弾性表面波装置、その製造方法、および電子機器
【課題】 擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、スプリアスを効果的に抑制することによりＣＩ値やＱ値を改善し、高周波化を容易にする弾性表面波装置を得る。
【解決手段】 圧電基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λを１≦ｔ／λ≦２２とし、基板の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向をオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内とする。
【解決手段】 圧電基板としてタンタル酸リチウム基板を用いた場合、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λを１≦ｔ／λ≦２２とし、基板の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向をオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置、弾性表面波装置の製造方法、および弾性表面波装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、圧電基板の表面にＩＤＴ電極を設けた弾性表面波素子から構成され、共振子、フィルタ等の回路素子として通信機器などに使用されている。
弾性表面波装置に用いられる弾性表面波としては、レイリー波（Ｒａｙｌｅｉｇｈ ｗａｖｅ）や、漏洩弾性表面波（Ｌｅａｋｙ ｗａｖｅ）が主に用いられている。
レイリー波は、弾性体の表面を伝搬する表面波であり、そのエネルギーは圧電基板内部に放射することなく伝搬する。圧電基板中には、「遅い横波」、「速い横波」、「縦波」の３種類の体積波（バルク波）が存在するが、このレイリー波は「遅い横波」よりもさらに遅い位相速度で伝搬する。
また、漏洩弾性表面波は、弾性体（圧電体）の深さ方向にエネルギーを放射しながら伝搬する弾性表面波であり、圧電基板の特定の切り出し角および伝搬方向での利用が可能である。この漏洩弾性表面波は、「遅い横波」と「速い横波」の間の位相速度で伝搬する。
【０００３】
弾性表面波装置の特性は、圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬特性に依存しており、弾性表面波装置の高周波化に対応するために位相速度の速い弾性表面波の利用が求められている。
近年、漏洩弾性表面波の理論を発展させて、基板表面での変位の殆どが縦波成分で構成され、体積波として２つの横波成分を圧電基板内部に放射しながら「速い横波」と「縦波」の間の速い位相速度で伝搬する擬似縦型漏洩弾性表面波の弾性表面波装置への利用が開示されている。
擬似縦波型漏洩弾性表面波は位相速度が速いため、レイリー波や漏洩弾性表面波等では困難であった弾性表面波装置の高周波化を容易に実現する可能性がある。
特に、電気機械結合係数の大きなタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）を基板材料とすることで、弾性表面波装置の高周波化が期待されている。
【０００４】
例えば、四ホウ酸リチウム基板において、基板表面の切り出し角を特定することにより、位相速度が５０００〔ｍ／秒〕〜７５００〔ｍ／秒〕と大きく、伝搬損失が低い擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用できることが明らかにされている（特許文献１参照）。
さらに、タンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム基板においても位相速度が速く、伝搬損失の小さい擬似縦波型漏洩弾性表面波が利用できる基板表面の切り出し角が明らかにされている（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１１２７６３号公報
【特許文献２】特開平８−３１６７８１号公報
【特許文献３】特開平１０−８４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電気機械結合係数が大きいという利点を持つタンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を用いて、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用する場合に、従来の開示された圧電基板の切り出し角範囲内でスプリアスが発生し実用上不都合であることが確認された。
例えば、弾性表面波装置を共振子として用いた際に、スプリアスが主振動の近傍で発生した場合には、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値やＱ値を低下させ、また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びのなどの不具合を生ずる原因となる。さらに、フィルタに用いた場合には、遅延平坦特性を確保する必要性から、通過帯域の広い範囲にわたりスプリアスをできる限り抑制しなければならない課題がある。
【０００７】
本発明の目的は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、スプリアスを効果的に抑制することによりＣＩ値やＱ値を改善し、高周波化を容易にする弾性表面波装置および、弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、第１の発明の弾性表面波装置は、タンタル酸リチウム基板と、タンタル酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、タンタル酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２２の範囲内であることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、タンタル酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１０】
また、第２の発明は、第１の発明の弾性表面波装置において、タンタル酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内であることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００１２】
また、第３の発明の弾性表面波装置は、ニオブ酸リチウム基板と、ニオブ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、ニオブ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２９の範囲内であることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、ニオブ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１４】
また、第４の発明は、第３の発明の弾性表面波装置において、前記ニオブ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内であることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００１６】
また、第５の発明の弾性表面波装置は、四ホウ酸リチウム基板と、四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、四ホウ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦１７の範囲内であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、四ホウ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１８】
また、第６の発明は、第５の発明の弾性表面波装置において、前記四ホウ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０）の範囲内であることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００２０】
また、第７の発明は、第１の発明乃至第６の発明の弾性表面波装置において、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板は、ＩＤＴ電極の形成領域外であって基板厚み方向に厚みを持ち前記ＩＤＴ電極形成面及びその対向面のうち少なくとも一方に補強部を設けたことを特徴とする。
【００２１】
このようにすれば、補強部を設けない場合に比べて、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の機械的強度が大きくなり、プロセスにおける基板の割れなどの破損を防止でき、歩留まりを向上させることができる。
【００２２】
また、第８の発明は、弾性表面波装置をフィルタまたは共振子として備えた電子機器であって、前記弾性表面波装置は第１の発明乃至第７の発明のいずれかに記載の弾性表面波装置であることを特徴とする。
【００２３】
これにより、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された共振子やフィルタを備えた電子機器の提供が可能となる。
【００２４】
また、第９の発明は、弾性表面波装置の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第１工程と、厚みが調整された前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、前記第１工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする。
【００２５】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極の形成に先立ってタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整するので、ＩＤＴ電極を侵すことなくスプリアスを抑制し、ＣＩ値やＱ値の改善された弾性表面波装置を製造できる。
【００２６】
また、第１０の発明は、弾性表面波装置の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第１工程と、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と対向する面を削って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、前記第２工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする。
【００２７】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極形成後に圧電基板の厚さを調整するため、ＩＤＴ電極形成時において、薄い圧電基板をハンドリングすることによる破損を防止することができ、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００２８】
また、第１１の発明は、第９の発明または第１０の発明の弾性表面波装置の製造方法において、前記第３工程の後に弾性表面波素子の周波数調整を行う周波数調整工程を含み、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面を削り周波数調整を行うことを特徴とする。
第１２の発明は、第１１の発明の弾性表面波装置の製造方法において、周波数調整は前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面をドライエッチングで削ることを特徴とする。
【００２９】
このように、第１１および第１２の発明によれば、圧電基板のＩＤＴ電極を侵すことなく周波数調整を行うことができるので、周波数調整後の中心周波数の変化を減少させ、経年変化の少ない安定した弾性表面波装置を製造できる。また、ＩＤＴ電極形成面をエッチングして周波数調整を行った場合と比較し、エッチング量に対する周波数変動が小さいため精度のよい周波数調整を行うことが可能となる。そして、エッチングとしてドライエッチングを用いることにより、微小量のエッチング量を制御することが可能となり、さらに精度の良い周波数調整ができる。
