【課題】ノイズフィルタでは完全には除去することができないようなノイズがクロック信号に発生した場合でも、このクロック信号で動作する回路の誤動作を防止することができるクロック制御回路を提供すること。
【解決手段】クロック制御回路１０は、発振クロック２２の電圧が所定の範囲にあるか否かを判断し、発振クロック２２の電圧が所定の範囲にない時はノイズ検出信号１２８を生成するノイズ検出回路１２０と、ノイズ検出信号１２８に基づいて、少なくとも所定の期間、クロック出力停止信号１３８を生成するクロック出力停止信号生成回路１３０と、発振クロックを所定の時間遅延させた遅延クロック信号１４８を生成する遅延クロック生成回路１４０と、クロック出力停止信号１３８が存在する期間は、遅延クロック信号１４８の外部への出力を停止するように制御するクロック出力停止制御回路１５０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】スプリアスが生じにくい。
【解決手段】ＡＤＣから入力されたｎビットのデジタル信号は、ｍビットが整数部４１、且つ、ｎ−ｍビットがデジタル制御値時間変化部４３に入力される。そして、デジタル制御値時間変化部４３から時間的に変化するデジタル制御値が小数部４２に入力される。デジタル制御発振器４は、整数部４１によってステップ周波数刻みで発振周波数を変化させる。また、小数部４２によってステップ周波数よりも小さな周波数刻みで発振周波数を変化させる。このとき、小数部４２によって変化させることができる周波数は、ステップ周波数よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電圧制御発振器で使用される可変容量において、回路のグラウンド電位から電源電位以上に広い可変容量の線形領域を使用することが可能な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】共振回路を構成するインダクタ２ａ、２ｂと可変容量１０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂと、共振回路の共振周波数を制御するための周波数制御端子５とを備えた発振部２００に加え、共振回路にバイアス電圧を与えるバイアス回路２０１と、周波数制御電圧に応じてバイアス回路２０１のバイアス電圧を切り替え制御するバイアス制御回路２０２を設ける。バイアス制御回路２０２は周波数制御電圧が変化してしきい値を超えたときに、周波数制御電圧を目的の制御電圧に近づける方向にバイアス電圧を切り替える。 （もっと読む）

複数個の発振器複合体を使用する位相ロックループが開示される。位相ロックループは、クロック出力と、出力信号を発生するように動作可能な複数個の発振器複合体を含んでいる。位相ロックループは、さらに、複数個の発振器複合体のうち１個の出力信号を選択して、クロック出力に結合するように構成された制御ロジックを含んでいる。
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【課題】電圧電流変換部の制御電圧入力用ＭＯＳトランジスタにデプレッション型を使用した際に発生する発振周波数（バイアス電流）オフセットの製造プロセスばらつきが補正された電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】電圧制御発振回路１は、制御力電圧がゲートに入力される第１のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１３と、その第１のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１３のゲート・ソース間電圧が０Ｖのときのオフセットを補償する第２のデプレッション型ＭＯＳトランジスタ１５を有し、制御電圧に応じたバイアス電流を発生する電圧電流変換回路３を備える。 （もっと読む）

【課題】 低周波の発振信号であっても安定して出力することが可能な電圧制御発振器及びＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電圧制御発振器１は、インダクタ４及び可変キャパシタ５を有するＬＣ共振回路２と、複数の負性抵抗回路ＮＲ１、ＮＲ２、…、ＮＲｎを備える。各負性抵抗回路ＮＲ１、ＮＲ２、…、ＮＲｎは、定電流源ＣＧ１、ＣＧ２、…、ＣＧｎを介して夫々接地線と接続される構成であり、各定電流源は、夫々個別に導通状態（一定電流を流す状態）と非導通状態（開放された状態）との間で切換制御が可能に構成されており、本発明に係る電圧制御発振器１は、これらの各定電流源の導通制御を行うための制御手段７を備える構成である。 （もっと読む）

