【課題】電気機械結合係数などの他の特性をさほど低下させることなく、群遅延時間温度係数ＴＣＤや周波数温度係数ＴＣＦを調整することが可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電体２と誘電体３との界面にＩＤＴ電極４が配置されており、該ＩＤＴ電極４の電極指４ａに沿うように設けられており、かつ周期的に配置された第１の弾性的不連続部５ａ及び／または第１の弾性的不連続部５ｂが形成されており、第１の弾性的不連続部５ａ，５ｂの弾性境界波伝搬方向に沿う寸法である幅Ｗ１が０．０７λ以下とされており、あるいはＩＤＴ電極４の複数本の電極指４ａ，４ａ間のスペース間から、垂直な方向にギャップを隔てて誘電体３内に配置された第２の弾性的不連続部６が形成されており、複数の第２の弾性的不連続部６がλ／２の周期で設けられている、弾性境界波装置。 （もっと読む）

【課題】表面閉じ込め型のＳＨ波を利用するＳＡＷ共振子において、ドライブ特性の良好なＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】表面閉じ込め型のＳＨ波を利用するＳＡＷ共振子１において、水晶基板１０と、水晶基板１０表面に線状で周期的に連続するように形成された複数の溝部２３と、溝部２３に挟まれた水晶基板１０表面にＡｌ膜からなる交差指電極２１，２２が正極と負極とを交互に配置されるように形成された櫛歯電極２５と、を備え、溝部２３に挟まれた水晶基板１０表面の線幅Ｌｇに対して、交差指電極２１，２２の線幅Ｌｍが狭くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】使用温度範囲が広く、周波数温度特性が優れる高精度で小型の結合型ＳＡＷ共振子を提供する。
【解決手段】結合型ＳＡＷ共振子１０は、オイラー角表示（φ，θ，ψ）で表されるＳＨカットの水晶基板１００の主面上に、特定の方位に主ＩＤＴ電極１２１、副ＩＤＴ電極１２２と反射器１２３，１２４とを配設した２ポート型の第１共振子１２０と、主ＩＤＴ電極１３１、副ＩＤＴ電極１３２と反射器１３３，１３４と、を配設した２ポート型の第２共振子１３０とを近接して設け、且つＳＨ波の伝搬方向に平行に並設し、第１共振子１２０を縦方向のＬＳ０モードで動作させ、第２共振子１３０を縦方向のＬＡ０モードで動作させ、ＩＤＴ電極の線幅Ｌ１，Ｌ２を異ならせてＬＳ０モードとＬＡ０モードの基本周波数を略一致させたうえで、ＬＳ０モードとＬＡ０モードとを弾性結合状態で動作させる。このことにより、温度特性カーブを平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】ラム波を利用したラム波型高周波デバイスにおいて、周波数精度の良いラム波型高周波デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面にラム波を励振するＩＤＴ電極を形成する電極形成工程を有するラム波型高周波デバイスの製造方法であって、前記ＩＤＴ電極の表面のエッチング、または前記ＩＤＴ電極が形成された前記圧電基板の一方の主面のエッチング、または前記ＩＤＴ電極が形成された前記圧電基板の一方の主面に対向する他方の主面のエッチング、のいずれかを用いてラム波の周波数を調整する周波数調整工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を必要とせず、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＰ＋ＳＶ型弾性境界波としてのストンリー波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ型弾性境界波を利用しており、煩雑な工法を採用することなく得ることができ、広帯域のフィルタや共振子に適した電気機械結合係数を得ることができる弾性境界波装置を得る。
【解決手段】ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２を用いており、該ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２上にＩＤＴ４が形成されており、ＩＤＴ４を覆うように誘電体３が形成されており、ニオブ酸カリウム系単結晶基板２と誘電体３との境界を伝搬するＳＨ型弾性境界波を利用しており、ニオブ酸カリウム系圧電単結晶基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）が、図２、図５、図８、図１１、図１４、図１７、図２０、図２３、図２６、図２９、図３２、図３５、図３８、図４１、図４４、図４７、図５０、図５３または図５６のそれぞれにおいて、電気機械結合係数Ｋ^２が９％であることを示す線及び該線よりも電気機械結合係数Ｋ^２が高い領域内のいずれかにある、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】検出感度が高く、取り扱いが容易なラム波型高周波センサデバイスを提供する。
【解決手段】表裏に主面１４，１５を有する圧電基板１１と、圧電基板１１の一方の主面１４に形成されたラム波を励振するＩＤＴ電極１２と、を備え、圧電基板１１の一方の主面１４に対向する他方の主面１５が物理量を検出する検出面であるように構成した。このように、ラム波を利用することで、従来方式のバルク波を用いた共振子または弾性表面波を用いた共振子より高い周波数で動作させることが可能となり、検出感度が高いラム波型高周波センサデバイス１０を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】外付け素子を無くすとともに、スイッチ回路素子数を減じて発振回路構成を簡単化し、かつ周波数切り替え時のＳＷ回路の動作による過渡現象の影響を減少させたＦＳＫ変調器を提供する。
【解決手段】ＦＳＫ変調器１０は、圧電体基板上に、２個の振動状態を有し主ＩＤＴとゲイトＩＤＴおよび副ＩＤＴのＩＤＴと該ＩＤＴの両側に１対の反射器が配置され２モード且つ２ポート型のＳＡＷ共振子１０１と、増幅器１００と、スイッチ回路１０２とが設けられており、２モード且つ２ポート型ＳＡＷ共振子１０１の１次入力側端子対が発振器の増幅器１００に接続されてＳＡＷ発振回路が構成され、かつ２モード且つ２ポート型ＳＡＷ共振子１０１の２次出力側端子対間が１個のスイッチ回路１０２を介して接続されており、スイッチ回路１０２の開閉によって、第１の発振周波数ｆＬ、あるいは前記第１の発振周波数ｆＬと若干異なる第２の発振周波数ｆＨを発生させる。 （もっと読む）