【００３０】
第１３の発明は、第１１の発明または第１２の発明の弾性表面波装置の製造方法において、前記周波数調整に先立って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板のＩＤＴ電極形成面の基板表面および前記ＩＤＴ電極の表面のうちの少なくとも一方を削り予備周波数調整を行うことを特徴とする。
【００３１】
この第１３の発明によれば、周波数を大きく調整する必要がある場合には、まず、ＩＤＴ電極形成面をエッチングして周波数の調整を粗く予備調整を行い、その後に、ＩＤＴ電極形成面と対向する面をエッチングして精度の良い周波数調整をすることができる。このようにすれば、周波数調整を短時間で行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
【００３３】
図１（ａ）は、本実施形態に係る弾性表面波素子の概略構成を示す斜視図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
弾性表面波素子１０は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１と、この圧電基板１の表面上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂを備えている。
図１において、ｔは、圧電基板１の厚み、ＰはＩＤＴ電極２のピッチ、λはＩＤＴ波長、ｈは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みである。
【００３４】
圧電基板１としてタンタル酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向（以下、「切り出し角」という。）がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内で形成されている。また、圧電基板１としてニオブ酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の表面の切り出し角がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内で形成されている。さらに、圧電基板１として四ホウ酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の主平面の切り出し角がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０°）の範囲内で形成されている。これら、圧電基板１の切り出し角は、特許文献１、２、３により従来知られた内容である。
【００３５】
圧電基板１の厚みｔは、それぞれの圧電基板材料によりスプリアスが十分に抑制されるような値に調整されている。この点については後述する。
【００３６】
ＩＤＴ電極２は、圧電基板１上をＸ´軸と平行に伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するものであり、規格化電極厚みｈ／λは０．０２以上に設定される。ここで、規格化電極厚みｈ／λは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みｈをＩＤＴ波長λで規格化したものである。例えば、ＩＤＴ波長λが１０μｍのとき、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みｈは、２００ｎｍ以上に設定される。
反射器電極３ａ、３ｂは、ＩＤＴ電極２で発生した擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射させ、ＩＤＴ電極２に表面波エネルギーを閉じ込めるものである。
【００３７】
図２はタンタル酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。
ここで、規格化基板厚みｔ／λは、基板厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化したものである。例えば、ＩＤＴ波長λが１０μｍのとき基板厚みｔが１００μｍであれば、規格化基板厚みｔ／λは１０となる。
図２の場合、基板の切り出し角はオイラー表示で（９０°、９０°、３０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。また、周波数ｆを直列共振周波数ｆ0で規格化した規格化周波数ｆ／ｆ0とし、主振動の直列共振周波数の規格化周波数ｆ／ｆ0を１としている。
【００３８】
同様に、図３は、ニオブ酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。基板の切り出し角は、オイラー表示で（０°、９０°、９０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。
さらに同様に、図４は四ホウ酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。基板の切り出し角は、オイラー表示で（０°、４６°、９０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。
【００３９】
図２、３、４のグラフからそれぞれの基板で共通して、規格化基板厚みｔ／λが小さくなると、これに応じて主振動の直列共振周波数とスプリアス周波数との差が大きくなることがわかる。つまり、規格化基板厚みｔ／λがある値より小さい条件でスプリアスを抑制できることが理解できる。
スプリアス発生の原因は、圧電基板全体が振動して発生するバルク波の高次モードであり、その共振周波数は圧電基板の厚みで決定される定在波である。従って、圧電基板を薄くすることにより、次数の異なる定在波の間の共振周波数差は大きくなる。つまり、スプリアスと主振動の間の周波数差が大きくなり、スプリアスを抑制することが可能となる。
【００４０】
規格化基板厚みｔ／λの下限については、基板歩留まりを考慮して１以上であればよい。これは、規格化基板厚みｔ／λが、１より小さい場合に、圧電基板の厚さが極めて薄くなり、加工途中での扱い（ハンドリング）などにより圧電基板が割れる、或いは欠けるなどの不具合が発生することによる基板歩留まり低下を考慮したものである。
このことについて詳述する。ＩＤＴ波長λは、λ＝位相速度（ｍ／秒）／共振周波数（Ｈｚ）で表される。本例で示す圧電基板の位相速度は、約５０００〜７０００（ｍ／秒）である。ここで、共振周波数のほぼ上限である２ＧＨｚ（２ギガヘルツ）の共振周波数、位相速度の最小値５０００（ｍ／秒）の場合を一例として説明する。このとき、λ＝５０００／２０００００００００＝０．０００００２５となり、ＩＤＴ波長λは、２．５μｍとなる。ｔ／λ＝１のときは、ｔ＝λであり、圧電基板の厚さは、２．５μｍと極めて薄くなる。この圧電基板の厚さ２．５μｍは、実質的な加工下限値に近い厚さであり、この値以下になると割れ、欠けなどの発生が増加する。ｔ／λが、１より小さい場合は、さらに圧電基板の厚さが薄くなり、不具合の起こる可能性がさらに高くなる。
また、規格化基板厚みｔ／λの上限については、好ましくは直列共振周波数と並列共振周波数の間にスプリアスが発生しない条件であるが、弾性表面波装置の回路構成から、規格化周波数ｆ／ｆ0が１．０１より高い範囲に発生するスプリアスは、インピーダンスが極めて大きくなり、異常発振を生じさせる可能性がないため、実用上は規格化周波数ｆ／ｆ0が１．００から１．０１の範囲にスプリアスが発生しない条件であれば問題ない。
【００４１】
このことから、図２より、タンタル酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは、好ましくは１≦ｔ／λ≦１４の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦２２ ・・・（１）
の範囲である。
また、図３より、ニオブ酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは好ましくは、１≦ｔ／λ≦６の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦２９ ・・・（２）
の範囲である。
さらに、図４より、四ホウ酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは、好ましくは１≦ｔ／λ≦１４の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦１７ ・・・（３）
の範囲である。
【００４２】
図５は、上述した弾性表面波素子１０を収容容器に収容した弾性表面波装置の概略断面である。
セラミックスなどで形成された収容容器１４は、一面が開放されて凹部が設けられている。この凹部に、圧電基板１からなる弾性表面波素子１０を、ＩＤＴ電極２が下を向くように金バンプ１３を介して収容容器１４内に接続させ、電気的接続と機械的接続を同時に果たしている。そして、収容容器１４の上面を蓋体１５で、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置３０となる。
【００４３】
このように、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１を用いて、従来の弾性表面波の設計条件にはなかった圧電基板１の規格化基板厚みｔ／λを規定することにより、位相速度の大きな擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用する場合に不都合であったスプリアスを効果的に抑制することができ、ＣＩ値やＱ値を改善することができる。また、このように圧電基板１の規格化基板厚みｔ／λを規定することにより、位相速度の大きな擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用することができ、弾性表面波装置の高周波化が可能となる。
（第１の実施形態の変形例）
【００４４】
図６は、第１の実施形態の変形例を示す弾性表面波素子の概略断面図である。
弾性表面波素子２０は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１に、補強部１ａが設けられている。補強部１ａは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂが設けられた圧電基板１の表面と表裏の関係となる対向面としての裏面１ｂ側の外周部に沿って設けられている。この補強部１ａは、圧電基板１の表面側に配置したＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと対向する領域外に設けられている。また、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと対向する領域の圧電基板１の厚さは第１の実施形態で説明した、それぞれの圧電基板材料に応じた厚みに調整されている。そして、図示しないが、弾性表面波素子２０を収容容器に収容して弾性表面波装置として完成する。
なお、補強部１ａの配置は上記の構成に限らず、圧電基板１の表面側の外周部に沿って設けても良く、あるいは、圧電基板１の表面側と裏面側の各外周部に沿ってそれぞれ設けても良い。
【００４５】
このように、変形例によれば、補強部１ａを設けるようにしたので、補強部１ａのない構成に比べて圧電基板１の機械的強度が増し、プロセスにおける割れなどの破損を防止でき、歩留まりを向上させることができる。
（第２の実施形態）
【００４６】
次に、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。
図７は、電子機器の構成を示す概略構成図である。例えば、携帯電話やキーレスエントリーシステムなどの電子機器６０に、弾性表面波装置３０を具備している。携帯電話の場合には、弾性表面波装置３０を周波数選別用フィルタとして用い、キーレスエントリーシステムの場合には、弾性表面波装置３０を発振器の共振子として用いている。つまり、この実施形態に係る電子機器６０は弾性表面波装置３０をフィルタや共振子として含んだものである。
