【課題】半導体集積回路装置の内部回路に供給されるクロック信号の周波数が、正常時よりも高くなった場合の上記内部回路の暴走を回避する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１）において、内部回路（１７）と、水晶振動子を用いた発振動作によりクロック信号を形成する水晶発振回路（１１）と、上記内部回路が正常に動作可能な周波数のクロック信号を形成する内蔵発振器（１４）とを設ける。また上記水晶発振回路で形成されたクロック信号の周波数が、上記内部回路の正常動作の周波数範囲よりも上昇したことを検出可能な異常高速発振検出回路（１３）を設ける。さらに上記異常高速発振検出回路での検出結果に基づいて、上記水晶発振回路で形成されたクロック信号に代えて、上記内蔵発振器で形成されたクロック信号を上記内部回路に供給するための制御回路（１６）を設けることで、内部回路の暴走を回避する。 （もっと読む）

【課題】環境温度の検出結果に基づいて出力周波数を補正する発振装置において、出力周波数の温度補償を高精度に行うこと。
【解決手段】共通の水晶片により第１及び第２の水晶振動子を構成すると共に、これら水晶振動子に夫々接続される第１及び第２の発振回路の発振出力をｆ１、ｆ２とし、基準温度における第１及び第２の発振回路の発振周波数を夫々ｆ１ｒ、ｆ２ｒとすると、ｆ１とｆ１ｒとの差分に対応する値と、ｆ２とｆ２ｒとの差分に対応する値と、の差分値に対応する値をそのときの温度として取り扱う。そしてこの差分値に対応する値に基づいてｆ１の周波数補正値の近似式により第１の補正値を求め、この第１の補正値と実測した周波数補正値との差である補正残差から当該補正残差分を相殺するための第２の補正値を求める。そしてこれら第１の補正値と第２の補正値との和から周波数補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】負荷のドライブ能力を変更できる、発振回路を提供すること。
【解決手段】定電圧生成回路７０と、発振出力Ｖｏｓｃを生成する発振出力生成回路８０と、定電圧生成回路７０によって生成された定電圧Ｖｒｅｆ’が電源電圧として供給される複数のＭＯＳＦＥＴ回路Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を並列に有し、複数のＭＯＳＦＥＴ回路Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３のそれぞれの出力点Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が互いに接続された出力回路９０と、複数のＭＯＳＦＥＴ回路Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３の中から選択入力に応じて選択されたＭＯＳＦＥＴ回路を発振出力Ｖｏｓｃに従って駆動する駆動回路９１とを備え、前記選択入力に応じて選択されていないＭＯＳＦＥＴ回路の出力が、ハイインピーダンスである、発振回路。 （もっと読む）

【課題】各々出力される信号に対して間欠動作を行い、消費電力を抑えた水晶発振器を提供する。
【解決手段】電源電圧が印加される電源電圧印加端子１１１と、電源電圧印加端子に接続される温度補償型水晶発振回路部１１０と、温度補償型水晶発振回路部及び電源電圧印加端子に接続される第一の緩衝増幅部１２０と、第一の緩衝部に接続され第一の緩衝部から信号が入力される第一の信号出力端子１２１と、第一の緩衝増幅部に接続され、第一の緩衝増幅部が動作又は停止する様に制御できる信号が入力される第一のＥ／Ｄ端子１２２と、温度補償型水晶発振回路部及び第一の緩衝増幅部に接続されている第二の緩衝増幅部１３０と、第二の緩衝増幅部に接続され第二の緩衝増幅部から信号が入力される第二の出力端子１３１と、第二の緩衝増幅部に接続され第二の緩衝増幅部が動作又は停止する様に制御できる信号が入力される第二のＥ／Ｄ端子１３２と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ振動子を用いて、発振周波数のばらつきを抑制した発振回路を提供すること。
【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路（反転増幅回路２０）と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路（反転増幅回路２０）とを接続する接続回路３０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水晶発振回路の消費電力の低減を図りつつ後段回路を作動させることができる発振装置を提供する。
【解決手段】第１電源Ｖ１が、振幅検出回路３に対して第１電源電圧（３Ｖ）を供給する。第２電源Ｖ２が、水晶振動回路２に対して第１電源電圧（３Ｖ）よりも小さい第２電源電圧（１Ｖ）を供給する。振幅検出回路３は、ＣＭＯＳインバータＩＶ１の出力端子から出力される発振信号と、第２電源電圧（１Ｖ）を分圧して得た基準電圧Ｖｒｅｆと、それぞれのベースに接続される一対のトランジスタが設けられたコンパレータ３１を備えている。 （もっと読む）

