【課題】 基板上に、高い精度で、形成不良なく電極を形成し得る電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の電子部品の製造方法は、平板状の基板１を準備する基板準備工程と、基板１の主面上にレジストパターン２ａを形成するレジストパターン形成工程と、基板１の主面上のレジストパターン２ａが形成されていない部分にＩＤＴ電極４を薄膜技術により形成する電極形成工程と、レジストパターン２ａを除去するレジストパターン除去工程とを含み、電極形成工程は、基板１を、電極が形成される側の主面が凹むように反らせておこなうようにした。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲におけるＳＡＷデバイスの優れた周波数温度特性を維持しつつ、リフロー実装時の高温や使用時又は環境の温度変化による周波数シフトを抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，ψ）の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指６ａ，６ｂ間に凹設した電極指間溝８とを有する。オイラー角ψが４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°のとき、ＩＤＴの電極指膜厚Ｈは、０．０５５μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍ、好ましくは０．０８０μｍ≦Ｈ≦０．３３５μｍの範囲内に設定する。オイラー角ψが｜ψ｜≠９０°×ｎ、（ｎ＝０，１，２，３）のとき、電極指膜厚Ｈは０．０５μｍ≦Ｈ≦０．２０μｍに設定する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、λとＧ間で所定の関係式を有し、且つ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηと波長λ間でも所定の関係式を有し、更に、前記ＩＤＴにおける電極指の対数Ｎも所定の範囲を有する弾性表面波共振子。 （もっと読む）

【課題】小型の弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【解決手段】弾性表面波装置１は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に形成されている弾性表面波素子３０と、圧電基板１０上に形成されているバンプパッド１１と、を備えた弾性表面波装置であって、弾性表面波素子３０は、圧電基板１０上に形成されているくし型電極部３２、３３、３４と、圧電基板１０上であって、くし型電極部３２、３３、３４の、弾性表面波の進行方向の両側に形成されている一対のリフレクタ３１、３５と、を備え、一対のリフレクタ３１、３５のうち少なくとも１つのリフレクタ３１は、くし型電極部と対向していない側の交叉幅が、くし歯電極部と対向している側の交叉幅より小さくなるように重み付けがなされており、バンプパッド１１は、重み付けがなければリフレクタが形成されている領域に近接して形成されている。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスチップ間のアイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】基板１０と、前記基板上にフリップチップ実装された複数の弾性波デバイスチップ２０、２２と、前記複数の弾性波デバイスチップの一部の側面から前記基板までを金属を用い封止する封止部１８と、を具備し、前記複数の弾性波デバイスチップの内少なくとも１つにおいて、前記封止部に接する少なくとも１つの側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ２が、前記封止部に接しない側面から弾性波の励振に直接寄与するパターンまでの最も近い距離Ｌ１より長いことを特徴とする弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】入力側及び出力側のＩＤＴ電極をテーパー型に構成した弾性波フィルタにおいて、弾性波の回折損及び圧電基板の大きさを小さく抑えつつ、広い通過周波数帯域を持つ弾性波フィルタを提供すること。
【解決手段】電極指１５及び反射電極１６の幅寸法及び間隔寸法が一方側のバスバー１４から他方側のバスバー１４に向かうにつれて広がるように形成されたテーパー型の入力側ＩＤＴ電極１２及び出力側ＩＤＴ電極１３のフィルタ部３０を弾性波の伝搬方向に沿って圧電基板１１上に２つ配置して、電極１２、１３の夫々における他方側のバスバー１４、１４同士を入力ポート２１（出力ポート２２）に夫々接続すると共に、第１フィルタ部３１の他方側のバスバー１４に近接する領域のトラックＴｒ２と、第２フィルタ部３２の一方側のバスバー１４に近接する領域のトラックＴｒ３と、が等しくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上にＩＤＴ電極を３つ以上並べると共にこれらのＩＤＴ電極の両側に反射器を配置した縦結合型弾性表面波フィルタにおいて、通過周波数帯域における低域側の立ち上がりの急峻性を改善すること。
【解決手段】ＩＤＴ電極１１において、一方のバスバー１３から互いに隣接して伸びる２本の電極指１４、１４の中心間の距離であるピッチ（配列間隔）の長さ寸法をＰ_ｉ１、第１の反射器１２ａにおいて第１のＩＤＴ電極１１ａに隣接するグレーティング電極１７の中心線と、第１のＩＤＴ電極１１ａにおいて第１の反射器１２ａに隣接する電極指１４の中心線と、の間の寸法をＬとすると、寸法ＬをＬ＜０．５Ｐ_ｉ１の範囲となるように設定する。 （もっと読む）

