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Fターム[5J500AC92]の内容

増幅器一般 (93,357) | 目的、効果 (9,357) | 回路の簡素化、小型軽量化 (745)

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【課題】集積回路においてスピーカ接続状態として正常、オープン又はショートのいずれであるかを検出するための回路が適切に実装される。
【解決手段】音声信号を増幅して一方の出力端子から出力する第1の増幅器と、音声信号を位相反転した後に増幅して他方の出力端子から出力する第2の増幅器とを備え、自身の出力をハイインピーダンス状態に設定可能である増幅回路と、外部電源の電圧を昇圧するスイッチング電源回路と、スタンバイ回路と、増幅回路の出力側がハイインピーダンス状態に設定された時、外部電源から一方の出力端子に向けて電流を流し込み、当該一方の出力端子に出現する電圧又は電流に基づいて正常、オープン又はショートのいずれの状態であるかを検出する負荷接続状態検出回路と、負荷接続状態検出回路による検出結果を示す信号を外部に通知する通知端子と、を有するスピーカ駆動集積回路。 (もっと読む)


【課題】高出力と専有面積の縮小とを両立させた電力増幅装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された電力増幅装置300であって、全体で環状の一次インダクタ1,2と、グランドパターン4〜8と、トランジスタ対(Q1p,Q1n)および(Q2p,Q2n)と、二次インダクタ3とを備える。グランドパターン4〜8は、基板に垂直な方向から見て、環状の一次インダクタ1,2の内側の領域の一部から外側の領域に及ぶように設けられ、外側の領域の複数箇所で接地される。各一次インダクタ1,2の両端には、対応のトランジスタ対を構成する第1および第2のトランジスタの第1の主電極がそれぞれ接続される。第1および第2のトランジスタの各第2の主電極は、一次インダクタの内側の領域でグランドパターンに接続されるとともに、上記の接地された複数箇所のいずれとも電気的に導通する。 (もっと読む)


【課題】 回路構成の簡素化と回路面積の低減とコストの削減とを図ることが可能な無線通信機器を提供する。
【解決手段】 無線送信回路は、送信出力を1−ポートRF出力あるいはハイバンド出力とローバンド出力との2−ポートRF出力にまとめたRFIC(1)と、マルチ通信方式及びマルチバンド送信に対応するための広帯域パワーアンプ(21)と、広帯域パワーアンプの出力を各送信バンドに対応した信号パスに出力するバンドスイッチ(24)と、各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの入力とRFICの出力との間でマッチングを取る第1のマッチング補正回路(22)及び各送信バンドにおいて広帯域パワーアンプの出力とバンドスイッチの入力との間でマッチングを取る第2のマッチング補正回路(23)とを含む送信部分(2)とを有する。 (もっと読む)


【課題】入力信号に対する増幅器の出力信号の利得特性を線形化するために必要な回路の面積を低減できる半導体集積回路装置及び送受信システムを提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、切り替え可能な複数の第1の利得特性を有し、入力信号に対して前記第1の利得特性を切り替えて中間信号を生成し、第2の利得特性を有する回路に前記中間信号を出力する線形化回路を備え、前記線形化回路は、少なくとも1つの第1の整流素子を有し、前記入力信号を線形化する線形化器と、前記第1の整流素子と逆極性の複数の第2の整流素子と、制御信号に基づき前記複数の第2の整流素子のうち少なくとも1つを選択する第1の切り替え部とを有し、前記線形化器に並列に接続され、前記線形化器による前記入力信号の線形化を抑制する線形化抑制器とを備える。 (もっと読む)


ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタを備える回路ユニット(CU)。前記ロングゲート疑似格子整合高電子移動度トランジスタのソース(S)又はドレイン(D)が、前記ヘテロ接合バイポーラトランジスタのコレクタ(C)又はエミッタ(E)に電気的に結合される。 (もっと読む)


【課題】Tr.補間型比較器列を構成要素とし、プリアンプ列が出力する複数の差電圧を補間しつつAD変換するA/D変換器において、前記Tr.補間型比較器列を構成する複数個のTr.補間型比較器のオフセットをキャンセルする。
【解決手段】複数の抵抗R1〜Rmは複数の参照電圧を発生する。複数のサブ抵抗R11〜Rm4は、前記各参照電圧を更に分解する複数のサブ参照電圧を発生させる。キャリブレーション期間では、キャリブレーション対象となるTr.補間型比較器を選択すると共に、この選択されたTr.補間型比較器の閾値電圧に等しいサブ参照電圧をスイッチSW11〜SWm4により選択し、この選択したサブ参照電圧をスイッチSWAIN1、SWAIN2によりアナログ入力信号AINに代えてプリアンプ列102の各プリアンプA1〜Amに入力し、この状態でキャリブレーションを行う。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で減衰交流信号を発生させることが可能な交流信号発生装置を提供すること。
【解決手段】交流信号発生装置は、周波数が僅かに異なる2つの矩形波を発生させる矩形波発生手段として機能するマイクロコンピュータと、2つの矩形波を入力し、一方の矩形波の電圧値から他方の矩形波の電圧値を減算した差を出力する両極性の差動増幅回路と、アクティブフィルター回路によって構成され、交流信号を出力する低域通過型フィルター回路とを備える。マイクロコンピュータは、2つの矩形波の初期の位相差が180度であり、2つの矩形波の位相差が0になる時点で矩形波の発生を終了する。特に減衰のための回路を必要とせず、外付け部品等による影響を殆ど受けずに安定した減衰信号が得られる。 (もっと読む)