【課題】圧電発振器の製造方法、及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の周波数温度特性情報５４と、圧電振動子の温度に対応する情報（検出電圧５２）と、を用いて温度補償量５６を算出可能な温度補償回路３２に発振信号５０を出力する発振回路１４と、周波数温度特性情報を記憶して温度補償回路に出力する記憶回路１８と、を有し、周波数温度特性情報５４は、発振信号の第１の離散周波数温度特性情報に基づいて生成して記憶回路に記憶するとともに、第１の離散周波数温度特性情報において、周波数成分が許容範囲外の情報を有するときは、予め測定された複数の圧電振動子の複数の第２の離散周波数温度特性情報のうち、第１の離散周波数温度特性情報の周波数成分との差分が最小となる第２の離散周波数温度特性情報を抽出し、許容範囲外の情報を第２の離散周波数温度特性情報中の許容範囲外の情報と同一の温度情報を有する情報に置き換える。 （もっと読む）

【課題】温度補償型水晶発振制御用集積回路の端子の共用化を実現する。
【解決手段】温度補償型水晶発振制御用集積回路１００は、電源電圧が入力される電源端子と、水晶振動子の両端と接続される二つの水晶振動子接続端子と、水晶振動子の周波数調整を行う周波数調整部１１２に接続され、外部制御電圧が入力される外部制御端子と、水晶振動子の発振出力が出力される発振出力端子と、書込み許可部１１６と、を備え、電源端子、外部制御端子、及び発振出力端子のうちいずれかは、プログラムイネーブル信号がさらに入力される共用端子であり、共用端子への入力からプログラムイネーブル信号を検出するプログラムイネーブル信号検出部１１５をさらに備え、かつ、書込み許可部１１６は、プログラムイネーブル信号検出部１１５によってプログラムイネーブル信号が検出されたとき、ＰＲＯＭ回路１１３への周波数調整データの書込みを許可するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】発振出力開始時のノイズに起因する異常発振や、電源立上時の過渡応答に起因する不要なパルスの出力を防止する為、ローパスフィルタの構成を変えて対応を可能とする発振器の提供。
【解決手段】発振手段からの発振信号の、発振開始からのパルス数が所定の閾値に達したことを発振パルスカウント回路３が検出すると、発振手段からの発振信号を選択して出力する。 （もっと読む）

【課題】温度特性情報を生成する際の測定温度の個数を増やすことなく温度補償を高精度に行うことが可能な圧電発振器の発振回路システムを提供する。
【解決手段】圧電振動子１２の発振周波数の温度特性を示す温度特性情報７６から圧電振動子の発振周波数の温度特性を近似するための第１の近似式を算出し、第１の近似式と温度センサー１６の検出電圧６６に対応した温度補償量８０から周波数補正回路４２により発振信号５８の温度補償を行う発振回路システムであって、温度特性情報は、圧電振動子の温度と発振周波数との関係を離散的に示した離散温度特性情報に補間温度特性情報を付加した情報に基づいて生成されたものであるとともに、補間温度特性情報は、前記情報から第１の近似式が算出可能となるように、離散温度特性情報に基づいて算出され、第１の近似式より低次の第２の近似式から抽出したものである。 （もっと読む）