【課題】結晶ｃ軸を一定方向に配向させることができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造方法は、電子ビーム蒸着法によって基板に薄膜を堆積させつつ基板１０に対してイオンビームを照射するとともに、基板１０とイオンビームの照射方向とのなす角度を略垂直とすることで、基板１０上に形成される薄膜の結晶ｃ軸を基板面内方向で一方向に配向させる。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】第１、第２の周波数以外の他の周波数を有する共振信号を取り出すことができなかった。
【解決手段】第１、第２の櫛形電極間に弾性表面波を励起するための入力信号を印加し、かつ、第３、第４の櫛形電極間に入力信号を実質的に印加しないことにより、第１、第２の周波数間に位置する第３の周波数を有する共振信号を生成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】部品点数を減らしたＡＳＫ送受信装置を提供する。
【解決手段】圧電体平板上に形成されたＳＡＷデバイスと、増幅器とＳＷ回路と復調器と
を少なくとも備えるＡＳＫ送受信装置であって、ＳＡＷデバイスは、少なくとも主ＩＤＴ
とゲイトＩＤＴと副ＩＤＴと一対の反射器とを配置した２モード型ＳＡＷ素子であり、か
つ主ＩＤＴをＳＷ回路にて増幅器に接続して発振回路を構成し、かつ副ＩＤＴ側の端子を
開放状態として、第３の周波数で発振させ、かつＡＳＫデータ信号に対応して断続する発
振信号を出力して送信系を構成し、また、主ＩＤＴの端子を前記ＳＷ回路にて受信信号入
力側に接続し、かつ副ＩＤＴ側の端子を復調器に接続して、第１の周波数と第２の周波数
との周波数間を通過帯域幅とする二重モード型ＳＡＷフィルタとなして、発振信号を受信
して盧波する受信系を構成し、第３の周波数を第１の周波数と第２の周波数との間に配設
した。 （もっと読む）

【課題】電極指からバスバー方向への弾性波の漏れを抑制すること。
【解決手段】本発明は、弾性波を反射する弾性波反射領域（２０）を有する圧電基板（１０）と、圧電基板（１０）上に設けられ、弾性波を励振する複数の電極指（１２）と、圧電基板（１０）上に設けられ、複数の電極指（１２）を互いに接続するバスバー（１３）と、バスバー（１３）の少なくとも一部上に接して設けられた第１媒質層（１６ａ）と、を有する。弾性波反射領域（２０）は、複数の電極指（１２）のバスバー（１３）方向にバスバー（１３）に接するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、容量比γを小さくし、周波数制御性
を高めたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方
向に−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結
晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。
また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金
からなり、弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１
２に設定する。そして、前記ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率ｍｒを電極指幅／（
電極指幅＋電極指間スペース）とした時に、前記ライン占有率ｍｒを０．５３≦ｍｒ≦０
．６５、又は０．５５≦ｍｒ≦０．６８に設定する。 （もっと読む）

