【課題】好適に空間を封止することが可能な電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】実装構造体１は、支持部材５と、該支持部材５上にバンプ８を介して実装された複数の圧電素子７と、複数の圧電素子７を共に覆い、複数の圧電素子７と支持部材５との間の空間Ｓを密閉する封止樹脂（樹脂部９）とを有する。複数の圧電素子７は、隣り合う圧電素子７の下面１９ａ間の距離ｄ１が下面１９ａよりも上方側の所定位置間（例えば上面１９ｂ間）の距離ｄ２よりも大きい。そして、樹脂部９は、隣り合う圧電素子７間の間隙Ｗの少なくとも上方側の一部に充填された介在部９ｅを有する。 （もっと読む）

【課題】外部振動や機械的衝撃に対して高い信頼性を確保した水晶発振器や表面弾性波デバイスを他の電子デバイスとともに搭載した電子モジュールを提供する。
【解決手段】複数の電子デバイス３ａ,３ｂ、４ａ,４ｂ、５ａ,５ｂの端子部を支持基板１とは反対側の面である上面に露出させて同一平面となるように配置した状態で樹脂６を用いて埋設し、各電子デバイスの露出面にある各電子部品の接続電極あるいは接続端子と接続する配線／回路パターン８を形成する。配線／回路パターン８の一部に設けた外部接続端子を半田ボール９を用いて実装機器のマザーボードに実装する。 （もっと読む）

【課題】加熱時に、装置内部における接続に破損が発生することを抑制できる回路モジュール及び複合回路モジュールを提供することである。
【解決手段】ＳＡＷフィルタ３２ｂは、圧電基板１７と、圧電基板１７の主面上に設けられている縦結合部と、縦結合部上に空隙Ｓｐを形成した状態で圧電基板１７の主面を覆う支持層１８及びカバー層２０，２２と、カバー層２２上に設けられ、かつ、縦結合部と電気的に接続されているバンプ２４ａ〜２４ｆと、を含んでいる。実装基板は、マザー基板上に実装され、バンプ２４ａ〜２４ｆを介してＳＡＷフィルタ３２ｂが実装される。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子の形成プロセスでの圧電デバイスの特性劣化や良品率の低下をなくし、かつ外部接続端子の汎用性を実現した製造方法、およびこの方法で製造した圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイス１を天井層１８Ａと共に封止してパッケージする前に当該素子中枢部分１４Ａを搭載する基板２Ａに予め外部接続端子７Ａとなる電極構造を設けておき、素子中枢部分１４Ａの形成後に天井層１８Ａと共に封止してパッケージする。基板の主面に再配線層を設けて、３Ｄ構造に対応させることもできる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターン形成性に優れ、硬化物が高い弾性率を有し、耐湿熱性に優れ、中空構造保持性にも優れる感光性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】アクリロイル基及びメタクリロイル基の少なくとも１種を有するウレタン系化合物（Ａ１）を含有する光重合性化合物（Ａ）と、光重合開始剤（Ｂ）とを含有してなる感光性樹脂組成物。前記ウレタン系化合物（Ａ１）は、一分子中におけるアクリロイル基及びメタクリロイル基の総数が２〜１５個であり、重量平均分子量が９５０〜２５０００であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波デバイス用のキャップ基板であるパッケージ材料に穴を形成する際に、目的とする径長さ通りの穴径を有する穴を正確に形成することができ、さらに放熱性にも優れるパッケージ材料、またそれから製造されるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス接合ウエハ、及びそれから切断されることによって得られ、電気特性と信頼性を確保したまま小型化及び低背化でき、さらにはモジュール搭載が可能であるウエハレベルパッケージ弾性表面波デバイス並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電性が消失された単結晶圧電基板２に穴３が形成され、かつ基板外部よりＬｉが拡散されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス用ウエハレベルパッケージ材料１。 （もっと読む）

