【課題】 半導体基板のファイナルポリッシングにおいて平滑性の低下や異物の増加を生じることなく、ウエハ自体の欠陥を低減し、優れた研磨表面が形成可能な半導体基板研磨液及び当該半導体基板研磨液を用いた半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 コロイダルシリカと水溶性高分子と水を含み、研磨液のｐＨが４．０以上８．０以下である半導体基板用研磨液、及び当該半導体基板研磨液を用いて半導体基板の表面を研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】スラリーの供給不足をより確実に検出できる研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、ウェハＷを保持する保持機構１０と、保持機構１０に保持されたウェハＷを研磨する研磨パッド２１とを備え、保持機構１０に保持されたウェハＷの被研磨面Ｗａに研磨パッド２１を当接させながら相対移動させてウェハＷの研磨加工を行うように構成された研磨装置１において、被研磨面Ｗａと研磨パッド２１との当接部にスラリー３１を供給するスラリー供給機構３０と、被研磨面Ｗａにプローブ光を照射する光源４１と、プローブ光が照射された被研磨面Ｗａからの反射光を検出する光検出器４３と、光検出器４３に検出された反射光の情報に基づいて研磨加工の終点を検出するとともに当該反射光の情報に基づいてスラリー３１の供給状態を判定する制御装置５０とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】上下両定盤の修正状態をできるかぎり同一として、マッチングのとれた定盤面を形成してワークを高精度で両面研磨する。
【解決手段】回転可能に配置された研磨用サンギア１１１と、研磨用サンギア１１１との間に環状領域１２１を形成するインターナルギア２２と、環状領域内に回転可能に配置された環状の下定盤２０と、下定盤２０の上側に回転可能に配置された環状の上定盤３０と、を備え、下定盤２０、上定盤３０、サンギア部材１１０、及びインターナルギア２２を夫々予め定めた回転方向、及び速度で回転させ、研磨キャリア１０で保持したワーク１１の両面研磨後、研磨用サンギア１１１に代えて、研磨用サンギア１１１のピッチ円径Ｒａより小さいピッチ円径Ｒｂを備えた修正用サンギア１１２を配置し、環状領域に研磨キャリア１０のピッチ円径ｒａより大きいピッチ円径ｒｂの修正キャリア２３０を配置し、下定盤２０、及び上定盤３０の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】無機絶縁膜層等の被研磨面を、研磨傷の発生を抑え、かつ高速で研磨することが可能な研磨剤及び研磨方法を提供すること。
【解決手段】金属酸化物粒子及び媒体を含有する研磨剤であって、前記金属酸化物粒子が、金属塩、高分子化合物、及び高沸点有機溶媒を含有する混合物を加熱することにより生成する金属酸化物を焼成して得られる金属酸化物粒子を含む、研磨剤。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】パーティクル数及びＨａｚｅ値が小さいシリコンウエハを得ることが可能なシリコンウエハ用研磨液組成物を提供できる。
【解決手段】シリカ粒子（成分Ａ）と、水系媒体(成分Ｂ)と、水溶性アルカリ化合物(成分Ｃ)と、Ｒ¹−Ｇｙで表されるアルキルポリグリコシド(成分Ｄ)と、カチオン化ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（成分Ｅ）とを含み、成分Ｅは、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−で表される構成単位（ｅ２）、−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＣＯＲ²）−で表される構成単位（ｅ３）、―Ｘ―で表される構成単位（ｅ４）を含み、構成単位（ｅ４）のモル濃度がカチオン化ＰＶＡの全構成単位中０．００１〜１．５モル％であり、成分Ｄの含有量が０．００１５重量％以下、前記成分Ｄと前記成分Ａの重量％の比（成分Ｄの重量％／成分Ａの重量％）が０．０００１〜０．００８、２５℃におけるｐＨが８〜１２である、シリコンウエハ用研磨液組成物。 （もっと読む）

【解決手段】基板に接触され、多数の空孔を有するナップ層が、エーテル樹脂を含む少なくとも３種類の樹脂を有するベース樹脂にて形成された研磨布を用い、これに研磨スラリーを同伴させて基板表面を研磨する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【効果】本発明によれば、基板表面の欠陥数が少なく、かつ高平滑性化された基板を製造することが可能となる。また、研磨布の使用時間を延長することができることから、コストダウン及び生産性の向上につながる。 （もっと読む）

【課題】
ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
ジルコニア粉末を構成する二次凝集粒子が略球状で、平均アスペクト比が１．０以上１．５以下であって、ＣＶ値（１００×標準偏差／平均値）が４０％以下であることを特徴とするジルコニア研磨剤が研磨能力が優れていることを見出した。 （もっと読む）

【課題】貴金属の研磨に適した研磨用組成物及びその用途を提供する。
【解決手段】本発明は、導体層と前記導体層と接する導電性物質層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、常温の研磨用組成物中で電位計の正極側を導電性物質に接続し、且つ負極側を導体に接続した条件において、導電性物質と導体を研磨したときに正極側から負極側へ流れる電流の値が、正の値（ゼロを含む。）を示すことを特徴とする研磨用組成物を提供する。さらには、研磨用組成物は、導体及び導電性物質との間に流れる電流値を正の値（ゼロを含む。）にする添加剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）