【課題】 クロック発振回路のジッタが音質に重要だとは気が付かなかったか、ＣＭＯＳの発振回路のジッタ性能で十分だと思われていた。しかし、ジッタが多いと、音質的に十分でないことが判明した。そこで、高音質化のため低ジッタ化し、なおかつ高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、波形の対称性を達成する必要性がある。
【解決手段】 ＣＭＯＳよりもノイズ特性に優れるバイポーラトランジスタを使い、これをコンプリメンタリ接続にすることで、低ジッタ、高周波化、低電圧化、波形のエッジの急峻さ、高い対象性を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減した温度補償型発振装置を提供する。
【解決手段】温度補償型発振装置１０は、発振器１１の温度に応じた基準信号出力の温度センサ１２と、第１出力信号Ｓ１と、第１出力信号よりも小さい第２出力信号Ｓ２とを生成、出力する定電圧生成回路１３と、温度センサ１２から出力された基準信号が定電圧生成回路１３から出力された第１出力信号Ｓ１よりも大きい時、第１検出信号Ｐ１を出力する上限側比較回路１４と、温度センサ１２から出力の基準信号が定電圧生成回路１３から出力された第２出力信号Ｓ２よりも小さい時、第２検出信号を出力する下限側比較回路１５と、上限側比較回路１４から出力された第１検出信号Ｐ１と、下限側比較回路１５から出力された第２検出信号Ｐ２とに基づき、カウント値を増減させるカウンタ回路１６と、カウンタ回路のカウント値に基づき、発振器１１における発振周波数補正を行う補正回路１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】温度上昇や温度下降の際の温度変化に対する周波数のヒステリシスが少なく安定した周波数温度特性が得られる温度補償圧電発振器及びその周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】第１のメモリー３０と第２のメモリー４０には、それぞれ、圧電振動子８０の温度上昇時、温度下降時における周波数温度特性を特定するための第１、第２の温度補償データ３２、４２が記憶される。温度変化検出回路１０は、温度センサー５０が取得した温度情報に基づいて温度上昇と温度下降のいずれかが生じたかを検出する。セレクター２０は、温度変化検出回路の検出結果に基づいて、温度上昇時、温度下降時にそれぞれ第１、第２の温度補償データを選択する。温度補償電圧発生回路６０は、セレクターにより選択された第１又は第２の温度補償データに基づいて、温度補償電圧６２を発生させる。電圧制御発振回路７０は、温度補償電圧に基づいて圧電振動子の周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】センシングデバイスの高機能化と高信頼性化とに対応するために、書換可能ＰＲＯＭ回路を複数設け、それらの出力から適切なものを選択する多数決回路を設けることは、製品コスト、半導体チップ面積の両面で大きな負担となる。高機能化と高信頼性化とを図りながら、製品コスト、半導体チップ面積の増大を抑制できるようにする。
【解決手段】エミュレーションモードでテストデータが更新書き込み可能な書換可能ＰＲＯＭ回路４Ａと、エミュレーションモードで確定された最適解データをライトモードで１回限り書き込み可能で、リードモードにおいて最適解データの読み出しが可能な、書き換え不可のワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂと、書換可能ＰＲＯＭ回路４ＡとワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂとを制御するＰＲＯＭ制御回路５と、エミュレーションモードで書換可能ＰＲＯＭ回路４Ａの出力を選択し、リードモードではワンタイムＰＲＯＭ回路４Ｂの出力を選択し、センサ回路１に送出するＰＲＯＭ出力選択スイッチ６を備える。 （もっと読む）

【課題】発振回路と信号入出力回路とを切り替えて使用可能な半導体装置、及びその制御方法を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、発振素子１が接続可能な第１及び第２の外部接続端子２、３と、反転増幅器４と、反転増幅器の出力側と入力側との間に接続されたフィードバック抵抗５と、反転増幅器４の入力側に接続されたカップリング容量１１に印加されるバイアスを安定化するバイアス安定化回路６と、第１の信号入出力部７と、第２の信号入出力部８と、を備える。半導体装置を発振回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を動作状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を停止状態とする。信号入出力回路として使用する場合は、反転増幅器４およびバイアス安定化回路６を停止状態とし、第１及び第２の信号入出力部７、８を動作状態とする。 （もっと読む）

