【課題】フィルタの振幅特性における通過帯域幅を広くすることができる弾性波素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性波素子１０は、圧電基板１１の主表面１２、及び裏面１３は鏡面研磨が施されており、主表面１２に入力インターディジタル電極１４、出力インターディジタル電極１５が設けられている。入力インターディジタル電極１４から放射されたバルク波１６は裏面１３で反射されて出力インターディジタル電極１５で受信される。さらに、入力インターディジタル電極１４、もしくは出力インターディジタル電極１５の少なくとも一方には交差幅重み付けが施されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、圧電基板上における弾性表面波の伝搬特性に基づいて所望の媒質にかかわる計測や監視を実現する弾性表面波センサに関し、コストが大幅に増加することなく、性能が向上し、かつ特性のバラツキが安定かつ確実に回避されることを目的とする。
【解決手段】圧電基板上に形成されて電気信号を弾性波に変換し、圧電基板を伝搬した弾性波を電気信号に変換する弾性表面波センサであって、圧電基板上に配置され、電気信号を弾性波に変換する２つの送波電極と、圧電基板上で２つの送波電極に個別に対向して形成され、圧電基板を介して到来した個々の弾性波を電気信号にそれぞれ変換する２つの受波電極と、２つの送波電極の一方と一方の送波電極に対向して形成された一方の受波電極とで挟まれた圧電基板上の領域に形成され、弾性波の内、弾性表面波を２つの受波電極以外の方向に反射する反射電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い周波数精度で弾性境界波装置を製造し得る弾性境界波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極１４が形成されている第１の媒質１１の上に、第２の媒質１２を形成し、さらに、第２の媒質１２の上に、第３の媒質１３と同じ材料からなる犠牲層１５を形成する。犠牲層１５が形成された状態でＩＤＴ電極１４によって励振される弾性境界波の周波数特性を測定する。測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とを比較する。比較工程において、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とに差がある場合は、犠牲層１５を除去した後に、当該差に応じて、第２の媒質１２の厚みを調整する。一方、測定された周波数特性と、予め定められている周波数特性の設計値とが一致している場合は、第２の媒質１２の厚み調整を行わない。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲に極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、製造ばらつきにより個体間に生じ得る周波数温度特性のばらつき及び劣化を抑制する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、電極指間溝の深さＧが０．０１λ≦Ｇ≦０．０７λであり、電極指膜厚ＨとＩＤＴライン占有率ηとが所定の関係を満足することにより、周波数温度特性が常に動作温度範囲内で極大値と極小値との間に変曲点を有し、かつＩＤＴライン占有率ηの製造ばらつきによる変曲点温度の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】動作温度範囲で優れた周波数温度特性と高いＱ値とを同時に実現するＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，４２．７９°≦｜ψ｜≦４９．５７°）の水晶基板１２の主面に、ストップバンド上端モードのＳＡＷを励振するＩＤＴ１３と、その両側に配置した一対の反射器１４と、ＩＤＴの電極指１５ａ，１５ｂ間に凹設した電極指間溝１７と、反射器の導体ストリップ１４ａ間に凹設した導体ストリップ間溝１８とを有し、ＳＡＷの波長λと電極指間溝の深さＧとが０．０１λ≦Ｇを満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと電極指間溝の深さＧとが所定の関係式を満足し、ＩＤＴのライン占有率ηと反射器のライン占有率ηrとがη＜ηrの関係にある。 （もっと読む）

【課題】極大値と極小値とそれらの間に変曲点とを有する曲線の周波数温度特性を有するＳＡＷデバイスにおいて、周波数温度特性を動作温度範囲に関して最適に調整する。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、オイラー角（−１．５°≦φ≦１．