【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできる二端子対弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】二端子対ＳＡＷ共振子は、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂと、ＩＤＴ１２Ａ，１２Ｂを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有する二端子対ＳＡＷ共振子１０Ａであって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（−１．５°≦φ≦１．５°、１１７°≦θ≦１４２°、４１．９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）とする水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に発生させる弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の電極指７８を有しストップバンド上端モードの前記弾性表面波を発生させるＩＤＴ７２と、を有するＳＡＷ共振子７０であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝８４が形成され、前記電極指７８は、前記溝８４の内部底面に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数特性のばらつき、及び水晶基板との熱歪みや経年変化による周波数変動を抑制するとともに、電気機械結合係数を改善した弾性表面波共振子、弾性表面波発振器、電子機器を提供する。
【解決手段】オイラー角を（φ＝０°、１１０°≦θ≦１５０°、８８°≦ψ≦９２°）とした水晶基板３０と、前記水晶基板３０上に配置された複数の電極指１８を有し、励振波を弾性表面波としたＩＤＴ１２と、を有した弾性表面波共振子であって、前記水晶基板３０上には、前記弾性表面波の伝播方向にストライプ状に並んだ複数の溝３２が配置され、前記電極指１８が、前記溝３２の間、または前記溝の内部に配置される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるディスクリート型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波フィルタは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１２と、ＩＤＴ１２を構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、
【数３５】


を満たし、かつ、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが
【数３６】


の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性を実現することのできるトランスバーサル型弾性表面波デバイス、弾性表面波発振器および電子機器を提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０Ａは、オイラー角（−１°≦φ≦１°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板３０を用い、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振する入力ＩＤＴ１２Ａ、出力ＩＤＴ１２Ｂと、前記ＩＤＴを構成する電極指１８間に位置する基板を窪ませた溝３２を有し、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、


を満たし、かつ、前記ＩＤＴのライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧと前記ライン占有率ηとが


の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 ダイシングラインに吸収材が流出せず、生産が容易な表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】 基板１１上に設けられ、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを有する表面弾性波デバイスであって、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂとダイシングラインＤとの間の少なくとも一部に流止溝１３ａ、１３ｂが形成され、入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂと流止溝１３ａ、１３ｂとの間に入力ＩＤＴ１２ａ、出力ＩＤＴ１２ｂを通過して伝播した表面弾性波を吸収するアブソーバ材１４ａ、１４ｂが塗布されている。 （もっと読む）

【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも２つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。
【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】温度が変化した場合でも、測定対象の状態を精度良く検知することができる弾性表面波センサ、センシングシステム、及び圧力測定方法を提供すること。
【解決手段】第１弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（圧力と温度の影響を含む）第１の演算値を求め、第３弾性表面波素子と第２弾性表面波素子との出力電圧の差をとって、（温度のみの影響を含む）第２の演算値を求める。第２の演算値と温度による基板変化量のマップを用いて、第２の演算値を温度（のみ）による基板変化量に換算し、この温度による基板変化量から（圧力基準値に対応する）温度補正量を求め、温度補正量に第１の演算値を加えた加算値を求め、加算値から圧力及び温度による基板変化量を求める。そして、圧力及び温度による基板変化量から温度のみによる基板変化量を引くことにより、圧力のみによる基板変化量を求める。 （もっと読む）

