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【課題】ラダー型弾性波フィルタのQ値劣化を抑制する。
【解決手段】本発明のラダー型弾性波フィルタは、直列共振器と並列共振器とを梯子状に接続したラダー型弾性波フィルタであって、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記ラダー型弾性波フィルタの通過帯域の2倍以上3倍以下の周波数に減衰極を形成する第1並列共振器及びこれに直列接続されたインダクタと、信号経路とグランドとの間に接続されると共に、前記第1並列共振器より容量の小さい第2並列共振器19とを備え、前記第2並列共振器19は互いに音響結合される複数の入出力IDT電極対25、26、27を有すると共に、前記複数の入出力IDT電極対25、26、27は直列接続された構成である。 (もっと読む)


【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス1は、C面を主面11とするサファイア基板10と、サファイア基板10の主面11に形成される窒化アルミニウム膜30と、窒化アルミニウム膜30の表面に形成される櫛歯電極21,22と、櫛歯電極21,22及び窒化アルミニウム膜30の表面を覆う二酸化シリコン膜40と、を有する。窒化アルミニウム膜30の規格化膜厚KH−AlNと、二酸化シリコン膜40の規格化膜厚KH−SiO2と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数、高い音速を有する弾性表面波デバイス1を実現する。 (もっと読む)


【課題】弾性表面波デバイスや境界波デバイスに用いられる弾性波デバイスにおいて、ブレークダウンモードの発生を抑制出来る弾性波デバイスの提供。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電体2と、圧電体2の上に設けられ、銅を含むIDT電極3とを備え、圧電体2の材料はストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム系またはニオブ酸リチウム系である。これにより、コングルエント組成の圧電体と比較して上記空隙が減少する。その結果、圧電体の結晶欠陥が減少する。従って、弾性波デバイスを製造するプロセス中の熱工程や高い電力の入力によって、IDT電極を構成する銅が溶融し圧電体の結晶の中へ拡散するのを抑制し、ブレークダウンモードによる弾性波デバイスの破壊を防止する。 (もっと読む)


【課題】不要波が抑圧されており、高性能な弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電体からなる第1の媒質11と、第1の媒質11の上に形成されており、窒化ケイ素からなる第2の媒質12と、第1の媒質11と第2の媒質12との間に形成されており、酸化ケイ素からなる第3の媒質13と、第2の媒質12の上に形成されている吸音層と、第1の媒質11と第3の媒質13との間に形成されているIDT電極16とを備えている。第2の媒質12の波長規格化厚みh2/λは0.60×(h3/λ)−1.24×(h3/λ)+0.94よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】高い良品率で容易に製造し得る弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】弾性境界波装置1は、圧電体からなる第1の媒質11と、第1の媒質11の上に形成されている第2の媒質12と、第1の媒質11と第2の媒質12との間に形成されている第3の媒質13と、第1の媒質11と第3の媒質13との間に設けられているIDT電極16と、第3の媒質13と第2の媒質12との間に設けられている光触媒層17とを備えている。第3の媒質13は、第1及び第2の媒質11,12よりも遅い音速を有する。光触媒層17は、光触媒を含む。光触媒は、第2の媒質12を構成している誘電体と第3の媒質13を構成している誘電体とのうちの少なくとも一方を改質させる。 (もっと読む)


【課題】銅(Cu)と同レベルの電気機械結合係数k2及び反射率が得られる、アルミニウム(Al)電極を備えた弾性波素子を実現する。また、弾性波素子の製造プロセスを簡略化する。
【解決手段】圧電基板11と、圧電基板11上に配され、アルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする合金を含むIDT電極12と、IDT電極12の電極間または電極間の上部に配され、アルミニウムよりも音速が遅い音速調整部材14と、IDT電極12及び音速調整部材14を被覆する絶縁膜13とを備えている。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の上にIDT電極を覆うように形成されている酸化ケイ素膜を備える弾性波装置であって、圧電基板に反りが生じ難く、かつ製造に際して煩雑な製造工程を要さない弾性波装置を提供する。
【解決手段】弾性波装置1は、圧電基板10と、圧電基板10の上に形成されているIDT電極11と、圧電基板10の上にIDT電極11を覆うように形成されている酸化ケイ素膜12とを備えている。圧電基板10は、IDT電極が形成されている第1の領域10Aと、IDT電極が形成されていない第2の領域10Bとを含む。酸化ケイ素膜12は、第1の領域10Aの上に形成されている第1の部分12Aと、第2の領域10Bの上に形成されている第2の部分12Bとを含む。第2の部分12Bの少なくとも一部におけるSi−OH結合の含有量は、第1の部分12AにおけるSi−OH結合の含有量よりも多い。 (もっと読む)


