【課題】フライングキャパシタを備えるフィルタ回路において、急峻な減衰特性を備えることが可能なフィルタ回路を提供すること。
【解決手段】フライングキャパシタと、フライングキャパシタの入力端と出力端との間に、フライングキャパシタと並列に設けられるキャパシタと、を備えるフィルタ回路は提供される。フライングキャパシタの入力端と出力端との間に所定の容量を有するキャパシタを設けることで、フライングキャパシタを備えるフィルタ回路において、急峻な減衰特性を備えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フライングキャパシタを備え、急峻な減衰特性を備えた上でさらにＱ値を可変にすることが可能なフィルタ回路の提供。
【解決手段】入力端から出力端へ切り替わる場合には極性を維持し、出力端から入力端へ切り替わる場合には極性が反転するフライングキャパシタと、フライングキャパシタの入力端にフライングキャパシタと並列に設けられる第１のキャパシタＣｈ１と、フライングキャパシタの出力端にフライングキャパシタと並列に設けられる第２のキャパシタＣｈ２と、を備え、フライングキャパシタは、出力端から入力端へ切り替わってから所定の時間遅延して入力端から出力端へ切り替わり、入力端から出力端へ切り替わってから所定の時間遅延して出力端から入力端へ切り替わる、フィルタ回路。 （もっと読む）

【課題】Ｃ／Ｎを改善することができる位相同期回路におけるループフィルタを提供する。
【解決手段】本発明の位相同期回路におけるループフィルタ１は、増幅回路２、第１のローパスフィルタ３、第２のローパスフィルタ４、電圧供給回路１７、スイッチング素子５を備える。第２のローパスフィルタ４は、増幅回路２の出力端子２ａと第１のローパスフィルタ３との間に接続され、バイアス電圧を供給する電圧供給回路１７にも接続される。スイッチング素子５は、第２のローパスフィルタ４の接続状態を制御し、増幅回路２から出力された制御電圧が所定の電圧以下に降下したときに自動的にオンとなるように形成される。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロワ回路をベースにした、高速でかつ低消費電流であり、高次フィルタの場合でも低い電源電圧で動作が可能なフィルタ回路を提供すること。
【解決手段】ソースフォロワ回路２７とドレインフォロワ回路２８ａ，２８ｂとを備え、ソースフォロワ回路２７は、ＭＯＳトランジスタ１乃至４とコンデンサ２５，２６と電流源９，１０を備え、ドレインフォロワ回路２８ａ，２８ｂは、ＭＯＳトランジスタ５乃至８と電流源１１，１２、２９．３０とを備えている。ドレインフォロワ回路を用いているので、ＭＯＳトランジスタの閾値変動と関係なく２次フィルタ回路の出力電圧と入力電圧をいつも同じレベルにすることができるので、従来に比べてより低い電源電圧においてもフィルタ回路として正常に動作することができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳトランジスタ構成のアクティブフィルタの回路規模を小さくする。
【解決手段】アクティブフィルタ５０にはバッファアンプＢｕｆｆ１、バッファアンプＢｕｆｆ２、可変利得増幅器ＧＣＡ１、抵抗Ｒ１ａ、抵抗Ｒ１ｂ、抵抗Ｒ２、コンデンサＣ１ａ、コンデンサＣ１ｂ、及びコンデンサＣ２が設けられる。入力電圧Ｖｉｎが入力される抵抗Ｒ１ａとコンデンサＣ１ａからなる第１のＲＣフィルタ、バッファアンプＢｕｆｆ１、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２からなる第２のＲＣフィルタ、及びバッファアンプＢｕｆｆ２から２次のサレンキー型フィルタ回路が構成され、出力電圧Ｖｏｕｔが出力される。出力電圧Ｖｏｕｔは第１のＲＣフィルタに帰還入力される。入力電圧Ｖｉｎ側と第２のＲＣフィルタの間には抵抗Ｒ１ｂとコンデンサＣ１ｂからなる第３のＲＣフィルタと可変利得増幅器ＧＣＡ１が縦続接続される。 （もっと読む）