【課題】効率的に不要応答を抑え、かつ、低損失な弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】一対の反射器２と、該一対の反射器の間に配置され、交差部３２１及びダミー部３２２を有する交差電極３２並びにダミー電極を有するすだれ変換子と、を備えた弾性表面波装置１であって、ダミー電極の長さと該ダミー電極が隣り合う前記交差電極のダミー部３２２の長さとが異なっていることを特徴とする弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性が良好で小型のデュプレクサを提供する。
【解決手段】ラダー型フィルタからなる高域側フィルタ４と低域側フィルタ３とを共通の圧電基板１１上に設けたデュプレクサは、これらのフィルタの一方側に含まれる第１の弾性波共振子３１ａと、他方側のフィルタに含まれる第２の弾性波共振子４２ｃと、これらの共振子３１ａ、４２ｃの間に設けられ、第１の弾性波共振子３１ａのグレーティング反射器より漏洩した弾性波を反射する第１の追加グレーティング反射器８６ａと、を備え、第１の弾性波共振子３１ａにおける第２の弾性波共振子４２ｃの反対側には、追加グレーティング反射器が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易で、周波数精度が良好な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上にＳＨ型弾性表面波が励振されるすだれ状電極１１と、すだれ状電極１１の一方の側に配置された１つの反射器１３と、を備え、電極指１１ａ，１１ｂの幅寸法をＬＴとし、電極指の存在しない領域の寸法をＳＴとして、ＩＤＴ配列周期長であるＰＴがＰＴ＝ＬＴ＋ＳＴであり、反射器１３は金属導体１３ａからなり、金属導体１３ａの幅寸法をＬＲとし、金属導体の存在しない領域の寸法をＳＲとして、反射器配列周期長であるＰＲがＰＲ＝ＬＲ＋ＳＲであり、反射器配列周期長ＰＲとＩＤＴ配列周期長ＰＴとの比ＰＲ／ＰＴが１．０１以上１．０２以下の範囲であって、すだれ状電極１１の他方の側にＩＤＴ配列周期長ＰＴに満たない寸法ＰＳＴの電極が存在しない領域を有して水晶基板１０が垂直に切断された切断面を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性と広い周波数帯域を有し、簡素な構成で小型化を実現するラム波型高周波共振子を用いた変調器を提供する。
【解決手段】変調器１は、水晶基板２０の主面に、一組の櫛歯状のＩＤＴ電極３０と該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０とを有するラム波型高周波共振子１０と、ＩＤＴ電極３０と接続される第１発振回路８０、第２発振回路８１と、入力端子９６から入力されるデジタル変調信号に対応して第１発振回路８０、第２発振回路８１からの出力信号を選択出力する切替回路９０と、が備えられ、選択された出力信号を出力端子９５から出力する。 （もっと読む）

【課題】通過帯域の近傍における減衰量をさらに改善をする。
【解決手段】弾性表面波素子片は、圧電基板の弾性表面波の伝播方向に沿って複数のすだれ状電極からなるＩＤＴが設けてある。少なくとも１つのＩＤＴ１４は、弾性表面波の反射を生ずるシングル電極セル３０と、弾性表面波の反射を生じないダブル電極セル３２とを混在させて形成してある。また、シングル電極セル３０における共振周波数ｆ１と、反射を生じないダブル電極セルにおける共振周波数ｆ２とが異ならせてある。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の櫛歯電極及び反射器との間の空間を形成する空間形成体を簡単に形成することができる表面弾性波装置の製造方法及び表面弾性波装置を提供すること。
【解決手段】表面弾性波装置の製造方法は、圧電基板１２上にて櫛歯電極１３，１４及び反射器１９を覆うように犠牲層を形成する犠牲層形成ステップと、この犠牲層の表面に沿って反射器１９の近傍に開口部８を形成しつつ空間形成体７を形成する空間形成体形成ステップと、空間形成体７の開口部８から犠牲層を取り除く犠牲層除去ステップと、空間形成体７によって櫛歯電極１３，１４及び反射器１９との間に励振保護空間７ｃが形成された表面弾性波素子１１を封止樹脂によって封止する樹脂封止ステップとを有する。 （もっと読む）

