【課題】機能面に振動子または可動部を持つ機能素子を有するマイクロデバイスの基板とキャップを異なるサイズにして容易にパッケージング可能であるマイクロデバイスのパッケージング方法およびそれによってパッケージ化されたマイクロデバイスを提供する。
【解決手段】機能面に可動部または振動子が形成された機能素子を有するデバイス基板が複数個集積されてなるデバイスウェハ１０ｗを形成し、一方、キャビティを構成するキャップが複数個集積されてなるキャップウェハ１２ｗを、各キャップ領域を区分するようにハーフダイシングして溝１２ｈを形成する。次に、機能面とキャップウェハ及び接着層１３の表面とからキャビティＣを構成するように、デバイスウェハとキャップウェハを接着層で貼り合わせ、ハーフダイシングの位置でキャップウェハを各キャップ１２に分割し、さらにデバイスウェハを各デバイス基板１０に分割する。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 圧電基板100と、その圧電基板100上に形成された櫛歯電極110と、その櫛歯電極100上に空隙310を形成する空隙形成層220と、前記櫛歯電極110を封止する封止層250と、前記空隙形成層220と封止層250とを接着する接着層240とを備えた表面弾性波デバイスにおいて、
前記封止層250が電気絶縁性の無機材料で構成され、前記空隙形成層220、封止層250および接着層240の側面を覆う側面めっき層460を形成し、前記櫛歯電極110と外部回路との電気接続をとるため、前記空隙形成層220、封止層250および接着層240を貫通して、前記櫛歯電極110に接続する導電ビア420を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰ技術を用いたＳＡＷデバイスの製造方法において、ダイシング工程時に生じる静電気によりＩＤＴが破壊されるのを防止したＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実装基板母材上に複数のＳＡＷチップを配置し導体バンプでフリップチップ実装する工程と、ＳＡＷチップの外面から実装基板母材上面にかけて封止樹脂で覆うことによりＩＤＴ周辺に気密空間を形成する樹脂封止工程と、隣接するＳＡＷチップ間を切断するダイシング工程とを備え、第１の切断後の状態（ａ）において、前記ＳＡＷチップ上の少なくとも１つのＩＤＴの正負電極指間が、実装基板母材３０上に設けた結線４０を介して短絡されていることを特徴とする。 （もっと読む）

高感度の素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）を有する表面実装型の電気的素子を提案する。この電気的素子は、２つの基板（５１，５２）の表側に構成される。これらの基板は表側で相互に対向して接続されており、その際には、前記素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対して空洞（ＡＮ）が形成される。すべての素子構造体（Ｂ５１，Ｂ５２）に対する電気的な外部端子（ＡＡ）は両基板のうち１つの表面上に設けられており、とりわけ、上方の基板の裏面または下方の基板の表側に設けられている。両基板間に、適切に構造化された中間層（ＺＳ）が配置されており、該中間層はスペーサとしても、空洞ケーシングを封止するためにも使用される。
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【課題】 耐湿信頼性に優れたＳＡＷを提供する。
【解決手段】 圧電基板100と、その圧電基板100上に形成された櫛歯電極110と、その櫛歯電極110上に空隙310を形成する空隙形成層220と、前記櫛歯電極110を封止する封止層230とを備えた表面弾性波デバイスにおいて、
前記空隙形成層220および前記封止層230を覆うように無機絶縁膜800を形成し、
前記櫛歯電極110と外部回路との電気接続をとるため、前記空隙形成層220、封止層230および無機絶縁膜800を貫通して、前記櫛歯電極110に接続する導電ビア420を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 加熱により反りが発生する脆性な基板を利用した場合でも基板の破損を防止することができ、生産性の高い中空半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２の回路面を配線基板側にして、半導体素子を基板１にフリップチップ実装し、光硬化性封止用部材１５を、半導体素子が搭載された基板側から半導体素子及び基板に被せ、光硬化性封止用部材を、真空下で、半導体素子及び基板へ弾性体１７を介した加圧押し当てにより貼り付けて半導体素子と基板との間の隙間に中空部４を形成し、真空状態を維持したまま、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させる。半導体素子を、基板上にマトリクス状又は直線状に複数配置し、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させた後、各々の半導体素子を基板とともに個別に切断してもよい。 （もっと読む）

【課題】マルチブレードを持ち、生産性の向上と品質維持とを達成できるダイシング装置およびダイシング方法を提供する。
【解決手段】スピンドル１に複数枚のブレード３〜５を軸方向に一定ピッチ間隔で取り付ける。各ブレードはそれぞれ厚みおよび径が異なり、かつ軸方向の一方側から他方側に向かうに従いブレードの厚みが薄くかつ径が大きい。スピンドル１を回転させながら厚みが厚くかつ径が小さいブレード３で被加工物Ｗをハーフカットし、次に被加工物Ｗをスピンドルの軸方向にブレードのピッチＳ分だけ相対移動させ、厚みが薄くかつ径が大きいブレード４，５で既にハーフカットされた被加工物Ｗを更にハーフカットあるいはフルカットする。 （もっと読む）