【課題】さらに入力ノイズ耐性を有するシュミットトリガ型インバータを提供すること。
【解決手段】入力側ノードへの供給電圧が増加して第１の基準電圧に達するに従い出力側ノードから出る電圧が比較高電圧レベルから比較低電圧レベルに遷移し、入力側ノードへの供給電圧が減少して第１の基準電圧より低い第２の基準電圧まで減少するに従い出力側ノードから出る電圧が比較低電圧レベルから比較高電圧レベルに遷移するインバータと、インバータの入力側ノードに一方端が接続された第１の抵抗素子と、インバータの入力側ノードに一方端が接続された、該一方端の電圧が上昇するほどに抵抗値が減じる可変抵抗素子と、可変抵抗素子の他方端に一方端が接続された第２の抵抗素子と、ドレインが第２の抵抗素子の他方端に接続され、ゲートがインバータの出力側ノードに接続され、ソースが接地電位に接続されたｎチャネルＭＯＳトランジスタとを具備する。 （もっと読む）

【課題】アイソレーション特性に優れたサーキュレータを実現すること
【解決手段】ポート２に接続されたアンテナ１９とダミー負荷１５はともに５０Ωである。分配回路１０の入力端であるポート１に入力された信号は、逆相で等振幅に分配され、一方は第１ベース接地増幅器１１、第１整合回路１６、第３ベース接地増幅器１３を介して合成器１８に入力され、他方は第２ベース接地増幅器１２、第２整合回路１７、第４ベース接地増幅器１４を介して合成器に入力される。ここで、アンテナ１９のインピーダンスの変動は、第２ベース接地増幅器１２の電流源の電流量と、第２整合回路１７の並列可変キャパシタ１１９のキャパシタンスとを制御することで補償することができる。そのため、合成器１８において第３ベース接地増幅器１３の出力と第４ベース接地増幅器１４との出力は打ち消され、ポート３からは出力されない。 （もっと読む）

【課題】意図せずに信号線に付加される線路によって移相器の特性が劣化してしまうこと。
【解決手段】移相器５０は、ＬＰＦとＨＰＦ間の切替に基づいて入力信号を移相する。移相器５０は、入力端子１と出力端子２間に接続されたＦＥＴ５と、ＦＥＴ５がオン状態のとき共振する共振回路と、ＦＥＴ５がオン状態のとき、入力端子１及び出力端子２間に形成される信号線路に含まれる節点と共振回路との間に接続される付加線路４ａ（４ｂ）と、ＦＥＴ５がオン状態のとき、信号線路の一部に含まれ、少なくとも付加線路４ａ（４ｂ）と共にローパスフィルタを形成するインダクタ３ａ（３ｂ）と、を備える。ＦＥＴ５がオン状態のときに付加線路と共にＬＰＦを形成するインダクタを信号線路に配置する。これによって、意図しない付加線路によって移相器の特性が劣化することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】フィルタ回路で、製造ばらつきに対応して容易に特性周波数のずれを補正すること。
【解決手段】フィルタ回路１０はｇｍ値が制御可能なセルと、少なくとも２つのコンデンサを含むフィルタ部１１を有し、２つのコンデンサの容量差を検出し、その容量差に応じて生成した制御電圧ＶＣをフィルタ部１１のｇｍセルに供給し、ｇｍセルのコンダクタンス値とコンデンサの容量値との比をそれぞれ等しくする。 （もっと読む）

【課題】カットオフ周波数の補正動作中における後段回路の異常動作や電力浪費を解消することが可能なＧｍ−Ｃフィルタ回路の提供。
【解決手段】Ｇｍ−Ｃフィルタ回路１００は、カットオフ周波数の補正動作中に後段回路２００への電力供給を停止させる電源遮断部（スイッチ１１２とこれを制御するフィルタ制御回路１１０）を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】ＬＣフィルタをシミュレートすることで低素子感度フィルタの実現を可能にするアクティブ低域フィルタ回路を提供する。
【解決手段】信号入力端子から直列に複数個の抵抗Ｒを接続し、信号入力端子側からの各抵抗の接続点に順次演算増幅器Ａ１、・・・・Ａｎ−１の非反転入力端、出力端、反転入力端の順に接続し、各演算増幅器の非反転入力端と接地間に従来のＬＣフィルタの設計法を用いて求めた値のコンデンサＣ１、・・・・Ｃｎ、および演算増幅器の非反転入力端間にＣ１，３、・・・・Ｃｎ−１，ｎを接続し、前記の直列に接続された複数個の抵抗Ｒの最終端から出力信号を取り出す。 （もっと読む）

