａ〜１１ｆにゲート電圧Ｖｇを印可するゲート駆動回路１５に対してオフ信号を出力することで当該ゲート電圧Ｖｇの印可を停止可能な保護回路２２と、直流電源Ｅの電源電圧を制御可能な電源電圧制限回路２３と、電源電圧を平滑化する平滑コンデンサＣに蓄積された電荷を放電可能な放電回路２４と、が設けられている。そして、電流検出部２１により過電流が検出されると、保護回路２２によりゲート電圧Ｖｇの印可が停止され、電源電圧制限回路２３により電源電圧が低減され、放電回路２４により平滑コンデンサＣに蓄積された電荷が放電される。 （もっと読む）

【課題】応答性を損なうことなく能動クランプ素子の損失電力を低減できる能動クランプ回路を用いたゲート駆動回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】スイッチ素子Ｔｒ７のゲートを駆動するゲート駆動回路であって、制御信号に基づいてスイッチ素子Ｔｒ７を駆動する駆動部（トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ４，Ｔｒ５）と、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子（ドレイン）と第２主端子（ソース）との間に印加される電圧が所定電圧以上の場合に、駆動部によるスイッチ素子Ｔｒ７に対する駆動動作を強制的に遮断して、スイッチ素子Ｔｒ７の第１主端子と第２主端子との間の電圧がクランプされるようにスイッチ素子Ｔｒ７を駆動するアクティブクランプ回路（ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ１、抵抗Ｒ１、トランジスタＴｒ３，Ｔｒ６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】センサや制御回路等の動作用電力を安定に得られるとともに、不所望な電力損失をなくすとともに、小形化が可能な負荷制御装置を提供すること。
【解決手段】定電圧ダイオード１５が導通していない期間、トランジスタ１８はオフ、トランジスタ２０がオンとなり、充電制御スイッチ１３はオンしている。これにより、作動用電源部１０は交流電源ＡＣの出力により充電される。定電圧ダイオード１５の導通電圧（所定電圧）に達すると、トランジスタ２３はベースにバイアス信号を供給されてオンする。したがって、インバータ８の入力がロー、出力がハイになって、ＦＥＴ５がオンする。一方、トランジスタ１８はオン、トランジスタ２０がオフとなり、充電制御スイッチ１３はオフする。 （もっと読む）

【課題】供給電圧に対して負荷電流が直線的に変化しない特性の負荷を駆動する駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することが可能な過電流検出装置を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ（Ｔ１）と負荷ＲＬとの接続点と、グランドとの間に電圧重畳回路１４を設ける。そして、電圧Ｖ１が増加してツェナーダイオードＺＤ１の両端電圧がツェナー電圧を超えると、電圧重畳回路１４に電流が流れて抵抗Ｒ１に電圧降下が発生する。そして、この電圧降下分が重畳電圧ＶｇとなってＦＥＴ（Ｔ１）の両端電圧に加算され、加算後の電圧と判定電圧ＶＭとの比較により、過電流が検出される。従って、ＨＩＤランプ等の特殊負荷を駆動する負荷駆動回路であっても、高精度に過電流の発生を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧クランプ回路構成を用いてスイッチ両端の電圧を制限するためのシステム、方法、および装置を提供する。
【解決手段】電圧クランプ回路構成１２５は、入力２２７および出力２２９を備えた整流器回路２２５であって、入力２２７は動作回路構成に渡って並列に連絡する整流器回路２２５と、整流器回路２２５の出力２２９と並列に連絡する電子能動スイッチング素子２０５と、電子能動スイッチング素子２０５と並列に連絡する少なくとも１つのツェナー・ダイオード２１０と、を備えていても良い。電子能動スイッチング素子２０５およびツェナー・ダイオード２１０に渡る電圧が所定の値を満たすかまたは超えた場合には、電流が電子能動スイッチング素子２０５を通って流れて、動作回路構成に渡る電圧を電圧クランプ回路構成１２５の電圧制限内に制限する。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ回路の動作期間を短縮したアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】電力伝送効率が良く、より小型化できるスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子１０２のゲート信号を発生させる制御演算装置１０１と、スイッチング素子と制御演算装置との絶縁を確保するトランス１１０と、第１の周波数とより速い第２の周波数の信号を発生する発振装置１０５，１０７と、ゲート信号の立ち上がり及び立ち下りの瞬間に一定時間だけ第１の周波数から第２の周波数に変化させた交流信号を出力する交流周波数変更手段１１１と、第１の周波数を第１のゲインにて変圧し、第２の周波数をより大きな第２のゲインで変圧して出力する共振回路１１０，１０９と、交流信号の振幅変化に従ってゲート信号の立ち上がり及び立ち下がりを復調して復調ゲート信号を出力する復調回路１３２，１３３，１３４と、復調ゲート信号によりスイッチング素子のゲートをオン／オフ駆動するゲートドライブ回路１４２，１４３を備えている。 （もっと読む）

【課題】初期充電回路が不要な自己給電形のゲート駆動回路の電源装置を提供することである。
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子（３）に並列接続された、スナバダイオード（３５）とスナバコンデンサ（３７）とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路（１１）に電源電圧として印加する電源用コンデンサ（５１）と、スナバコンデンサ（３７）の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ（５１）に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ（５１）の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子（４３）をオフさせるように構成される。 （もっと読む）

【課題】低電圧駆動時の動作の信頼性を確保しながら動作速度を向上でき回路を保護できるようにする。
【解決手段】トランジスタＱ７が動作するときには、当該トランジスタＱ７による増幅回路がソース接地回路として動作する。ＭＯＳトランジスタＱ７のゲート−ソース間にオン制御電圧が印加されたときには、当該トランジスタＱ７のドレイン電位がソース電位に急速に近づき、急速にオン状態に遷移する。また、クランプ回路１０がトランジスタＱＨのゲート−ソース間に設けられているため、当該ゲート−ソース間電圧が必要以上に上昇することがなくなる。この回路部分では、トランジスタＱＨの閾値電圧ＶＴ＋トランジスタＱ７のドレイン−ソース間電圧ＶＤＳのみで駆動できるため、低電圧駆動時でも動作の信頼性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路で、双方向の過電圧を緩和できる双方向スイッチ。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し、ドレインとソースとの電位の低い主電極を仮想ソースとしドレインとソースとの電位の高い主電極を仮想ドレインとしたＨＥＭＴ構造をなし、ゲートと仮想ソースとの間に印加されるゲート信号により双方向に電流をオン・オフする半導体スイッチＱ３と、半導体スイッチＱ３のゲートと仮想ソースとの間に接続され、ゲート信号をゲートに印加するゲート信号部１３と、半導体スイッチＱ３の仮想ドレインとゲートとの間に接続され、抵抗１６と定電圧ダイオード１５とを有する過電圧保護回路とを備える。 （もっと読む）