【解決手段】プログラマブルバラクタ装置は、複数のデジタルバラクタビットによって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタを含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】温度および電圧などの周辺環境の変化に依存せずに常に一定の周波数を有する発振信号を出力する、シュミットトリガーを用いたオシレータを提供すること。
【解決手段】シュミットトリガーを用いたオシレータは、一定の大きさの電流を発生する定電流発生部３１０と、定電流発生部３１０が発生した電流をミラーリングする電流ミラーリング部３３０と、電流ミラーリング部３３０を介して印加される電流を供給および遮断するための制御部３２０と、制御部３２０から供給される電流を充電するキャパシタＣと、キャパシタＣに充電された電圧が印加されて、ハイまたはローレベルの電圧を出力するシュミットトリガー部３４０と、シュミットトリガー部３４０から出力された電圧を遅延して出力する電圧遅延部３５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイープ電圧発生のための回路規模を小型化し、且つ非ロック時における周波数引き込み動作を自動的に行なうことが可能なルビジウム原子発振器を提供する。
【解決手段】このルビジウム原子発振器１００は、ＯＭＵ１と、増幅器２と、出力信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器３と、ロック状態又は非ロック状態を判定する状態判定部１１と、位相変調信号ｆｍの周波数成分を選択的に出力するＢＰＦ１３と、スイープ電圧データを生成するスイープ電圧データ生成手段１２と、タイマ１５と、第１のＢＰＦ１３の出力信号又はスイープ電圧データ生成手段１２の出力信号を選択するＳＷ−Ａ１４と、アナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器５と、位相検波して周波数制御信号を生成する位相検波器６と、周波数制御信号を積分処理する積分回路７と、周波数制御信号に従い出力周波数が制御されるＶＣＸＯ８と、を備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】出力クロック信号のジッタ値に対するプロセスばらつきによる影響を抑える。
【解決手段】ＰＬＬ回路として、基準クロック信号と出力クロック信号に基づくフィードバッククロック信号との間の位相差を検出する位相周波数比較回路と、前記位相差に応じて電流を出力するチャージポンプ回路と、前記チャージポンプ回路の出力を平滑化し、制御電圧として出力するローパスフィルタと、前記制御電圧、ゲイン制御信号、及びオフセット制御信号に応じた周波数の信号を生成し、前記出力クロック信号として出力する電圧制御発振回路と、前記制御電圧の変化に対する前記出力クロック信号の周波数の変化の比が目標値になるように、前記ゲイン制御信号を求めるゲイン調整回路と、前記制御電圧が所定の値である時における前記出力クロック信号の周波数が目標値になるように、前記オフセット制御信号を求めるオフセット調整回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】リングオシレータが出力するクロック信号の周波数がより高くなった場合でも、逓倍クロック信号の周波数を安定した状態で出力できる逓倍クロック信号出力回路を提供する。
【解決手段】ＤＰＬＬ回路１において、データラッチ回路５２より出力され、１１ビットのダウンカウンタ５４ｄに本来セットすべきデータ値のサイズが１２ビット以上になると、オーバーフロー防止回路３が前記データ値を１１ビットデータに置換する。 （もっと読む）

【課題】本発明では、汎用ＤＤＳを使用した周波数可変の信号発生装置において、ジッター発生を抑制し、高精度の周波数可変の矩形パルス信号を発生する。
【解決手段】周波数可変の信号発生装置は、設定値に応じて変更される周波数のアナログ信号を出力するＤＤＳ１と、該アナログ信号から該周波数の第１矩形パルス信号を生成するコンパレータ３と、第１矩形パルス信号を設定される分周比で分周した第２矩形パルス信号を出力するプログラマブル分周器４１と、制御部４とを備える。該周波数を高周波数領域側に変更の場合、該分周器に対し第１矩形パルス信号を出力信号Ｓｏとする。該周波数を低周波数領域側に変更の場合、ＤＤＳに対して設定値を分周比倍の値に変更制御して該分周比倍の周波数を有する第１矩形パルス信号を発生させ、分周器において当該分周比で分周した当該周波数の第２矩形パルス信号を出力信号Ｓｏとする。 （もっと読む）

【課題】出力クロックの変動を抑えることができる電圧制御発振回路およびＰＬＬ回路を提供する。
【解決手段】この電圧制御発振回路によれば、第２の電源生成回路１−２が出力するゲート制御信号１０３,１０４によって、一部の反転回路１０−ｎの遅延時間を変更制御するが、残りの反転回路１０−１〜１０−(ｎ−１)の遅延時間は第１の電源生成回路１−１によって一定に制御する。したがって、第２の電源生成回路１−２が制御する電源電圧１０３−ｎ,１０４−ｎが変化(変動)しても出力クロック１００の周波数の変化(変動)は従来のように全ての反転回路の遅延時間を変更制御する場合に比べて小さい。 （もっと読む）

【課題】位相雑音特性が良好で、かつ低消費電力、小型化に適した発振装置を提供すること。
【解決手段】固定電圧Ｖｒｅｆが印加される第１の端子と、可変電圧Ｖｃが印加される第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に直列接続された、抵抗値ｒのｍ個の抵抗器及び抵抗値ＲＩＮの入力抵抗器と、前記ｍ個の抵抗器のうちｎ個の抵抗器を選択するための複数のスイッチと、制御電圧を出力する第３の端子と、を有する抵抗切替部と、前記複数の抵抗器に流す定電流の電流値Ｉｏｆｆを設定し当該定電流を供給する電流供給部とから構成され、｛Ｖｒｅｆ＋ｎ×ｒ×［（ＶＣ−Ｖｒｅｆ）／（ｍ×ｒ＋ＲＩＮ）］｝で与えられる第１の電圧と、｛−（ｎ×ｒ×Ｉｏｆｆ）｝で与えられる第２の電圧との重ね合わせにより規定される第３の電圧を、前記第３の端子から制御電圧として出力する。 （もっと読む）