このような構成から成る電子機器６０によれば、圧電基板１を励振する擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用し、スプリアスの抑制されたフィルタや共振子を用いた電子機器６０の提供が可能となる。
（第３の実施形態）
【００４７】
次に、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の実施形態について説明する。図８は、弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャートである。ここでは、図１に示す弾性表面波素子１０を図５に示す収容容器１４に収容して弾性表面波装置３０として完成するまでを説明する。
まず、圧電基板１の厚みｔを調整する（ステップＳ１）。この圧電基板１は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板から形成され、基板表面の切り出し角は前述した角度範囲内にそれぞれ切り出されている。この圧電基板１の厚みｔの調整は、研磨やエッチングにより基板の表裏を均一に削ることにより行われる。このとき、圧電基板１の厚みｔは、規格化基板厚みｔ／λで規定された、それぞれの基板に応じた上記の（１）、（２）、（３）式を満たすように加工される。
【００４８】
次に、ステップＳ２に進み、厚みが調整された圧電基板１の表面に、蒸着やスパッタによる手法により、例えばアルミニウム（Ａｌ）の膜を成膜する。
そして、ステップＳ３に進み、成膜したアルミニウム膜を所定のパターンにエッチングして擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂを形成する。その後、ステップＳ４でＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂの表面に酸化膜を形成し、弾性表面波素子１０を得る。
次に、ステップＳ５に進み、弾性表面波素子１０を収容容器１４にマウント（固定）し、ステップＳ６で収容容器１４にマウントした弾性表面波素子１０の周波数調整を行う。
そして、ステップＳ７に進み、収容容器１４の上面に蓋体１５を固着して、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置となる。
なお、ステップＳ６における周波数調整については、従来知られたＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂをエッチングする方法、または、これらの電極が形成された基板面をエッチングする方法であっても良く、さらに、第４の実施形態で詳述するＩＤＴ電極２の形成された面に対向する基板面をエッチングする方法であっても良い。
【００４９】
以上のように、この製造方法によれば、ＩＤＴ電極２の形成に先立ってタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みｔを調整するので、ＩＤＴ電極２を侵すことなくスプリアスを抑制し、ＣＩ値やＱ値の改善された弾性表面波装置を製造できる。
【００５０】
次に、この製造方法に係る他の実施形態について説明する。図９は弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャートである。
まず、所定の厚さからなる圧電基板１を用意し、この圧電基板１の表面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）の膜を形成する（ステップＳ１１）。
そして、ステップＳ１２に進み、成膜したアルミニウム膜を所定のパターンにエッチングして擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂを形成する。その後、ステップＳ１３でＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂの表面に酸化膜を形成し、弾性表面波素子１０を得る。
次にステップＳ１４に進み、圧電基板１の厚みｔの調整を行う。この圧電基板１の厚みｔの調整は、圧電基板１の裏面（ＩＤＴ電極２を形成した面と対向する面）を研磨またはエッチングすることにより行う。このとき、圧電基板１の厚みｔは、規格化基板厚みｔ／λで規定された、それぞれの基板に応じた上記の（１）、（２）、（３）式を満たすように加工される。
【００５１】
次に、ステップＳ１５に進み、弾性表面波素子１０を収容容器１４にマウント（固定）し、ステップＳ１６で収容容器１４にマウントした弾性表面波素子１０の周波数調整を行う。そして、ステップＳ１７に進み、収容容器１４の上面に蓋体１５を固着して、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置となる。
なお、ステップＳ１６における周波数調整については、従来知られたＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂをエッチングする方法、または、これらの電極が形成された基板面をエッチングする方法であっても良く、さらに、第４の実施形態で詳述するＩＤＴ電極２の形成された面に対向する基板面をエッチングする方法であっても良い。
【００５２】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極２形成後に圧電基板１の厚さｔを調整するため、ＩＤＴ電極２形成時において、薄い圧電基板１をハンドリングすることによる破損を防止でき、製品の歩留まりを向上させることができる。
（第４の実施形態）
【００５３】
次に、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法、特に周波数調整方法の実施形態について説明する。まず、弾性表面波素子の周波数調整方法の具体的な説明に先立ち、その周波数調整の原理について説明する。
一般に、弾性表面波素子の周波数はＩＤＴ電極や反射器電極（以下、両者を合わせて電極と表現する）の実効膜厚に依存し、電極膜厚が薄くなると周波数が上がり、厚くなると周波数が下がる。この原理を利用して、実用的には、電極をエッチングして周波数を上げる方法や、電極を厚くする方法に代えて、電極をマスクにして基板を削って見かけ上の電極膜厚を増し、周波数を下げる方法で弾性表面波素子の周波数調整が行われている。
また、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波素子の場合には、この擬似縦波型漏洩弾性表面波が弾性体（圧電体）の深さ（厚み）方向にエネルギーを放射しながら伝搬する弾性表面波であるため、基板厚みを調整することにより中心周波数を変化させることが可能である。つまり、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面の厚み方向に対向する面をエッチングして、基板厚さを薄くすることにより、周波数を上げることが可能である。
【００５４】
図１０は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置の各周波数調整方法における、エッチング量と周波数の変動を示す概略説明図である。
ＩＤＴ電極の表面をエッチングして電極膜厚を薄くした場合には、一点鎖線で示すように電極のエッチング量に対して、周波数の変動量は大きく、周波数は上がる方向に変化する。また、電極をマスクにして圧電基板をエッチングした場合には、破線で示すように、圧電基板のエッチング量に対して、周波数の変動量は大きく、周波数は下がる方向に変化する。これらに対して、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面に対向する基板面をエッチングした場合には、実線で示すように圧電基板のエッチング量に対して周波数の変動量は小さく、周波数が上がる方向に変化する。このことは、精度の良い周波数調整に適し、特に周波数が高く、ＩＤＴ波長の短い弾性表面波素子の周波数調整に適しているのがわかる。
【００５５】
図１１は、圧電基板としてタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を用い、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面に対向する基板面（基板裏面）をエッチングした場合の、エッチング量と周波数変動量の関係を示すグラフである。
このように、上述したそれぞれの基板材料を用いた場合に、基板裏面のエッチング量に対して周波数変動量が小さく、高精度の周波数調整が可能である。
そこで、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、周波数調整において、上記の点に着目し、基板裏面をエッチングすることにより、精度の良い周波数調整ができるようにしたものである。
【００５６】
この基板裏面をエッチングする方法としては、ウェットエッチングでもドライエッチングでも良いが、微小なエッチング量の制御が可能であるドライエッチングが好適である。
以下、本実施形態に用いられるエッチング装置（周波数調整装置）について、説明をする。図１２はエッチング装置の概略構成図である。
エッチング装置４０は、チャンバ４１を有しており、チャンバ４１内を排気およびチャンバ４１内にガスを導入できるように構成されている。また、このチャンバ４１内に上部電極４２ａおよび下部電極４２ｂが配置されている。上部電極４２ａは接地され、下部電極４２ｂはコンデンサ４３を介してＲＦ電源（高周波電源）４４に接続されている。下部電極４２ｂ上には支持台４５が設けられ、その支持台４５の上に、収容容器に弾性表面波素子をマウントした弾性表面波装置３０ｂを載置できるようになっている。
【００５７】
また、支持台４５には、弾性表面波装置３０ｂから発生する擬似縦波型漏洩弾性表面波の周波数を測定するための測定端子４７が設けられている。この測定端子４７は、電気ケーブル４８を介して周波数測定計４９に接続されている。
周波数測定計４９は、その測定した中心周波数をＲＦ電源制御部４６に供給するようになっている。ＲＦ電源制御部４６は、その供給される測定中心周波数と目標値を比較してＲＦ電源４４の動作などを制御するようになっている。
【００５８】
このエッチング装置４０を用いて弾性表面波装置３０ｂの周波数調整を行う場合には、図１３に示すように、圧電基板１のＩＤＴ電極２の形成面と対向する面（基板裏面１ｂ）を上にマウントされた弾性表面波装置３０ｂを支持台４５上に載せる。
次に、周波数測定計４９により、弾性表面波装置３０ｂの中心周波数の測定を開始する。そこで、チャンバ４１内を排気しつつ、エッチングガスをチャンバ４１内に導入して所定の減圧下でプラズマを発生させる。
【００５９】
このとき、ＲＦ電源４４により、上部電極４２ａと下部電極４２ｂとの間に高周波電圧が印加されているため、プラズマ中で生成したイオンが電界で加速され、弾性表面波素子１０の裏面１ｂのエッチングが行われる。これにより、そのエッチングにより測定される中心周波数が変化し目標値に近づいていく。
このエッチング中は、周波数測定計４９は、弾性表面波装置３０ｂの中心周波数の測定を行い、その測定値をＲＦ電源制御部４６に供給する。ＲＦ電源制御部４６は、その測定値が予め設定されている目標値と比較し、目標値になるとＲＦ電源４４の動作を停止させる。これにより上記のエッチングが停止し、周波数調整が終了する。
【００６０】
このようなエッチング装置４０を用いた弾性表面波装置の周波数調整方法について、図１４のフローチャートを参照しながら説明をする。圧電基板１は、第１の実施形態で説明したタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板であり、基板の厚み、および切り出し角はそれぞれの基板に応じた所定の値に調整されている。
まず、ステップＳ２１で圧電基板１上に形成されたＩＤＴ電極２の厚みｈを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく。次に、弾性表面波装置３０ｂをエッチング装置４０のチャンバ４１内に設置してＩＤＴ電極２に電圧を印加させて中心周波数の測定（入出力測定）を開始する（ステップＳ２２）。そして、ステップＳ２３に進み、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングが行われる。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。次のステップＳ２４では中心周波数が目標値でなければステップＳ２３に戻りエッチングを継続し、目標値になればステップＳ２５に進みエッチングを停止する。つまり、エッチングしながら中心周波数の測定を繰り返し、目標値になるまでエッチングを継続する。
