【課題】マルチバンド、かつ各バンドにおいてマルチモードで動作するアイソレーションの高い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波電力増幅器は、第１電力増幅回路１と、第２電力増幅回路２と、第３電力増幅回路３と、第４電力増幅回路４とを有し、第１〜第４電力増幅回路１〜４は、それぞれ半導体基板に形成されたワイヤーボンディング用の入力パッド１０１〜１０４と、入力配線Ｌ１１〜Ｌ１４と、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４と、出力配線Ｌ２１〜Ｌ２４と、出力パッド１１１〜１１４とを有し、入力配線Ｌ１１〜Ｌ１４は、チップ２００および２０１において互いに交差せず、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の出力配線Ｌ２１〜Ｌ２４は、チップ２００および２０１において互いに交差しない。 （もっと読む）

【課題】半導体回路の活用範囲を拡大しつつ電力消耗と回路が占める面積を減らすことのできるスイッチトキャパシタ回路を提供する。
【解決手段】本発明に係るスイッチトキャパシタ回路は、チョッパ安定化回路を用いてオフセットを除去するための反転増幅器と、入力端子と前記反転増幅器との間に接続されるサンプリングユニットと、前記反転増幅器に並列接続されるフィードバックユニットとを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド、かつ各バンドにおいてマルチモードで動作するアイソレーションの高い高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波電力増幅器は、第１周波数帯域内の第１高周波信号を線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ１と、第１周波数帯域よりも低い第２周波数帯域内の第２高周波信号を線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ２と、第１周波数帯域内の第３高周波信号を非線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ３と、第２周波数帯域内の第４高周波信号を非線形動作により増幅する電力増幅器ＡＭＰ４とを有し、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の入力配線は、半導体基板１２０及び１３０において互いに交差せず、電力増幅器ＡＭＰ１〜ＡＭＰ４の出力配線は、半導体基板１２０及び１３０において互いに交差しない。 （もっと読む）

通信衛星上に設置されるように設計されたデュアルＲＦチャンネル用リニアライザ・チャンネル増幅器装置は、各々が無線周波数信号通信チャネルに対応し、かつ、チャンネル増幅器モジュール（１０、２０）を備える２つの独立した無線周波数チャンネル（ＲＦ１、ＲＦ２）を備え、２つの無線周波数チャンネル（ＲＦ１、ＲＦ２）は、２つのチャンネル増幅器モジュール（１０、２０）の各々専用の遠隔制御信号をルーティングしかつ管理し、かつ、２つのチャンネル増幅器モジュール（１０、２０）により生成された遠隔測定結果を管理するように設計されたまったく同一の遠隔制御遠隔測定モジュール（３０）に接続される。顕著に衛星通信の分野、及び、特に、衛星中継器の無線周波数伝送システムに適用される。 （もっと読む）

本発明の線形化回路は、電力増幅器コアを有する電力増幅回路に関連して使用する。例示的な線形化回路は、電力増幅器コアのレプリカを備える。線形化回路はその動作にあたり、ＲＦ信号からエンベロープ信号を生成する。このエンベロープ信号を使用して、レプリカを制御することによりアナログ出力信号を生成し、このアナログ出力信号は、電力増幅器コアにおけるＡＭ‐ＡＭ変換歪みの反転を表す。その後、線形化回路は、レプリカにおける反転した非線形信号でＲＦ信号をバイアスし、電力増幅コアを制御する。電力増幅器コア及びそのレプリカは、いずれも同一半導体のダイ上に配置することができるため、双方ともに、製造プロセス変動に対して同様の応答を示す。 （もっと読む）

【課題】電子ボリューム回路の半導体チップのダイサイズを削減する。
【解決手段】
多チャンネルミキシング及びボリューム調整回路１０は、入力信号Ｓｉ１をＲ１６／Ｒ１２倍した信号と、入力信号Ｓｉ２をＲ１６／Ｒ１３倍信号とを反転加算してなる出力信号Ｓ１０を、ボリューム減衰回路２０する。ボリューム減衰回路２０は、信号Ｓ１０をＣ２１／Ｃ２２倍して出力信号Ｓｏを発生する。 （もっと読む）

【課題】 従来のドハティ増幅器に比べて高い効率が得られ、更に小型化及び低コスト化を図る高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】 キャリア増幅回路４の出力をインピーダンス変換するλ／４伝送線路６１に近接して、λ／４伝送線路６１から電磁結合により２次高調波を抽出するλ／８伝送線路１０１を設け、λ／８伝送線路１０１の一端と、分配器２とキャリア増幅回路４の入力端との間の点とを接続する線路上に、抽出された２次高調波の位相を調整する可変位相器１０２と、２次高調波のレベルを調整する可変増幅器１０３と、位相とレベルが調整された２次高調波をキャリア増幅回路の入力信号に合わせてインピーダンス変換する整合回路１０４とを直列に接続し、λ／８伝送線路１０１で電磁結合により２次高調波を取り出して、適切な位相及びレベルに調整して整合をとった上でキャリア増幅回路の入力に注入する高周波電力増幅器である。 （もっと読む）