【課題】発振信号を安定して生成することが可能な半導体集積回路およびそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】半導体集積回路１０１は、発振信号を出力する発振回路１と、発振回路１から受けた発振信号を外部へ出力するか否かを切り替える切り替え回路２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＬＬ回路に対して、予め定められたループ帯域を精度よく設定できるキャリブレーション装置を提供する。
【解決手段】ＰＬＬ回路の電圧制御発振器に入力される制御電圧に、ループ帯域のカットオフ周波数の周波数成分を含むキャリブレーション信号を重畳する信号重畳部と、電圧制御発振器が出力する発振信号のカットオフ周波数の周波数成分を測定する測定部と、キャリブレーション信号のカットオフ周波数成分の強度と、測定部が測定した周波数成分の強度とを比較する演算部と、演算部における比較結果に基づいて、ＰＬＬ回路に設けられたチャージポンプのゲインを調整する調整部とを備えるキャリブレーション装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】クロック逓倍してクロック信号を発生するクロック発生回路のロックインタイムを短縮する。
【解決手段】ロックイン状態において、２つの数値データＣｉ，Ｃ（ｉ＋１）を積和演算器が出力し、各数値データに従って発振器１１の発振周期を設定して、その出力クロック信号のパルス数をカウントして第１および第２のカウント値を生成する。これらの２つの数値データと２つのカウント値と周期目標データとに従って、発振器の発振周期を設定する第３の数値データを生成して、発振器の発振周期を設定する。 （もっと読む）

【課題】ゲート制御電圧の範囲を精度良くかつ容易に調整することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】容量遷移制御電圧を印加するボディ端子領域tbdが制御電極Gの下部領域となるボディ領域に形成されている第1及び第2MOS可変容量素子C1a，C2aと、第1及び第2インダクタL1，L2と、クロスカップル型に組まれている第1及び第2MOSトランジスタM1，M2と、第1基準電圧源に結合される第1結合点n1と、第2基準電圧源に結合される第2結合点n2とを有する。第1及び第2MOS可変容量素子は、それぞれ、制御電極が制御電圧端子TVc1に共通に接続され、さらに、第1及び第2主電極S，Dが共通接続部sdで互いに接続されている。第1及び第2MOS可変容量素子の共通接続部は、それぞれ、対応する第1または第2インダクタを介して、第1結合点に結合されているとともに、対応する第1または第2MOSトランジスタを介して、第2結合点n2に結合されている。 （もっと読む）

【課題】オシレータの振動周波数の調節を可能とさせ、それにより効率的な態様で且つ顕著なダンピング無しで振動周波数の選択的変更を達成する。
【解決手段】オシレータの振動周波数の調節、特に回路装置によるＰＬＬオシレータのデジタル粗調節に関するものである。回路装置は少なくとも一対のコンデンサ（Ｃ，Ｃ′）を有しており、その第一端子はオシレータと接続しており、且つ第二端子は、コンデンサ対（Ｃ，Ｃ′）をオシレータの振動回路内に組込むためにスイッチング装置によって第一基準電位（ｖｓｓ）と選択的に接続させることが可能である。尚、回路装置は、第一基準電位（ｖｓｓ）との該第二端子の選択的接続のための第一ＦＥＴｓ（Ｔ１，Ｔ１′）、互いに第二端子を接続するための第二ＦＥＴ（Ｔ２）、及び第一基準電位（ｖｓｓ）とは異なる第二基準電位（ｖｄｄ）との第二端子の夫々の接続のための第三ＦＥＴｓ（Ｔ３，Ｔ３′）を有している。 （もっと読む）

【課題】ランプ保持部材とガスセル保持部材の間にサーモモジュールを挟み、ランプ保持
部材とガスセル保持部材間の温度差を適切になるようにサーモモジュールを制御すること
により、ルビジウムガスセルとルビジウムランプ間の熱の影響を低減すると共に、光学系
を小型化することができる原子発振器を提供する。
【解決手段】この光学系１００は、ルビジウム原子を封入したガスセルを保持するガスセ
ル保持部材４と、ガスセル中のルビジウム原子を励起するルビジウムランプを保持するラ
ンプ保持部材２と、ガスセル保持部材４を加熱するガスセルヒータ５と、ランプ保持部材
２を加熱するランプヒータ１と、熱エネルギと電気エネルギの直接相互交換による熱電効
果により対向面に温度差を生ずるサーモモジュール３と、電流の大小及び極性により対向
面に生じる温度差の大小と向きを制御する温度制御部７と、を備えて構成される。 （もっと読む）