【課題】ジカルコゲナイド熱電材料を提供する。
【解決手段】下記化学式１：


式中で、Ｒは、希土類または遷移金属磁性元素を表し、Ｘ及びＹは、相異なる元素であって、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選択される一つ以上の元素を表し、ａは、０≦ａ＜２の範囲を有する、
で示される化合物を有する熱電材料である。 （もっと読む）

本発明は、電子バンド構造によって特徴付けられ得る電子物性を有する新型のギャップレス半導体材料であって、電子バンド構造が、第１の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるＶＢ₁及びＣＢ₁をそれぞれ含み、並びに第２の電子スピン偏極についての価電子帯及び伝導帯部分であるＶＢ₂及びＣＢ₂をそれぞれ含む、新型のギャップレス半導体材料を提供する。価電子帯部分ＶＢ₁は第１エネルギー準位を有し、ＣＢ₁及びＣＢ₂のうちの１つが、ＶＢ₁とＣＢ₁及びＣＢ₂のうちの１つとの間でギャップレス電子遷移が可能となるように位置する第２エネルギー準位を有し、並びにエネルギーバンドギャップがＶＢ₂とＣＢ₁及びＣＢ₂のうちのもう一方との間で規定されるように、ギャップレス半導体材料が調製されている。
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【課題】高いジョセフソンプラズマ周波数と高い臨界電流の双方を有する酸化物超伝導体を提供する。
【解決手段】［Ｒ（Ｍ）］_２Ｃｕ_１Ｏ_４結晶構造（ただし、Ｒ：希土類元素、Ｍ：アルカリ土類金属とする）を有する酸化物超伝導体であって、その結晶が針状であることを特徴とし、その製造方法は、下記化学式１で表される原子組成を有する前駆体の粉末の圧粉成形体を熱処理することで針状に結晶成長させることを特徴とする。（化１）Ｒ_２．８５Ｍ_ａＣｕ_ｂＴｅ_ｃＯ_ｘ（Ｒ：希土類元素。Ｍ：アルカリ土類金属。ａ、ｂ、ｃ：原子比。ｘ：酸素量） （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、ＰｂＳｅ_xＹ_1-x合金の製造方法及びＰｂＳｅ／ＰｂＹコア／シェルナノワイヤの製造方法に向けられる。
【解決手段】ＰｂＳｅ_xＹ_1-x合金の製造方法は、ＰｂＳｅナノワイヤを提供する工程、ＰｂＹ溶液（式中、Ｙ＝Ｓ又はＴｅ）を生成させる工程、前記ＰｂＳｅナノワイヤを成長溶液に加える工程、及びＰｂＳｅナノワイヤを含む加熱された成長溶液に前記ＰｂＹ溶液を加えることによりＰｂＳｅ_xＹ_1-xナノワイヤ合金を生成させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】均一な大きさのI-III-VI_２ナノ粒子前駆体をより環境に優しく、かつ容易な方法で合成し、これを基板に蒸着させて薄膜を形成した後、熱処理して所望する組成の太陽電池用光吸収層をより簡便に製造できる方法を提供する。
【解決手段】本発明はI-III-VI_２ナノ粒子の製造方法及び多結晶光吸収層薄膜の製造方法に関する。本発明のI-III-VI_２ナノ粒子の製造方法は、(ａ１)I族原料、III族原料及びVI族原料を溶媒と共に混合して混合溶液を製造する段階と、(ａ２)前記混合溶液を超音波処理する段階と、(ａ３)前記超音波処理された混合溶液から溶媒を分離する段階と、(ａ４)前記(ａ３)段階から得られた結果物を乾燥させてナノ粒子を得る段階とを含む。本発明によれば、超音波を用いた破砕分散を通じて均一な大きさのI-III-VI_２ナノ粒子前駆体を合成し、薄膜を製造した後、熱処理工程などを通じて容易に所望する造成の多結晶光吸収層薄膜を得ることができる。また、本発明によれば、既存の酸素除去工程が不要であるため、従来の製造工程を簡素化でき、製造コストを大幅に低減できるものと期待される。 （もっと読む）