【００６１】
以上のような周波数調整方法によれば、エッチング量に対して周波数の変動量が小さい圧電基板１の基板裏面１ｂをエッチングすることにより、中心周波数を精度良く目標値に調整することができる。
また、圧電基板１に形成される電極を一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、電極をプラズマなどでエッチングする場合に問題となる残留アルミニウムに起因した調整後の周波数変動を防止することができる。そして、このことから、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
【００６２】
次に、他の周波数調整方法について図１５を参照しながら説明をする。
この方法は、弾性表面波装置の圧電基板上に形成されるＩＤＴ電極の厚みなどに製造上の大きなバラツキがあり、精度よく周波数調整を必要とする場合に有用な方法である。
まず、ＩＤＴ電極２に電圧を印加させて中心周波数の測定を開始する（ステップＳ３１）。次に、その測定中心周波数が目標値以下または目標値以上であるかを判定する（ステップＳ３２）。
【００６３】
この判定の結果、測定中心周波数が目標値以下の場合にはステップＳ３３に進み、測定中心周波数が目標値以上の場合にはステップＳ３９に進む。なお、測定中心周波数が目標値に一致する場合には、周波数の調整が不要であるので、その調整を終了する。
ステップＳ３３では、ＩＤＴ電極２の表面のエッチング、例えばウェットエッチングを測定周波数を確認しながら行う。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が短時間に上がっていく。そして、その測定中心周波数が、中心周波数の目標値よりもわずかに低く設定されている「仮の目標値」になるまで、そのエッチングを継続し（ステップＳ３３、Ｓ３４）、それが「仮の目標値」になった時点でそのエッチングを停止する（ステップＳ３５）。以上のステップＳ３３、Ｓ３４の処理は、周波数の粗調整（予備周波数調整）となる。
【００６４】
次に、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを、エッチング装置４０を用いて行う。
このエッチングでは、測定周波数を確認しながら行う（ステップＳ３６）。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し（ステップＳ３６、Ｓ３７）、それが目標値になった時点でエッチングを停止する（ステップＳ３８）。以上のステップＳ３６、Ｓ３７の処理は、周波数の微調整となる。
【００６５】
一方、ステップＳ３９では、圧電基板１のＩＤＴ電極形成面の基板表面をエッチング（例えば、ウェットエッチング）する。このエッチングでは測定周波数を確認しながら行う。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が短時間に下がっていく。そして、その測定中心周波数が、中心周波数の目標値よりわずかに低く設定されている「仮の目標値」になるまで、そのエッチングを継続し（ステップＳ３９、Ｓ４０）、それが「仮の目標値」になった時点でそのエッチングを停止する（ステップＳ４１）。以上のステップＳ３９、Ｓ４０の処理は、周波数の粗調整（予備周波数調整）となる。
【００６６】
次に、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを、エッチング装置４０を用いて行う。
このエッチングでは、測定周波数を確認しながら行う（ステップＳ４２）。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し（ステップＳ４２、Ｓ４３）、それが目標値になった時点でエッチングを停止する（ステップＳ４４）。以上のステップＳ４２、Ｓ４３の処理は、周波数の微調整となる。
【００６７】
このような周波数調整方法によれば、中心周波数の目標値にバラツキがある場合でも、圧電基板１の基板表面またはＩＤＴ電極２の表面のエッチングにより周波数の粗調整を短時間で行い、その後、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングにより周波数の微調整を行うことにより、全体として短時間で精度の良い周波数調整ができる。
また、周波数の粗調整をウェットエッチングによりＩＤＴ電極２の表面あるいは圧電基板１の表面について行い、微調整をドライエッチングにより圧電基板１の基板裏面１ｂについて行うことができるので、圧電基板１の表面をプラズマなどでエッチングする場合に問題となる残留アルミニウムに起因した調整後の周波数変動を防止することができる。
このことから、圧電基板１に形成される電極を一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
【００６８】
なお、上記の例では、圧電基板１の表面のエッチング（ステップＳ３９、Ｓ４０）またはＩＤＴ電極２の表面のエッチング（ステップＳ３３、Ｓ３４）により周波数の粗調整を行い、その後、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングにより周波数の微調整を行うようにしたが、以下のような調整方法も可能である。
すなわち、ステップＳ３１の周波数測定の結果、その中心周波数が上記の「仮の目標値」以下の場合には、直ちに圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチング処理（ステップＳ３６またはステップＳ４２）に移行するようにする。
【００６９】
また、必要に応じて、まずＩＤＴ電極２の表面のエッチングを行い、次に圧電基板１の表面のエッチングを行い、最後に圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを行い、中心周波数が目標値になるように調整しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波素子の概略構成図。
【図２】タンタル酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図３】ニオブ酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図４】四ホウ酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図５】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の概略断面図。
【図６】弾性表面波素子の変形例を示す概略断面図。
【図７】実施形態の電子機器の構成図。
【図８】本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャート。
【図９】本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャート。
【図１０】周波数調整方法によるエッチング量と周波数変動の関係を示すグラフ。
【図１１】基板材料による基板のエッチング量と周波数変動の関係を示すグラフ。
【図１２】エッチング装置の概略構成図。
【図１３】エッチング装置での弾性表面波装置のエッチング状態を説明する断面図。
【図１４】周波数調整方法の手順を説明するフローチャート。
【図１５】周波数調整方法の手順を説明するフローチャート。
【符号の説明】
【００７１】
１…圧電基板、１ａ…補強部、１ｂ…基板裏面、２…ＩＤＴ電極、３ａ、３ｂ…反射器電極、１０…弾性表面波素子、１３…金バンプ、１４…収容容器、１５…蓋体、２０…弾性表面波素子、３０…弾性表面波装置、４０…エッチング装置、６０…電子機器、λ…ＩＤＴ波長、ｔ…圧電基板の厚み、ｔ／λ…規格化基板厚み。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置、弾性表面波装置の製造方法、および弾性表面波装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、圧電基板の表面にＩＤＴ電極を設けた弾性表面波素子から構成され、共振子、フィルタ等の回路素子として通信機器などに使用されている。
弾性表面波装置に用いられる弾性表面波としては、レイリー波（Ｒａｙｌｅｉｇｈ ｗａｖｅ）や、漏洩弾性表面波（Ｌｅａｋｙ ｗａｖｅ）が主に用いられている。
レイリー波は、弾性体の表面を伝搬する表面波であり、そのエネルギーは圧電基板内部に放射することなく伝搬する。圧電基板中には、「遅い横波」、「速い横波」、「縦波」の３種類の体積波（バルク波）が存在するが、このレイリー波は「遅い横波」よりもさらに遅い位相速度で伝搬する。
また、漏洩弾性表面波は、弾性体（圧電体）の深さ方向にエネルギーを放射しながら伝搬する弾性表面波であり、圧電基板の特定の切り出し角および伝搬方向での利用が可能である。この漏洩弾性表面波は、「遅い横波」と「速い横波」の間の位相速度で伝搬する。
【０００３】
弾性表面波装置の特性は、圧電基板を伝搬する弾性表面波の伝搬特性に依存しており、弾性表面波装置の高周波化に対応するために位相速度の速い弾性表面波の利用が求められている。
近年、漏洩弾性表面波の理論を発展させて、基板表面での変位の殆どが縦波成分で構成され、体積波として２つの横波成分を圧電基板内部に放射しながら「速い横波」と「縦波」の間の速い位相速度で伝搬する擬似縦型漏洩弾性表面波の弾性表面波装置への利用が開示されている。
擬似縦波型漏洩弾性表面波は位相速度が速いため、レイリー波や漏洩弾性表面波等では困難であった弾性表面波装置の高周波化を容易に実現する可能性がある。
特に、電気機械結合係数の大きなタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）を基板材料とすることで、弾性表面波装置の高周波化が期待されている。
【０００４】
例えば、四ホウ酸リチウム基板において、基板表面の切り出し角を特定することにより、位相速度が５０００〔ｍ／秒〕〜７５００〔ｍ／秒〕と大きく、伝搬損失が低い擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用できることが明らかにされている（特許文献１参照）。
さらに、タンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム基板においても位相速度が速く、伝搬損失の小さい擬似縦波型漏洩弾性表面波が利用できる基板表面の切り出し角が明らかにされている（特許文献２、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１１２７６３号公報
【特許文献２】特開平８−３１６７８１号公報
【特許文献３】特開平１０−８４２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、電気機械結合係数が大きいという利点を持つタンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を用いて、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用する場合に、従来の開示された圧電基板の切り出し角範囲内でスプリアスが発生し実用上不都合であることが確認された。
例えば、弾性表面波装置を共振子として用いた際に、スプリアスが主振動の近傍で発生した場合には、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）値やＱ値を低下させ、また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びのなどの不具合を生ずる原因となる。さらに、フィルタに用いた場合には、遅延平坦特性を確保する必要性から、通過帯域の広い範囲にわたりスプリアスをできる限り抑制しなければならない課題がある。
【０００７】