【課題】ソースフォロワ回路をベースにした帯域通過フィルタを提供する。
【解決手段】入力信号を入力するＭＯＳトランジスタ１０１、１０２、ドレインがＭＯＳトランジスタ１０１のソースに接続されるＭＯＳトランジスタ１０３、ドレインがＭＯＳトランジスタ１０２のソースに接続されるＭＯＳトランジスタ１０４を含み、ＭＯＳトランジスタ１０３のゲートがＭＯＳトランジスタ１０４のドレインに接続し、ＭＯＳトランジスタ１０４のゲートがＭＯＳトランジスタ１０３のドレインに接続されるトランジスタ対、電流源１０５、１０６、コンデンサ１０７、１０８、ＭＯＳトランジスタ１０１のソースの出力信号とＭＯＳトランジスタ１０３のソースの出力信号とを加算する加算器１０９、ＭＯＳトランジスタ１０２のソース端子の出力信号とＭＯＳトランジスタ１０４のソース端子の出力信号とを加算して出力する加算器１１０とによって帯域通過フィルタを構成する。 （もっと読む）

【課題】伝送路との整合を保持しながら交流結合回路による低域側遮断域を変化させる。
【解決手段】周波数特性調整回路２０の遮断域調整部２１は、ＡＣ結合回路１０の周波数特性における低域側遮断域が移動するように、ＡＣ結合回路１０からの出力信号を通過させる。遮断域調整部２１の零点周波数および極周波数は、制御信号に応じて設定される。この制御信号により、遮断域調整部２１の伝達関数の分子多項式が、ＡＣ結合回路１０の伝達関数の分母多項式と等しくされ、遮断域調整部２１の零点周波数が、ＡＣ結合回路１０による低域遮断周波数に合わせられる。このため、ＡＣ結合回路１０から遮断域調整部２１を通過した出力信号は、ＡＣ結合回路１０により生じた低域遮断域が移動した周波数特性を有するようになる。そして、この周波数特性において、制御信号に応じて設定される遮断域調整部２１の極周波数が、移動後の低域側遮断域の遮断周波数となる。 （もっと読む）

【課題】平滑用コンデンサに対する充電電流及び放電電流による時定数を大きくした場合であっても、平滑用コンデンサの体格の大型化や、オフセット電圧の増加を抑制することが可能なフィルタ回路を提供する。
【解決手段】入力電圧とフィルタ処理電圧との電圧差に応じた電流を、カスコード型カレントミラー回路を利用して減衰させて、平滑用コンデンサＣ１の放電電流Ｉ１１及び放電電流Ｉ１２を発生させる。さらに、平滑用コンデンサＣ１の充電電流Ｉ１２の一部となるベース電流Ｉｂ１’を流すトランジスタＴ２３を、トランジスタＴ２４と抵抗Ｒ１３，Ｒ１４からなる回路により、フィルタ回路１０の後段回路と分離する。 （もっと読む）