アンプの直線性を改善するための技術が述べられる。典型的な設計では、アンプ（例えば、パワーアンプ）は、スタック内に結合された複数のトランジスタと、少なくとも一つのダイオードを含む。前記複数のトランジスタでは、入力信号を受信して増幅する出力信号を提供する。少なくとも一つのダイオードがスタック内の少なくとも一つのトランジスタに動作可能なように結合される。各ダイオードは、スタック内の関連付けられたトランジスタに可変バイアス電圧を提供する。各ダイオードは、高入力パワーでダイオードの両端で電圧降下を有し、そして、高入力パワーで関連付けられているトランジスタに高バイアス電圧を提供する。少なくとも一つのトランジスタは、少なくとも一つのダイオードから高バイアス電圧に起因する高入力パワーで高ゲインを有する。高ゲインはアンプの直線性を改善する。
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【課題】効率が改善され高調波放射が低減されたマイクロ波増幅器を動作させるための装置および方法を提供する。
【解決手段】増幅器は、可変レール電圧源と可変入力駆動段とを有する。コントローラは、増幅器出力を継続的に監視し、高効率と低高調波放射を実現するために、レール電圧および入力駆動部材信号を調整する。増幅器は、線形領域外で利得素子を動作させるために構成された動的バイアスコントローラを備えうる。増幅器によって７０％を超える効率を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】印刷などによって低温で生成された場合であっても高速駆動が可能でかつ良好な出力特性を得ることができる増幅回路を提供する。
【解決手段】オペアンプ１００は、差動増幅回路１１０、バイアス回路１２０、電圧レベルをシフトするレベルシフト回路ユニット１５０と増幅回路ユニット１６０からなるソース接地増幅回路１４０を具備し、すべてのトランジスタを同一プロセスにて簡易に製造できるディプレッション型のトランジスタにて構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅装置を小型化すること。
【解決手段】増幅回路１１、温度補償用回路１３、出力検波回路１２をパッケージ内に有する高周波電力増幅装置であって、増幅回路１１の入力端子１９はパッケージ側面に設けられたＲＦ入力端子１５に接続されるとともに、温度補償用回路１３の入力端子２５も、第１のＡＣカット抵抗２６を介してＲＦ入力端子１５に接続される。また、増幅回路１１の出力端子２０はパッケージ側面に設けられたＲＦ出力端子１６に接続されるとともに、出力検波回路１２のバイアス入力端子３０も、第２のＡＣカット抵抗３１を介してＲＦ出力端子１６に接続される。 （もっと読む）

【課題】小型の回路構成で負荷変動の影響を低減するとともに、低出力時の低消費電力化および高効率化を実現した高周波増幅器を得る。
【解決手段】入力分配整合回路２３と、第１および第２の増幅素子３、２０と、各増幅素子３、２０にベースバイアス電圧を印加するベースバイアス回路４、２１と、各増幅素子３、２０にコレクタバイアス電圧を印加するコレクタバイアス回路５、２２と、第１の増幅素子３で増幅された入力信号のインピーダンス整合をとるローパスフィルタ形整合回路６と、第２の増幅素子２０で増幅された入力信号のインピーダンス整合をとるハイパスフィルタ形整合回路７と、各整合回路６、７を介した入力信号を合成するノードＡと、合成信号を出力端子２の特性インピーダンスに変換する整合回路８とを備える。入力分配整合回路２３は、分配信号に対し、各整合回路６、７で生じる位相差とは逆の位相差を与える。 （もっと読む）

【課題】利得周波数特性が広帯域で高速動作が可能であり、チップサイズの小さなトランスインピーダンスアンプを提供する。
【解決手段】光信号電流を受信し電圧信号を出力するトランスインピーダンスアンプにおいて、ソース接地増幅回路１と、ソースフォロワ回路２と、負帰還抵抗Ｒ_L２１と、誘導結合性を有する少なくとも２つのインダクタとを備えた。 （もっと読む）

【課題】複数の通信方式に対応した携帯電話端末における高周波送受信信号経路と制御信号経路のレイアウトを簡略化する。
【解決手段】複数の通信方式の高周波送受信信号経路の切替を行う切替装置１００ａは、複数のスイッチＳＷ１〜ＳＷ６と論理回路１１０ａを有する。論理回路１１０ａは、高周波制御装置１４０ａからの制御信号ａ〜ｃに応じて制御信号ｄ１〜ｄ８を生成する。そのうち制御信号ｄ１〜ｄ６は、それぞれ、信号経路をＯＮ／ＯＦＦする複数のスイッチＳＷ１〜ＳＷ６の切替制御信号となる。制御信号ｄ７，ｄ８は電力増幅器ＰＡ１，ＰＡ２のＯＮ／ＯＦＦ制御信号として出力される。ＳＷ３，ＳＷ４の切替制御信号ｄ３，ｄ４は、ＰＡ３，ＰＡ４のＯＮ／ＯＦＦ制御信号を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】回路実装面積の縮小を実現すると共に、複数の帯域のＲＦ信号を同時に送信することができる送信機及びプログラムを提供する。
【解決手段】帯域毎に、送信すべきベースバンド信号のＩ信号及びＱ信号それぞれについて、一方の帯域のベースバンド信号における雑音成分が、他方の帯域のベースバンド信号における所望信号の周波数帯域で減衰するようにΔΣ変換する複数のΔΣ変換器と、帯域毎に、ΔΣ変換器から出力されたＩ信号及びＱ信号のそれぞれを、キャリア周波数へ周波数変換する複数のミキサと、帯域毎に、Ｉ信号のキャリア周波数信号とＱ信号のキャリア周波数信号とを加算する加算器と、複数の加算信号を入力し、スイッチ型アンプによって出力電流を電流加算する電力増幅器と、複数の帯域における所望信号の周波数帯域のみを通過させ、マルチバンドアンテナへ出力するマルチバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

