【課題】バンプ接合可能で、かつ量産性に優れた弾性境界波デバイスを提供する。
【解決手段】圧電基板２と、圧電基板２上に設けられた弾性波素子４と、圧電基板２上に設けられ、弾性波素子４と電気的に接続された端子１０と、端子１０上に設けられた第１バンプ１２と、圧電基板２上及び弾性波素子４上に設けられ、第１バンプ１２の側面を覆い、第１バンプ１２と接している領域の上面が露出している絶縁膜６と、絶縁膜６上に設けられ、絶縁膜６の第１バンプ１２と接している領域の側面を覆う吸音膜８と、第１バンプ１２上に設けられた第２バンプ１４と、を具備する弾性境界波デバイス。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波が伝搬する境界面と媒質層の表面との間で閉じ込められる弾性波に起因するスプリアスを効果的に抑圧することができ、良好な共振特性やフィルタ特性を得ることを可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】相対的に音速が速い第１の媒質層２としてのＬｉＮｂＯ₃基板と、相対的に音速が遅い第２の媒質層３としてのＳｉＯ₂膜との境界に、電気音響変換器としてのＩＤＴ４と、反射器５，６とが配置されており、ＳｉＯ₂膜の上面に、複数本の溝３ｂが形成されて凹部及び／または凸部が設けられている、弾性境界波装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、挿入損失や減衰特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明は、圧電材料からなる第１の媒質１０１と、第１の媒質１０１の上面に設けられた櫛型電極１０２と、櫛型電極１０２を覆う第２の媒質１０４とを備えた弾性境界波デバイスであって、櫛型電極１０２は、バスバー電極領域１０５とダミー電極領域１０６と交差領域１０７とを含む構成であって、少なくともバスバー電極領域１０５またはダミー電極領域１０６のいずれかの上部において、第２の媒質１０４が非形成状態である構成としたものである。 （もっと読む）

本発明は、圧電材料でできている非常に小さなアンテナに対するものである。圧電材料を介して伝搬する無線シグナルの波長は、その高い誘電率および無線シグナル間の共振のため、短くなり、種々の周波数におけるその力学的な波のモードにより、送受信モードにおいて高振幅シグナルを生じる。 （もっと読む）

【課題】安価な材料で、又比較的薄い膜厚で微細な電極が形成できる弾性表面波装置、及びそれを用いた通信用フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板上にすだれ状電極１０が形成された弾性表面波装置において、前記すだれ状電極１０を形成する電極材料の主成分が銅であり、且つ圧電基板がＬｉＮｂＯ３基板で、その表面波伝搬モードがラブ波モードである弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】高いＱ値を有するとともに、広い周波数範囲に対応することが可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性境界波装置は、ニオブ酸カリウムからなる圧電体層１０１と、圧電体層１０１上にすだれ状に形成される金電極１０３と、圧電体層１０１および金電極１０３上に形成される、二酸化ケイ素を含む誘電体層１０５と、を備え、金電極１０３の厚みをＨｍとし、金電極１０３によって圧電体層１０１と誘電体層１０５の界面に励振される弾性境界波２０の波長をＬとした場合に、Ｈｍ／Ｌを、０．０１５以上とする。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子の素子基板の切断位置、端面形状によって共振周波数が左右されず、小型化された弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上に弾性表面波のＳＨ波が励振される弾性表面波共振子１において、水晶基板１０にＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に略直交して極性の異なる電極指１２ａ，１２ｂが交互に配置されたＩＤＴ１２が形成されたＩＤＴ形成領域１３と、水晶基板１０に、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’におけるＩＤＴ形成領域１３の両側に電極指１２ａ，１２ｂの交差幅以上の幅寸法で、ＳＨ波の位相伝搬方向Ｘ’に長さ寸法を有する付加膜１４が形成された付加膜形成領域１５とを備え、付加膜形成領域１５の全体が有する反射係数が０．８７５以上１．０００以下である。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の端部で反射した弾性表面波を減衰量を特性を考慮して所定の膜厚である吸収部を有する弾性表面波素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０は、弾性表面波を励振させるための入力電極１２、出力電極１４と、不要な弾性表面波を吸収する吸収部１６ａ、１６ｂとが圧電基板１８上に形成され、吸収部１６ａ、１６ｂは、フォトレジストで形成され、前記弾性表面波の波長をλとして吸収部１６ａ、１６ｂの膜厚ｈが０．７λ以上２０λ以下である。また、吸収部１６ａ、１６ｂの膜厚ｈは、好ましくは１λ以上１０λ以下であり、さらに好ましくは略１λである。 （もっと読む）