【課題】化学的ウエットエッチング方式が適用可能なオイラー角の水晶基板を用いた高周波共振器の提供。
【解決手段】水晶基板1上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極2又は該電極2と反射器3が配置され、該水晶基板1のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示(λ,μ,θ)で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 (もっと読む)


【課題】増幅度を高めるためにバイアス電圧を高めたとしても半導体において生じた熱を速やかに放散することができ、従って半導体による増幅作用を安定にかつ確実に利用することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板2と、前記圧電基板2の上に形成されている誘電体層14と、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界に形成されているIDT電極3,4と、前記誘電体層14に接するように設けられた半導体層9とを備え、前記圧電基板2と前記誘電体層14との間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置であって、前記半導体層9は、前記弾性境界波によって発生する電界と、前記半導体層9中のキャリアとが結合するように設けられており、前記半導体層中のキャリアの移動速度が、前記弾性境界波の伝搬速度よりも高い、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】圧電基板の厚さを薄くしてラム波の高周波化を可能にする、ラム波型デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型デバイスであるラム波型共振子1は、水晶基板2と、水晶基板2の一方の面にアルミニウム(Al)で形成された櫛歯状電極3、反射器4および電極パッド5と、水晶基板2の他方の面に金(Au)で形成された金属膜6と、金属膜6に接合されたシリコン基板である支持基板7と、支持基板7に形成され水晶基板2および金属膜6を介して櫛歯状電極3、反射器4および電極パッド5と対向して位置するキャビティー部8と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】フィルタの損失を抑えた分波器を提供する。
【解決手段】分波器は、共通端子に接続される、通過帯域の異なる2以上のフィルタF1,F2を備え、フィルタF1、F2の少なくとも1つは、フィルタの入力端子および出力端子を繋ぐ線路に直列に接続された複数の直列共振器S1〜Snと、前記線路に並列に接続された並列共振器P1〜Pmを含み、直列共振器の少なくとも1つには、インダクタンスL1が並列接続されており、インダクタンスL1が並列接続された直列共振器S1は、直列に接続された複数の共振器S11〜S13に分轄されている。 (もっと読む)


【課題】高い品質係数(Q値が数千以上)を有し、かつ、k2が2〜6%の範囲である境界弾性波装置を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】所定のカット角θを有するθYX−LN単結晶圧電基板1の表面に、境界弾性波の波長λの交差指形変換器(IDT)、酸化珪素膜5、および窒化アルミニウム膜6が形成された境界弾性波共振器において、酸化珪素膜5の膜厚hおよびカット角θ等を最適化する。例えば127.5°≦θ≦129.5°かつ20%≦h/λ≦100%とする。 (もっと読む)


【課題】誘電体膜表面の凹凸を抑制し、かつ誘電体膜の膜厚の精度を向上させること。
【解決手段】圧電性基板10と、前記圧電性基板10上に設けられた櫛型電極12と、前記櫛型電極12を覆い、前記櫛型電極12より高い誘電体膜16と、前記圧電性基板10上に設けられ、前記誘電体膜16と同じ高さを有し、少なくとも下部に金属層を含み、最上面は前記誘電体膜16より研磨速度の遅い材料であるストッパ層14と、を具備する弾性波デバイス。 (もっと読む)


【課題】犠牲層を設けてエッチング除去することなく、メンブレン構造を構成できる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程(S11〜S13)とイオン注入工程(S14)と接合工程(S15)と剥離工程(S16)とを含む。パターン形成工程は、支持基板3の主面に支持部2をパターン形成する。支持部2は支持基板3の主面から突出する。イオン注入工程(S14)は圧電基板1の平坦面にイオンを注入する。接合工程(S14)は、圧電基板1の平坦面に支持基板3を支持部2で接合する。剥離工程(S15)は、圧電基板1の平坦面から一定距離の内部でマイクロキャビティを成長させて、支持部2に接合する圧電基板1から圧電薄膜4を剥離する。 (もっと読む)