５°，１１７°≦θ≦１４２°，｜ψ｜≠９０°×ｎ（但し、ｎ＝０，１，２，３））の水晶基板２の主面に、ストップバンド上端モードのレイリー波（波長：λ）を励振するＩＤＴ３と、ＩＤＴの電極指間に凹設した電極指間溝８とを有し、ＩＤＴライン占有率ηと電極指間溝深さＧとが波長λに関して所定の関係を満足することにより、動作温度範囲で極大値と極小値との間に変曲点を有する三次曲線の周波数温度特性を有し、かつ変曲点をＩＤＴライン占有率ηによって動作温度範囲内で所望の温度又は温度域に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】通過帯域内に阻止帯域を有する帯域阻止型の弾性波フィルタ装置であって、通過帯域における挿入損失が小さい弾性表面波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１は、第１のインダクタＬ１と第２のインダクタＬ２との間において、互いに並列に電気的に接続されている第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２と、第１のインダクタＬ１と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第１の並列腕弾性波共振子Ｐ１が設けられている第１の並列腕１３ａと、第２のインダクタＬ２と第１及び第２の直列腕弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位とを電気的に接続しており、第２の並列腕弾性波共振子Ｐ２が設けられている第２の並列腕１３ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】一般的な共振回路において可変リアクタンス素子や可変インダクタンス素子を使用することなく、発振周波数やフィルタの周波数特性を制御し得る共振回路、及びかかる共振回路を使用した発振回路やフィルタ等を提供する。
【解決手段】水晶振動子等の圧電振動子やコイル、コンデンサあるいはそれらと等価的な素子を組み合わせた共振回路であって、互いに共振周波数の異なる少なくとも２つの共振回路を組み合わせ、夫々の共振回路の励振電流若しくは電圧を独立に変化させると、複合共振回路全体の反共振周波数を変動させることができる現象を利用して、その周波数特性を自在に調整し得る発振回路やフィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】優れたフィルタ特性を有し、かつ相互変調歪みのレベルが低い弾性波分波器を提供する。
【解決手段】受信フィルタ２０は、第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部３０ａ，３０ｂと、弾性表面波共振子４０とを有する。第１，第２の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部３０ａ，３０ｂは、少なくとも３つのＩＤＴ電極３１〜３３を含む。弾性表面波共振子４０は、少なくとも３つのＩＤＴ電極３１〜３３のうちの少なくとも一つに接続されている１つのＩＤＴ電極４１を含む。弾性表面波共振子４０の容量Ｃ１と、ＩＤＴ電極４１に電気的に接続されているＩＤＴ電極３１の容量Ｃ２との比（Ｃ１／Ｃ２）が１．９以上２．５以下となるように、受信フィルタ２０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの立体交差部分で発生する寄生容量を小さくすることができ、製造が容易である弾性波デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】弾性波デバイスは、（ａ）圧電基板１２と、（ｂ）圧電基板１２の主面１２ａに形成されたＩＤＴと、（ｃ）ＩＤＴに接続された配線パターンとを備える。配線パターンは、（ｉ）圧電基板１２の主面１２ａに形成された主要部１４ａ，１６ｃと、（ii）主要部１６ｃに接続され、かつ主要部の一部分である被交差部分１４ａとの間に空間１５を設けて被交差部分１４ａを跨ぐ交差部１６ａ，１６ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】良好なバランス性を有するバランス型の弾性波フィルタ装置を提供する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１では、第１及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０，３０は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０の最も第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０側に位置しているＩＤＴ電極２３と、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部３０の最も第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部２０側に位置しているＩＤＴ電極３１とが同位相の信号を出力するように構成されている。ＩＤＴ電極２３と、第１の平衡信号端子１１ａとを接続している第１の配線１６の第１の平衡信号端子１１ａ側の部分と、ＩＤＴ電極３１と、第１の平衡信号端子１１ａとを接続している第２の配線１７の第１の平衡信号端子１１ａ側の部分とが共通化されている。 （もっと読む）

【課題】不要波応答を抑圧しつつ、IDT電極の膜厚を厚くする。