【課題】 周波数温度特性に優れた薄膜構造の高結合擬似弾性表面波基板および高周波帯の挿入損失を低下させる弾性表面波機能素子を提供する。
【解決手段】 LiNbO₃基板上にSiO₂膜の薄膜層を形成するとともに、前記LiNbO₃基板の回転Ｙ板のカット角度を−１０度から＋３０度とし、前記薄膜層の膜厚寸法をＨ、前記弾性表面波の動作中心周波数の波長をλとしたときに、Ｈ／λの値を０．１１５から０．３１とした。その結果、レーレー型の弾性表面波よりも早い速度の擬似弾性表面波に対する電気機械結合係数ｋ^２を０．２０以上にでき、かつ周波数温度特性を−３０から＋３０ppm／℃の各範囲とすることができ、電気機械結合係数ｋ^２が大きく、周波数温度特性の優れた機能素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数を精度良く制御することが可能な弾性波デバイスおよびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電基板（１２）と、圧電基板上に設けられた第１誘電体（２４）と、第１誘電体上に設けられた櫛型電極（１４）および反射電極（１６）と、櫛型電極および反射電極を構成する電極指と、を具備し、第１誘電体が隣り合う電極指の間で圧電基板の表面が露出するように分離されていて、第１誘電体の側面と櫛型電極および反射電極の電極指の側面とが同一面に形成されている弾性波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有し、速い位相速度、優れた周波数温度特性を有するラム波型高周波共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１０は、水晶基板２０と、水晶基板２０の主面に第１交差指電極３１と第２交差指電極３２が間挿して構成されるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０と、を備え、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の交差幅をＷとし、ラム波の波長をλとしたとき、交差幅Ｗが２１λ≦Ｗ≦５４λで表される範囲に設定される。また、水晶基板２０の切り出し角度及び前記ラム波の伝搬方向が、オイラー角表示で（０、θ、０）になるようにＩＤＴ電極３０が形成され、角度θが、３５度≦θ≦４７．２度で表される範囲において、水晶基板２０の厚みｔと、ラム波の波長λとの関係で表される規格化基板厚みｔ／λが、０．１７６≦ｔ／λ≦１．９２５の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数温度特性と広い周波数帯域を有し、簡素な構成で小型化を実現するラム波型高周波共振子を用いた変調器を提供する。
【解決手段】変調器１は、水晶基板２０の主面に、一組の櫛歯状のＩＤＴ電極３０と該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される反射器４０，５０とを有するラム波型高周波共振子１０と、ＩＤＴ電極３０と接続される第１発振回路８０、第２発振回路８１と、入力端子９６から入力されるデジタル変調信号に対応して第１発振回路８０、第２発振回路８１からの出力信号を選択出力する切替回路９０と、が備えられ、選択された出力信号を出力端子９５から出力する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化、および製造工程を増加せずに、各弾性表面波素子部において励振した弾性表面波が隣接した弾性表面波素子部に悪影響を与えるのを阻止する。
【解決手段】弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２に第１弾性表面波素子部１４と第２弾性表面波素子部１６とを有する。第１弾性表面波素子部１４と第２弾性表面波素子部１６とは、それぞれ第１共振部１８、２０と第２共振部２２、２４とから構成してある。各共振部は、すだれ状電極からなるＩＤＴ２６、２８、３０、３２を備えている。第１弾性表面波素子部１４の第２共振部２２のＩＤＴ３０を構成している櫛型電極３８ａ、３８ｂのボンディングパッド６４ａ、６４ｂと、第２弾性表面波素子部１６の第１共振部２０のＩＤＴ２８を構成している櫛型電極３６ａ、３６ｂのボンディングパッド６２ａ、６２ｂとは、第１弾性表面波素子部１４と第２弾性表面波素子部１６との間の間隙６０に配設してある。 （もっと読む）

【課題】ストップバンドの上限モードで共振する弾性表面波素子の、電極指幅のばらつきに伴う周波数ばらつきを小さくできるようにする。
【解決手段】弾性表面波素子１０は、水晶基板１２のカット角がオイラー角表示で（０°，０°≦θ≦１８０°，０°＜｜ψ｜＜９０°）となっている。水晶基板１２の表面中央部には、ＩＤＴ１４が設けてある。ＩＤＴ１４は、一対の櫛型電極１８（１８ａ、１８ｂ）からなり、すだれ状に形成してある。ＩＤＴ１４を構成している櫛型電極１８の電極指２２（２２ａ、２２ｂ）は、幅がＬｔ、電極指２２の形成ピッチがＰｔとなっていて、０．５≦（Ｌｔ／Ｐｔ）≦０．７となるように形成してある。ＩＤＴ１４は、一対の櫛型電極１８ａ、１８ｂ間に信号圧が印加されると、水晶基板１２をレイリー波からなる弾性表面波のストップバンドの上限モードで励振する。 （もっと読む）