【課題】安価で高い信頼性を長期的に確保することのできる弾性表面波素子片、及びこれを搭載した弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】上記課題を解決するための弾性表面波素子片は、圧電基板１２の一主面に励振電極１４を設けた弾性表面波素子片１０であって、前記圧電基板１２の表面に励起される振動の変位を前記励振電極１４が耐え得る範囲に抑えるために、前記圧電基板１２を製造するための素板として、ＪＩＳ規格に定める等級Ｃ以下のものを採用したこをと特徴とする。このような構成の弾性表面波素子片１０において、前記圧電基板１２は、ＳＨ波を励起可能なカット角で切り出されたものとすると良い。また、上記課題を解決するための弾性表面波デバイスは、上記のような構成の弾性表面波素子片を搭載したものであれば良い。 （もっと読む）

電気音響部品は、誘導音響波により動作し、第１基板（Ｓ１）と、第２基板（Ｓ２）と、金属層（ＭＳ）と、中間層（ＺＳ）とを含む。第１基板（Ｓ１）は、ＬｉＴａＯ_３単結晶から成る。金属層（ＭＳ）は、第１基板（Ｓ１）と中間層（ＺＳ）との間に配置される。中間層（ＺＳ）は、金属層（ＭＳ）と第２基板（Ｓ２）との間に配置される。ＬｉＴａＯ_３単結晶の結晶部は、第２オイラー角μ：−１００°≦μ≦−４０°または−１６０°≦μ≦−１３０°であるように選択される。第１オイラー角λとしてλ＝０°が好ましく、第３オイラー角θとして−１０°≦θ＜０°またはθ＝０°または０°＜θ≦１０°が好ましい。 （もっと読む）

【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイス。 （もっと読む）

【課題】弾性境界波素子の機能として使用する弾性境界波の近傍の周波数に出現するストンリー波を抑圧することが可能な弾性境界波素子、共振器およびフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、ＬｉＮｂＯ_３基板１０と、基板１０上に設けられた弾性波を励振する電極１６と、基板１０上に電極１６を覆うように設けられた酸化シリコン膜１２と、を有する。そして、基板１０の回転Ｙカット角、電極１６の密度のＣｕの密度に対する比、電極１６に励振される弾性波の波長、電極１６の膜厚、酸化シリコン膜１２の膜厚をストンリー波の電気機械結合係数が０．０００１５以下の範囲となるように設定することを特徴とする弾性境界波素子、共振器、フィルタである。 （もっと読む）

【課題】構造的強度を高め、安定した特性を実現するラム波型高周波デバイスと、製造工程内において割れにくく、歩留りを向上できる製造方法を提供する。
【解決手段】ラム波型高周波デバイス１０は、ＩＤＴ電極３０が一方の主面に形成された圧電基板２０と、圧電基板２０の他方の主面に接合される補強基板５０と、からなり、圧電基板２０と補強基板５０との接合面において、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積の空間５４が設けられている。また、このラム波型高周波デバイス１０の製造方法は、補強基板５０に空間５４に相当する凹部５３を形成する工程と、凹部５３内に犠牲層を形成する工程と、圧電基板２０の厚板と補強基板５０とを接合した後、圧電基板２０の厚板を所定の厚さに研磨する工程と、ＩＤＴ電極３０及び反射器４１，４２を形成する工程と、犠牲層を除去して空間５４を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＨ波利用で、レイリー波スプリアスの影響を抑圧する弾性表面波装置の提供。
【解決手段】（０°±５°，θ，ψ）のＬｉＮｂＯ_３基板２上にＣｕを主体で、ＩＤＴ電極３を含む電極形成領域を除く領域に、第１の酸化ケイ素膜６が形成され、電極及び第１の酸化ケイ素膜６を覆う様に、第２の酸化ケイ素膜７が形成され、電極密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上で、かつオイラー角（０°±５°，θ，ψ）のψが、１０°〜３０°の範囲内で、θ及びψは、ＩＤＴ電極膜厚が０．０５λの時、ハッチング付与領域範囲内にあり、０．０５λ以外の時、前記領域を、下記式で表われるθ_ｘに変換して得られた領域内にある、弾性表面波装置。
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【課題】不要応答を抑制することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、圧電性を有する第１媒質（１０）と、第１媒質上に設けられた弾性波を励振する電極（１２）と、第１媒質（１０）と異なる材料からなり、第１媒質上に電極（１２）を覆うように設けられた第２媒質（１４）を有する弾性境界波デバイスにおいて、第２媒質（１４）上に設けられた吸音部（２０）を有する弾性境界波デバイスである。または、第２媒質上に設けられた凸部を有する弾性境界波デバイスである。または、第２媒質上に設けられた第３媒質を有し、第３媒質の膜厚は電極の周期の０．２５倍以上である弾性境界波デバイスである。 （もっと読む）