【解決手段】弾性波デバイス1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に並んで配置される複数の電極指を含むIDT電極3と、複数の電極指間に形成される第１の誘電体膜4と、IDT電極3と第１の誘電体膜4を覆う第２の誘電体膜7と、複数の電極指間であって第１の誘電体膜4上に形成される、第１の誘電体4より高音速の媒質である高音速層5とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極が露出していない状態でも弾性波装置の周波数を高精度に調整することができる、弾性波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１上に、積層金属膜からなるＩＤＴ電極２を形成する工程と、ＩＤＴ電極を加熱することによりまたは高周波信号を印加することにより、ＩＤＴ電極２において複数の金属膜のうちの少なくとも１つの金属膜を構成している金属を拡散させることにより周波数調整を行う工程とを備える、弾性波素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３で表される範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６９１．６６６７（Ｈ／λ）³＋１．３９２９（Ｈ／λ）²＋１．５３３１（Ｈ／λ）＋０．２０８１ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、前記ＩＤＴ電極のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器と、を備えるラム波型共振子であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。
η０＝−７０．００００（Ｈ／λ）²＋４．６０００（Ｈ／λ）＋０．３２５４ （もっと読む）

【課題】ラム波デバイスの高周波特性を量産においても高い歩留まりで実現するために、製造ばらつきの影響を最小にする設計・製造の最適化を提供する。
【解決手段】圧電基板の一方の主面に設けられる複数の電極指を間挿してなるＩＤＴ電極２０と、前記ＩＤＴ電極２０のラム波の伝播方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、を備えるラム波型共振子１であって、前記圧電基板の厚さｔが、励振させる前記ラム波の波長をλとすると、０＜ｔ／λ≦３であらわされる範囲にあり、前記ＩＤＴ電極の前記電極指の幅をＷとしたときの、Ｗ／（λ／２）＝ηで表されるメタライゼーションレシオηの基準値η０と、前記ＩＤＴ電極の電極膜厚Ｈを前記波長λにより規格化したＨ／λの関係が以下を満たす。η０＝−６０４１６．６６６７（Ｈ／λ）⁴＋８２０８．３３３３（Ｈ／λ）³−４１３．９５８３（Ｈ／λ）²＋９．７２９２（Ｈ／λ）＋０．４９００ （もっと読む）

【課題】漏洩弾性表面波を用いており、音速を高めることができ、高周波化を容易に果たすことができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＬｉＮｂＯ_３基板２上のＩＤＴ電極３を覆うように酸化ケイ素膜６が形成されており、酸化ケイ素膜６上に誘電体層７が形成されており、誘電体層７の横波音速が、ＬｉＮｂＯ_３における遅い横波音速よりも速く、誘電体層７の膜厚Ｈ３としたときに、漏洩弾性表面波の波長λで規格化してなる規格化膜厚Ｈ３／λが０．２５〜０．６の範囲にある弾性表面波装置１。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面１１に形成される窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び窒化アルミニウム膜３０の表面を覆う二酸化シリコン膜４０と、を有し、前記弾性表面波がセザワ波の２次モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型結晶の面内配向薄膜の製造において、大面積で製造することができ、且つ装置に要するコストを抑えることができる方法及び装置を提供する。
【解決手段】真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入し、真空容器１１内に配置されたウルツ鉱型結晶のターゲットＴをスパッタすることによる生成されたスパッタ粒子をターゲットＴに対向して真空容器１１内に配置された基板ホルダ１５に取り付けられた基板Ｓに堆積させることにより薄膜を製造する際に、基板ホルダ１５と真空容器１１の壁の間に高周波電圧を印加する。これにより、基板Ｓの表面においてプラズマシースが形成され、プラズマ生成ガスが電離して生じる陽イオンの量を増加させると共に、このプラズマシースによって陽イオンが加速され、十分なエネルギーをもって成膜中の薄膜に入射するため、ウルツ鉱型結晶の最密面が基板に平行に成長しにくくなる。その結果、全体としてウルツ鉱型結晶のc軸が面内方向に配向した面内配向薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】良好な温度特性及び十分な電気機械結合係数を有する弾性表面波デバイスを実現する。
【解決手段】弾性表面波デバイス１は、Ｃ面を主面とするサファイア基板１０と、サファイア基板１０の主面に形成され弾性表面波を励振させる櫛歯電極２１，２２と、櫛歯電極２１，２２及び主面１１を覆う窒化アルミニウム膜３０と、窒化アルミニウム膜３０の表面に形成される二酸化シリコン膜４０と、を有し、櫛歯電極２１，２２にて励振される弾性表面波がレイリー波の基本モードを用いている。窒化アルミニウム膜３０の規格化膜厚ＫＨ−ＡｌＮと、二酸化シリコン膜４０の規格化膜厚ＫＨ−ＳｉＯ₂と、の関係を適切な範囲に設定することにより、良好な温度特性、励振に必要な十分な電気機械結合係数Ｋ²、高い音速を有する弾性表面波デバイス１が実現できる。 （もっと読む）