本発明は２つの表面波シングルゲートレゾネータと活性の電子回路との接続体から成る発振器回路に関する。２つのレゾネータは並列に接続されても直列に接続されてもよいが、高周波数の反共振または高周波数の共振が発生するようにする。ここで、例えばレゾネータに直列または並列に接続された個々のキャパシタンスが用いられ、インダクタンス素子が必要ない。各レゾネータはインターディジタルトランスデューサを含む。各インターディジタルトランスデューサのアパーチャ、フィンガ数、電極層の厚さなどの特性および伝搬方向は、接続体の温度‐位相特性の変化が他の素子の温度‐位相特性の異なる符号にともなって生じるように選定される。これは電子回路の負の差動抵抗の値を選定することによっても達成される。
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【課題】面内回転した回転ＳＴカット水晶板等の圧電体平板上に、レイリー型等の弾性表面波を利用して、５次高調波動作させた新しい形式の弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に１個のすだれ状電極とその伝播方向両側に配置した一対の反射器とからなる弾性表面波共振子において、すだれ状電極における電極指の前記Ｘ方向の幅寸法をＬＴとし、配列周期長に対する線幅比ＬＴ／ＰＴが（１／２±１／１２）の範囲であり、反射器におけるＸ方向の幅寸法をＬＲとし、配列周期長ＰＲに対する線幅比ＬＲ／ＰＲが（１／２±１／１２）の範囲であり、前記寸法ＰＲに対してＰＴの関係がＰＲ＜ＰＴであり、前記弾性表面波の速度Ｖと動作周波数ｆの関係がｆ＝５Ｖ／（２ＰＴ）である弾性表面波共振子。 （もっと読む）

ここに記載されているのは、障害となる横モードを抑圧するＳＡＷ変換器である。ここでこれは、音波の横方向励起プロフィールと、音響トラックおよびこれに隣接する外部領域（ＡＵ１，ＡＵ２）によって形成される導波体の横方向基本モードとを互いに適合させることによって達成される。この適合化は、上記の音響トラックを励起領域（ＭＢ）と縁部領域（ＲＢ１，ＲＢ２）とに分けることによって行われる。この縁部領域および外部領域は、縁部領域における音波の縦方向の位相速度が、励起領域よりも大きくなるように構成されており、この外部領域における縦方向の位相速度は、励起領域よりも小さい。またｋ_ｙは縁部領域において実数であり、外部領域において虚数である。上記の縁部領域（ＲＢ１，ＲＢ２）の幅を調整して、上記の励起領域においてｋ_ｙが実質的に一定であり、また実質的にゼロに等しいようにする。
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【課題】安価で、かつ、良好な振動特性をもって様々な電子機器に使用することができる弾性表面波素子、および弾性表面波デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電基板３４の中央付近に、一対の櫛歯電極４０ａ，４０ｂからなるＩＤＴ４０が設けられており、このＩＤＴ４０が設けられた面と反対側の面を接着剤３２でパッケージ２０に接合するようにした弾性表面波素子３０であって、ＩＤＴ４０と電気的に接続された対となる一方の端子４４と他方の端子４６の端子対４４，４６が、圧電基板３４の中央領域Ｍと端部領域Ｅの各領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】本発明のＳＡＷフィルタは、櫛歯状電極を対向して組み合わせてなるインターディジタル電極と、インターディジタル電極を間に挟んで配置される反射器とを備える共振器を梯子型に接続したＳＡＷフィルタであって、入力と出力間に接続される少なくとも２つの直列腕共振器と、直列腕共振器に対して並列に接続される少なくとも３つの並列腕共振器と、を有し、並列腕共振器のうち、もっとも出力に近く配置された並列腕共振器の櫛歯の交差長は、他の並列腕共振器の櫛歯の交差長に比べて長いことを特徴とする。 （もっと読む）