【課題】超小形なＦＳＫ送受信装置を提供すること。
【解決手段】デジタルデータをシリアル信号列に変調するエンコーダ回路と前記シリアル信号列により２値の周波数をＦＳＫ変調させＳＡＷ共振素子を発振させる増幅器と、２値の発振周波数状態を切り替えるＳＷ回路を含むＦＳＫ変調回路と、前記ＦＳＫ変調回路からの出力をアンテナに接続するアンテナＳＷ回路とを備える送信系と、前記アンテナからの受信信号は前記アンテナＳＷ回路から２者択一的に選択されてＳＡＷフィルタ素子に入力され、ｆＬ成分とｆＨ成分に分離された後、２チャンネルで構成されているローノイズアンプと検波回路、差動増幅器で構成された周波数弁別回路を経てベースバンド信号として再生され、デコーダ回路により復調されてデジタルデータとする復調系とを備えていることを特徴とするＦＳＫ送受信装置。 （もっと読む）

【課題】検出・測定対象の化学物質によるＩＤＴ電極等の腐食や劣化を抑制して検出・測定精度を確保しかつ高信頼性を有し、小型化や高周波化も可能な弾性表面波センサを提供する。
【解決手段】弾性表面波センサ１０では、検出または測定の対象となる化学物質に接触させる必要がある感応膜７が、水晶基板１の上側主面に設けられた励振および受信用ＩＤＴ電極４，５と水晶基板１を介して隔離された水晶基板１の下側主面に設けられている。これにより、励振用および受信用ＩＤＴ電極４，５に化学物質を触れさせることなく検出または測定を行うことが可能となるので、励振用および受信用ＩＤＴ電極４，５の化学物質による腐蝕や劣化を防止することができる。従って、励振および受信用ＩＤＴ電極４，５の腐蝕や劣化を起こさず信頼性の高い弾性表面波センサ１０を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】水晶基板などの圧電基板と収納容器の接続部分に生じる応力集中を抑制し、外部から加わる衝撃などに耐える、所謂耐衝撃性を向上させた弾性表面波素子、弾性表面波装置および、それらを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１０は、圧電基板としての水晶基板１と、この水晶基板１の表面１ａ上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと、水晶基板１の裏面１ｂ上に形成された反射部としてのダイヤモンド層５とを備えている。ダイヤモンド層５は、伝播した擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】圧電基板にＳＴカット水晶基板を用いると周波数温度特性の２次温度係数が−０．０３４（ｐｐｍ／℃²）と大きいので実用上の周波数変動量が極端に大きくなってしまう点であり、また特公平０１−０３４４１１号に開示されているＳＡＷデバイスの構造では、ＩＤＴの対数を非常に多くしなければならないのでデバイスサイズが大型になってしまう点である。
【解決手段】水晶基板を用いたSAWデバイスにおいて、圧電基板１上に、それぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指からなるＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。 （もっと読む）

【課題】多数のラム波モードから所望のモードのみを選択し、スプリアスを抑圧できるラム波型高周波デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２をそれぞれ間挿してなるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される電極指５０ａ，５０ｂを有する一対の反射器４０，５０と、を備えるラム波型高周波共振子１であって、ＩＤＴ電極３０における電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａのピッチＰｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂのピッチＰｒと、が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３２ａの２本が間挿されている。 （もっと読む）

単結晶のＬｉＮｂＯ３からなる基板を有する電子音響部材が提案される。この第２オイラー角μに関しては以下のことが該当する。−７４°≦μ≦−５２°または２３°≦μ≦３６°。第１オイラー角λに関しては、
【数１】


