【課題】ＩＤＴによってＳＨタイプの表面波を利用して駆動する圧電共振子において、Ｐ／Ｖ値を大きく維持したまま小型・低背化が達成され、スプリアスの少ない圧電共振子を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト構造のＰｂＴｉＯ_３又はＮａＮｂＯ_３を主成分とする圧電基板１ａの主面の一部に櫛歯電極からなるインターデジタルトランスデユーサ（ＩＤＴ）３を形成し、ＳＨタイプの表面波を利用して駆動することを特徴とし、特に前記ＰｂＴｉＯ_３のＰｂの一部を、Ｌａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｓｒ、Ｃａ及びＢａのうち少なくとも１種で置換するとともに、Ｔｉの少なくとも一部を、Ｍｎにより置換したＡＢＯ_３型ペロブスカイト型複合酸化物であって、Ｂサイト構成元素１モルに対するＰｂのモル数をａ、Ａサイト構成元素のうちＰｂ以外の元素の総モル数をｂとしたとき、ａ／（１−ｂ）で表される値（ｐ）が０．９０〜１．００からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】水晶基板上にＺｎＯ薄膜を形成することで表面に導波される縦波型漏洩弾性表面波を利用したＳＡＷデバイスにおいて更なる高周波化を図ると共に良好な特性を実現する。
【解決手段】オイラー角表示で（０，θ，０）の水晶基板１上にＩＤＴ２を形成し、該ＩＤＴ２を覆うようにＺｎＯ薄膜３を形成し、縦波型漏洩ＳＡＷを基板表面に励振させ、水晶基板１のカット角θを１２０°≦θ≦１４０°の範囲に設定し、且つ、縦波型漏洩ＳＡＷの波長λで規格化したＺｎＯ薄膜３の膜厚ＨをＨ≦０．０８λの範囲に設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ＳＨ型弾性表面波デバイスの挿入損失に関し、最適化電極膜厚を得る。
【解決手段】 オイラー角（０°，１１０°〜１５０°，９０°±２°）の水晶基板上にアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極及びグレーティング反射器を複数個備えたＳＨ型弾性表面波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極及びグレーティング反射器の実効膜厚Ｈ＝Ｈ_０・２Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）（Ｈ_０は規格化膜厚、Ｌはライン幅、Ｓはスペース幅）が３％λから４．５％λ（λは波長）の範囲にあるように設定する。 （もっと読む）

【課題】 擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、スプリアスを効果的に抑制することによりＣＩ値やＱ値を改善し、高周波化を容易にする弾性表面波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λを１≦ｔ／λ≦２２とし、基板の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向をオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】 擬似縦型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、周波数調整を高精度に行える弾性表面波装置の周波数調整方法を提供する。
【解決手段】 ＩＤＴ電極２を形成した、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板からなる圧電基板１の、ＩＤＴ電極２を形成した面と厚み方向に対向する面（基板裏面）１ｂをエッチングすることにより、弾性表面波装置１０ｂの周波数調整を行うものである。 （もっと読む）

弾性波を伝搬させることが可能な基板を有して成るタッチセンサー。かかる基板は、タッチ検知領域を有する第１面を含んでいる。ある態様では、基板は、第１エッジにて第１面と交差している第１側壁を含んでいる。基板の第１側壁にはトランスミッターが設けられている。トランスミッターは、タッチ検知領域の少なくとも一部を通るように第１側壁から直接的に伝搬する弾性波を発生させる。別の態様では、トランスデューサーが基板上に形成されている。トランスデューサーは、基板に形成された後で熱硬化に付された圧電素子を有して成る。トランスデューサーは、弾性波の発生または検出の少なくも一方を行うように構成されている。別法にて、トランスデューサーが、圧電素子を有して成るストリップを含んでいてもよい。
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表面弾性波センサは、ａ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶（ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのようなもの）と交叉指状電極の上の第２の圧電層（酸化亜鉛のようなもの）とから成る第１の層状ＳＡＷデバイスと、ｂ）その表面上に交叉指状電極を有する圧電結晶と、交叉指状電極の上の第２の圧電層と、第２の圧電層の上の検体感応表面（金のようなもの）とから成る第２の層状ＳＡＷデバイスとを備える。ｃ）ＳＡＷデバイスの両方は、同じ基板上に製作される。表面弾性波センサは、ｄ）ＳＡＷデバイスの帯域幅を低減するため各ＳＡＷデバイスの交叉指状電極に隣接して配置された反射器を更に備え、ｅ）各ＳＡＷデバイスの共振器回路は、従属性の増幅器を組み込んでいる。
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電気機械結合係数が大きく、伝搬損失及びパワーフロー角が小さく、周波数温度係数ＴＣＦが適度な範囲にあり、簡略な構造により簡単な工法で製造され得るストンリー波を利用した弾性境界波装置を提供する。
圧電体２の一面に誘電体３が積層されており、圧電体２と誘電体３との間の境界に電極としてＩＤＴ４及び反射器５，６が配置されており、誘電体３を伝搬する遅い横波の音速及び圧電体２を伝搬する遅い横波の音速よりもストンリー波の音速を低くするように、上記電極の厚みが決定されている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

所望でないスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とするＳＨタイプの弾性境界波を利用した弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層２と、第１の媒質層２に積層された第２の媒質層６との境界に、インターデジタル電極３、反射器４，５を含む電極が形成されており、第１の媒質層２及び／または第２の媒質層６の境界面とは反対側の面に吸音層７が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

表面弾性波センサを通過する伝播速度を推定する技術について記述する。特に、表面弾性波センサの位相周波数応答の適当なセグメントを測定して利用する技術について、センサによる細菌検出の基礎として利用すべく記述する。上述のように、位相周波数応答の適当なセグメントに基づく速度評価を利用することは、検出の根拠として位相シフトを用いる従来の技術より優れている。
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フィルタ帯域の急峻化や、比帯域幅の異なる複数帯域のフィルタ、共振子を単一基板上に得ることで、小型で高性能な弾性境界波を用いた弾性境界波装置を提供する。
単結晶基板４上に固体層５が積層されており、単結晶基板４と固体層５との境界に電極が配置されている弾性境界波装置であって、カット角が同じ単結晶基板４を用いて構成された複数の弾性境界波素子２，３が備えられており、弾性境界波素子２の伝搬方位は、弾性境界波素子３の伝搬方位と異なっている、弾性境界波装置１。
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良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。
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良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ周波数の製造偏差を低減し得る弾性境界波装置を提供する。 第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ_３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ_２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．３３＜ｄ＜０．４９とされている、弾性境界波装置。
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