【課題】透過周波数域における利得が一定かつ遮断周波数域への遷移における利得変化が急峻であって、かつ、帯域外抑圧比の大きい低周波透過回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様は、インダクタ素子を有する低周波透過フィルタ１０１と、低周波透過フィルタ１０１に縦続接続され、低周波透過フィルタ１０１が透過から遮断へ遷移する周波数近傍かつ透過周波数域内に利得の盛り上がりを有する増幅器１００と、を備える低周波透過回路である。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド無線受信機のバンドパスフィルタを集積回路で構成する場合に、回路規模が大きくなり、チップ面積が大きくなったり、製造コストが高くなる。
【解決手段】混合回路５８は無線受信信号Ｓ_ＲＦをダウンコンバートして中間信号Ｓ_ＩＦを生成する。ＩＦＢＰＦ６０は、抵抗Ｒ及びキャパシタＣを用いたＲＣアクティブフィルタで構成され、Ｓ_ＩＦから目的受信信号を抽出する。抵抗Ｒは、クロック信号Ｓ_ＣＬによって駆動されるスイッチトキャパシタからなる等価抵抗により構成される。Ｓ_ＣＬを生成するフィルタ制御クロック生成回路７２は、Ｓ_ＣＬの周波数ｆ_ＣＬを、目的受信信号が属するバンドに応じて切り換えることができる。ＩＦＢＰＦ６０の通過帯域は、クロック周波数ｆ_ＣＬによる抵抗Ｒの等価抵抗値の切り換えにより、受信バンドに対応して変更できる。 （もっと読む）

【課題】温度信号の製造バラツキが小さく、高精度の温度信号を生成可能な電子回路を提供すること。
【解決手段】本発明は、ピンチオフ状態にせしめられる第１ＦＥＴ（ＦＥＴ１）と、第１ＦＥＴのソース端子Ｓ１に接続されてなる温度信号Ｖｔｅｍｐを出力する温度信号出力端子と、を具備する電子回路である。本発明によれば、ピンチオフ状態のＦＥＴのソース端子から出力される温度信号を用いることにより。製造ばらつきの小さい温度信号を得ることができる。
である。 （もっと読む）

【課題】タップ係数として任意の値を設定することができるフィルタを得ることを目的とする。
【解決手段】キャパシタ１１，３１により充電された電荷とキャパシタ１３，３３により充電された電荷の総和を出力端子Ｐに出力し、キャパシタ１２，３２により充電された電荷とキャパシタ１４，３４により充電された電荷の総和を出力端子Ｎに出力する。これにより、キャパシタ１１〜１４，３１〜３４の容量値Ｃ_pp，Ｃ_pn，Ｃ_np，Ｃ_nnを適宜変更することで、タップ係数として任意の値を設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 可変する回路定数を減らし、かつ、回路定数の可変範囲を同じにしても、Ｑの変動が大きくならないようにする。
【解決手段】 ＶＣＶＳ型の２次ＨＰＦ２０Ｂ、３０Ｂを縦続接続し、ＨＰＦ２０Ｂの内、抵抗値を大から小へ可変したときカットオフ周波数が低から高へ変化し、Ｑが大から小へ変化する抵抗Ｒ２２と、ＨＰＦ３０Ｂの内、抵抗値を大から小へ可変したときカットオフ周波数が低から高へ変化し、Ｑが小から大へ変化する抵抗Ｒ３２を互いに連動して抵抗値が可変するようにする。可変抵抗Ｒ２２とＲ３２を連動して可変したとき、各ＨＰＦ２０Ｂ、３０ＢのＱが相補的に変動するようにしたので、Ｑの変動を小さく抑えることができる。各ＨＰＦ２０Ｂ、３０Ｂはカットオフ周波数の可変範囲、Ｑに対する設計自由度が高く、Ｒ２２とＲ３２の可変範囲を同じにしながらＱがほぼ一定にすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造上のばらつきによるリーク電流の変化に起因する抵抗値の変動が低減され、かつ温度特性の良好なＭＯＳトランジスタ抵抗器を提供する。
【解決手段】抵抗器として使用される第１ＭＯＳトランジスタＭ１と、第１ＭＯＳトランジスタのソースに接続され、入力電圧Vinを印加する入力電圧源１と、第１ＭＯＳトランジスタのゲートに接続され、ゲート電圧Vgを印加するゲート電圧源６とを備えたＭＯＳトランジスタ抵抗器。ゲート電圧Vg及び入力電圧Vinは、第１ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧及びソース−ドレイン間電圧が、第１ＭＯＳトランジスタを非飽和領域で動作させる範囲で印加されるとともに、第１ＭＯＳトランジスタの抵抗値における温度特性の温度特性が一定になる条件を満たす関係に設定される。 （もっと読む）