【課題】各入力チャンネルに入力する信号を結線および面倒な設定を行うことなく簡易に設定できるようにする。
【解決手段】入力チャンネル31−1は、入力パッチ30でパッチされた5つの入力ポートのいずれか1つを選択できるソースセレクタ31a−1を備えている。ソースセレクタ31a−1は、可動接点a1を5つの固定接点b1,c1,d1,e1,f1のいずれかに切り換えることにより、5つの入力ポートのいずれか1つを選択している。他のソースセレクタ31a−Nの構成も、ソースセレクタ31a−1と同様とされており、ソースセレクタ31a−1〜31a−Nによる選択の切り換えは全入力チャンネル31−1〜31−Nにおいて一括して行われる。 (もっと読む)


【課題】FETセルごとに電源を用意・制御することなく、所望の出力電力値に合わせて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置を提供する。
【解決手段】分配・入力整合回路32と入力伝送線路パターン36とを搭載した分配・入力整合回路基板14と、複数の入力キャパシタセル40を搭載した入力キャパシタ基板16と、複数の電界効果トランジスタセルを搭載した半導体基板18と、複数の出力キャパシタセル41を搭載した出力キャパシタ基板20と、出力伝送線路パターン38と合成・出力整合回路34とを搭載した合成・出力整合回路基板22とを備え、所望の出力電力値に合わせて複数のセルからなる電界効果トランジスタのセル数を接続・非接続により、総ゲート電極長を実質的に変化させて、出力電力値を調整可能な高周波半導体装置30。 (もっと読む)


【課題】バイアス電流の制御電圧の設定範囲を拡大させつつ、バイアス回路の構成の自由度を向上させ、簡単かつ小規模な構成で複数の通信方式への対応を実現する高周波増幅回路を提供する。
【解決手段】バイアス回路12を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器11に供給するトランジスタQ5と、基準電圧Vrefに応じた電流を流すトランジスタQ3と、トランジスタQ3に流れる電流に応じて、トランジスタQ5のベース電流を補正することにより、トランジスタQ5の温度特性を補償するトランジスタQ2と、トランジスタQ5のベースに接続され、制御電圧VSWの切り替えに応じてトランジスタQ5のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部(トランジスタQ4及び抵抗R5〜R7)とで構成する。増幅器11は、バイアス回路12から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。 (もっと読む)


【課題】 回路のダイナミックレンジを圧迫しないと共に、チップサイズの増大を抑制することができるバッファリング回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】 入力端子及び出力端子を有するバッファリング回路でドレインが第1電圧ラインに接続され、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第1プルアップドライバと、ソースが前記出力端子に接続され、ゲートが前記入力端子に接続された第2プルアップドライバと、前記第2プルアップドライバのドレインに定電流を供給する定電流回路と、前記出力端子と第2電圧ラインとの間に配置されたプルダウンドライバとを備え、前記プルダウンドライバは、前記定電流回路の定電流から前記第2プルアップドライバに流れる電流を減じた差電流に基づいた電流を流すように構成されている。 (もっと読む)


【課題】複数の入力整合回路及び複数の出力整合回路をコンパクトに実装できるパワーアンプモジュールを提案する。
【解決手段】パワーアンプモジュール11は、それぞれが異なる周波数帯域を有する複数の無線信号を選択的に電力増幅するパワーアンプ20と、複数の無線信号のそれぞれについてパワーアンプ20の入力のインピーダンス整合を行うようにモノリシック集積回路化された複数の入力整合回路31,32と、複数の無線信号のそれぞれについてパワーアンプ20の出力のインピーダンス整合を行うようにモノリシック集積回路化された複数の出力整合回路41,42と、パワーアンプ20を搭載するとともに複数の入力整合回路31,32及び複数の出力整合回路41,42を内蔵する多層基板50を備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で基準信号の温度補正を行うことができる半導体集積回路装置及びその温度補正方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも3つの異なる温度で半導体集積回路の信号発生手段21,22の出力する基準信号の値を測定し、測定した基準信号の値を目標値とするため信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを求め、3つの温度で得た信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データから半導体集積回路の使用温度範囲における各温度の補正制御データを算出し、各温度の補正制御データを温度と対応付けて格納手段56に格納し、半導体集積回路の温度検出手段23で検出した温度に応じて格納手段から信号発生手段のトリミング手段に与える補正制御データを読み出して信号発生手段のトリミング手段に設定し、信号発生手段が出力する基準信号の温度補正を行う。 (もっと読む)


