【課題】トランジスタ素子のソース電極とドレイン電極との間の電圧変化がトランジスタ素子のオープン故障又は過電流のどちらによるものなのかを正確に判定すること。
【解決手段】制御回路５０は、抵抗素子Ｒを流れる電流値を検出し、過電流検出回路４０によって検出された電圧値が所定値以上である場合、電流値が第１判定値以上であるか否かを判別し、電流値が第１判定値以上である場合、トランジスタ素子Ｔのオープン故障が発生したと判定し、電流値が第１判定値未満である場合には、過電流が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】電流値が上下に大きく変化する負荷を制御する場合であっても、確実に過電流の発生を検出し、過電流が検出された場合には負荷回路の電線、及びＦＥＴ（Ｑ１）を確実に過熱から保護することが負荷回路の過電流保護装置を提供する。
【解決手段】負荷電流に比例する大きさの参照電圧Ｖｐを生成し、且つ、時定数回路を用いて参照電圧Ｖｐの変動に対して低速で追随する低速追随電圧Ｖｃを生成する。そして、低速追随電圧Ｖｃが基準電圧Ｖref1を超えた場合、或いは参照電圧Ｖｐが２倍電圧Ｖref2を超えた場合に、過電流判定が満たされたものと判断して、各判定電圧との比較を行う。従って、車両に搭載されるホーンのように、電流値が上下に大きく変化する負荷を駆動する場合であっても、過電流の発生を高精度に検出し、且つ、むやみに負荷回路が遮断されるというトラブルの発生を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】同一の電源に接続された複数の過電流保護装置どうしで、リトライ動作を実行するタイミングに時間差を持たせることが可能な過電流保護装置、及び過電流保護システムを提供する。
【解決手段】ＩＣ回路５１-1のＦＥＴ（Ｑ１）をオンとした際に、バッテリ電圧ＶＢＡが閾値電圧以下となった場合には、各ＩＣ回路のＦＥＴ（Ｑ１）を全てオフとし、更に、ＦＥＴ（Ｑ１）のオンからバッテリ電圧ＶＢＡが閾値電圧以下となるまでの時間を計時する。この時間が４００μsec未満であれば、カウント値Ｎをインクリメントする。その後、ランダムに設定された待機時間Ｔｐが経過した後、再度ＦＥＴ（Ｑ１）をオンとする動作を繰り返し、カウント値Ｎが７に達した時点で、ＩＣ回路５１-1のＦＥＴ（Ｑ１）をオフ状態に保持する。従って、デッドショートの発生している負荷駆動用の回路のみを確実に停止させ、それ以外の負荷駆動用の回路の駆動を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも３つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段２１，２２の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、３つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段５６に格納し、半導体集積回路の温度検出手段２３で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。 （もっと読む）

【課題】入力信号のフレームを標本化する場合に、入力信号の性質に応じた不等間隔で標本化を行う技術を提供する。
【解決手段】適応標本化装置１Ａは、フレーム記憶手段１０と、フレームに対して、標本点数を減らした複数の異なる標本化間隔で標本化して縮小信号とし、この縮小信号群を出力する階層化信号縮小手段２０と、この各縮小信号を入力信号と同じ標本化間隔に戻して、フレームとの誤差をブロックごとに定量化し誤差信号として出力する階層化誤差演算手段３０と、フレームの各ブロックに対して適用する標本化間隔の割り当て方である標本化パターンを複数記憶する標本化パターンデータベース５０と、各誤差信号と、標本化パターンとに基づき、誤差を最適化する標本化パターンを探索する最適化手段７０と、この最適化手段が求めた標本化パターンに基づき、入力信号のフレームを標本化し、出力信号として出力する標本選択配置手段８０と、を備える。 （もっと読む）

