【課題】特性の安定性に優れ、超小型軽量の集積回路装置を大判のウエハープロセスにて形成することができる集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】カバー１４とスペーサー１３によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ１２による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、優れた信頼性を有する圧電デバイスの製造方法および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電振動片２を収納したパッケージ３を実装用基板４上にスペーサ５１〜５４を介して実装するとともに、スペーサ５１〜５４によってパッケージ３と実装用基板４との間に形成された間隙に収まるように、圧電振動片２を駆動する機能を有する電子部品６を実装用基板４上に実装した圧電デバイス１の製造方法であって、実装用基板４となるべき基板４Ａ上にスペーサ５１〜５４を形成する工程と、基板４Ａ上およびスペーサ５１〜５４上にこれらの間を跨るように配線パターン４２を形成する工程と、配線パターン４２に電気的に接続されるように、基板４Ａ上に電子部品６を実装する工程と、スペーサ５１〜５４上にパッケージ３を実装する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】各種特性（特に、ストレスマイグレーションに起因する周波数変動の抑制効果）に優れる弾性表面波素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の弾性表面波素子１の製造方法は、圧電体基板２Ａの一方の面上に、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ（櫛歯電極）３を形成する工程と、ＩＤＴ３の圧電体基板２Ａとは反対側の面上にマスク６（保護膜）を形成した状態で、圧電体基板２Ａをドライエッチングすることにより、圧電体基板２Ａの一方の面の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間に対応する部分に、溝２５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子と同等かそれ以上の優れた周波数温度特性を有する弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、カット角がオイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０±０．２５°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））となる水晶基板２と、水晶基板２上に設けられ、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ３（櫛歯電極）と、ＩＤＴ３を水晶基板２とは反対側から覆うように設けられ、ＳｉＯ_２を主成分として構成されたＳｉＯ_２膜６とを有し、ＳｉＯ_２膜６の規格化膜厚ｈｓ／λ（ただし、ｈｓは、ＳｉＯ_２膜６の平均厚さ［ｎｍ］であり、λは、弾性表面波の波長［ｎｍ］である）が、０．００４６〜０．０２３３である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エージング特性およびリフロー特性の優れる弾性表面波素子およびそれを備える圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２は、圧電性を有する圧電体材料で構成された圧電体基板２１と、圧電体基板２１の一方の面上に設けられ、圧電体基板２１に弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ２２とを有している。圧電体基板２１の厚さは、６０μｍ〜２００μｍである。また、圧電体基板２１は、ＩＤＴ２２の構成材料の収縮力により生じる応力により、ＩＤＴ２２が設けられた面側に凹むように反っている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板と、リフトオフ加工を用いて精度よく所望の金属パターンを形成できるようにする形成方法を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板１１と圧電基板１１を支持する支持基板１２とを有機接着層１３により貼り合わせたものである。この複合基板１０のうち支持基板１２及び有機接着層１３の少なくとも一方は、フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能である。これにより、この複合基板１０では、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンが圧電基板の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】整合回路をパッケージ内に備え、低背で気密性の高い弾性波フィルタ装置を構成する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１０１は、弾性波素子６０、ベース基板５０、バンプ７２，７３、気密封止枠７１、外装樹脂８０を備えている。弾性波フィルタ装置１０１は、複数の弾性表面波フィルタで構成され、圧電基板の一方の主面上にインター・ディジタル・トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）と、このＩＤＴ電極に接続される配線電極が設けられている。また、圧電基板の外周には、全周にわたってｌＤＴ電極や配線電極を取り囲むように気密封止枠７１が設けられている。ベース基板５０は、上部がセラミック基板４０、下部が樹脂基板３０で構成されている。ベース基板５０の下部をなす樹脂基板３０の内部には、整合回路を構成する導体パターン３３、底面には．実装端子３４，３５がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ共振片、ＳＡＷ共振子、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１４上において、一対のＳＡＷ素子１８（１９）と、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）の出力側にそれぞれ接続した一対の出力端子３２（３３）と、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）のそれぞれ入力側に共通に接続した入力端子２８と、を形成したＳＡＷ共振片１２であって、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）は、入力側を互いに対向させ、ＳＡＷ素子１８、１９の中心位置が前記圧電基板１４のＳＡＷの伝播方向の中心線で線対称となる位置に配置し、前記一対の出力端子３２（３３）は、前記線対称となる位置に形成し、前記入力端子２８は、前記線対称の中心線１６上に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値を向上させ、弾性表面波共振子の小型化を可能とする。
