【課題】ピアース型圧電発振器で高い周波数出力を可能にする。
【解決手段】圧電振動子１０の一方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第１の容量素子Ｃ１と、圧電振動子１０の他方の端子と接地電位線ＧＮＤとの間に接続された第２の容量素子Ｃ２と、コレクタ端子が圧電振動子１０の一方の端子に接続されベース端子が圧電振動子１０の他方の端子と電流源２０とに接続されエミッタ端子が接地電位線ＧＮＤに接続された発振用トランジスタＱ１と、ベース端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第１の抵抗Ｒｂを介して接続されコレクタ端子が発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に第２の抵抗Ｒｃを介して接続されエミッタ端子が発振用トランジスタＱ１のベース端子に接続された発振補助用トランジスタＱ２と、を含んで構成される発振回路１０１と、発振用トランジスタＱ１のコレクタ端子に接続されたバッファ回路ＢＵＦと、を含む圧電発振器１。 （もっと読む）

【課題】安定発振、コンパクトなパッケージを実現したＳＨＦ帯に好適な高周波発振器を提供する。
【解決手段】低誘電率、低損失の基板材料として水晶板等の耐熱材を最小限の厚さとした基板を主基板２とし、一次実装する能動素子７とＩＤＴ３やデスクリート部品８などを主基板２の表裏にそれぞれ配置し、貫通電極６で両面側の間を接続することで配線長を最短とした。ＬＴＣＣなどの従来の本体基板に代えて薄い水晶等を要部構成部品を実装する主基板とすることにより、薄型化と小型化を実現した。外力・応力に対する脆弱性を、主面側の保護カバーに加えて裏面にも補強カバーを設け、あるいはモールド構造とすることで補強した。 （もっと読む）

【課題】増幅用のトランジスタに帰還容量成分Ｃ１及び結合容量成分Ｃ２の直列回路を接続したコルピッツ発振回路を用いた電圧制御発振器において、部品点数の削減に寄与できる技術を提供すること。
【解決手段】トランジスタ２１のベースに接続された第１の伝送線路４１とトランジスタ２１のエミッタとアースとの間に接続された第２の伝送線路４２と、を備え、第１の伝送線路４１及び第２の伝送線路４２を互いに接近させて両者の間に線路間容量成分を形成する。この線路間容量成分を前記帰還容量成分Ｃ１として利用すると共に第２の伝送線路４２とアースとの間に形成される寄生容量成分を前記結合容量成分Ｃ２として利用する （もっと読む）

【課題】設計および製造が容易で、装置のサイズが小さい帰還型発振装置を提供すること。
【解決手段】帰還型発振装置１において、入力端子から入力された信号を増幅して出力端子から出力するバイポーラトランジスタ１０と、マイクロストリップラインによって構成され、バイポーラトランジスタの出力端子と入力端子とを結合して出力端子から入力端子に所定の周波数の信号を帰還してバイポーラトランジスタを発振させる結合回路１５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温環境下でも正常に動作してセンサの測定値を正確に求めることができるようにする。
【解決手段】本発明のモニタリング装置１は、センサ２と、このセンサ２が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース３と、インターフェース３とは別に配置され且つインターフェース３から出力された発振信号を処理する演算装置４とを備えている。発振器は、基準となる発振信号を出力する第１発振器６ａと、センサ２の出力に基づいて発振信号を出力する第２発振器６ｂとから構成されている。第演算装置４は、第１発振器６ａからの発振信号と第２発振器６ｂからの発振信号とに基づいてセンサ２で測定した測定値を算出する演算部１５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路１００は、インバータ１及び２、タンク回路３を有する。タンク回路３は、出力ノードＯＵＴＴと出力ノードＯＵＴＢとの間に並列に接続される。インバータ１は、ドレインが出力ノードＯＵＴＢに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３を有する。インバータ２は、ドレインが出力ノードＯＵＴＴに接続されたｎ型ＭＩＳトランジスタＭ２及びｐ型ＭＩＳトランジスタＭ４を有する。ｐ型ＭＩＳトランジスタＭ３及びＭ４のゲート端子は、それぞれ出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと直接的に接続される。ｎ型ＭＩＳトランジスタＭ１及びＭ２のゲート端子は、それぞれ結合容量ＣＧ１及びＣＧ２を介して出力ノードＯＵＴＴ及びＯＵＴＢと接続され、抵抗ＣＧ１及びＣＧ２を介してバイアス電圧ＶＢＩＡＳが印加される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、位相雑音の劣化原因によらず位相雑音を低減できる高周波二倍波発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】トランジスタと、該トランジスタのベース側に接続された第一電気信号線路と、該第一電気信号線路に接続され他の端は接地された第一シャントキャパシタと、該トランジスタのコレクタ側に接続された第二電気信号線路と、該第二電気信号線路に接続され他の端は接地された第二シャントキャパシタと、該第一電気信号線路と該第二電気信号線路を接続する大容量キャパシタとを備える。該第一電気信号線路の線路長は、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さから基本波信号の波長の１／１６の長さを減算した長さと、基本波信号の波長の１／４の値を奇数倍した長さに基本波信号の波長の１／１６の長さを加算した長さとの間の値である。 （もっと読む）