高電圧差動信号方式のためのドライバ回路（２００）。この回路は、入力に応答して第１の出力で第１の正の遷移を生成する第１の正のドライバ（２０５Ａ）を含む。この回路は更に、第１の正のドライバに結合され、電流の生成を可能にする第１の電流要素（２１０Ａ）を含む。更に、この回路は、第１の電流要素（２１０Ａ）に結合され、第１の電流要素に起因して、入力及び電流に応答して、第１の正の遷移の速度に類似する速度で、第２の出力で第１の負の遷移を生成する、第１の負のドライバ（２１５Ａ）を含む。
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【課題】演算増幅器の能力を高めても、液晶パネルの負荷回路の時定数以上の速度で駆動できない。
【解決手段】出力切替スイッチＳｘが、負荷回路２に正極側の負荷駆動電圧を供給する正極側のバッファの出力を選択したとき、負極側のバッファの出力端子と負極側の負荷駆動電圧よりも低い負極側のブースト電圧の電源との間に介挿された負極側の昇圧制御スイッチＴＲ２がオンする一方、負極側の入力信号をインピーダンス変換して負荷回路２に負極側の負荷駆動電圧を供給する負極側のバッファの出力を選択したとき、正極側のバッファの出力端子と正極側の負荷駆動電圧よりも高い正極側のブースト電圧の電源との間に介挿された正極側の昇圧制御スイッチＴＲ１がオンするように、タイミング制御部３が制御する。 （もっと読む）

【課題】長期間使用した場合でも、常に適正なスイッチ位置の判定を行うことができるポジションスイッチの出力判定装置を提供する。
【解決手段】本発明に係わるポジションスイッチの出力判定装置（２０）は、少なくとも２つの位置間の変位により、第１電圧レベルまたは当該第１電圧レベルと異なる第２電圧レベルとを出力するポジションスイッチ（１０）の出力判定装置であって、前記第１電圧レベルと前記第２電圧レベルとの間での切り替りを判定するための判定電圧レベルを記憶する記憶手段（２１）と、前記ポジションスイッチから出力された電圧レベルが、前記判定電圧レベルを跨いで変化したときに、当該変化の前後で検出した前記第１電圧レベルと前記第２電圧レベルとの中間の電圧レベルを検出し、当該検出した電圧レベルを前記判定電圧レベルとして前記記憶手段の記憶内容を更新する制御手段（２２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】通常動作モード、低消費電力動作モードでの省電力化等を図れる集積回路装置及び電子機器等の提供。
【解決手段】集積回路装置は、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第１の電源電圧ＶＤＤＡを出力する第１のレギュレーターＲＧ１と、外部電源電圧ＶＤＤＥを受けて、外部電源電圧ＶＤＤＥを降圧した第２の電源電圧ＶＤＤＢを出力する第２のレギュレーターＲＧ２と、第１の電源電圧ＶＤＤＡが供給され、通常動作モード及び低消費電力動作モードにおいて動作する第１のロジック回路ＬＧ１と、第２の電源電圧ＶＤＤＢが供給され、通常動作モードにおいて動作し、低消費電力動作モードでは非動作になる第２のロジック回路ＬＧ２を含む。 （もっと読む）

アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生する装置が開示され、第１の電圧源と、第１の電圧源に応答してチャージを発生するように適応されたキャパシティブエレメントと、アクティブデバイスに対するバイアス電圧を発生するためにチャージを供給するように適応された第１のスイッチングエレメントとを備える。本装置は、アクティブデバイスの１以上の特性に基づいてキャパシティブエレメントをコントロールするように適応されコントローラを備えるかもしれない。コントローラは、リファレンス電圧に基づいて、すなわちアクティブデバイスの１以上の特性に基づいて前記キャパシティブエレメントのキャパシタンスをコントロールかもしれない。
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【課題】開閉素子によって通電制御される電気負荷への給電回路の短絡・断線異常を監視制御手段によって確実に検出し、しかも監視制御手段の迅速応答負担を軽減する。
【解決手段】駆動電源１０１と電気負荷１０３との間に接続された開閉素子１３０は、監視制御手段１１０Ａが発生する制御出力信号Ｄｒによって開閉制御され、判定記憶回路１６０Ａは開閉素子１３０に対する閉路指令と開路指令に対応して、正しく閉路と開路とを行ったかどうかを判定記憶して、閉路判定記憶信号Ｍ１と開路判定記憶信号Ｍ２を定期的に監視制御手段１１０Ａに報告する。判定記憶内容は定期的にリセットされながら判定動作が更新継続される。監視制御手段１１０Ａは開閉指令の発生時点で即時に判定記憶信号を監視する必要がないので、監視制御の即応性が求められず、短時間の閉路または開路指令であっても異常発生の有無を確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】デジタル回路とアナログ回路とを混載して成る半導体集積回路において、前記デジタル回路によってメモリなどの外部負荷を駆動するにあたって、グランドバウンスによるアナログ回路への影響を抑えつつ、前記外部負荷がデジタル回路からの矩形波パルスを受信するにあたって、ＯＮ／ＯＦＦ（「１」／「０」）判定のマージンを最大にする。
【解決手段】外部負荷３を駆動するメインドライバ回路７を、複数段のインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を備える多段階電圧制御型のプリドライバ回路６を介して駆動するようにし、そのインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３の使用段数を切換え回路１２で切換えられるようにする。そして、雑音検出回路１３によって検出されるグランドバウンスのレベルが、小さいときにはインバータＩＮＶ３のみを使用して前記矩形波パルスの鈍りを小さくし、大きいときにはインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ３を使用して、グランドバウンスを抑える。 （もっと読む）

【課題】電流検出回路におけるゲインａおよびオフセットｂの変動を補正して、１チップのＩＣ内で高精度な電流検出が可能な電流制御用半導体素子およびそれを用いた制御装置を提供することにある。
【解決手段】電流制御用半導体素子１００は、同一半導体チップ上に、ＭＯＳＦＥＴ１００Ｈと、２つの定電流源Ｉｃ１，Ｉｃ２と、ＭＯＳＦＥＴの電流および定電流源の電流を検出する電流検出回路１２０とを備える。さらに、定電流源は、その電流値を計測するための外部接続端子Ｔ５を備える。補正用測定値保持レジスタ１４５は、外部から測定した定電流源の電流値を保持する。 （もっと読む）

電圧調整器のチャージポンプ回路の各スイッチング素子は、並列に接続される比較的大型のＭＯＳトランジスタと関連付けられた、比較的小型のＭＯＳトランジスタを備える。第１の動作モードにおいて、小型のトランジスタのみがスイッチングされ、一方、第２の動作モードにおいて、大型のトランジスタがスイッチングされる。このようにして、第１の動作モードにおけるスイッチング損失を減少させることができる。
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【課題】誤って接続された負荷状態の検出が可能な、電気負荷用の駆動回路を提供する。
【解決手段】電子回路(100)を開示し、この電子回路は、駆動する負荷(LD)に接続可能なノード(EX)、及びこのノードに接続された第１端子を有し、活性状態と非活性状態との間で切り替えることができるパワーデバイス(PD)を具えている。この回路はさらに：上記ノードに接続された出力端子を有し、少なくとも上記パワーデバイスが非活性状態にされている際にイネーブル状態にすることのできる電流発生器(I)と；上記ノードの電圧(V(EX))と基準電圧(V(REF))との比較器(CP)を具え、この比較器は比較結果(RESETN)を得るように構成され、この比較結果から、負荷の上記ノードへの電気接続の異なる状態を検出することができる。 （もっと読む）