【解決手段】水晶基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子において、ＩＤＴは、中央部に配置された第１領域と、第１領域の両側に配置された第２領域および第３領域とを備え、第１領域では周波数が一定であり、第２領域および第３領域ではＩＤＴの端部に近づくに従い周波数が順次低くなる部分を含み、第１領域における周波数をＦａ、第２領域における端部の周波数をＦｂ_M、第３領域における端部の周波数をＦｃ_N、としたとき、０．９８１５＜Ｆｂ_M／Ｆａ＜０．９９５３、かつ、０．９８１５＜Ｆｃ_N／Ｆａ＜０．９９５３、である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い、ＳＨ波を利用した、端面反射波の影響が少なく、小型化したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１０は、水晶基板７１と、水晶基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極７２とを備え、水晶基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角が負となる回転方向とした時に、カット角を結晶Ｚ軸より−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とした励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスであって、弾性表面波の伝搬方向と水晶基板の長辺方向の間のなす傾斜角θ_Eを０°＜θ_E＜３°とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子におけるＱ値の向上とＣＩ値の低減。
【解決手段】ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２は、中央部に配置された第１領域１４ａと、その両側に配置された第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃとを備え、電極指間隔が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、かつ第１領域１４ａに比べて第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは電極指間隔が大きく形成され、ライン占有率が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、第１領域１４ａは第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃに比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは第１領域１４ａに比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。 （もっと読む）

【課題】電極指の線幅が変動した場合における周波数変動量の差を少なくし、量産化に適した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】少なくともＲａｙｌｅｉｇｈ型弾性表面波を励振させるための電極パターン１４としてのＩＤＴ１６を備え、前記弾性表面波のストップバンドの上限モードを励振させる弾性表面波デバイス１０であって、ＩＤＴ１６を形成するための圧電基板１２として、（φ，θ，ψ）で示すオイラー角表示で（０°，９５°≦θ≦１５５°，３３°≦｜ψ｜≦４６°）のカット角で切り出された水晶基板を採用し、ＩＤＴ１６を構成する櫛歯状電極１８（１８ａ，１８ｂ）の電極指間に電極指間溝（溝２８）を形成することで、溝２８で挟まれた水晶部分を電極指台座３０とし、電極指台座３０の上面に電極指２２が位置する構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極のメカニカルマイグレーションを抑制した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１を有する第１のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成された第２のＩＤＴ電極１３であって、第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３を順次積層した第１の積層体を有する第２のＩＤＴ電極１３と、を備えるとともに、第２導電膜３２がＴｉからなり、第１導電膜３１及び第３導電膜３３が第２導電膜３２とは異なる材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｑ値が向上したＳＡＷ共振子及びこのＳＡＷ共振子を備えたＳＡＷ発振器の提供。
【解決手段】ＳＡＷ共振子１は、水晶基板１０と、水晶基板１０の主面１１に設けられた、隣り合う２つのＩＤＴ電極２０，２１と、２つのＩＤＴ電極２０，２１の両側に設けられた反射器３０，３１とを備え、２つのＩＤＴ電極２０，２１間のギャップをＤとし、ＩＤＴ電極２０，２１の電極指２０ａ，２１ａ，２１ａ，２１ｂのピッチをＬｔとし、反射器３０，３１の電極指３０ａ，３１ａのピッチをＬｒとしたときに、（１）：ｎ×（Ｌｔ／２）＜Ｄ＜０．０４５×Ｌｔ＋ｎ×（Ｌｔ／２）（但し、ｎは０以上の整数）、（２）：−０．０２６６７×Ｄ＋０．９９９２≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−０．００６６７×Ｄ＋０．９９９６、の２つの関係式を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、音響波デバイスの分野に係わり、特に数百ＭＨｚから数ＧＨｚの高い周波数での作業が可能なトランスデューサの分野、とりわけ、少なくとも２基板と強誘電体層２とを含む界面音響波デバイス１に関するものである。強誘電体層は、第１電極３と第２電極４との間に配置され、かつ第１正偏向分域７と第２負偏向分域８とを含み、該第１と第２の分域は交互に配置されている。該音響波デバイスは、第１電極３と、強誘電体層２と、第２電極４とから成る集成体が、第１基板５と第２基板６との間に設けられていることを特徴とする。
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【課題】 圧電部品の小型化、大容量化及び低価格化である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２，３，４の主面に櫛歯電極５，５ａ，５ｂと該櫛歯電極に隣接して配設された素子配線を有する配線電極６，６ａ，６ｂ及び該配線電極に接続された電極端子８を形成した少なくとも２個以上の圧電素子を各圧電素子間に中空部Ｃが形成されるように接合して積層し、貫通電極７，７ａが前記各圧電基板３，４を貫通して形成され、該貫通電極７，７ａが前記電極端子８に接続され、かつ、前記圧電基板２，３，４が、樹脂封止層１０により封止されていることを特徴とする圧電部品及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】共振器型一方向性電極により入力側電極及び出力側電極を構成したＳＡＷフィルタにおいて、通過帯域の端部まで群遅延時間特性を良好にすること。
【解決手段】入力側電極に通過帯域の中心周波数の周波数信号を入力した時点から当該周波数信号に対応する信号が出力側電極から出力されるまでの遅延時間をＴ（μｓ）、弾性表面波の伝播速度をＶ（ｍ／ｓ）とすると、Ｔ×Ｖで表される入力電極から出力電極までの弾性表面波の伝播距離Ｄ（ｍｍ）を、入力電極におけるシールド電極とは反対側の端部から出力電極におけるシールド電極とは反対側の端部までの寸法Ｌ（ｍｍ）で規格化したＤ／Ｌを０．５２＜Ｄ／Ｌ＜０．６５に設定する。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の小型化、高性能化及び低価格化である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２と、該圧電基板２の主面２ａに形成された櫛歯電極７と該櫛歯電極に隣接して配設された素子配線を有する配線電極８とからなる第１圧電素子と、前記圧電基板２に形成された端子電極９と、該端子電極９に接触するはんだ電極１１と、櫛歯電極７ａ及び配線電極８ａとを主面に有する複数の第２圧電素子４，５とからなり、該第２圧電素子４，５が前記第１圧電素子と前記第２圧電素子の主面とが対向して両主面間に中空部Ｃが形成されるように、感光性樹脂シートからなる樹脂封止層３により封止され、かつ、該樹脂封止層３を貫通して前記端子電極９とその上端部が接触する貫通電極６と、からなることを特徴とする圧電部品及びその製造方法に関する。 （もっと読む）