【課題】 小型・薄型であってもプリント基板等へ実装した後の固着性や曲げ強度等の機械的強度が良好なＳＡＷ素子を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するためのＳＡＷ素子は、圧電基板の一主面に、少なくともすだれ状電極と前記すだれ状電極に接続された引き出し電極とこれらの電極を囲う金属パターンによる接合膜とを形成して成る弾性表面波素子片と、基板の主面であって、前記引き出し電極と対応する位置に貫通孔を有し、一方の主面には前記貫通孔の周囲であって前記引き出し電極と重なる位置と前記接合膜に対応した位置に金属パターンを配し、他方の主面には外部電極を配し、前記貫通孔には導通を図るための金属膜を被覆して成るカバー基板と、を接合して形成するＳＡＷ素子において、前記カバー基板の他方の主面に凹部を設け、当該凹部は少なくとも一部が前記外部電極の配置位置に重なる構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小型化に適した構造をもつ弾性表面波チップと弾性表面波装置ならびに効率よい保護膜形成手段を含む弾性表面波装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 圧電基板の一面にすだれ状電極３３を形成した弾性表面波チップ３１であって、前記すだれ状電極が、前記圧電基板３２の外周まで延長され、該延長された電極パターンの少なくとも一部でなる保護膜形成用パターン７１を備える例を含み、前記圧電基板の外周に、前記すだれ状電極が対となるように、電極パターンを分離するための分離部３５を、前記圧電基板の外周に達するように設けた弾性表面波チップおよび弾性表面波装置ならびに弾性表面波装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】実装基板上にＳＡＷチップを導体バンプを介してフリップチップ実装し、ＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて樹脂封止し、ＳＡＷチップと実装基板の間に気密空間を形成したＳＡＷデバイスに関し、信頼性、量産性を高めたＳＡＷデバイスを実現する。
【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極３と接続パッド４とを配置し、ＳＡＷ励振部分を除く外周に金属または合金からなるダム２１を形成したＳＡＷチップ１と、絶縁基板１２の底部に表面実装用の外部電極端子１３と、該外部電極端子１３と導通し、且つ接続パッド４と接続するための配線パターン１４を形成した実装基板１１とを備え、接続パッド４と配線パターン１４とを導体バンプ２２を介してフリップチップ実装し、ＳＡＷチップ１の外面から実装基板１１の上面にかけて封止樹脂３１で封止する。また、前記ダム２１は実装基板１１に接触しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰ型弾性表面波デバイスで、特性測定のために整列させる必要があり、工数の増加と品質の劣化という問題があった。
【解決手段】配線基板集合体１１をダイシングすることにより個々の弾性表面波デバイスに分離する工程と、弾性表面波デバイス１５底面の幅よりも幅の狭い、粘着性を有する保持体１６に、弾性表面波デバイス天面を貼り合わせた後、ダイシングシート１４から弾性表面波デバイス１５を剥離する工程と、弾性表面波デバイス１５を保持体１６に保持した状態で、弾性表面波デバイス１５の電気的特性を測定する工程とを備えた製造方法で、工程の簡略化と品質の安定化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、デバイスのサイズがチップのサイズよりもさらに大きくなるという問題があった。
【解決手段】圧電基板１１上に櫛型電極１２を設ける電極形成工程と、バンプを介して圧電基板１１と配線基板集合体１５とを接続する接合工程と、圧電基板１１のみを切断する第１のダイシング工程と、第１のダイシング工程でできた空隙をゲル状硬化性シート１６で埋めて硬化する封止工程と、配線基板集合体１５およびその上のゲル状硬化性シートが硬化した封止材１７を切断して個々のデバイスに分離する第２のダイシング工程と、を備えた製造方法で、工程の簡略化と製品の小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低背化、小型化を可能とすると共に、高周波雑音に対する遮蔽性を実現したＳＡＷデバイスを提供する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷ圧電体素子２と配線基板１９の間に形成された空間を、ＳＡＷ圧電体素子２の天井高さＨを超えないように封止するための封止樹脂１１と、ＳＡＷ圧電体素子２の活性面を表面とするときの裏面にあたる非活性面に設ける、高周波雑音からの電気的・磁気的な遮蔽膜１８とを有し、遮蔽膜１８を配線基板１９のグランドパターン１７にＶＩＡホール１０、パッド電極９ａ及びバンプ電極９ｂを介して接続してなる。 （もっと読む）

