ナノ粒子を生成する方法であって、ナノ粒子前駆体組成物のナノ粒子材料への転化を生じさせることを含み、前記前駆体組成物は、成長しているナノ粒子に組み込まれる第１イオンを含有する第１前駆体種及び成長しているナノ粒子に組み込まれる第２イオンを含有する第２前駆体種を有し、前記転化は、ナノ粒子のシーディング及び成長が可能な条件の下で分子クラスター化合物が存在する場合に生じ、該方法は、分子クラスター化合物と、前記ナノ粒子を生成するために用いられるナノ粒子前駆体組成物の総量より少ないナノ粒子前駆体組成物の最初の分量とを、適切な分散媒体において第１温度で分散させることと、クラスター化合物及び前駆体組成物を含む分散媒体の温度を、前記分子クラスター化合物の分子クラスター上のナノ粒子のシーディング及び成長を生じさせるのに十分な第２温度に上昇させることと、成長しているナノ粒子を含む分散媒体にナノ粒子前駆体組成物の１又は複数の更なる分量を加えることとを含み、ナノ粒子前駆体組成物の前記又は各更なる分量を加える前、加えている間、及び／又は加えた後に、成長しているナノ粒子を含む分散媒体の温度を上昇させる方法。

（もっと読む）

本発明は、相変化材料成分及び強磁性材料成分を含む、情報記録用媒体において使用される相変化磁性複合材材料に関連し、この場合、前記材料は磁気効果及び相変化効果の両方を示し、光学媒体、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）デバイス、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）デバイス、固体メモリデバイス、センサーデバイス、論理デバイス、認知デバイス、人工ニューロンネットワーク、三レベルデバイス、制御デバイス、ＳＯＣ（システムオンチップ）デバイス及び半導体のために使用可能である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子％でＧｅを２０．２〜２４．２％、Ｓｂを２０．２〜２４．２％含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有しかつ六方晶構造のＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５相が質量％で９０％以上占めている組織を有するターゲットであって、このターゲットは前記組成を有するインゴットを熱処理したのち粉砕もしくは前記インゴットを粉砕して得られた合金粉末を熱処理したのち解砕した原料合金粉末を加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 透明導電膜や導電性薄膜等に利用することができる新規なアモルファス状又はペロブスカイト型構造のＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 アモルファス状又はペロブスカイト型構造の新規なＣｄ_３ＴｅＯ_６薄膜により、上記課題を解決した。この酸化物薄膜において、Ｃｄ_３ＴｅＯ_６薄膜の金属原子の一部が遷移金属原子又は磁性原子で置換されたものであってもよいし、Ｃｄ_３ＴｅＯ_６薄膜にＬａ、Ｙ、Ｉｎ及びＢｉの群から選ばれる１種又は２種以上の原子をドーピングされたものであってもよい。この酸化物薄膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング法又は類似のスパッタリング法により形成することが好ましい。 （もっと読む）

式Ｍ^３Ｍ^１Ａ_２の化合物の調製方法を提供する。この方法は、少なくとも１種の配位性溶媒の存在下で、式Ｍ^２Ｍ^１Ａ_２の化合物と式Ｍ^３Ｘ^２の化合物とを反応させる工程を含む。Ｍ^１は、Ｂ^３＋、Ａｌ^３＋、Ｇａ^３＋、Ｉｎ^３＋、Ｔｌ^３＋、Ｆｅ^３＋、およびＡｕ^３＋から選択することができ、Ｍ^２は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋、（Ｔ^１）_３Ｓｉ−、およびＮ（Ｔ^２）_４^＋から選択することができ、Ｍ^３は、Ｃｕ^＋、Ａｇ^＋、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋、Ｒｂ^＋、Ｆｒ^＋、Ａｕ^＋、およびＨｇ^＋から選択することができ、Ａは、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅから選択することができ、Ｘ^２は、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｆ⁻、ＣＨ_３ＣＯＯ⁻、ＮＯ_３⁻、およびＣＮ⁻から選択することができる。かかる化合物は、電気化学の分野において種々の目的のために使用することができる。
（もっと読む）

本発明は、元素周期系（PSE）の主族II、VIIA、亜族VIIA、亜族IB、亜族IIB、主族IIIまたは主族IVの元素から成る群より選択される少なくとも１つの金属M1と、PSEの主族Vまたは主族VIから選択される少なくとも１つの元素Aとを含むナノ結晶コアと、ナノ結晶のコア表面に結合されたキャッピング試薬であって、少なくとも２個のカップリング基を有するキャッピング試薬と、第２層であって、コーティング試薬と共有結合的にカップリングされた少なくとも２個のカップリング部分と、水溶性を付与するよう少なくとも１個の水溶性基を有する低分子量コーティング試薬を含む第２層とを備えた、水溶性ナノ結晶に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、銅電解工程の副産物として回収する、電着テルル製造工程の中間物から、高純度の二酸化テルルを製造することである。
【解決手段】テルルを電着テルルとして製造する際に発生する中間物から、高純度の二酸化テルルを製造する高純度二酸化テルルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来のスプレー熱分解法による熱分解成膜と比較して、より低い基材加熱温度で金属酸化物膜を得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基板とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記金属酸化物膜形成用溶液が、酸化剤および還元剤の少なくとも一方を含有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は、半導体物質のコア／シェル型ナノ結晶を形成する方法に関する。典型的には、コアは、ＣｄＴｅを含み、シェルは、ＣｄＳとすることができる。シェルは、水溶液中でコア上に合成される。この方法において、前もって合成されているコアは、水溶液中に置かれ、シェルを形成する反応物および３−メルカプトプロピオン酸（ＭＰＡ）などのチオールが加えられ、混合物は、シェルが所望の厚さで完成するまで還流される。シェルの合成は、コアとシェルとの間の格子不整合が低減されるようにシェルとコアとの間に界面領域を設けることにより補助される。界面領域は、例えば、コア中心に比べて表面のところで硫黄レベルを高めた傾斜合金コアを形成する方法を使用して生成することができる。それとは別に、界面領域は、均質なコア上の独立した層とすることもできる。 （もっと読む）

本発明は、セレンをＳｅ（ＩＶ）の形に再生し、かつ／または酸素化水の添加により浴中のセレンを再酸化してＳｅ（ＩＶ）の形にする、薄層状のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ_Y化合物（ｙは２に近く、ＶＩはセレンを含む元素である）の製造のための電解浴の再生に関する。 （もっと読む）