【課題】 不要波の出力を抑制することのできる小型なバイアス回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 半導体素子3に電力を供給するバイアス回路において、インダクタ5及びキャパシタ6が直列に接続された直列回路と、直列回路に並列に接続されて並列回路を構成するインダクタ7と、接地されたキャパシタ8とインダクタ7との間に接続され、外部から電力が供給されるバイアス端子9を備えて、直列回路および並列回路の共振により、半導体素子3の不要波を除去し所望の周波数のみを伝達する。 (もっと読む)


【課題】 音声入力端子とアンプ回路との間に入力音声信号の有無を検出する検出回路を設けることなく、無音時に消費電力を低減すること。
【解決手段】 AVアンプ1は、入力音声信号を増幅し、出力音声信号を出力するアンプ回路4と、アンプ回路4から出力される出力音声信号の信号レベルを検出する信号レベル検出手段と、信号レベル検出手段によって検出された、アンプ回路4から出力される出力音声信号の信号レベルが、無音判断基準値未満である状態が、所定時間以上継続したか否かを判断する第1信号レベル判断手段と、アンプ回路4から出力される出力音声信号の信号レベルが無音判断基準値未満である状態が所定時間以上継続した場合に、AVアンプ1を電源オン状態から電源オフ状態に移行させる電源制御手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】回路サイズが小さい電源装置を提供すること。
【解決手段】電源装置は、直列接続された2つのスイッチング部と、所定電圧の電源供給によって動作して2つのスイッチング部を交互にオンオフする駆動部と、を有し、外部電源から得られた交流電力を直流電力に変換するスイッチング電源部と、外部電源から得られた交流電力を直流電力に変換して出力する電源部と、スイッチング電源部の駆動部が2つのスイッチング部の動作を制御するための制御信号を出力する制御部と、電源部の出力電力及び制御信号をスイッチング電源部の駆動部に伝送すると共に、入力側と出力側を絶縁する伝送部とを備える。 (もっと読む)


雑音除去を備える低雑音増幅器(LNA)を改善するための技術が説明される。LNAは、入力ステージ回路において生成された雑音を除去するために協働する第1及び第2の増幅器を含む。入力ステージ回路は、RF信号を受信し、第1のノード及び第2のノードによって特徴付けられる。第1の増幅器は、第1のノードにおける雑音電圧を、第1の増幅器の出力において第1の雑音電流に変換する。第2の増幅器は、第1の増幅器の出力に直接結合され、第2のノードにおける雑音電圧の関数として第2の増幅器によって生成された第2の雑音電流と第1の雑音電流とを加算することによって、雑音除去を提供する。提案された技術は、大きな交流結合コンデンサへのニーズを排除し、LNAによって占められるダイ・サイズを低減する。LNAの増幅ステージ間での交流結合コンデンサの排除によって、電流の再利用が可能になり、その結果電流の消費が低減される。
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増幅すべき入力信号(e)を出力信号(a)に増幅するためのプッシュプル増幅器が一つの第1の及び一つの第2の増幅素子(1、1’)有する。前記2つの増幅素子(1、1’)のそれぞれが一つの電流放出電極(2、2’)、一つの集電電極(3、3’)、及び一つの電流制御電極(4、4’)を有する。前記増幅素子(1、1’)の前記電流制御電極(4、4’)に、それぞれの入力端子(6、6’)を介して、及び、それぞれの前記入力端子(6、6’)とそれぞれの前記電流制御電極(4、4’)との間に配置されたそれぞれの入力インダクタンス(5、5’)を介して、前記入力信号(e)が供給される。前記集電電極(3、3’)は、それぞれの供給インダクタンス(7、7’)を介して一つの共通の供給電圧(V+)に接続される。前記増幅素子(1、1’)の前記電流放出電極(2、2’)は、それぞれのコンデンサ(8、8’)を介してそれぞれもう一方の前記増幅素子(1’、1)の前記集電電極(3’、3)に接続される。前記電流放出電極(2、2’)は、前記出力信号(a)をピックアップ可能である出力端子(9、9’)に接続される。前記電流放出電極(2、2’)は、それぞれの出力インダクタンス(10、10’)を介して基準電位に接続されている。前記増幅素子(1、1’)の前記供給インダクタンス(7、7’)は、それぞれもう一方の前記増幅素子(1’、1)の前記入力インダクタンス(5’、5)及び前記出力インダクタンス(10’、10)に誘導結合される。
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【課題】簡単な構成でデプレッション型MOSトランジスタの温度特性を補償する電流源回路を提供する。
【解決手段】2つのエンハンスメント型MOSトランジスタQ2、Q3から構成されたカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の入力側の前記エンハンスメント型MOSトランジスタQ2のドレインに接続され、定電流源として機能するデプレッション型MOSトランジスタQ1と、前記カレントミラー回路の入力側の前記エンハンスメント型MOSトランジスタQ2のソースに接続された負の温度特性を有する抵抗と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ICチップ上のコンデンサ面積を小さくすることができる位相補償回路を提供する。
【解決手段】 エラーアンプの出力端子に容量と抵抗を直列接続し、容量に流れる電流を抵抗の両端に接続したトランスコンダクタンスアンプにより増幅してフィードバックすることにより、エラーアンプの周波数特性の主要極の周波数を低くする。 (もっと読む)


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