【課題】 小型、薄型、安価でかつ接合の信頼性が高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁物質からなるパッケージ基板２３と、パッケージ基板２３にフリップチップ実装されたデバイスチップ２１と、デバイスチップ２１を封止する封止部２５とを有し、封止部２５ははんだで形成された側部２５Ａを有する電子部品。封止部２５は、側部２５Ａを含む全体がはんだで形成されている。デバイスチップ２１は例えば、弾性波デバイスチップである。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板にＩＣ領域と弾性表面波素子領域とを備え一つのチップに構成した弾性表面波装置において、弾性表面波素子を形成する部分の平坦度を確保し、良好な特性の得られる弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板のＩＣ領域に半導体素子層４５を形成する工程と、配線層４６を形成する工程と、ＩＣ領域および弾性表面波素子領域に層間絶縁膜３８を形成する工程と、層間絶縁膜３８の表面をＣＭＰ処理する工程と、ＣＭＰ処理した層間絶縁膜３８の上に圧電薄膜３９を形成する工程と、弾性表面波素子領域における圧電薄膜３９の上に弾性表面波素子４０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、小型化しようとすると信頼性が劣化するという課題があった。
【解決手段】配線基板１１に弾性表面波素子１３をフリップチップ実装し、弾性表面波素子１３の裏面、側面、及びその周辺を樹脂フィルム１４で覆った弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波素子１３裏面の角部の尖りをなくしたものであり、樹脂フィルム１４が破れるという問題を発生しにくくさせ、小型で、信頼性に優れた弾性表面波デバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＳＡＷデバイスをより薄型化し、簡単な構造でＩＤＴ電極と外部電極との電気的導通性を確保しかつ確実に気密に封止する。
【解決手段】 ＳＡＷデバイス１は、圧電基板４にＩＤＴ電極５、それから引き出した取出電極８、及び圧電基板の全周辺に沿って金属接合部９を設けたＳＡＷチップ２と、ガラス基板１０に取出電極８に対応する貫通孔１１、ガラス基板下面の全周辺に沿って金属接合部１３及び貫通孔の開口周辺に接続電極１２を設けたカバー３とを備える。ＳＡＷチップの金属接合部及び取出電極とカバーの金属接合部及び接続電極とをそれぞれ熱圧着で接合し、ＳＡＷチップとカバー間の空隙にＩＤＴ電極を気密に封止する。貫通孔内に形成した金属膜１４及び封止材１６でガラス基板上面の外部電極１５とＩＤＴ電極とを電気的に接続する。カバー上面には、外部電極と重なる位置に凹部１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 溶液を受容体に容易に接触させることができるようにする。
【解決手段】 弾性表面波センサ１０は、圧電基板１２の表面に、圧電基板１２に弾性表面波を生成するすだれ状電極からなる励振用ＩＤＴ１４を有する。また、圧電基板１２の表面には、励振用ＩＤＴ１４が励振した弾性表面波を受信するすだれ状電極からなる受信用ＩＤＴ１６が設けてある。表面弾性波の伝搬領域である励振用ＩＤＴ１４と受信用ＩＤＴ１６との間には、受容体２２が露出して設けてある。励振用ＩＤＴ１４と受信用ＩＤＴ１６とは、電極封止部材２４によって覆ってある。電極封止部材２４は、すだれ状電極の周囲に密閉空間を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ装置のより一層の小型化を可能とすると共に、アライメントマークがＳＡＷ装置の電気特性に及ぼす影響を排除する。
【解決手段】ＳＡＷ装置を形成すべき圧電ウェハ上に櫛形電極を含む導体パターンを形成すると共に、圧電ウェハ上にアライメントマークを設けるパターン形成工程と、圧電ウェハを切断して圧電ウェハを分割する切断工程とを含むＳＡＷ装置の製造方法である。切断工程で切断される圧電ウェハの切り代領域にアライメントマークの少なくとも一部が位置するようにアライメントマークを設ける。アライメントマークは、例えば導体パターンの位置を検出するため、又は導体パターンを形成するために使用される金属製のマークである。 （もっと読む）

【課題】 優れた周波数特性と通過特性を有する弾性表面波素子、及びこの弾性表面波素
子の製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性表面波素子１０は、半導体基板（Ｓｉ層５０）の同一平面上に半導体
配線領域２０とＳＡＷ領域３０が並列して形成されている弾性表面波素子１０であって、
ウエハ１に弾性表面波素子１０を格子状に配列すると共に、隣接する弾性表面波素子１０
に形成される半導体配線領域２０を市松模様状に配列し、半導体配線領域２０とＳＡＷ領
域３０の上面に渡って同一平面の絶縁層７１〜７４を形成し、最上層の絶縁層７４の表面
に圧電体層９０を形成し、ＳＡＷ領域３０の圧電体層９０の表面にＩＤＴ４０を形成する。 （もっと読む）