【課題】スプリアス特性を抑制すること。
【解決手段】圧電基板と、圧電基板の表面上に形成され複数の電極指を有するＩＤＴと、を具備し、圧電基板は、圧電基板表面の電極指の長手方向をｙ軸、圧電基板表面のｙ軸に垂直な方向をｘ軸、圧電基板の法線方向をｚ軸としたとき、ｘ軸およびｚ軸方向の変位を成分とする第１表面波モードとｙ軸方向の変位を成分とする第２表面波モードとを有し、電極指の膜厚は、第１表面波モードの反共振点（ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度と第２表面波モードの反共振点（ＳＨ−ＳＡＷモードの反共振点１）の伝搬速度とが一致する膜厚ｈｃ／λである弾性表面波デバイスおよび弾性波フィルタである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、弾性表面波フィルタの共振点におけるロスの発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、直列共振器７Ａにおけるインターディジタルトランスデューサ電極１０の交差幅重み付け係数を並列共振器８Ａにおけるインターディジタルトランスデューサ電極１２の交差幅重み付け係数よりも小さくしたものである。
この構成により、並列共振器８Ａ、８Ｂにおける反共振点での高いＱ値を担保したまま、直列共振器７Ａ、７Ｂ、７Ｃにおける共振点でも高いＱ値を得ることができ、弾性表面波フィルタの通過特性におけるロスの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１１のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である水晶基板１１に少なくとも一つのＩＤＴ電極１２を配置してなるＳＨ型バルク波共振子１０において、ＩＤＴ電極１２がアルミニウムであって、オイラー角表示の角度θが９５°＜θ＜１５１°であり、水晶基板１１の厚みをｔ、弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ/λがｔ/λ≦４である。 （もっと読む）

【課題】基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めることにより、小型の素子を得る。
【解決手段】圧電基板１上にすだれ状電極３、誘電体薄膜４、更に誘電体薄膜５を付着さた基板であり、基板内部に弾性波のエネルギーを閉じ込めた基板を得ることができる。特に、薄膜４として、ＳｉＯ_２薄膜、薄膜５として、ＡｌＮ薄膜を用いることにより、大きな電気機械結合係数（ｋ^２）と周波数温度特性に優れた基板を電極３の膜厚、薄膜４、薄膜５の膜厚を最適の値とすることにより得ることが出来る。 （もっと読む）

【課題】小型化が容易で、周波数精度が良好な弾性表面波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板１０上にＳＨ型弾性表面波が励振されるすだれ状電極１１と、すだれ状電極１１の一方の側に配置された１つの反射器１３と、を備え、電極指１１ａ，１１ｂの幅寸法をＬＴとし、電極指の存在しない領域の寸法をＳＴとして、ＩＤＴ配列周期長であるＰＴがＰＴ＝ＬＴ＋ＳＴであり、反射器１３は金属導体１３ａからなり、金属導体１３ａの幅寸法をＬＲとし、金属導体の存在しない領域の寸法をＳＲとして、反射器配列周期長であるＰＲがＰＲ＝ＬＲ＋ＳＲであり、反射器配列周期長ＰＲとＩＤＴ配列周期長ＰＴとの比ＰＲ／ＰＴが１．０１以上１．０２以下の範囲であって、すだれ状電極１１の他方の側にＩＤＴ配列周期長ＰＴに満たない寸法ＰＳＴの電極が存在しない領域を有して水晶基板１０が垂直に切断された切断面を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波を利用したＳＡＷデバイスの通電時の周波数シフトを低減する方法を提供する。
【解決手段】水晶基板１１は、Ｙカット水晶基板の回転角θを結晶軸Ｚより反時計方向に約−５０°とし、結晶軸Ｘに対し９０°±５°方向（Ｚ’軸方向）に伝搬するＳＨ波型表面波を励起する基板を用いる。そして、水晶基板１１のＺ’軸方向に沿ってアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする合金のＩＤＴ電極１２と、その両側にグレーティング反射器１３ａ、１３ｂとを配置して、ＳＨ波型ＳＡＷ共振子を構成する。また、前記ＩＤＴ電極１２を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、ライン占有率ｍｒが、０．４１＜ｍｒ＜０．５３を満足する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において広帯域化を図ることができるＳＡＷフィルタ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心周波数とは異なる中心周波数で、帯域幅が所定帯域幅より狭い複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂと、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂの入出力ラインに夫々設けられ、何れかのＳＡＷフィルタを選択するために連動して切り替わる切替スイッチ３、４と、を備え、複数のＳＡＷフィルタ１２ａ、１２ｂは、回転Ｙカット角を結晶Ｚ軸より反時計方向に４０°±２０°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±３°に設定した水晶基板１１と、この水晶基板１１上に形成され、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金からなりＳＨ波を励振するＩＤＴ１３、１４とを有し、励振するＳＡＷの波長をλとしたとき、ＩＤＴ１３，１４の膜厚が０．０６λ以下となるようにした。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数Ｋ²が大きくスプリアスが少ないＳＨ型バルク波共振子を提供する。
【解決手段】水晶基板のカット面および弾性波伝搬方向をオイラー角表示で（０°，θ，ψ）とするとき、ψが約＋９０度または約−９０度である前記水晶基板に少なくとも一つのＩＤＴ電極を配置してなるＳＨ型バルク波共振子であって、前記ＩＤＴ電極がアルミニウムであって、オイラー角表示の前記角度θが０°≦θ≦９５°または１５１°≦θ≦１８０°であり、前記水晶基板の厚みをｔ、前記弾性波の波長をλとしたとき、規格化基板厚みｔ／λがｔ／λ≦４とする。 （もっと読む）