本発明の目的は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置において、スプリアスを効果的に抑制することによりＣＩ値やＱ値を改善し、高周波化を容易にする弾性表面波装置および、弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、第１の発明の弾性表面波装置は、タンタル酸リチウム基板と、タンタル酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、タンタル酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２２の範囲内であることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、タンタル酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１０】
また、第２の発明は、第１の発明の弾性表面波装置において、タンタル酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内であることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００１２】
また、第３の発明の弾性表面波装置は、ニオブ酸リチウム基板と、ニオブ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、ニオブ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２９の範囲内であることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、ニオブ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１４】
また、第４の発明は、第３の発明の弾性表面波装置において、前記ニオブ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内であることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００１６】
また、第５の発明の弾性表面波装置は、四ホウ酸リチウム基板と、四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、四ホウ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦１７の範囲内であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、四ホウ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された弾性表面波装置を提供できる。また、発振回路を構成した発振器の場合には、異常発振や周波数飛びなどの不具合を防止でき、安定度の高い発振器を提供することができる。
【００１８】
また、第６の発明は、第５の発明の弾性表面波装置において、前記四ホウ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０）の範囲内であることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、位相速度がレイリー波の約２倍の擬似縦波型弾性表面波を発生させることが可能であり、弾性表面波装置の高周波化が容易になる。
【００２０】
また、第７の発明は、第１の発明乃至第６の発明の弾性表面波装置において、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板は、ＩＤＴ電極の形成領域外であって基板厚み方向に厚みを持ち前記ＩＤＴ電極形成面及びその対向面のうち少なくとも一方に補強部を設けたことを特徴とする。
【００２１】
このようにすれば、補強部を設けない場合に比べて、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の機械的強度が大きくなり、プロセスにおける基板の割れなどの破損を防止でき、歩留まりを向上させることができる。
【００２２】
また、第８の発明は、弾性表面波装置をフィルタまたは共振子として備えた電子機器であって、前記弾性表面波装置は第１の発明乃至第７の発明のいずれかに記載の弾性表面波装置であることを特徴とする。
【００２３】
これにより、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を伝搬する擬似縦波型弾性表面波を用いて、スプリアスの抑制された共振子やフィルタを備えた電子機器の提供が可能となる。
【００２４】
また、第９の発明は、弾性表面波装置の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第１工程と、厚みが調整された前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、前記第１工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする。
【００２５】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極の形成に先立ってタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整するので、ＩＤＴ電極を侵すことなくスプリアスを抑制し、ＣＩ値やＱ値の改善された弾性表面波装置を製造できる。
【００２６】
また、第１０の発明は、弾性表面波装置の製造方法であって、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第１工程と、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と対向する面を削って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、前記第２工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする。
【００２７】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極形成後に圧電基板の厚さを調整するため、ＩＤＴ電極形成時において、薄い圧電基板をハンドリングすることによる破損を防止することができ、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００２８】
また、第１１の発明は、第９の発明または第１０の発明の弾性表面波装置の製造方法において、前記第３工程の後に弾性表面波素子の周波数調整を行う周波数調整工程を含み、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面を削り周波数調整を行うことを特徴とする。
第１２の発明は、第１１の発明の弾性表面波装置の製造方法において、周波数調整は前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面をドライエッチングで削ることを特徴とする。
【００２９】
このように、第１１および第１２の発明によれば、圧電基板のＩＤＴ電極を侵すことなく周波数調整を行うことができるので、周波数調整後の中心周波数の変化を減少させ、経年変化の少ない安定した弾性表面波装置を製造できる。また、ＩＤＴ電極形成面をエッチングして周波数調整を行った場合と比較し、エッチング量に対する周波数変動が小さいため精度のよい周波数調整を行うことが可能となる。そして、エッチングとしてドライエッチングを用いることにより、微小量のエッチング量を制御することが可能となり、さらに精度の良い周波数調整ができる。
【００３０】
第１３の発明は、第１１の発明または第１２の発明の弾性表面波装置の製造方法において、前記周波数調整に先立って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板のＩＤＴ電極形成面の基板表面および前記ＩＤＴ電極の表面のうちの少なくとも一方を削り予備周波数調整を行うことを特徴とする。
【００３１】
この第１３の発明によれば、周波数を大きく調整する必要がある場合には、まず、ＩＤＴ電極形成面をエッチングして周波数の調整を粗く予備調整を行い、その後に、ＩＤＴ電極形成面と対向する面をエッチングして精度の良い周波数調整をすることができる。このようにすれば、周波数調整を短時間で行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
【００３３】
図１（ａ）は、本実施形態に係る弾性表面波素子の概略構成を示す斜視図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
弾性表面波素子１０は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１と、この圧電基板１の表面上に形成されたＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂを備えている。
図１において、ｔは、圧電基板１の厚み、ＰはＩＤＴ電極２のピッチ、λはＩＤＴ波長、ｈは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みである。
【００３４】
圧電基板１としてタンタル酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向（以下、「切り出し角」という。）がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内で形成されている。また、圧電基板１としてニオブ酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の表面の切り出し角がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内で形成されている。さらに、圧電基板１として四ホウ酸リチウム基板を用いる場合には、圧電基板１の主平面の切り出し角がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０°）の範囲内で形成されている。これら、圧電基板１の切り出し角は、特許文献１、２、３により従来知られた内容である。
【００３５】
圧電基板１の厚みｔは、それぞれの圧電基板材料によりスプリアスが十分に抑制されるような値に調整されている。この点については後述する。
【００３６】
ＩＤＴ電極２は、圧電基板１上をＸ´軸と平行に伝搬する擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するものであり、規格化電極厚みｈ／λは０．０２以上に設定される。ここで、規格化電極厚みｈ／λは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みｈをＩＤＴ波長λで規格化したものである。例えば、ＩＤＴ波長λが１０μｍのとき、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂの厚みｈは、２００ｎｍ以上に設定される。
反射器電極３ａ、３ｂは、ＩＤＴ電極２で発生した擬似縦波型漏洩弾性表面波を反射させ、ＩＤＴ電極２に表面波エネルギーを閉じ込めるものである。
【００３７】
図２はタンタル酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。
ここで、規格化基板厚みｔ／λは、基板厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化したものである。例えば、ＩＤＴ波長λが１０μｍのとき基板厚みｔが１００μｍであれば、規格化基板厚みｔ／λは１０となる。
図２の場合、基板の切り出し角はオイラー表示で（９０°、９０°、３０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。また、周波数ｆを直列共振周波数ｆ0で規格化した規格化周波数ｆ／ｆ0とし、主振動の直列共振周波数の規格化周波数ｆ／ｆ0を１としている。
【００３８】
同様に、図３は、ニオブ酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。基板の切り出し角は、オイラー表示で（０°、９０°、９０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。
さらに同様に、図４は四ホウ酸リチウム基板を用い、共振子を作成した場合の規格化基板厚みｔ／λに対する直列共振周波数および並列共振周波数、そしてスプリアス周波数の変化を示すグラフである。基板の切り出し角は、オイラー表示で（０°、４６°、９０°）とし、規格化電極厚みｈ／λは０．０７としている。