【課題】発振器の不安定動作を回避し低消費電力化を実現する発振器複合装置と方法の提供。
【解決手段】インダクタ（１１１）と容量（１１２）を含む共振回路（１１０）を備えた発振器（１００）と、前記発振器の発振出力信号を入力し、且つ、電源側からの電流パスを構成し前記電流パスの前記第１の電源と反対側の一端が前記発振器の前記インダクタ（１１１）の中点に接続された差動対を含む分周器（２００）とを、グランドと電源間に縦積みに配置し、分周器（２００）の直流供給電流端子（２３０）からグランド側に流れる直流電源電流を、発振器（１００）の電源電流として再利用する。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

制御信号に応じて設定可能インダクタンスを有する切換可能インダクタネットワークを提供するための技術。前記切り替え可能インダクタネットワークは、差動モード動作の寄生素子の影響を低減するために完全に対称的なアーキテクチャを採用することができる。前記切り替え可能インダクタネットワークは、特に、マルチモード通信回路への用途、例えば、電圧制御発振器（ＶＣＯ）またはそのような回路におけるアンプもしくはバッファに適している。 （もっと読む）

【課題】高周波発振であっても安定した発振を行なえる。
【解決手段】発振回路１は、圧電振動子を所定の周波数で励振させる発振回路部を備え、発振回路部の等価回路ＥＣは、負性抵抗Ｒ_Lと容量性リアクタンスＣ_Lが直接接続された直列モデルで構成されている。発振回路部の一方の端子ＥＣＡにコイルＬ_Sの一方の端子が直列接続され、発振回路部の他方の端子ＥＣＢとコイルＬ_Sの他方の端子との間に抵抗Ｒ_Pが並列接続されている。コイルＬ_Sの他方の端子と抵抗Ｒ_Pの一方の端子との接続点が、圧電振動子との接続を行う一方の圧電振動子接続用端子Ａとされ、抵抗Ｒ_Pの他方の端子と発振回路部の他方の端子ＥＣＢとの接続点が、圧電振動子との接続を行う他方の圧電振動子接続用端子Ｂとされている。また、抵抗Ｒ_Pの絶対値は、負性抵抗Ｒ_Lの絶対値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】高価な誘電体共振器やバラクタダイオードを使用することなく、廉価に制作することができ、また回路面積が小さく小型化が可能となるようにする。
【解決手段】誘電体基板１上に形成されたマイクロストリップ線路２において、増幅素子３の入力端のゲートが入力端側線路２ａに接続され、出力端のドレインが出力端側線路２ｂに接続され、ソースが接地電極５を介して基板裏面の接地面７に接続される。そして、上記増幅素子３の上面に、例えば棒状の金属体１０を絶縁性接着剤９によって接着し、この金属体１０をマイクロストリップ線路２の伝送線路方向に配置することで、この金属体１０の一方端を入力端側線路２ａ、他方端を出力端側線路２ｂに容量性結合する。この金属体の結合は、一端のみでもよい。これによれば、増幅素子３からの出力が、容量Ｃ_１２、インダクタンスＬ、容量Ｃ_１１を通って入力端へ帰還し、発振が行われる。 （もっと読む）