【課題】
精度良くＩＤＴを作製することができ、ＩＤＴ及び圧電基板における伝搬損失
がほぼ０である表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（０ー，１２５ー〜１４６ー，０ーア５ー）であるＬ
ｉＴａＯ₃基板上に、規格化膜厚Ｈ／λ＝O．００１〜０．０５のＡｕによりＩ
ＤＴを構成して伝搬損失の少ないＳＨ波を励振する。 （もっと読む）

【課題】縦結合共振子型弾性表面波フィルタの挿入損失と反射特性を改善する。
【解決手段】弾性表面波の伝搬方向に配列した２以上のＩＤＴを有する弾性表面波フィルタで、ＩＤＴのうちの１以上のＩＤＴの電極指ピッチを、当該ＩＤＴが主ピッチ領域を有しないように当該ＩＤＴに含まれる略全部の電極指について異ならせる。隣り合う２つのＩＤＴのうち、少なくとも相対的に電極対数が少ないＩＤＴのピッチを、主ピッチ領域を有しないよう変化させる。更に、相対的に電極対数が少ないＩＤＴの最大ピッチが、相対的に電極対数が多いＩＤＴの最大ピッチよりも小さく、かつ相対的に電極対数が少ないＩＤＴの最小ピッチが、相対的に電極対数が多いＩＤＴの最小ピッチよりも大きくする望ましい。 （もっと読む）

【課題】 高周波化を図った場合であっても、導体抵抗の増大を抑制でき、十分大きな電気機械結合係数Ｋ²を可能とする弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】 第１の媒質１１と、第２の媒質１２との間にＩＤＴ１３が配置されており、ＩＤＴ１３を厚み方向に２等分した面を境界面とし、該境界面から第１の媒質１１側の弾性境界波のエネルギーをＥ１、該境界面から第２の媒質１２側のエネルギーをＥ２とし、ＩＤＴ１３を構成したときの弾性境界波の音速と、ＩＤＴ１３を構成する最も密度の大きな導体層のみを用いてＩＤＴ１３を構成したときの弾性境界波の音速とが同一となるように、密度が最も大きい導体層単独でＩＤＴ１３を構成した条件において、前記境界面から第１の媒質１１側の弾性境界波のエネルギーをＥ１′、前記境界面から第２の媒質１２側のエネルギーをＥ２′としたときに、Ｅ１／Ｅ２＞Ｅ１′／Ｅ２′とされている、弾性境界波装置１０。 （もっと読む）

【課題】電気機械結合係数などの他の特性をさほど低下させることなく、群遅延時間温度係数ＴＣＤや周波数温度係数ＴＣＦを調整することが可能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電体２と誘電体３との界面にＩＤＴ電極４が配置されており、該ＩＤＴ電極４の電極指４ａに沿うように設けられており、かつ周期的に配置された第１の弾性的不連続部５ａ及び／または第１の弾性的不連続部５ｂが形成されており、第１の弾性的不連続部５ａ，５ｂの弾性境界波伝搬方向に沿う寸法である幅Ｗ１が０．０７λ以下とされており、あるいはＩＤＴ電極４の複数本の電極指４ａ，４ａ間のスペース間から、垂直な方向にギャップを隔てて誘電体３内に配置された第２の弾性的不連続部６が形成されており、複数の第２の弾性的不連続部６がλ／２の周期で設けられている、弾性境界波装置。 （もっと読む）