が、また第３オイラー角θに関しては
【数２】


が該当する。
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【課題】球状弾性表面波素子の表面に形成する感応膜形成プロセスにおいて、複数の周回経路の表面に選択的に感応膜を形成することで、独立して働く多機能素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】弾性表面波が周回可能な円環状経路を複数有し、各経路に独自に受信電極を有する球形状表面を有する３次元基材の表面に、前記弾性表面波を励起検出する電気音響変換素子を有し、環境変化に従って伝搬状態が変化する感応膜を有する球状弾性表面波素子であって、経路毎に感応膜のパターンが異なっていることを特徴とする球状弾性表面波素子を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】水晶基板に圧電薄膜を形成した表面波装置において、スプリアスが小さく、温度特性が良好であり、かつレイリー波の電気機械結合係数Ｋ² を拡大し得る表面波装置を提供する。
【解決手段】オイラー角（φ、θ、ψ）において、φが−２．５°±５°、θが１１６°±５°及びψが＋２．５°±５°の範囲にある水晶基板２と、前記水晶基板２上に形成された圧電薄膜５と、前記圧電薄膜５に接するように形成されたくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂとを備え、前記水晶基板２のオイラー角が、図６におけるレイリー波のパワーフロー角ＰＦＡが±２．５°となる範囲にあり、図７における表面波装置の周波数温度係数ＴＣＦが±５ｐｐｍ／℃となる範囲にあり、前記圧電薄膜５の膜厚をＨ、表面波の波長をλとしたときに、圧電薄膜５の規格化膜厚Ｈ／λが０．０５以上とされており、かつ、前記圧電薄膜５の周波数温度係数ＴＣＦがマイナスの値を有する、表面波装置１。 （もっと読む）

本発明は、ガイドされる体積波の案内に適した層システム（３）と、支持体基板（２）と、圧電特性を備えた圧電基板（１）を含んでいる電気音響的構成素子に関している。前記層システム（３）は２つの基板（２，１）の間に配設されている。圧電基板（１）の厚さは最大で支持体基板（２）の厚さの半分の値に等しい。第２の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）が単結晶構造を有し、最大で５０λ分の厚さを有し、この場合前記λは、構成素子の中間周波数のもとでガイドされる体積波の波長である第３の有利な実施形態によれば、前記圧電基板（１）は、機械的な手法によって薄膜化される。
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【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Ｑ値が大きく、周波数エージング特性の優れたＳＨ波型ＳＡＷデバイスを得る。
【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２としたＳＨ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記水晶基板を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしてＳＨ波型弾性表面波デバイスを構成する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷの伝搬損失を無くしかつ電気機械結合係数Ｋ^２ を大きくし、より一層低損失化が可能なＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 カット面及びＳＡＷの伝搬方向がオイラー角表示で（９０±１０°，９０±１０°，ψ°）かつψ＝１４８〜１８０°のＬｉＴａＯ_３ 基板からなる圧電基板２の表面に、伝搬損失が０ｄＢ／λでありかつ電気機械結合係数Ｋ^２ が０．０１５以上となるように、その膜厚Ｈ／λを設定してＩＤＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ上にＳｉＯ_２膜を形成することにより周波数温度特性が改善されているだけでなく、ＳｉＯ_２膜表面におけるクラックが発生し難く、所望とする特性を確実に得ることができ、かつ電気機械結合係数及び反射係数が大きな弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】２５°〜５５°回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板１２上に、Ａｌと比べて密度が高い金属もしくは合金からなる少なくとも１つのＩＤＴ１３ａ，１３ｂが形成されており、ＩＤＴ１３ａ，１３ｂを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板１２上に周波数温度特性を改善するためのＳｉＯ_２膜１５が形成されている、弾性表面波装置１１。 （もっと読む）

【課題】圧電基板に水晶基板を用い励振波をＳＨ波としたＳＡＷデバイスにおいて、広帯域で、且つ優れた周波数温度特性を実現することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１２上にＩＤＴ１４と反射器２２（２２ａ，２２ｂ）とを有するＳＡＷ素子片１０を備える。前記圧電基板１２は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向を正として−６２°≦θ≦−５１°の範囲に設定し、且つ、ＳＡＷの伝播方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板であり、前記ＩＤＴ１４を含む励振電極がＷ又はＷを主成分とする合金にて形成されていることを特徴とする。また、このような特徴を有するＳＡＷ共振子１００では、励振するＳＡＷの波長をλ、励振電極の膜厚をＨ、ＩＤＴを構成する電極指のライン占有率をｍｒとした時に、基準化膜厚Ｈ／λとライン占有率ｍｒとの積を、０．００１≦Ｈ／λ・ｍｒ＜０．０２７の範囲内となるように定める。 （もっと読む）