【００３９】
図２、３、４のグラフからそれぞれの基板で共通して、規格化基板厚みｔ／λが小さくなると、これに応じて主振動の直列共振周波数とスプリアス周波数との差が大きくなることがわかる。つまり、規格化基板厚みｔ／λがある値より小さい条件でスプリアスを抑制できることが理解できる。
スプリアス発生の原因は、圧電基板全体が振動して発生するバルク波の高次モードであり、その共振周波数は圧電基板の厚みで決定される定在波である。従って、圧電基板を薄くすることにより、次数の異なる定在波の間の共振周波数差は大きくなる。つまり、スプリアスと主振動の間の周波数差が大きくなり、スプリアスを抑制することが可能となる。
【００４０】
規格化基板厚みｔ／λの下限については、基板歩留まりを考慮して１以上であればよい。これは、規格化基板厚みｔ／λが、１より小さい場合に、圧電基板の厚さが極めて薄くなり、加工途中での扱い（ハンドリング）などにより圧電基板が割れる、或いは欠けるなどの不具合が発生することによる基板歩留まり低下を考慮したものである。
このことについて詳述する。ＩＤＴ波長λは、λ＝位相速度（ｍ／秒）／共振周波数（Ｈｚ）で表される。本例で示す圧電基板の位相速度は、約５０００〜７０００（ｍ／秒）である。ここで、共振周波数のほぼ上限である２ＧＨｚ（２ギガヘルツ）の共振周波数、位相速度の最小値５０００（ｍ／秒）の場合を一例として説明する。このとき、λ＝５０００／２０００００００００＝０．０００００２５となり、ＩＤＴ波長λは、２．５μｍとなる。ｔ／λ＝１のときは、ｔ＝λであり、圧電基板の厚さは、２．５μｍと極めて薄くなる。この圧電基板の厚さ２．５μｍは、実質的な加工下限値に近い厚さであり、この値以下になると割れ、欠けなどの発生が増加する。ｔ／λが、１より小さい場合は、さらに圧電基板の厚さが薄くなり、不具合の起こる可能性がさらに高くなる。
また、規格化基板厚みｔ／λの上限については、好ましくは直列共振周波数と並列共振周波数の間にスプリアスが発生しない条件であるが、弾性表面波装置の回路構成から、規格化周波数ｆ／ｆ0が１．０１より高い範囲に発生するスプリアスは、インピーダンスが極めて大きくなり、異常発振を生じさせる可能性がないため、実用上は規格化周波数ｆ／ｆ0が１．００から１．０１の範囲にスプリアスが発生しない条件であれば問題ない。
【００４１】
このことから、図２より、タンタル酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは、好ましくは１≦ｔ／λ≦１４の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦２２ ・・・（１）
の範囲である。
また、図３より、ニオブ酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは好ましくは、１≦ｔ／λ≦６の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦２９ ・・・（２）
の範囲である。
さらに、図４より、四ホウ酸リチウム基板を用いた場合、スプリアスを抑制できる規格化基板厚みｔ／λは、好ましくは１≦ｔ／λ≦１４の範囲であり、実用上は、
１≦ｔ／λ≦１７ ・・・（３）
の範囲である。
【００４２】
図５は、上述した弾性表面波素子１０を収容容器に収容した弾性表面波装置の概略断面である。
セラミックスなどで形成された収容容器１４は、一面が開放されて凹部が設けられている。この凹部に、圧電基板１からなる弾性表面波素子１０を、ＩＤＴ電極２が下を向くように金バンプ１３を介して収容容器１４内に接続させ、電気的接続と機械的接続を同時に果たしている。そして、収容容器１４の上面を蓋体１５で、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置３０となる。
【００４３】
このように、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１を用いて、従来の弾性表面波の設計条件にはなかった圧電基板１の規格化基板厚みｔ／λを規定することにより、位相速度の大きな擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用する場合に不都合であったスプリアスを効果的に抑制することができ、ＣＩ値やＱ値を改善することができる。また、このように圧電基板１の規格化基板厚みｔ／λを規定することにより、位相速度の大きな擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用することができ、弾性表面波装置の高周波化が可能となる。
（第１の実施形態の変形例）
【００４４】
図６は、第１の実施形態の変形例を示す弾性表面波素子の概略断面図である。
弾性表面波素子２０は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板を含む圧電基板１に、補強部１ａが設けられている。補強部１ａは、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂが設けられた圧電基板１の表面と表裏の関係となる対向面としての裏面１ｂ側の外周部に沿って設けられている。この補強部１ａは、圧電基板１の表面側に配置したＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと対向する領域外に設けられている。また、ＩＤＴ電極２および反射器電極３ａ、３ｂと対向する領域の圧電基板１の厚さは第１の実施形態で説明した、それぞれの圧電基板材料に応じた厚みに調整されている。そして、図示しないが、弾性表面波素子２０を収容容器に収容して弾性表面波装置として完成する。
なお、補強部１ａの配置は上記の構成に限らず、圧電基板１の表面側の外周部に沿って設けても良く、あるいは、圧電基板１の表面側と裏面側の各外周部に沿ってそれぞれ設けても良い。
【００４５】
このように、変形例によれば、補強部１ａを設けるようにしたので、補強部１ａのない構成に比べて圧電基板１の機械的強度が増し、プロセスにおける割れなどの破損を防止でき、歩留まりを向上させることができる。
（第２の実施形態）
【００４６】
次に、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。
図７は、電子機器の構成を示す概略構成図である。例えば、携帯電話やキーレスエントリーシステムなどの電子機器６０に、弾性表面波装置３０を具備している。携帯電話の場合には、弾性表面波装置３０を周波数選別用フィルタとして用い、キーレスエントリーシステムの場合には、弾性表面波装置３０を発振器の共振子として用いている。つまり、この実施形態に係る電子機器６０は弾性表面波装置３０をフィルタや共振子として含んだものである。
このような構成から成る電子機器６０によれば、圧電基板１を励振する擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用し、スプリアスの抑制されたフィルタや共振子を用いた電子機器６０の提供が可能となる。
（第３の実施形態）
【００４７】
次に、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の実施形態について説明する。図８は、弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャートである。ここでは、図１に示す弾性表面波素子１０を図５に示す収容容器１４に収容して弾性表面波装置３０として完成するまでを説明する。
まず、圧電基板１の厚みｔを調整する（ステップＳ１）。この圧電基板１は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板から形成され、基板表面の切り出し角は前述した角度範囲内にそれぞれ切り出されている。この圧電基板１の厚みｔの調整は、研磨やエッチングにより基板の表裏を均一に削ることにより行われる。このとき、圧電基板１の厚みｔは、規格化基板厚みｔ／λで規定された、それぞれの基板に応じた上記の（１）、（２）、（３）式を満たすように加工される。
【００４８】
次に、ステップＳ２に進み、厚みが調整された圧電基板１の表面に、蒸着やスパッタによる手法により、例えばアルミニウム（Ａｌ）の膜を成膜する。
そして、ステップＳ３に進み、成膜したアルミニウム膜を所定のパターンにエッチングして擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂを形成する。その後、ステップＳ４でＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂの表面に酸化膜を形成し、弾性表面波素子１０を得る。
次に、ステップＳ５に進み、弾性表面波素子１０を収容容器１４にマウント（固定）し、ステップＳ６で収容容器１４にマウントした弾性表面波素子１０の周波数調整を行う。
そして、ステップＳ７に進み、収容容器１４の上面に蓋体１５を固着して、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置となる。
なお、ステップＳ６における周波数調整については、従来知られたＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂをエッチングする方法、または、これらの電極が形成された基板面をエッチングする方法であっても良く、さらに、第４の実施形態で詳述するＩＤＴ電極２の形成された面に対向する基板面をエッチングする方法であっても良い。
【００４９】
以上のように、この製造方法によれば、ＩＤＴ電極２の形成に先立ってタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みｔを調整するので、ＩＤＴ電極２を侵すことなくスプリアスを抑制し、ＣＩ値やＱ値の改善された弾性表面波装置を製造できる。
【００５０】
次に、この製造方法に係る他の実施形態について説明する。図９は弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャートである。
まず、所定の厚さからなる圧電基板１を用意し、この圧電基板１の表面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）の膜を形成する（ステップＳ１１）。
そして、ステップＳ１２に進み、成膜したアルミニウム膜を所定のパターンにエッチングして擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂを形成する。その後、ステップＳ１３でＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂの表面に酸化膜を形成し、弾性表面波素子１０を得る。
次にステップＳ１４に進み、圧電基板１の厚みｔの調整を行う。この圧電基板１の厚みｔの調整は、圧電基板１の裏面（ＩＤＴ電極２を形成した面と対向する面）を研磨またはエッチングすることにより行う。このとき、圧電基板１の厚みｔは、規格化基板厚みｔ／λで規定された、それぞれの基板に応じた上記の（１）、（２）、（３）式を満たすように加工される。
【００５１】
次に、ステップＳ１５に進み、弾性表面波素子１０を収容容器１４にマウント（固定）し、ステップＳ１６で収容容器１４にマウントした弾性表面波素子１０の周波数調整を行う。そして、ステップＳ１７に進み、収容容器１４の上面に蓋体１５を固着して、内部を真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気に保持して封止され、パッケージされた弾性表面波装置となる。
なお、ステップＳ１６における周波数調整については、従来知られたＩＤＴ電極２、および反射器電極３ａ、３ｂをエッチングする方法、または、これらの電極が形成された基板面をエッチングする方法であっても良く、さらに、第４の実施形態で詳述するＩＤＴ電極２の形成された面に対向する基板面をエッチングする方法であっても良い。
【００５２】
この製造方法によれば、ＩＤＴ電極２形成後に圧電基板１の厚さｔを調整するため、ＩＤＴ電極２形成時において、薄い圧電基板１をハンドリングすることによる破損を防止でき、製品の歩留まりを向上させることができる。
（第４の実施形態）
【００５３】