【課題】導波型音響波共振装置及び該装置の製造方法の提供。
【解決手段】少なく共2つのフィルタ(F、・・・、F)を含む導波型音響波共振装置で、各フィルタが少なく共2つの音響波共振器(R11−R12、・・・、RN1−RN2)を含み、各フィルタが、中心周波数(f、・・・、f)を中心とする有用な周波数帯域(BF、・・・、BF)によって特徴づけられ、各共振器が、周期(∧ij)の周期的構造を有する少なく共一組の相互噛合型上部電極と圧電材料の層とを含み、各共振器が結合係数及び共振周波数によって特徴づけられる、導波型音響波共振装置において、共振器の少なく共1つが差別化層(CDfi)を含んで、相互噛合型電極の周期と併せて前記共振器の結合係数変更を可能とし有用な帯域及び中心周波数が、決定された有用な帯域幅を有する様に構成される共振器の共振周波数及び結合係数によって決定される導波型音響波共振装置。 (もっと読む)


【課題】 横モードのリップルを抑制して、フィルタ通過帯域内の特性を改善し、フィルタの通過帯域低域側の周波数特性も向上させること。
【解決手段】 圧電体上に配置された第1から第3のくし歯状電極と、弾性波伝搬方向両側に配置された第1、第2の反射器とを有し、
弾性波伝搬方向のくし歯状電極同士が隣り合っている部分において、狭ピッチ電極指部が設けられた、縦結合共振子型の弾性波装置において、
前記狭ピッチ電極指部を有する前記第1から第3のくし歯状電極の大部分は、アポダイズ重み付けされており、狭ピッチ電極指部および狭ピッチ電極指に隣接する電極指部分は正規型のくし歯状電極とされていること。 (もっと読む)


【課題】ストンリー波による応答を抑圧でき、フィルタ特性が良好なラダー型フィルタを提供する。
【解決手段】15°〜30°YカットLiNbO基板からなる圧電基板2上に、IDT電極7、IDT電極を覆う酸化ケイ素層10、その上に酸化ケイ素層10よりも音速の速い誘電体層11が形成された三媒質構造の弾性境界波共振子を用いて直列腕共振子及び並列腕共振子が構成されており、複数の弾性境界波共振子が、波長がλ1、伝搬角がψ1、デューティが(duty1)であり、λ1及びduty1がψ1=0°においてストンリー波の応答が極小値となるように構成されている第1の弾性境界波共振子と、波長がλ2、伝搬角がψ2、デューティが(duty2)であり、ψ2が10°以上である第2の弾性境界波共振子とを有し、〔λ1≠λ2かつ0°≦ψ1<ψ2〕または〔(duty1)≠(duty2)かつ0°≦ψ1<ψ2〕であるラダー型フィルタ。 (もっと読む)


バルク音響共振器アセンブリおよびその共振器アセンブリを製造するための方法を提供する。共振器は、基板の第1の表面上にキャビティを含み、低音響損失材料のシートがキャビティに亘って懸吊される。低音響損失材料のシートは、低音響損失材料のシートの関連される基本周波数が、基板の第1の表面に平行する方向における低音響損失材料のシートの長さに応じるように構成される。トランスデューサは、低音響損失材料のシート上に電気機械層、および電気機械材料上に形成されたパターニングされた導電材料を含む。トランスデューサは、電気信号を導電パターンに付与すると、低音響損失材料において振動を誘発するように構成される。 (もっと読む)


【課題】電気機械結合係数を高めることができ、広帯域化を図ることができる弾性境界波装置を提供する。
【解決手段】圧電基板2の上面に溝2aが形成されており、IDT電極3A〜3Cが、厚み方向において少なくとも一部が圧電基板2の上面に形成されている溝2aに埋め込まれるように形成されており、圧電基板2の上面に、第1の誘電体層6及び第1の誘電体層6よりも音速が速い第2の誘電体層7が積層されている、弾性境界波装置1。 (もっと読む)


【課題】信号レベル検波方式を利用し、シンプル且つ小型な回路で、複数の素子部の応答の検波を容易に実現できる弾性表面波素子、センサ、センシングシステム、及び状態検知方法を提供すること。
【解決手段】測定用素子部19と参照用素子部21との間に、遅延線の構造を有する第1遅延部51を備えているので、測定用素子部19から出力される信号を参照用素子部21から出力される信号に対して遅延させることができる。つまり、測定用素子部19から出力される信号と参照用素子部21から出力される信号とを、時間的にずらすことができる。従って、測定用素子部19から出力される信号と参照用素子部21から出力される信号とを、無線によって送信した場合でも、その信号を受信した外部装置3では、両信号の時間的ずれにより、両信号を分離することができる。 (もっと読む)


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