ナノ結晶の形成方法が提供される。ナノ結晶は、一般式Ｍ１Ａ若しくは一般式Ｍ１Ｏの二元ナノ結晶であってもよく、一般式Ｍ１Ｍ２Ａ、一般式Ｍ１ＡＢ若しくは一般式Ｍ１Ｍ２Ｏの三元ナノ結晶であってもよく、又は一般式Ｍ１Ｍ２ＡＢの四元ナノ結晶であってもよい。Ｍ１は、ＰＳＥのＩＩ〜ＩＶ族、ＶＩＩ族又はＶＩＩＩ族の金属である。Ａは、ＰＳＥのＶＩ族又はＶ族の元素である。Ｏは酸素である。沸点の低い非極性溶媒中で均質な反応混合物が形成されるが、それには、金属Ｍ１及び適用可能な場合Ｍ２を含有する金属前駆体が含まれる。酸素を含有するナノ結晶については、金属前駆体が酸素供与体を含有する。適用可能であれば、Ａも均質な反応混合物に含まれる。均質な反応混合物は、高圧のもとでナノ結晶を形成するのに好適である高い温度に熱せられる。
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ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を形成する方法が、提供される。そのナノ結晶複合材料は、（ａ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、（ｂ）Ｃｄ、Ｓｅ、Ａ、および（ｃ）Ｃｄ、Ｍ、Ｓｅ、Ａのうちの一つの組成を有し、ＭはＣｄ以外のＰＳＥの第１２族元素であり、ＡはＯおよびＳｅ以外のＰＳＥの第１６族元素である。一実施形態において、元素Ｃｄまたはその前駆体と、適宜Ｍまたはその前駆体との溶液を、適当な溶媒で形成する。元素Ｓｅおよび適宜Ａをその溶液に添加して、それにより反応混合物を形成する。反応混合物を、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料の形成に適した温度で十分な時間加熱し、その後、反応混合物を冷却する。最後に、ＣｄおよびＳｅ含有ナノ結晶複合材料を単離する。別実の施形態において、元素Ｃｄまたはその前駆体、Ｓｅ、適宜Ｍおよび適宜Ａを適当な溶媒に添加することにより、反応混合物を形成する。この実施形態において、反応混合物を加熱して、工程の間に形成された水を除去する。
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【課題】ｐｈａｓｅ−ｉ構造やｐｈａｓｅ−ｉの類似構造を生成させたり、これまで得られなかった組成領域でこうした構造を生成させること。
【解決手段】Ｍｏ又はＮｂを主成分とし、ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において回折角（２θ）で１０°の以下の位置に回折ピークをもつタングステンブロンズ構造を有する酸化物の製造方法において、Ｃｓ及びＲｂから選ばれる少なくとも１種の元素をＭｏ又はＮｂに対して０．０１〜０．５添加して酸化物を製造し、ついで該酸化物を酸性水溶液又はアンモニウムイオン含有水溶液と接触させて製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ結晶−金属複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ナノ結晶の表面に少なくとも一つの金属粒子が結合した半導体ナノ結晶−金属複合体及びその製造方法を提供する。該半導体ナノ結晶−金属複合体は、従来半導体ナノ結晶の基本特性の他にも、光電特性及び向上した結合性を持つことから半導体ナノ結晶の応用を広めることができ、かつ別の複雑な工程無しに常温で容易に合成できる。 （もっと読む）

【課題】高純度で特に水分、硫化水素の残留量が少ないセレン化水素の製造方法を得ることにある。
【解決手段】金属セレンまたはセレン化合物を温度４００℃以下で高純度水素と接触させつつ、反応系内を加熱下に排気したのち、温度５００〜７００℃で高純度水素と接触させて、高純度のガス状セレン化水素を得る。また、得られたガス状セレン化水素をさらに液化または固化し、この液化物または固化物の周囲の雰囲気ガスを排気したのち、前記液化物または固化物を気化させて高純度のガス状セレン化水素を得ることが好ましい。 （もっと読む）