【課題】使用環境によらず、発振安定性に優れた弾性表面波共振子、およびかかる共振子を備えた弾性表面波発振器および電子機器を提供すること。
【解決手段】オイラー角（−1.5°≦φ≦1.5°，117°≦θ≦142°，42.79°≦｜ψ｜≦49.57°）の水晶基板３０を用い、ＳＡＷを励振するＩＤＴ１２およびこれを挟む一対の反射器２０と、電極指１８間の水晶基板３０を窪ませた溝３２を有するＳＡＷ共振子１０であって、ＳＡＷの波長をλ、溝３２の深さをＧとした場合に、0.01λ≦Ｇを満たし、ＩＤＴ１２のライン占有率をηとした場合に、溝３２の深さＧとライン占有率ηとが−2×Ｇ／λ＋0.72≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.01λ≦Ｇ≦0.05λ）、および、−3.5898×Ｇ／λ＋0.7995≦η≦−2.5×Ｇ／λ＋0.7775（ただし0.05λ＜Ｇ≦0.0695λ）の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 高周波を直接発振させることができると共に、ＡＴカット振動子並みの周波数精度が得られ、発振器を構成した場合において位相雑音やジッタ特性が良好な弾性波素子を提供することである。
【解決手段】 基板内部を板波が伝搬するようにオイラー角（０±２°、３５〜４０°、０±２°）によってカット形成された水晶基板１２と、この水晶基板１２の表面に板波を励振させる少なくとも１つの櫛形励振電極１３と、裏面に周波数の調整を行う周波数調整膜１４とを備え、位相速度が４５００〜６０００ｍ／ｓの範囲にある板波の温度特性が２５℃付近に変曲点を持つ略３次温度特性になるように櫛形励振電極１３と周波数調整膜１４の膜厚を調整した。 （もっと読む）

【課題】圧電デバイスの製造を容易なものとしつつ、小型化を図ることができる圧電デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】内部端子対５５が設けられたベース基板５１と、ベース基板５１に対して固定された圧電体基板２１と、圧電体基板２１上に設けられたＩＤＴ２２と、圧電体基板２１上に設けられ、ＩＤＴ２２に電気的に接続された引出電極対２４とを備える弾性表面波素子片２と、内部端子対５５の一方の端子と引出電極対２４の一方の端子とに跨るように接合された第１の受動部品３１と、内部端子対５５の他方の端子と引出電極対２４の他方の端子とに跨るように接合された第２の受動部品３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】携帯電話や無線ＬＡＮ端末等に用いられる弾性波素子において、ＩＤＴ電極とインダクタンスを得るための導体パターンとの干渉を抑制する弾性波素子の提供。
【解決手段】弾性波素子１２は、圧電基板１３と、圧電基板１３の上に配置されたＩＤＴ電極１４と、ＩＤＴ電極１４に接続された内部電極１５と、ＩＤＴ電極１４の周囲に設けられた支柱体１６と、支柱体１６の上にＩＤＴ電極１４の上の空間１７を覆うように設けられた天板１８と、支柱体１６と天板１８とを覆う絶縁保護体１９と、絶縁保護体１９の上に配置される外部電極２０と、絶縁保護体１９の上に配置されるインダクタンスを得るための導体パターン２１と、絶縁保護体１９を貫通するように設けられ、外部電極２０と内部電極１５とを電気的に接続する接続電極２２と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】球状弾性表面波素子の動作精度をより向上させ、ひいては球状弾性表面波素子を利用した種々の装置の動作精度をより向上させる。
【解決手段】電気音響変換素子２２の中心Ｃが、表面領域１６において＋Ｙ結晶軸との交点から最大径の外周線１４の延出方向に１５度以内の範囲内にあり、さらに、水晶またはランガサイトが、右旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し＋Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にあり、一方、前記水晶またはランガサイトが、左旋性である場合は、前記音響変換素子２２の中心Ｃが、前記表面領域１６において前記＋Ｙ結晶軸との交点から前記最大径の外周線１４に対し−Ｚ方向に１度以上３度以内の角度で回転した位置にある球状弾性表面波素子１０である。 （もっと読む）

本発明は，音響波の横方向放射による損失を低下させた電気音響変換器を提供する。そのために変換器は，中央励起領域（ZAB）と，中央励起領域（ZAB）の両側に隣接する内縁領域（IRB）と，内縁領域（IRB）に隣接する外縁領域（ARB）と，外縁領域（ARB）に隣接するバスバー領域（SB）とを備える。これら領域内における縦方向速度は，ピストンモードによる励起プロファイルが得られるよう設定されている。 （もっと読む）