【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも２つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】小型で通過帯域特性を向上した弾性表面波フィルタを提供することを目的としている。
【解決手段】弾性波フィルタは、圧電基板と、圧電基板上に形成された複数のＩＤＴ電極と、複数のＩＤＴ電極にそれぞれ接続される第１、及び第２の配線電極とを備えた弾性表面波フィルタであって、前記第１の配線電極は入力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第２の配線電極は出力側のＩＤＴ電極に接続され、前記第１、及び前記第２の配線電極とは絶縁層を介して立体交差する構成であると共に、第１の配線電極５０１は、立体交差部において、電極幅が他よりも小さい構成である。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられるラダー型フィルタにおいて、横モードに起因するスプリアスの抑制と、ラダー型フィルタの小型化を両立することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するために、ラダー型フィルタ７は、圧電基板８の上に直列腕の弾性波共振器９，１０と並列腕の弾性波共振器１１，１２とを梯子状に設け、弾性波共振器９〜１２はそれぞれ、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指とが交差してなる複数の電極指対を備えた櫛歯電極を有し、並列腕に設けた弾性波共振器１１が有する櫛歯電極１１ａにおいて、第１のバスバーから延伸した電極指と第２のバスバーから延伸した電極指との電極交差幅Ｄは、櫛歯電極１１ａにより励振される弾性波の波長の２３倍以上とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】小型化，薄型化及び高機能化を実現することが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられた外部接続端子３７と、半導体基板１０の第１の面１０ａに設けられるとともに、外部接続端子３７と電気的に接続された第１電極２２と、半導体基板１０の第１の面１０ａと対向する第２の面１０ｂに設けられる電子素子と電気的に接続される第２電極２３と、半導体基板１０の第２の面１０ｂに設けられるとともに、第２電極２３に至る溝１１と、該溝１１の内部に設けられるとともに、第２電極２３の裏面２３ａと電気的に接続された導電部１２とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の回路が構成された小型の半導体装置を実現する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１上に形成された絶縁膜１０３ａ〜１０３ｃと、絶縁膜１０３ａ上に島状に形成され、トランジスタＴｒが形成されたシリコン層であるシリコン島領域１０３と、シリコン島領域１０３外に形成されたキャパシターＣを有する受動回路領域と、シリコン島領域１０３外かつ受動回路領域外に形成された電極パッドＰ１〜Ｐ５と、電極パッドＰ１〜Ｐ５上に搭載されたＳＡＷフィルターＳＡＷと、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ及び電極パッドＰ１〜Ｐ５を接続するための第２配線層１０４とを備え、トランジスタＴｒ、キャパシターＣ、ＳＡＷフィルターＳＡＷ及び第２配線層１０４は、所定の回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＬｉＮｂＯ_３基板２上のＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が形成されており、酸化ケイ素膜６上に誘電体層７が形成されており、誘電体層７の横波音速が、ＬｉＮｂＯ_３における遅い横波音速よりも速く、誘電体層７の膜厚Ｈ３としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚Ｈ３／λが０．２５〜０．６の範囲にある弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波フィルタと誘電体フィルタとを備えつつ小型化することができるフィルタ装置を提供する。
【解決手段】一方の主面に弾性表面波フィルタ用凹部空間が設けられ他方の主面に誘電積層フィルタ用凹部空間が設けられた素子搭載部材と、前記弾性表面波フィルタ用凹部空間内に設けられる弾性表面波フィルタと、前記誘電体フィルタ用凹部空間内に設けられる誘電体フィルタと、前記素子搭載部材の一方の主面と接合されて前記弾性表面波フィルタを気密封止させる蓋部材と、前記誘電体フィルタを被覆する絶縁性樹脂と、から主に構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の安定性に優れ、超小型軽量の集積回路装置を大判のウエハープロセスにて形成することができる集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】カバー１４とスペーサー１３によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ１２による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化した場合でも、アイソレーション特性の劣化が少ない、特に送信信号帯域でのアイソレーション特性の劣化が少ない分波器を提供する。
【解決手段】第１フィルタ２は、第１直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１ｎを直列に接続してなる第１直列部と、第１並列共振器Ｐ１１〜Ｐ１ｎのそれぞれを互いに並列に第１直列部に接続してなる第１並列部と、第１並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第１インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎと、を有する。第２フィルタ３は、第２直列共振器Ｓ２１〜Ｓ２ｍを直列に接続してなる第２直列部と、第２並列共振器Ｐ２１〜Ｐ２ｎのそれぞれを互いに並列に第２直列部に接続してなる第２並列部と、第２並列共振器とグランドとの間にそれぞれ接続された第２インダクタＬ２１〜Ｌ２ｍと、を有する。第１インダクタＬ１２と第２インダクタＬ２２との間に容量性結合７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高周波スイッチとSAWフィルタのような他の高周波部品とを複合一体化した、小型で電気的特性に優れた高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】 電極パターンを有する複数の誘電体層からなる積層体を多層基板とし、複数のスイッチング素子を有し、送受信系の送信回路と受信回路とを切り替える高周波スイッチ回路と、高周波スイッチ回路と受信回路との間に配置される受信フィルタ回路とを備え、受信フィルタ回路は平衡−不平衡変換回路の機能を有する弾性表面波フィルタであって、弾性表面波フィルタは積層体上に実装されており、弾性表面波フィルタの平衡出力端は、それぞれ伝送線路及びビアホールを介して積層体の裏面の一側面側に並設された端子電極に接続され、伝送線路は積層体の弾性表面波フィルタが搭載された主面側の誘電体層に設けられている高周波スイッチモジュール。 （もっと読む）