典型的な実施形態は、電力増幅器を備えた送信機に向けられ、複数の動作モードのために複数の出力パスをインプリメントしている切替型出力整合回路が説明される。電力増幅器は、入力ＲＦ信を受信して、増幅されたＲＦ信号を供給する。出力整合回路網は、電力増幅器の出力における低いインピーダンスから整合回路網の出力における高いインピーダンスへのインピーダンス変換を実行する。複数の出力パスは、出力整合回路網に結合される。各出力パスは、電力増幅器のために異なる目標出力インピーダンスを提供し、その出力パスが選択されたときに、増幅されたＲＦ信号を電力増幅器からアンテナへ送る。各出力パスは、スイッチと直列に結合された整合回路網を含むことができる。整合回路網は、その出力パスが選択されたときに、電力増幅器のために目標出力インピーダンスを提供する。スイッチは、電力増幅器へ／から出力パスを結合および減結合する。
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【課題】本発明は、増幅回路を小型化できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１の信号入力端子、第１の信号出力端子及び第１の接地端子を有する第１のトランジスタと、第１の給電端子と、前記第１の給電端子と前記第１の信号入力端子の間に接続された第１の抵抗と、前記第１の給電端子と接地点の間に接続された第１のキャパシタと、を備え、前記第１のトランジスタ、前記第１の給電端子、前記第１の抵抗、及び前記第１のキャパシタは、同一のチップに設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大型化を抑えながら、駆動用電圧の上昇に伴う消費電流の増大を抑制すると共に駆動用電圧の下降に伴う印加電圧不足を解消することができる差動増幅回路を提供する。
【解決手段】ＮＭＯＳトランジスタ１６のドレイン端子及びソース端子間を流れる電流の大きさを予め定められた大きさにする電圧Ｖ_ｒｅｆ０がＮＭＯＳトランジスタ１６のゲート端子に印加されるように、閾値電圧が異なるＮＭＯＳトランジスタ２６，２８が並列接続されると共にＮＭＯＳトランジスタ２６，２８の各ドレイン端子の共通接続点に駆動用電圧Ｖ_ｃｃが印加され、共通接続点Ｆと負荷との接続点ＧがＮＭＯＳトランジスタ１６のゲート端子に接続された。 （もっと読む）

コンパクトな集積電力増幅器について、本明細書に述べられる。例示的な設計では、装置が、（ｉ）電力増幅器用の少なくとも１つのトランジスタを有する集積回路（ＩＣ）ダイと、（ｉｉ）電力増幅器用の負荷インダクタを有するＩＣパッケージとを含む。ＩＣダイは、トランジスタ（複数可）が負荷インダクタの上に配置される状態でＩＣパッケージ上に取り付けられる。例示的な設計では、ＩＣダイは、ＩＣパッケージ上の負荷インダクタの上に置かれるトランジスタマニホールドを含む。トランジスタ（複数可）は、トランジスタマニホールド内に作製され、トランジスタマニホールドの中心にドレイン接続を有し、トランジスタマニホールドの両側にソース接続を有する。ＩＣダイおよびＩＣパッケージは、１つまたは複数の追加の増幅器を含んでよい。各電力増幅器用のトランジスタ（複数可）は、その電力増幅器用の負荷インダクタの上に配置することができる。
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【課題】 1V以下の低電源電圧動作、及び数１０nA以下の低電流動作をし、かつ温度に依存しない基準電圧を、小さな回路規模で得ることにある。
【解決手段】 閾値電圧の異なる二つのP型FET、M1、M2で第一の電流ミラー回路を形成し、それらのうち閾値電圧の絶対値の大きいM1のゲートとドレインを短絡してダイオード接続しサブスレシホールド領域で動作させ、閾値電圧の絶対値の小さいM2は飽和動作領域で動作させるようにM1の寸法W/LをM2の約10倍に選んだものと、閾値電圧の異なる二つのN型FET、M3,M4で第二の電流ミラー回路を形成し、閾値電圧の高い方をサブスレシホールド領
域で動作させ、閾値電圧の低いM４は飽和動作領域で動作させるようにM３の寸法W/LをM４の
約１０倍に選んだものとで構成し、二つの電流ミラーの出力端を接続して閉回路
を形成し、M4に発生するゲート電圧を基準電圧として使用する基準電圧発生回路を構成している。 （もっと読む）