次に、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法、特に周波数調整方法の実施形態について説明する。まず、弾性表面波素子の周波数調整方法の具体的な説明に先立ち、その周波数調整の原理について説明する。
一般に、弾性表面波素子の周波数はＩＤＴ電極や反射器電極（以下、両者を合わせて電極と表現する）の実効膜厚に依存し、電極膜厚が薄くなると周波数が上がり、厚くなると周波数が下がる。この原理を利用して、実用的には、電極をエッチングして周波数を上げる方法や、電極を厚くする方法に代えて、電極をマスクにして基板を削って見かけ上の電極膜厚を増し、周波数を下げる方法で弾性表面波素子の周波数調整が行われている。
また、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波素子の場合には、この擬似縦波型漏洩弾性表面波が弾性体（圧電体）の深さ（厚み）方向にエネルギーを放射しながら伝搬する弾性表面波であるため、基板厚みを調整することにより中心周波数を変化させることが可能である。つまり、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面の厚み方向に対向する面をエッチングして、基板厚さを薄くすることにより、周波数を上げることが可能である。
【００５４】
図１０は、擬似縦波型漏洩弾性表面波を利用した弾性表面波装置の各周波数調整方法における、エッチング量と周波数の変動を示す概略説明図である。
ＩＤＴ電極の表面をエッチングして電極膜厚を薄くした場合には、一点鎖線で示すように電極のエッチング量に対して、周波数の変動量は大きく、周波数は上がる方向に変化する。また、電極をマスクにして圧電基板をエッチングした場合には、破線で示すように、圧電基板のエッチング量に対して、周波数の変動量は大きく、周波数は下がる方向に変化する。これらに対して、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面に対向する基板面をエッチングした場合には、実線で示すように圧電基板のエッチング量に対して周波数の変動量は小さく、周波数が上がる方向に変化する。このことは、精度の良い周波数調整に適し、特に周波数が高く、ＩＤＴ波長の短い弾性表面波素子の周波数調整に適しているのがわかる。
【００５５】
図１１は、圧電基板としてタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板を用い、ＩＤＴ電極や反射器電極を形成した面に対向する基板面（基板裏面）をエッチングした場合の、エッチング量と周波数変動量の関係を示すグラフである。
このように、上述したそれぞれの基板材料を用いた場合に、基板裏面のエッチング量に対して周波数変動量が小さく、高精度の周波数調整が可能である。
そこで、本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、周波数調整において、上記の点に着目し、基板裏面をエッチングすることにより、精度の良い周波数調整ができるようにしたものである。
【００５６】
この基板裏面をエッチングする方法としては、ウェットエッチングでもドライエッチングでも良いが、微小なエッチング量の制御が可能であるドライエッチングが好適である。
以下、本実施形態に用いられるエッチング装置（周波数調整装置）について、説明をする。図１２はエッチング装置の概略構成図である。
エッチング装置４０は、チャンバ４１を有しており、チャンバ４１内を排気およびチャンバ４１内にガスを導入できるように構成されている。また、このチャンバ４１内に上部電極４２ａおよび下部電極４２ｂが配置されている。上部電極４２ａは接地され、下部電極４２ｂはコンデンサ４３を介してＲＦ電源（高周波電源）４４に接続されている。下部電極４２ｂ上には支持台４５が設けられ、その支持台４５の上に、収容容器に弾性表面波素子をマウントした弾性表面波装置３０ｂを載置できるようになっている。
【００５７】
また、支持台４５には、弾性表面波装置３０ｂから発生する擬似縦波型漏洩弾性表面波の周波数を測定するための測定端子４７が設けられている。この測定端子４７は、電気ケーブル４８を介して周波数測定計４９に接続されている。
周波数測定計４９は、その測定した中心周波数をＲＦ電源制御部４６に供給するようになっている。ＲＦ電源制御部４６は、その供給される測定中心周波数と目標値を比較してＲＦ電源４４の動作などを制御するようになっている。
【００５８】
このエッチング装置４０を用いて弾性表面波装置３０ｂの周波数調整を行う場合には、図１３に示すように、圧電基板１のＩＤＴ電極２の形成面と対向する面（基板裏面１ｂ）を上にマウントされた弾性表面波装置３０ｂを支持台４５上に載せる。
次に、周波数測定計４９により、弾性表面波装置３０ｂの中心周波数の測定を開始する。そこで、チャンバ４１内を排気しつつ、エッチングガスをチャンバ４１内に導入して所定の減圧下でプラズマを発生させる。
【００５９】
このとき、ＲＦ電源４４により、上部電極４２ａと下部電極４２ｂとの間に高周波電圧が印加されているため、プラズマ中で生成したイオンが電界で加速され、弾性表面波素子１０の裏面１ｂのエッチングが行われる。これにより、そのエッチングにより測定される中心周波数が変化し目標値に近づいていく。
このエッチング中は、周波数測定計４９は、弾性表面波装置３０ｂの中心周波数の測定を行い、その測定値をＲＦ電源制御部４６に供給する。ＲＦ電源制御部４６は、その測定値が予め設定されている目標値と比較し、目標値になるとＲＦ電源４４の動作を停止させる。これにより上記のエッチングが停止し、周波数調整が終了する。
【００６０】
このようなエッチング装置４０を用いた弾性表面波装置の周波数調整方法について、図１４のフローチャートを参照しながら説明をする。圧電基板１は、第１の実施形態で説明したタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板であり、基板の厚み、および切り出し角はそれぞれの基板に応じた所定の値に調整されている。
まず、ステップＳ２１で圧電基板１上に形成されたＩＤＴ電極２の厚みｈを、目標の厚みよりもわずかに厚めであって、中心周波数が目標値よりわずかに低めとなるように設定しておく。次に、弾性表面波装置３０ｂをエッチング装置４０のチャンバ４１内に設置してＩＤＴ電極２に電圧を印加させて中心周波数の測定（入出力測定）を開始する（ステップＳ２２）。そして、ステップＳ２３に進み、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングが行われる。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。次のステップＳ２４では中心周波数が目標値でなければステップＳ２３に戻りエッチングを継続し、目標値になればステップＳ２５に進みエッチングを停止する。つまり、エッチングしながら中心周波数の測定を繰り返し、目標値になるまでエッチングを継続する。
【００６１】
以上のような周波数調整方法によれば、エッチング量に対して周波数の変動量が小さい圧電基板１の基板裏面１ｂをエッチングすることにより、中心周波数を精度良く目標値に調整することができる。
また、圧電基板１に形成される電極を一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、電極をプラズマなどでエッチングする場合に問題となる残留アルミニウムに起因した調整後の周波数変動を防止することができる。そして、このことから、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
【００６２】
次に、他の周波数調整方法について図１５を参照しながら説明をする。
この方法は、弾性表面波装置の圧電基板上に形成されるＩＤＴ電極の厚みなどに製造上の大きなバラツキがあり、精度よく周波数調整を必要とする場合に有用な方法である。
まず、ＩＤＴ電極２に電圧を印加させて中心周波数の測定を開始する（ステップＳ３１）。次に、その測定中心周波数が目標値以下または目標値以上であるかを判定する（ステップＳ３２）。
【００６３】
この判定の結果、測定中心周波数が目標値以下の場合にはステップＳ３３に進み、測定中心周波数が目標値以上の場合にはステップＳ３９に進む。なお、測定中心周波数が目標値に一致する場合には、周波数の調整が不要であるので、その調整を終了する。
ステップＳ３３では、ＩＤＴ電極２の表面のエッチング、例えばウェットエッチングを測定周波数を確認しながら行う。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が短時間に上がっていく。そして、その測定中心周波数が、中心周波数の目標値よりもわずかに低く設定されている「仮の目標値」になるまで、そのエッチングを継続し（ステップＳ３３、Ｓ３４）、それが「仮の目標値」になった時点でそのエッチングを停止する（ステップＳ３５）。以上のステップＳ３３、Ｓ３４の処理は、周波数の粗調整（予備周波数調整）となる。
【００６４】
次に、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを、エッチング装置４０を用いて行う。
このエッチングでは、測定周波数を確認しながら行う（ステップＳ３６）。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し（ステップＳ３６、Ｓ３７）、それが目標値になった時点でエッチングを停止する（ステップＳ３８）。以上のステップＳ３６、Ｓ３７の処理は、周波数の微調整となる。
【００６５】
一方、ステップＳ３９では、圧電基板１のＩＤＴ電極形成面の基板表面をエッチング（例えば、ウェットエッチング）する。このエッチングでは測定周波数を確認しながら行う。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が短時間に下がっていく。そして、その測定中心周波数が、中心周波数の目標値よりわずかに低く設定されている「仮の目標値」になるまで、そのエッチングを継続し（ステップＳ３９、Ｓ４０）、それが「仮の目標値」になった時点でそのエッチングを停止する（ステップＳ４１）。以上のステップＳ３９、Ｓ４０の処理は、周波数の粗調整（予備周波数調整）となる。
【００６６】
次に、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを、エッチング装置４０を用いて行う。
このエッチングでは、測定周波数を確認しながら行う（ステップＳ４２）。すると、そのエッチングにより測定される中心周波数が徐々に上がって目標値に近づいていく。そして、中心周波数が目標値になるまでそのエッチングを継続し（ステップＳ４２、Ｓ４３）、それが目標値になった時点でエッチングを停止する（ステップＳ４４）。以上のステップＳ４２、Ｓ４３の処理は、周波数の微調整となる。
【００６７】
このような周波数調整方法によれば、中心周波数の目標値にバラツキがある場合でも、圧電基板１の基板表面またはＩＤＴ電極２の表面のエッチングにより周波数の粗調整を短時間で行い、その後、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングにより周波数の微調整を行うことにより、全体として短時間で精度の良い周波数調整ができる。
また、周波数の粗調整をウェットエッチングによりＩＤＴ電極２の表面あるいは圧電基板１の表面について行い、微調整をドライエッチングにより圧電基板１の基板裏面１ｂについて行うことができるので、圧電基板１の表面をプラズマなどでエッチングする場合に問題となる残留アルミニウムに起因した調整後の周波数変動を防止することができる。
このことから、圧電基板１に形成される電極を一切侵すことなく周波数調整を行うことができるので、中心周波数の経年変化が少なく、長期的に安定に動作する弾性表面波装置を実現できる。
【００６８】
なお、上記の例では、圧電基板１の表面のエッチング（ステップＳ３９、Ｓ４０）またはＩＤＴ電極２の表面のエッチング（ステップＳ３３、Ｓ３４）により周波数の粗調整を行い、その後、圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングにより周波数の微調整を行うようにしたが、以下のような調整方法も可能である。
すなわち、ステップＳ３１の周波数測定の結果、その中心周波数が上記の「仮の目標値」以下の場合には、直ちに圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチング処理（ステップＳ３６またはステップＳ４２）に移行するようにする。