【課題】同一圧電基板上に周波数特性が異なる第１，第２の弾性境界波素子が形成されており、第１，第２の弾性波素子の双方において、スプリアスを抑圧することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２の上面２ａが、傾斜面部２ｂと、傾斜面部２ｂ以外の平坦部２ｃとを有し、平坦部２ｃ上に第１の電極３が、傾斜面部２ｃ上に第２の電極４が形成されており、第１，第２の電極３，４をそれぞれ有する第１，第２の弾性波素子５，６が構成されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】
移動体通信分野での使用できるＳＡＷチャープＺ変換器を実現すること。
【解決手段】
本発明のチャープＺ変換器は、圧電体基板の一方の主面にコリレータとして機能するダウンチャープＳＡＷ分散型遅延線を他方の主面にチャープ信号発生用分散型遅延線として機能する二つのアップチャープＳＡＷ分散型遅延線を配置し、これらのＳＡＷコリレータとＳＡＷ分散型遅延線からの各々の出力信号を混合器にミキシングしてチャープＺ変換器を構成してなる。
【効果】 以上のとおり、本発明のＳＡＷチャープＺ変換器は、レーダ分野に限定されることもなく、しかもチャープ信号処理によるＦＤＭ／ＴＤＭ変換は衛星通信や無線基地局などの多数の端末局からの信号処理や測位に応用でき、その工業的価値は極めて高い。 （もっと読む）

【課題】小型で送受信信号の分離特性が良好なデュプレクサを提供すること。
【解決手段】デュプレクサの配置エリアにおける後方側中央にアンテナポートを配置し、そのアンテナポートよりも左側、右側の夫々に高域側フィルタ及び低域側フィルタを配置し、アンテナポートから見て低域側フィルタにおける最後段の並列腕と高域側フィルタにおける最後段の並列腕と第１の信号ポートと第２の信号ポートとがアンテナポートよりも前方側に位置し、低域側フィルタにおける前記最後段の並列腕よりも前段側の並列腕の接地側と、高域側フィルタにおける前記最後段の並列腕よりも前段側の並列腕の接地側とを、圧電基板に形成された導電路によりアンテナポートよりも後方側を介して互いに接続し、前記導電路により接続される並列腕は最後段の並列腕よりも後方側に位置させる。これによって高域側の分離特性が改善される。 （もっと読む）