信頼性を向上させるため、スイッチング性能向上のための接続バルクと均一電圧分布のためのバイアス抵抗器とを備えるスイッチが説明される。一例示的設計において、スイッチ（７００）はスタックに結合された複数のトランジスタ（７１０ａ−ｋ）と、スタック内の少なくとも１つの中間ノードへ結合された少なくとも１つの抵抗器（７４０ａ−ｋ）とを含む。トランジスタは、（ｉ）スタック内の第１のトランジスタへ印加される第１の電圧と、（ｉｉ）第１の電圧より低く、トランジスタのバルクノードへ印加される、第２の電圧（Ｖ_ＢＵＬＫ）とを有する。抵抗器（７４０ａ−ｋ）は、トランジスタ（７１０ａ−ｋ）がオフのときにトランジスタ（７１０ａ−ｋ）の整合バイアス状態を維持する。一例示的設計では、各トランジスタのソースおよびドレイン間に１つの抵抗器が結合される。別の例示的設計では、各中間ノードと第１の電圧との間に１つの抵抗器が結合される。この抵抗器は各トランジスタのソースを第１の電圧に維持する。
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【課題】誘導性負荷制御装置にて、誘導性負荷のグランドショートを検出しフェイルセーフを実施することと、誘導性負荷の電流制御を精度良く実施することとを両立させる。
【解決手段】装置１では、負荷Ｌの上流側と下流側とにスイッチング素子ＱＨ，ＱＬ（以下単に、ＱＨ，ＱＬ）があり、負荷ＬとＱＬとの間に電流検出用抵抗Ｒ０がある。そして、還流用ダイオード１１と、抵抗Ｒ０の両端電圧を入力とする差動増幅回路１３と、マイコン１５とを備え、マイコン１５は、ＱＨ，ＱＬの駆動信号ＤＬＨ，ＤＬＬのデューティ比を上記回路１３の出力電圧に基づき、負荷Ｌの電流が目標値となるように調節するが、駆動信号ＤＬＨの位相を微小一定時間だけ遅らせた信号を、駆動信号ＤＬＬとして出力する。更に、負荷Ｌの下流側電圧ＶＬＬがＤＬＨ＝ハイ且つＤＬＬ＝ローの期間にて規定値以上にならないと判定すると、グランドショートと判断しＱＨをオフに固定する。 （もっと読む）

可変制御電圧を用いた、改善された信頼性及び性能を有するスイッチが説明される。典型的な設計において、装置は、スイッチ、ピーク電圧検出器、及び制御電圧生成器を含む。スイッチは、スタックされたトランジスタを用いて実装されうる。ピーク電圧検出器は、スイッチへ提供された入力信号のピーク電圧を検出する。典型的な設計において、制御電圧生成器は、検出されたピーク電圧に基づいて、スイッチをオフにするための可変制御電圧を生成する。別の典型的な設計において、制御電圧生成器は、検出されたピーク電圧に基づいて、スイッチをオンにするための可変制御電圧を生成する。また別の典型的な設計において、制御電圧生成器は、ピーク電圧が高閾値を上回った場合、スイッチをオンにして入力信号を減衰させるための制御電圧を生成する。
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改良されたバイアスを備え、優れた分離および信頼性を有するスイッチが説明される。例示的な設計では、スイッチ（５０Ｄ）は、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットと、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットと、追加の抵抗器（５３０）とを用いて実装される。トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットは積層構造で結合され、入力信号を受信し、出力信号を提供する。抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットは、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのゲートに結合される。追加の抵抗器（５３０）は、抵抗器（５２０ａ−ｋ）のセットに結合され、トランジスタ（５１０ａ−ｋ）のセットのための制御信号を受信する。抵抗器は、トランジスタがオンにされると、それらの寄生キャパシタンスによる信号損失を低減する。抵抗器はまた、トランジスタがオフされると、トランジスタにわたって入力信号の信号振幅をほぼ均一に分割するのを助け、それによりトランジスタの信頼性を改善しうる。スイッチ（５０Ｄ）は、スイッチプレクサ、電流増幅器（ＰＡ）モジュールなどで使用されうる。
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第１端子、第２端子、第１端子と第２端子の間に結合される第１電子制御スイッチ、及び第１端子の電位が第２端子の電位より第一値だけ高い場合に第１電子制御スイッチを閉じるように配置された第１電荷ポンプとから構成される低電圧降下単方向電子バルブ。第１電荷ポンプは第２端子電位より第一値だけ高い第１端子電位を継続して維持するように第１電子制御スイッチと閉ループに配置される。 （もっと読む）