【課題】回路動作の安定性の向上と、消費電力の低減とを両立できるようにした分周回路及び半導体装置を提供する。
【解決手段】発振回路に近い前段の側にあって高い周波数で動作するＦＦ回路１０と、発振回路から遠い後段の側にあって低い周波数で動作するＦＦ回路１０と、を備え、前段と後段の各ＦＦ回路１０は、分周回路の動作時に通常、オン、オフを繰り返すＦＢ−ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５をそれぞれ有し、前段の各ＦＦ回路１０が有するＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５の閾値電圧の絶対値を│Ｖｔｈ１│とし、後段の各ＦＦ回路１０が有するＭＯＳＦＥＴ１１〜１４、２１、２５の閾値電圧の絶対値を│Ｖｔｈ２│としたとき、│Ｖｔｈ１│＜│Ｖｔｈ２│に設定されている。 （もっと読む）

【課題】製造試験段階で出力周波数を調節するために、負荷容量を調節する際に、発振器コア電流を自動的に変化することによって出力信号のスイングを一定に維持する。
【解決手段】クリスタル発振器はクリスタル１とクリスタル発振器回路３とを具備する。負荷コンデンサのバンクＣ１からＣ６はそれぞれのスイッチ９から１９によって回路にあるいは回路から切り換えられることができる。スイッチは制御ラインＤ０からＤ５によって制御され、トリムレジスタとして既知である６ビットレジスタによって設定される。トリムレジスタの値は出力信号の周波数に従って設定される。出力信号のスイングを打ち消すために、電流スイッチのバンクＴ１からＴ４が設けられ、抵抗Ｒ１からＲ４が回路にあるいは回路から切り換えることができるようにする。各抵抗Ｒ１からＲ４は制御ラインのそれぞれの１つによって切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】搭載される無線装置の検査時間短縮を図り、高安定した周波数を発振できる水晶発振器及び無線装置を提供する。
【解決手段】本発明の高安定水晶発振器１００は、外部入力端子１と、外部入力端子１に接続され、水晶振動子３を有する発振回路４と、を備え、発振回路４に電力供給可能な内部バッテリー回路６を備えた構成となっている。 （もっと読む）

【課題】発振バッファへの過電圧の印加を防止し、発振起動時間を短縮できる発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１０は、ＰＴＡＴ電流源１２と、ＰＴＡＴ電流源１２と接続されると共に、共振回路４６と並列接続された発振バッファ１４と、発振バッファ１４と並列接続された帰還抵抗Ｒｆと、帰還抵抗Ｒｆよりも抵抗値が小さいバイパス抵抗Ｒｂと、帰還抵抗Ｒｆとバイパス抵抗Ｒｂとの間に接続され、帰還抵抗Ｒｆ及びバイパス抵抗Ｒｂの何れかに切り替えるためのＰＭＯＳトランジスタ４８Ａ、４８Ｂと、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流が共振回路４６へ供給開始されてから予め定めた発振起動期間は、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流がバイパス抵抗Ｒｂへバイパスされるように、予め定めた発振起動期間経過後は、ＰＴＡＴ電流源１２からの電流が帰還抵抗Ｒｆへ流れるようにＰＭＯＳトランジスタ４８Ａ、４８Ｂを制御するバイパスノード充電回路５８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子の停止状態から安定発振に至る起動時間を短縮することが可能な発振回路を提供する。
【解決手段】発振回路１は、入力ノードＸＩＮと出力ノードＸＯＵＴとの間に互いに並列に設けられた圧電振動子ＸＯ、抵抗素子Ｒ１、および励振回路１０と、入力ノードＸＩＮと接地ノードＧＮＤとの間に設けられたコンデンサＣ１と、出力ノードＸＯＵＴと接地ノードＧＮＤとの間に設けられたコンデンサＣ２とを含む。励振回路１０は、従属接続されたＮＡＮＤ回路Ｌ１とインバータＬ２，Ｌ３とを含む。ＮＡＮＤ回路Ｌ１に入力されたイネーブル信号ＥｎａｂｌｅがＨレベル（活性状態）に切替わることによって圧電振動子ＸＯの発振が開始する。 （もっと読む）