【課題】 信号振幅が大きい高調波信号を提供することができる発振器を提供する。
【解決手段】 一導電型又は逆導電型の第１のＭＯＳトランジスタ２０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子に接続された負荷素子３０と、第１のＭＯＳトランジスタ２０のソース端子に接続され、高調波信号を出力する基本発振器４０とを備え、第１のＭＯＳトランジスタ２０のドレイン端子から、基本発振器４０から出力される高調波信号の増幅信号を出力することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】従来の発振回路は、発振信号を増幅させる電流等の影響で発振周波数の高速化が制限されるという問題があった。
【解決手段】本発明にかかる差動発振回路は、帰還ループ回路を備えた差動型の発振回路であって、帰還ループ回路上に縦続接続され、入力された一対の差動入力信号を遅延させて一対の差動出力信号として出力する遅延回路２〜５と、発振回路が発振起動状態か安定状態のいずれかにあるかを検出し、検出結果を示す検出信号ＶＳＴＰを出力する発振起動検出回路７と、を備える。さらに遅延回路２〜５は、発振起動検出回路７から出力された検出信号ＶＳＴＰに基づいて、差動出力信号の出力電流値を制御する。このような回路構成により、発振周波数の高速化が可能である。 （もっと読む）

【課題】周波数を高くしても分布定数線路の線路長を長くできてＱ値を向上できるとともに、製造誤差を小さく抑えることができる発振器を提供する。
【解決手段】１波長の線路長であって、両端をグランドに接地した分布定数線路１６を有し、この分布定数線路１６の一端から１／４波長の位置に設けた第１の中間タップに発振トランジスタ２７のべースを接続するようにした。これにより、分布定数線路１６の線路長が従来の１／４波長の線路長の分布定数線路より長くなり、その分Ｑ値の向上が図れるとともに、製造誤差を小さく抑えることが可能となる。分布定数線路１６の長さを１／２波長としても従来の１／４波長の長さの分布定数線路に比べて２倍長くできる。このようにしてもＱ値の向上が図れ、また製造誤差を小さく抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 構成が簡単で、高安定で、歪の小さな正弦波を出力するコレクタ同調発振器を提供する。
【解決手段】 トランス１次巻線のインダクタンスをコレクタ同調回路の同調インダクタンスとし、該トランスに出力取り出し用の二次巻線のほかに第３と第４の巻線を設け、第３巻線の電圧はトランジスタのベースに、第４の巻線の電圧はトランジスタのエミッタにそれぞれ正帰還し、ベース・エミッタ間をプッシュプル動作させる。
２つのトランジスタを用いるプッシュプル構成のコレクタ同調発振器では、トランスによる自己帰還はトランジスタのエミッタに、一方、トランジスタのベースには他方のトランジスタのコレクタからそれぞれ帰還し、ベース・エミッタ間をプッシュプル動作させる。 （もっと読む）

【課題】双方の信号線路の遅延を容易に一致させることができると共に、不要信号を相殺することができる。
【解決手段】この電圧制御発振回路は、発振回路部１と、発振信号を分岐すると共に互いに位相の反転した第１及び第２の信号を別々に出力する出力分波回路２と、出力分波回路２の出力段に並列に接続され同一構成を有し、トラップ周波数が異なるトラップ回路３、４と、トラップ回路の出力を合成する出力再合成回路とを備える。発振回路部１の電圧制御信号をトラップ回路３、４のバラクタダイオード３２，３４に印加してトラップ回路３、４のトラップ周波数を発振周波数に連動させる。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音特性を改善すると共に周波数可変幅を広くすることができる低雑音電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】 振動素子とコンデンサ２がトランジスタ１のコレクタＣとエミッタＥとの間に直列に接続され、コレクタＣとエミッタＥとの間にコンデンサ３，４が直列に接続され、コンデンサ３，４の間の電位がトランジスタ１のベースＢに印加され、コレクタＣとコンデンサ４との間に１ポート回路６が設けられ、コンデンサ３，４に並列に補正用コンデンサ５を接続し、１ポート回路６が、容量を小さく設定できる可変キャパシタと、インダクタンスの値を大きく設定できるインダクタとを備えてインピーダンスの値を比較的大きく設定する同調回路である低雑音電圧制御発振器である。 （もっと読む）

【課題】低位相雑音の電圧制御発振器を実現する。
【解決手段】バラクタ２および制御電圧端子３を含む可変共振器を備えた電圧制御発振器であって、当該可変共振器に対して、並列に、長くとも高調波信号の波長の１／４の奇数倍に高調波信号の波長の１／１６を加算した長さであり、短くとも高調波信号の波長の１／４の奇数倍に高調波信号の波長の１／１６を減算した長さを有する先端開放スタブ５を接続している。この構成により、基本波周波数においては、基本波信号は先端開放スタブ５およびバラクタ２の両者へ伝播するため、高いＱ値を実現でき、一方、高調波周波数において、先端開放スタブ５は短絡負荷を有し、高調波信号は全て先端開放スタブ５へと伝播するため、高調波信号による制御電圧Ｖｔの変動が抑制される。 （もっと読む）