【００６９】
また、必要に応じて、まずＩＤＴ電極２の表面のエッチングを行い、次に圧電基板１の表面のエッチングを行い、最後に圧電基板１の基板裏面１ｂのエッチングを行い、中心周波数が目標値になるように調整しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施形態に係る弾性表面波素子の概略構成図。
【図２】タンタル酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図３】ニオブ酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図４】四ホウ酸リチウム基板を用いた場合の規格化基板厚みｔ／λに対するスプリアス周波数の変化を示すグラフ。
【図５】本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の概略断面図。
【図６】弾性表面波素子の変形例を示す概略断面図。
【図７】実施形態の電子機器の構成図。
【図８】本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャート。
【図９】本発明の弾性表面波装置の製造方法の実施形態を説明するフローチャート。
【図１０】周波数調整方法によるエッチング量と周波数変動の関係を示すグラフ。
【図１１】基板材料による基板のエッチング量と周波数変動の関係を示すグラフ。
【図１２】エッチング装置の概略構成図。
【図１３】エッチング装置での弾性表面波装置のエッチング状態を説明する断面図。
【図１４】周波数調整方法の手順を説明するフローチャート。
【図１５】周波数調整方法の手順を説明するフローチャート。
【符号の説明】
【００７１】
１…圧電基板、１ａ…補強部、１ｂ…基板裏面、２…ＩＤＴ電極、３ａ、３ｂ…反射器電極、１０…弾性表面波素子、１３…金バンプ、１４…収容容器、１５…蓋体、２０…弾性表面波素子、３０…弾性表面波装置、４０…エッチング装置、６０…電子機器、λ…ＩＤＴ波長、ｔ…圧電基板の厚み、ｔ／λ…規格化基板厚み。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタル酸リチウム基板と、前記タンタル酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記タンタル酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２２の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記タンタル酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記ニオブ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２９の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
前記ニオブ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
四ホウ酸リチウム基板と、前記四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記四ホウ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦１７の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
前記四ホウ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０°）の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板は、前記ＩＤＴ電極の形成領域外であって基板厚み方向に厚みを持ち前記ＩＤＴ電極形成面及びその対向面のうち少なくとも一方に補強部を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
弾性表面波装置をフィルタまたは共振子として備えた電子機器であって、前記弾性表面波装置は請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第１工程と、厚みが調整された前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、
前記第１工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第１工程と、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と対向する面を削って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、
前記第２工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３工程の後に弾性表面波素子の周波数調整を行う周波数調整工程を含み、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面を削り周波数調整を行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１２】
前記周波数調整は、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面をドライエッチングで削ることを特徴とする請求項１１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１３】
前記周波数調整に先立って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板のＩＤＴ電極形成面の基板表面および前記ＩＤＴ電極の表面のうちの少なくとも一方を削り予備周波数調整を行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１】
タンタル酸リチウム基板と、前記タンタル酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記タンタル酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２２の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項２】
前記タンタル酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（９０°、９０°、０°〜１８０°）の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
ニオブ酸リチウム基板と、前記ニオブ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記ニオブ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦２９の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
前記ニオブ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°、７０°〜１０５°、９０°）の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
四ホウ酸リチウム基板と、前記四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ電極を備えた弾性表面波装置であって、
前記四ホウ酸リチウム基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、１≦ｔ／λ≦１７の範囲内であることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
前記四ホウ酸リチウム基板の表面の切り出し角および前記擬似縦波型漏洩弾性表面波の伝搬方向がオイラー表示で（０°〜４５°、３０°〜９０°、４０°〜９０°）の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板は、前記ＩＤＴ電極の形成領域外であって基板厚み方向に厚みを持ち前記ＩＤＴ電極形成面及びその対向面のうち少なくとも一方に補強部を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
弾性表面波装置をフィルタまたは共振子として備えた電子機器であって、前記弾性表面波装置は請求項１乃至７のいずれか一項に記載の弾性表面波装置であることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第１工程と、厚みが調整された前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、
前記第１工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１０】
タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の表面に擬似縦波型漏洩弾性表面波を励振するＩＤＴ電極を形成して弾性表面波素子を得る第１工程と、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と対向する面を削って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整する第２工程と、前記弾性表面波素子をパッケージに収納固定する第３工程とを備え、
前記第２工程では、基板の厚みｔをＩＤＴ波長λで規格化した規格化基板厚みｔ／λが、前記タンタル酸リチウム基板においては、１≦ｔ／λ≦２２、前記ニオブ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦２９、前記四ホウ酸リチウム基板においては１≦ｔ／λ≦１７の範囲内に、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の厚みを調整することを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３工程の後に弾性表面波素子の周波数調整を行う周波数調整工程を含み、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面を削り周波数調整を行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１２】
前記周波数調整は、前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板の前記ＩＤＴ電極の形成面と厚さ方向に対向する面をドライエッチングで削ることを特徴とする請求項１１に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【請求項１３】
前記周波数調整に先立って前記タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板のＩＤＴ電極形成面の基板表面および前記ＩＤＴ電極の表面のうちの少なくとも一方を削り予備周波数調整を行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載の弾性表面波装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００６−２５３９６（Ｐ２００６−２５３９６Ａ）
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１９３２３（Ｐ２００５−１１９３２３）
【出願日】平成１７年４月１８日（２００５．４．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１月２６日（２００６．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１８日（２００５．４．１８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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